JPH0160890B2 - - Google Patents
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- JPH0160890B2 JPH0160890B2 JP57223221A JP22322182A JPH0160890B2 JP H0160890 B2 JPH0160890 B2 JP H0160890B2 JP 57223221 A JP57223221 A JP 57223221A JP 22322182 A JP22322182 A JP 22322182A JP H0160890 B2 JPH0160890 B2 JP H0160890B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative ion
- alkali metal
- particles
- ion source
- cesium
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/028—Negative ion sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、負イオン源に関し、さらに詳しく
は、アルカリ金属イオン・スパツタリングにより
負イオンビームを生成する負イオン源に関する。
は、アルカリ金属イオン・スパツタリングにより
負イオンビームを生成する負イオン源に関する。
中性アルカリ金属粒子の存在下においた負イオ
ン源物質にアルカリ金属イオン粒子を衝突させて
負イオンを発生させる方式の負イオン源、すなわ
ちアルカリ金属イオン・スパツタリングにより負
イオンを生成する負イオン源の従来公知の装置と
して、“NUCLEAR INSTRUMENTS AND
METHODS 144（1977）（米国）p.373―399”お
よび“NUCLEAR INSTRUMENTS AND
METHOD 164（1979）（米国）p.4−10”に開示
の装置がある。
ン源物質にアルカリ金属イオン粒子を衝突させて
負イオンを発生させる方式の負イオン源、すなわ
ちアルカリ金属イオン・スパツタリングにより負
イオンを生成する負イオン源の従来公知の装置と
して、“NUCLEAR INSTRUMENTS AND
METHODS 144（1977）（米国）p.373―399”お
よび“NUCLEAR INSTRUMENTS AND
METHOD 164（1979）（米国）p.4−10”に開示
の装置がある。
前者の装置は、開口を有するターゲツト板のそ
の開口の周りにコーン状に負イオン源物質を固着
し、アルカリ金属としてセシウムを用い、セシウ
ムイオン放出部から放出したセシウムイオン粒子
を引き出し電極で加速して前記負イオン源物質に
衝突させ、一方、それらとは独立に設けたセシウ
ムオーブンから中性セシウム粒子を前記負イオン
源物質に供給するよう構成されている。生成され
た負イオンは、ターゲツト板の開口から前記セシ
ウムイオン放出部側と反対方向に引き出され、負
イオン引き出し電極で加速されて負イオンビーム
を形成する。この装置の場合、セシウムイオン粒
子を加速して負イオン源物質へ衝突させるから、
スパツタ効率が高いという長所がある。しかしな
がら、セシウムイオン粒子を加速して提供するイ
オン放出部および引き出し電極（これらはセシウ
ムイオン粒子のイオン源である）と、セシウムオ
ーブンとが独立に設けられるので、構成が複雑に
なり、装置が大型化する欠点がある。なお、セシ
ウムイオン放出部から中性セシウム粒子をセシウ
ムイオン粒子と同様に放出することが可能である
が、セシウムイオン放出部とターゲツト板の間に
引き出し電極やサプレツサ電極が介在し、又、セ
シウムイオン放出部からターゲツト板の間の距離
が長くなるので、セシウムイオン放出部からター
ゲツト板に向う中性セシウム粒子の量が少くな
る。そこで、セシウムオーブンを省略することは
無理がある。
の開口の周りにコーン状に負イオン源物質を固着
し、アルカリ金属としてセシウムを用い、セシウ
ムイオン放出部から放出したセシウムイオン粒子
を引き出し電極で加速して前記負イオン源物質に
衝突させ、一方、それらとは独立に設けたセシウ
ムオーブンから中性セシウム粒子を前記負イオン
源物質に供給するよう構成されている。生成され
た負イオンは、ターゲツト板の開口から前記セシ
ウムイオン放出部側と反対方向に引き出され、負
イオン引き出し電極で加速されて負イオンビーム
を形成する。この装置の場合、セシウムイオン粒
子を加速して負イオン源物質へ衝突させるから、
スパツタ効率が高いという長所がある。しかしな
がら、セシウムイオン粒子を加速して提供するイ
オン放出部および引き出し電極（これらはセシウ
ムイオン粒子のイオン源である）と、セシウムオ
ーブンとが独立に設けられるので、構成が複雑に
なり、装置が大型化する欠点がある。なお、セシ
ウムイオン放出部から中性セシウム粒子をセシウ
ムイオン粒子と同様に放出することが可能である
が、セシウムイオン放出部とターゲツト板の間に
引き出し電極やサプレツサ電極が介在し、又、セ
シウムイオン放出部からターゲツト板の間の距離
が長くなるので、セシウムイオン放出部からター
ゲツト板に向う中性セシウム粒子の量が少くな
る。そこで、セシウムオーブンを省略することは
無理がある。
一方、後者の装置は、セシウムイオン粒子を生
成するためにもともと中性セシウム粒子をイオン
放出部に供給するタイプのイオン放出手段を用い
ると共に、そのイオン放出部内に負イオン源物質
を配置した構成のものである。セシウムイオン粒
子は、イオン放出部内で発生するとただちに負イ
オン源物質に衝突し、負イオン粒子を生み出す。
そこでイオン放出部からは負イオン粒子が直接的
に引き出される。この装置の場合、セシウムオー
ブンを別個に設ける必要が無いので、構成が複雑
にならず、装置を小型化できる長所がある。しか
しながら、セシウムイオン粒子を充分に加速でき
ないためスパツタ効率が低いという欠点がある。
また、生成された負イオン粒子がイオン放出部内
のプラズマ中を通つて導出される際に、一部破壊
し、そのため引き出しうる負イオン粒子が少なく
なるという欠点がある。
成するためにもともと中性セシウム粒子をイオン
放出部に供給するタイプのイオン放出手段を用い
ると共に、そのイオン放出部内に負イオン源物質
を配置した構成のものである。セシウムイオン粒
子は、イオン放出部内で発生するとただちに負イ
オン源物質に衝突し、負イオン粒子を生み出す。
そこでイオン放出部からは負イオン粒子が直接的
に引き出される。この装置の場合、セシウムオー
ブンを別個に設ける必要が無いので、構成が複雑
にならず、装置を小型化できる長所がある。しか
しながら、セシウムイオン粒子を充分に加速でき
ないためスパツタ効率が低いという欠点がある。
また、生成された負イオン粒子がイオン放出部内
のプラズマ中を通つて導出される際に、一部破壊
し、そのため引き出しうる負イオン粒子が少なく
なるという欠点がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、アルカリ金属イオン粒子を充分に加速して負
イオン源物質に衝突させることができ、かつアル
カリ金属オーブンを独立して設ける必要のない構
成の負イオン源を提供することを目的とする。
で、アルカリ金属イオン粒子を充分に加速して負
イオン源物質に衝突させることができ、かつアル
カリ金属オーブンを独立して設ける必要のない構
成の負イオン源を提供することを目的とする。
すなわち、この発明は、中性アルカリ金属粒子
とアルカリ金属イオン粒子とを共に放出しうるア
ルカリ金属放出手段、前記アルカリ金属イオン粒
子のための引き出し電極とそれらアルカリ金属イ
オン粒子が衝突するターゲツトとを兼ねかつアル
カリ金属イオン粒子が衝突する部位に負イオン源
物質の担持部を有しさらに負イオン粒子を導出す
る開口を有する負イオン生成電極、および負イオ
ン粒子のための負イオン引き出し電極を具備して
なる負イオン源を提供する。
とアルカリ金属イオン粒子とを共に放出しうるア
ルカリ金属放出手段、前記アルカリ金属イオン粒
子のための引き出し電極とそれらアルカリ金属イ
オン粒子が衝突するターゲツトとを兼ねかつアル
カリ金属イオン粒子が衝突する部位に負イオン源
物質の担持部を有しさらに負イオン粒子を導出す
る開口を有する負イオン生成電極、および負イオ
ン粒子のための負イオン引き出し電極を具備して
なる負イオン源を提供する。
この発明の負イオン源において、アルカリ金属
としてセシウムを用いる場合、セシウム放出手段
は、基本的に、中性セシウム粒子供給手段と中性
セシウム粒子をイオン化するためのエネルギー供
与手段と中性セシウム粒子がイオン化されるイオ
ン化チヤンバーとからなるものである。中性セシ
ウム供給手段は、公知のセシウムオーブンを用い
ることができる。エネルギー供与手段とイオン化
チヤンバーは、公知のプラズマからイオンを引き
出すタイプのイオン源たとえば電子衝撃型イオン
源（PIG型イオン源）あるいはビームプラズマ型
イオン源に用いられているエネルギー供与手段と
イオン化チヤンバーを用いることができる。好ま
しくは、アルカリ金属放出手段は、アルカリ金属
イオン粒子より多くの中性セシウム粒子を放出で
きるものを選択する。
としてセシウムを用いる場合、セシウム放出手段
は、基本的に、中性セシウム粒子供給手段と中性
セシウム粒子をイオン化するためのエネルギー供
与手段と中性セシウム粒子がイオン化されるイオ
ン化チヤンバーとからなるものである。中性セシ
ウム供給手段は、公知のセシウムオーブンを用い
ることができる。エネルギー供与手段とイオン化
チヤンバーは、公知のプラズマからイオンを引き
出すタイプのイオン源たとえば電子衝撃型イオン
源（PIG型イオン源）あるいはビームプラズマ型
イオン源に用いられているエネルギー供与手段と
イオン化チヤンバーを用いることができる。好ま
しくは、アルカリ金属放出手段は、アルカリ金属
イオン粒子より多くの中性セシウム粒子を放出で
きるものを選択する。
この発明の負イオン源において、負イオン生成
電極は、公知のイオン源におけるイオン引き出し
電極と基本的構成で類似するが、まず負イオン生
成電極自体がターゲツトとなる点で異なつてお
り、そのためイオンビームの広がり内に位置する
部位を必ず有している。具体的には、たとえば、
セシウム放出手段から任意距離の或る位置に負イ
オン生成電極を配置する場合、その位置でのセシ
ウムイオンビームの広がりよりも小径の開口が負
イオン生成電極に設けられ、その開口がセシウム
イオンビーム中に位置するよう負イオン生成電極
が設置される。また、たとえば、任意の或る径の
開口が設けられた負イオン生成電極を配置する場
合、その開口の径よりもセシウムイオンビームの
広がりが大きくなる位置に負イオン生成電極が配
置され、その開口がセシウムイオンビーム中に位
置させられる。いずれの場合も開口の周縁部分
が、セシウムイオン粒子が衝突する部位となる。
次に、この発明の負イオン生成電極は、セシウム
イオン粒子が衝突する部位に負イオン源物質の担
持部を有する点で、公知のイオン引き出し電極と
異つている。負イオン源物質の担持は、たとえば
接着によりなされる。
電極は、公知のイオン源におけるイオン引き出し
電極と基本的構成で類似するが、まず負イオン生
成電極自体がターゲツトとなる点で異なつてお
り、そのためイオンビームの広がり内に位置する
部位を必ず有している。具体的には、たとえば、
セシウム放出手段から任意距離の或る位置に負イ
オン生成電極を配置する場合、その位置でのセシ
ウムイオンビームの広がりよりも小径の開口が負
イオン生成電極に設けられ、その開口がセシウム
イオンビーム中に位置するよう負イオン生成電極
が設置される。また、たとえば、任意の或る径の
開口が設けられた負イオン生成電極を配置する場
合、その開口の径よりもセシウムイオンビームの
広がりが大きくなる位置に負イオン生成電極が配
置され、その開口がセシウムイオンビーム中に位
置させられる。いずれの場合も開口の周縁部分
が、セシウムイオン粒子が衝突する部位となる。
次に、この発明の負イオン生成電極は、セシウム
イオン粒子が衝突する部位に負イオン源物質の担
持部を有する点で、公知のイオン引き出し電極と
異つている。負イオン源物質の担持は、たとえば
接着によりなされる。
この発明の負イオン源において、負イオン引き
出し電極は、公知の負イオン引き出し電極を用い
ることができる。
出し電極は、公知の負イオン引き出し電極を用い
ることができる。
以下、図に示す実施例に基いて、この発明をさ
らに詳細に説明する。この発明の他の特徴および
メリツトは、これにより明らかになろう。なお、
これは単なる例示であつて、これによりこの発明
が限定されるものではない。
らに詳細に説明する。この発明の他の特徴および
メリツトは、これにより明らかになろう。なお、
これは単なる例示であつて、これによりこの発明
が限定されるものではない。
第１図に示す１は、この発明の負イオン源の一
実施例であつて、セシウム放出手段２，サプレツ
サ電極３，負イオン生成電極４および負イオン引
き出し電極５をこの順の配列で具備している。
実施例であつて、セシウム放出手段２，サプレツ
サ電極３，負イオン生成電極４および負イオン引
き出し電極５をこの順の配列で具備している。
セシウム放出手段２は、電子衝撃型イオン源の
イオン放出部を用いており、セシウムオーブン６
から中性セシウム粒子７がアークチヤンバー８内
に供給されている。そこでチヤンバーの導出口８
ａからは、セシウムイオン粒子９が放出される。
それらセシウムイオン粒子９は、サプレツサ電極
３および負イオン生成電極４によつて加速されて
第１図右方向に進行する。一方、イオン化しなか
つた余剰の中性セシウム粒子１３も、導出口８か
ら第１図右方向に噴出する。
イオン放出部を用いており、セシウムオーブン６
から中性セシウム粒子７がアークチヤンバー８内
に供給されている。そこでチヤンバーの導出口８
ａからは、セシウムイオン粒子９が放出される。
それらセシウムイオン粒子９は、サプレツサ電極
３および負イオン生成電極４によつて加速されて
第１図右方向に進行する。一方、イオン化しなか
つた余剰の中性セシウム粒子１３も、導出口８か
ら第１図右方向に噴出する。
負イオン生成電極４は、引き出し電極でもある
ために、導出口８からそう遠くない位置に配置さ
れる。そこで導出口８から噴出した中性セシウム
粒子１３の充分な量が、負イオン生成電極４に到
達する。
ために、導出口８からそう遠くない位置に配置さ
れる。そこで導出口８から噴出した中性セシウム
粒子１３の充分な量が、負イオン生成電極４に到
達する。
負イオン生成電極４は開口１０を有しており、
その開口１０の周囲にはコーン状にたとえば炭素
の如き負イオン源物質１１が固着されている。こ
の負イオン源物質１１は、前記加速されたセシウ
ムイオン粒子９が衝突しうるように、加速された
セシウムイオン粒子９の広がりの中に配置され
る。
その開口１０の周囲にはコーン状にたとえば炭素
の如き負イオン源物質１１が固着されている。こ
の負イオン源物質１１は、前記加速されたセシウ
ムイオン粒子９が衝突しうるように、加速された
セシウムイオン粒子９の広がりの中に配置され
る。
結局のところ、負イオン源物質１１には充分な
量の中性セシウム粒子１３が供給され、かつ加速
されたセシウムイオン粒子９が衝突する。そこで
負イオン粒子１２が生成される。
量の中性セシウム粒子１３が供給され、かつ加速
されたセシウムイオン粒子９が衝突する。そこで
負イオン粒子１２が生成される。
負イオン粒子１２は、サプレツサ電極３のため
に第１図左方向へは進行せず、かつ負イオン引き
出し電極５のために開口１０から第１図右方向へ
引き出され加速される。かくして、第１図矢印α
のように、負イオンビームが得られることにな
る。
に第１図左方向へは進行せず、かつ負イオン引き
出し電極５のために開口１０から第１図右方向へ
引き出され加速される。かくして、第１図矢印α
のように、負イオンビームが得られることにな
る。
この発明の負イオン源の実験例を以下に示す。
実験例 １
セシウム放出手段：電子衝撃型イオン源のイオ
ン放出部を使用 導出口の直径：2.2mmφ サプレツサ電極の開口と導出口の距離：６mm サプレツサ電極の開口径：６mmφ 負イオン生成電極の開口と導出口の距離：21mm 負イオン生成電極の開口径：２mmφ 負イオン引き出し電極の開口と負イオン生成電
極の開口距離：10mm 負イオン引き出し電極の開口径：５mmφ セシウム放出チヤンバーに対する負イオン生成
電極の電位：−20KV 負イオン生成電極に対するサプレツサ電極の電
位：−1.3KV 負イオン生成電極に対する負イオン源引き出し
電極の電位：＋20KV 負イオン源物質：グラフアイト（カーボン） 上記条件下での実験データは第２図に示す通り
で、得られる負イオン粒子電流は、従来に比べ大
きな値を示している。ちなみに、従来の負イオン
源による負イオン粒子電流は、セシウムイオン粒
子イオン電流が1.0〜1.5mAで負イオン源物質が
原子状のカーボンC-のときに、30〜50μAであ
る。
ン放出部を使用 導出口の直径：2.2mmφ サプレツサ電極の開口と導出口の距離：６mm サプレツサ電極の開口径：６mmφ 負イオン生成電極の開口と導出口の距離：21mm 負イオン生成電極の開口径：２mmφ 負イオン引き出し電極の開口と負イオン生成電
極の開口距離：10mm 負イオン引き出し電極の開口径：５mmφ セシウム放出チヤンバーに対する負イオン生成
電極の電位：−20KV 負イオン生成電極に対するサプレツサ電極の電
位：−1.3KV 負イオン生成電極に対する負イオン源引き出し
電極の電位：＋20KV 負イオン源物質：グラフアイト（カーボン） 上記条件下での実験データは第２図に示す通り
で、得られる負イオン粒子電流は、従来に比べ大
きな値を示している。ちなみに、従来の負イオン
源による負イオン粒子電流は、セシウムイオン粒
子イオン電流が1.0〜1.5mAで負イオン源物質が
原子状のカーボンC-のときに、30〜50μAであ
る。
なお、負イオン源物質は、原子状のカーボン
C-（第２図に〇印で明示）または分子状のカーボ
ンC- 2（第２図に△で印で明示）のとおりである。
C-（第２図に〇印で明示）または分子状のカーボ
ンC- 2（第２図に△で印で明示）のとおりである。
以上の説明から理解されるように、この発明の
負イオン源では、アルカリ金属イオン粒子の引き
出し電極にターゲツトを兼ねさせて、そこに負イ
オン源物質を担持させると共に、プラズマからイ
オンを引き出すタイプのイオン放出手段を用いそ
こからアルカリ金属イオン粒子と中性アルカリ金
属粒子とを共に供給するようにしている。そこで
アルカリ金属イオン粒子は、充分に加速されて負
イオン源物質に衝突するので、スパツタ効率が高
くなる。さらに生成された負イオン粒子が、プラ
ズマ中を通らずに引き出されるので負イオン粒子
の減少がほとんどなく、多くの負イオン粒子粒子
を得られる。またイオン放出手段から中性アルカ
リ金属粒子が充分供給されるので、独立にアルカ
リ金属オーブンを設ける必要がなく、装置全体を
小型化することができる。
負イオン源では、アルカリ金属イオン粒子の引き
出し電極にターゲツトを兼ねさせて、そこに負イ
オン源物質を担持させると共に、プラズマからイ
オンを引き出すタイプのイオン放出手段を用いそ
こからアルカリ金属イオン粒子と中性アルカリ金
属粒子とを共に供給するようにしている。そこで
アルカリ金属イオン粒子は、充分に加速されて負
イオン源物質に衝突するので、スパツタ効率が高
くなる。さらに生成された負イオン粒子が、プラ
ズマ中を通らずに引き出されるので負イオン粒子
の減少がほとんどなく、多くの負イオン粒子粒子
を得られる。またイオン放出手段から中性アルカ
リ金属粒子が充分供給されるので、独立にアルカ
リ金属オーブンを設ける必要がなく、装置全体を
小型化することができる。
第１図はこの発明の負イオン源の一実施例の模
式的構成説明図、第２図はこの発明の負イオン源
の実験データ図である。 １…負イオン源、２…セシウム放出手段、３…
サプレツサ電極、４…負イオン生成電極、５…負
イオン引き出し電極、６…セシウムオーブン、７
…中性セシウム粒子、８…チヤンバー、８ａ…導
出口、９…セシウムイオン粒子、１０…開口、１
１…負イオン源物質、１２…負イオン粒子、１３
…中性セシウム粒子。
式的構成説明図、第２図はこの発明の負イオン源
の実験データ図である。 １…負イオン源、２…セシウム放出手段、３…
サプレツサ電極、４…負イオン生成電極、５…負
イオン引き出し電極、６…セシウムオーブン、７
…中性セシウム粒子、８…チヤンバー、８ａ…導
出口、９…セシウムイオン粒子、１０…開口、１
１…負イオン源物質、１２…負イオン粒子、１３
…中性セシウム粒子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中性アルカリ金属粒子とアルカリ金属イオン
粒子とを共に放出しうるアルカリ金属放出手段、
前記アルカリ金属イオン粒子のための引き出し電
極とそれらアルカリ金属イオン粒子が衝突するタ
ーゲツトとを兼ねかつアルカリ金属イオン粒子が
衝突する部位に負イオン源物質の担持部を有しさ
らに負イオン粒子を導出する開口を有する負イオ
ン生成電極、および負イオン粒子のための負イオ
ン引き出し電極を具備してなる負イオン源。 ２ アルカリ金属放出手段が、中性アルカリ金属
粒子供給手段と中性アルカリ金属粒子をイオン化
するためのエネルギー供与手段と中性アルカリ金
属粒子がイオン化されるイオン化チヤンバーとか
らなる特許請求の範囲第１項記載の負イオン源。 ３ エネルギー供与手段が電子衝撃型イオン源の
カソードであり、イオン化チヤンバーが電子衝撃
型イオン源のアークチヤンバーである特許請求の
範囲第２項記載の負イオン源。 ４ 負イオン源物質の担持部が負イオン生成電極
の開口の周縁部に設けられ、アルカリ金属放出手
段側に向けて広がつたコーン状の負イオン源物質
を担持してなる特許請求の範囲第１項から第３項
のいずれかに記載の負イオン源。 ５ アルカリ金属が、セシウムである特許請求の
範囲第１項から第４項のいずれかに記載の負イオ
ン源。 ６ アルカリ金属が、ルビジウムである特許請求
の範囲第１項から第４項のいずれかに記載の負イ
オン源。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223221A JPS59113175A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 負イオン源 |
| US06/477,971 US4563610A (en) | 1982-12-20 | 1983-03-23 | Device for generating negative-ion beams by alkaline metal ion sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223221A JPS59113175A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 負イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113175A JPS59113175A (ja) | 1984-06-29 |
| JPH0160890B2 true JPH0160890B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=16794684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57223221A Granted JPS59113175A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 負イオン源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4563610A (ja) |
| JP (1) | JPS59113175A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2619247A1 (fr) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Realisations Nucleaires Et | Implanteur d'ions metalliques |
| US5089746A (en) * | 1989-02-14 | 1992-02-18 | Varian Associates, Inc. | Production of ion beams by chemically enhanced sputtering of solids |
| JP2000100790A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Canon Inc | プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
| KR20030088814A (ko) * | 2002-05-15 | 2003-11-20 | 필터레이 화이버 옵틱스 인코퍼레이티드 | 세슘 스프레이를 이용한 스퍼터링 증착 장치 및 방법 |
| US11031205B1 (en) * | 2020-02-04 | 2021-06-08 | Georg-August-Universität Göttingen Stiftung Öffentlichen Rechts, Universitätsmedizin | Device for generating negative ions by impinging positive ions on a target |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1248820B (ja) * | 1962-04-02 | |||
| FR1476514A (fr) * | 1964-10-14 | 1967-04-14 | Commissariat Energie Atomique | Source d'ions |
| GB1252569A (ja) * | 1968-12-17 | 1971-11-10 |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57223221A patent/JPS59113175A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-23 US US06/477,971 patent/US4563610A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4563610A (en) | 1986-01-07 |
| JPS59113175A (ja) | 1984-06-29 |
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