JPH02243529A - フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法 - Google Patents
フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法Info
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- JPH02243529A JPH02243529A JP6087889A JP6087889A JPH02243529A JP H02243529 A JPH02243529 A JP H02243529A JP 6087889 A JP6087889 A JP 6087889A JP 6087889 A JP6087889 A JP 6087889A JP H02243529 A JPH02243529 A JP H02243529A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
- C03B37/027—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres
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- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/82—Fluoride glasses, e.g. ZBLAN glass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス表面近傍の水酸基、酸化物及び欠陥を
除去し、均質透明な表面を得ることができる、フッ化物
光ファイバ用母材の延伸紡糸方法に関する 〔従来の技術〕 フッ化物ガラスを素材とする光ファイバは、現在実用化
されている石英系光ファイバに比較して優れた光透過性
を存しており、最低光損失は10−2〜10−” dB
/ kmとなることが知られている。フッ化ジルコニ
ウム(Zr F+ )をベースとするフッ化物ガラスは
、このような光ファイバ用母材として最も有望視されて
いる。
除去し、均質透明な表面を得ることができる、フッ化物
光ファイバ用母材の延伸紡糸方法に関する 〔従来の技術〕 フッ化物ガラスを素材とする光ファイバは、現在実用化
されている石英系光ファイバに比較して優れた光透過性
を存しており、最低光損失は10−2〜10−” dB
/ kmとなることが知られている。フッ化ジルコニ
ウム(Zr F+ )をベースとするフッ化物ガラスは
、このような光ファイバ用母材として最も有望視されて
いる。
Zr系フッ化物光ファイバは、通常、以下の手順で作製
される。即ち、所定のガラス組成′となるよう秤量混合
された面相のフッ化ガラス原料を溶融し、その融液をモ
ールドにキャスティングして急冷し、ガラス母材を形成
する。これをさらに加熱延伸して光ファイバに線引きす
る。
される。即ち、所定のガラス組成′となるよう秤量混合
された面相のフッ化ガラス原料を溶融し、その融液をモ
ールドにキャスティングして急冷し、ガラス母材を形成
する。これをさらに加熱延伸して光ファイバに線引きす
る。
上記のフッ化物ガラスの線引きにおいて、従来加熱雰囲
気としては、不活性ガス或いは特開昭63−19074
0号公報に記載されている、湿気と反応する乾燥剤を含
む乾燥ガスを用いて加熱紡糸され、比較的少ない表面結
晶化まで抑えられている。
気としては、不活性ガス或いは特開昭63−19074
0号公報に記載されている、湿気と反応する乾燥剤を含
む乾燥ガスを用いて加熱紡糸され、比較的少ない表面結
晶化まで抑えられている。
しかしながら、上記の従来の延伸紡糸方法においては、
ガラス表面近傍に存在しているフッ素(以下Fとも略記
する)離脱欠陥及び更に加熱紡糸時に発生してしまうF
離脱欠陥の抑制に対しては、十分に作用しない。
ガラス表面近傍に存在しているフッ素(以下Fとも略記
する)離脱欠陥及び更に加熱紡糸時に発生してしまうF
離脱欠陥の抑制に対しては、十分に作用しない。
すなわち、フッ化物ガラスは、構成元素であるZr 、
Ba 、La 、AI! 、Naのような重金属カチオ
ンとフッ素Fのアニオンとの間の結合力が比較的弱く、
ガラス母材合成時にFが離散したF離脱欠陥が生じやす
い。更に、母材の加熱延伸及び紡糸時においても、加熱
が比較的高い場合には、ガラス表面近傍のFが離散して
しまい、F離脱欠陥が生じやすい。また、例えばガラス
表面近傍にF離脱欠陥があれば、表面上の雰囲気中に含
有される水分との反応が生じやすく、欠陥の未結合手と
水分におけるOH基とが結びつき、水酸化物が発生する
状況になる。このような、F離脱欠陥及び水酸化物が母
材ガラス表面上に存在すれば、それが破断要因となり、
強度劣化を引き起こしてしまうので、F離脱欠陥を抑制
して線引できる手段の開発は、重要な課題の一つである
。
Ba 、La 、AI! 、Naのような重金属カチオ
ンとフッ素Fのアニオンとの間の結合力が比較的弱く、
ガラス母材合成時にFが離散したF離脱欠陥が生じやす
い。更に、母材の加熱延伸及び紡糸時においても、加熱
が比較的高い場合には、ガラス表面近傍のFが離散して
しまい、F離脱欠陥が生じやすい。また、例えばガラス
表面近傍にF離脱欠陥があれば、表面上の雰囲気中に含
有される水分との反応が生じやすく、欠陥の未結合手と
水分におけるOH基とが結びつき、水酸化物が発生する
状況になる。このような、F離脱欠陥及び水酸化物が母
材ガラス表面上に存在すれば、それが破断要因となり、
強度劣化を引き起こしてしまうので、F離脱欠陥を抑制
して線引できる手段の開発は、重要な課題の一つである
。
本発明はこのような現状に鑑みてなさたちので、ガラス
表面近傍の水酸基、酸化物、欠陥を除去して線引できる
フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法を提供せんと
するものである。
表面近傍の水酸基、酸化物、欠陥を除去して線引できる
フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法を提供せんと
するものである。
本発明は、フッ化物光ファイバ用母材の加熱延伸又は紡
糸工程において、加熱延伸又は紡糸直後のガラス表面を
ハロゲン系化合物の気体又は霧状液体雰囲気中に通過さ
せることを特徴とするフッ化物光ファイバ用母材の延伸
紡糸方法であり、これにより上記の課題を解決できて、
均質透明な表面のフッ化物光ファイバを得ることができ
る。
糸工程において、加熱延伸又は紡糸直後のガラス表面を
ハロゲン系化合物の気体又は霧状液体雰囲気中に通過さ
せることを特徴とするフッ化物光ファイバ用母材の延伸
紡糸方法であり、これにより上記の課題を解決できて、
均質透明な表面のフッ化物光ファイバを得ることができ
る。
本発明における上記ハロゲン系化合物としては、HF
、 Ft 、NFs又はαF!が特に好ましい。
、 Ft 、NFs又はαF!が特に好ましい。
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第1図は本発明の一実施態様を示す概略説明図であり、
フッ化物光ファイバ用母材lをダミー棒2に接続して、
線引き用炉芯管3内に設置する。
フッ化物光ファイバ用母材lをダミー棒2に接続して、
線引き用炉芯管3内に設置する。
該母材1を加熱ヒーター4により線引温度、例えば約3
20℃程度に加熱し、線引してファイバ化するが、この
際、該炉心管3の上部に設けた線引き雰囲気ガス供給口
5から例えばNtガス等の線引雰囲気ガスを供給し、同
雰囲気ガス排気口6から排気しながら、また、下部に設
けたハロゲン系ガス供給ロアからは、例えばF2等の乾
燥/10ゲン系ガスを供給して同ハロゲン系ガス排気口
8から排気しながら、線引するのである。この後、得ら
れたフッ化物光ファイバは、公知の樹脂被覆工程に送る
ことができる。
20℃程度に加熱し、線引してファイバ化するが、この
際、該炉心管3の上部に設けた線引き雰囲気ガス供給口
5から例えばNtガス等の線引雰囲気ガスを供給し、同
雰囲気ガス排気口6から排気しながら、また、下部に設
けたハロゲン系ガス供給ロアからは、例えばF2等の乾
燥/10ゲン系ガスを供給して同ハロゲン系ガス排気口
8から排気しながら、線引するのである。この後、得ら
れたフッ化物光ファイバは、公知の樹脂被覆工程に送る
ことができる。
本発明のフッ化物光ファイバ用母材の組成は、例えばZ
rFt 、BaFt 、LaFs 、At!Fs 、H
fF+ 、NaF 、PbFl等のフッ素化合物からな
るものが好ましく、その製造方法は特に限定されるとこ
ろはなく、例えばビルトインキヤスティング法、直接急
冷法等により製造できる。線引温度は、母材の組成によ
り異なるものの、その軟化温度以上、結晶化温度以下が
一般的温度範囲であり、300℃〜350℃程度である
。
rFt 、BaFt 、LaFs 、At!Fs 、H
fF+ 、NaF 、PbFl等のフッ素化合物からな
るものが好ましく、その製造方法は特に限定されるとこ
ろはなく、例えばビルトインキヤスティング法、直接急
冷法等により製造できる。線引温度は、母材の組成によ
り異なるものの、その軟化温度以上、結晶化温度以下が
一般的温度範囲であり、300℃〜350℃程度である
。
本発明の線引き雰囲気ガスとしては、例えばN、。
〜、He等の乾燥不活性ガスを用いることが好ましい。
本発明の特徴とする、加熱延伸又は紡糸直後の雰囲気と
するハロゲン系化合物のガスとしては、例えばFm 、
N Fs又は(1’Fsが挙げられる。これらのハロ
ゲン系化合物のガスは、例えばN等の不活性ガスキャリ
アーと共に供給してもよい。このときのハロゲン系化合
物のガス濃度は、10〜20体積%程度である。この理
由は10体積%未満では少なすぎF離脱欠陥抑制や水酸
基、酸化物除去の効果がない一方、20体積%を越えて
も著しい効果の差はみられないからである。
するハロゲン系化合物のガスとしては、例えばFm 、
N Fs又は(1’Fsが挙げられる。これらのハロ
ゲン系化合物のガスは、例えばN等の不活性ガスキャリ
アーと共に供給してもよい。このときのハロゲン系化合
物のガス濃度は、10〜20体積%程度である。この理
由は10体積%未満では少なすぎF離脱欠陥抑制や水酸
基、酸化物除去の効果がない一方、20体積%を越えて
も著しい効果の差はみられないからである。
第2図は、本発明の別の実施態様を示す概略説明図であ
って、この例では、線引き用炉芯管23は線引き雰囲気
ガス供給口25と同雰囲気ガス排気口26を有するもの
で、加熱ヒーター24により線引き温度に加熱された母
材lは、N8等の線引き雰囲気中でファイバ化され、該
炉芯管23を出た後、直ちにその直下に設けられた噴霧
ノズル14力)ら噴出されるハロゲン化合物の霧状液体
中を通過して、その表面に該ハロゲン化合物の霧状液体
を吹きつけられる。9は加圧用ガス供給口、10はハロ
ゲン系化合物液体であり、1)はハロゲン系化合物液体
の収納容器、12は輸送管、工3は流量調整器、工5は
圧縮ガス供給口、16は排気口である。
って、この例では、線引き用炉芯管23は線引き雰囲気
ガス供給口25と同雰囲気ガス排気口26を有するもの
で、加熱ヒーター24により線引き温度に加熱された母
材lは、N8等の線引き雰囲気中でファイバ化され、該
炉芯管23を出た後、直ちにその直下に設けられた噴霧
ノズル14力)ら噴出されるハロゲン化合物の霧状液体
中を通過して、その表面に該ハロゲン化合物の霧状液体
を吹きつけられる。9は加圧用ガス供給口、10はハロ
ゲン系化合物液体であり、1)はハロゲン系化合物液体
の収納容器、12は輸送管、工3は流量調整器、工5は
圧縮ガス供給口、16は排気口である。
上記の本発明の方法において、ハロゲン系化合物液体と
しては、例えばHF(フッ酸)、 CCl4F* 、(
2Fm等が用いられる。また、圧縮ガスとしては、例え
ばN* 、Ar 、He等の不活性ガスを用いることが
できる。
しては、例えばHF(フッ酸)、 CCl4F* 、(
2Fm等が用いられる。また、圧縮ガスとしては、例え
ばN* 、Ar 、He等の不活性ガスを用いることが
できる。
本発明の方法においては、フッ化物光ファイバ用母材の
延伸及び紡糸直後のガラス表面を、乾燥したハロゲン系
化合物の気体或いは霧状液体雰囲気中に通過させること
により、加熱延伸或いは紡糸前に既に存在しているガラ
ス表面近傍のF離脱欠陥、水酸化合物がハロゲン化合物
により、大部分消失する。
延伸及び紡糸直後のガラス表面を、乾燥したハロゲン系
化合物の気体或いは霧状液体雰囲気中に通過させること
により、加熱延伸或いは紡糸前に既に存在しているガラ
ス表面近傍のF離脱欠陥、水酸化合物がハロゲン化合物
により、大部分消失する。
すなわち、F離脱欠陥の場合、離脱した結合箇所にハロ
ゲン化合物中のハロゲン原子が埋まり、又、水酸化物の
場合、OH基とハロゲン化合物中のハロゲン原子とが置
換して、不均一な結合の消失を行うことができる。
ゲン化合物中のハロゲン原子が埋まり、又、水酸化物の
場合、OH基とハロゲン化合物中のハロゲン原子とが置
換して、不均一な結合の消失を行うことができる。
化学反応式で説明すれば、ここでハロゲン原子としてF
を例にとると、 のような反応(1)、 (2+が考えられる。
を例にとると、 のような反応(1)、 (2+が考えられる。
さらに、延伸及び紡糸直後のガラス表面を、乾燥したハ
ロゲン化合物の気体或いは霧状液体雰囲気中に通過させ
ることにより、表面近傍の冷却効果を高めることができ
、ガラス表面の結晶化合物及び酸化反応を抑制すること
ができ、結晶のない均質なガラス表面を得ることができ
る。
ロゲン化合物の気体或いは霧状液体雰囲気中に通過させ
ることにより、表面近傍の冷却効果を高めることができ
、ガラス表面の結晶化合物及び酸化反応を抑制すること
ができ、結晶のない均質なガラス表面を得ることができ
る。
C実施例〕
ガラス組成がZr F4. Ba Ft + La F
s 、 Al’ Ft 、 Na Fで各々51.20
.4.5.4.5.20のr1)ot%であるフッ化物
ガラス母材(外径8.0MX長さ90■)を用いて、本
発明及び比較のための従来法によりフッ化物光ファイバ
を製造した。以下の比較例1)実施例1及び2の全ての
場合の線引き手順として、本母材を線引き用ダミー棒に
接続し、ヒーター加熱で線引き温度にしておおよそ32
0℃で外径200pの光ファイバを線引きし、その後直
ちに紫外線(UV)硬化性樹脂を約50t!mの厚さに
被覆し、約80m長のファイバを得た。
s 、 Al’ Ft 、 Na Fで各々51.20
.4.5.4.5.20のr1)ot%であるフッ化物
ガラス母材(外径8.0MX長さ90■)を用いて、本
発明及び比較のための従来法によりフッ化物光ファイバ
を製造した。以下の比較例1)実施例1及び2の全ての
場合の線引き手順として、本母材を線引き用ダミー棒に
接続し、ヒーター加熱で線引き温度にしておおよそ32
0℃で外径200pの光ファイバを線引きし、その後直
ちに紫外線(UV)硬化性樹脂を約50t!mの厚さに
被覆し、約80m長のファイバを得た。
比較例1
第1図において、線引き雰囲気ガス供給口5よりNtガ
スを21)7分パージし、又、乾燥ハロゲン系ガス供給
ロアより同様なガスを31)/分パージしながら、線引
きをおこなった。
スを21)7分パージし、又、乾燥ハロゲン系ガス供給
ロアより同様なガスを31)/分パージしながら、線引
きをおこなった。
実施例1
第1図において、線引き雰囲気ガス供給口5よりN、ガ
スを2127分パージし、又、乾燥ハロゲン系ガス供給
ロアより、HFと〜との混合ガス(混合比1:5)を3
1/分流しながら線引きを行った。
スを2127分パージし、又、乾燥ハロゲン系ガス供給
ロアより、HFと〜との混合ガス(混合比1:5)を3
1/分流しながら線引きを行った。
実施例2
第2図において、線引き雰囲気ガス供給口5よりN!ガ
スを21/分パージしながら線引きを行っなった。同時
に、線引き直後の光ファイバの表面に噴霧ノズル14に
よりHF(フッ化水素酸)を吹きつけた。ここで、圧縮
ガスとしてNガスを用いた。
スを21/分パージしながら線引きを行っなった。同時
に、線引き直後の光ファイバの表面に噴霧ノズル14に
よりHF(フッ化水素酸)を吹きつけた。ここで、圧縮
ガスとしてNガスを用いた。
第3図は光ファイバの破断強度確率分布図であり、曲線
a、b、cは各々比較例1、実施例1.2により得られ
た光ファイバの破断強度確率分布を示している(ゲージ
長300mm、引張り速度1001/分)。第3図の結
果から、実施例1及び2において実施された、線引き直
後の光ファイバ表面へのハロゲン化合物による処理が、
ガラス表面近傍のF離脱欠陥及び水酸化物を除去し破断
要因抑制に対し有効に作用していることがわかる。
a、b、cは各々比較例1、実施例1.2により得られ
た光ファイバの破断強度確率分布を示している(ゲージ
長300mm、引張り速度1001/分)。第3図の結
果から、実施例1及び2において実施された、線引き直
後の光ファイバ表面へのハロゲン化合物による処理が、
ガラス表面近傍のF離脱欠陥及び水酸化物を除去し破断
要因抑制に対し有効に作用していることがわかる。
以上説明したように、本発明によれば、延伸紡糸工程以
前に既に存在していたガラス表面近傍のフッ素離脱欠陥
及び加熱延伸紡糸時に生じやすいフッ素離脱欠陥、水酸
化物を延伸紡糸後に除去できるので、光ファイバ破断要
因が抑制され、機械的強度の高いフッ化物光ファイバが
作製できる。
前に既に存在していたガラス表面近傍のフッ素離脱欠陥
及び加熱延伸紡糸時に生じやすいフッ素離脱欠陥、水酸
化物を延伸紡糸後に除去できるので、光ファイバ破断要
因が抑制され、機械的強度の高いフッ化物光ファイバが
作製できる。
第1図は本発明の一実施例の概略説明図であり、フッ化
物ファイバを乾燥ハロゲンガス雰囲気中を通過させる場
合を示す。第2図は本発明の別の実施例の概略説明図で
あり、ファイバ表面にノ10ゲン系化合物の霧状液体を
吹き付ける場合を示す。 第3図は本発明の比較例1及び実施例1.2で得られた
フッ化物光ファイバa、b、cの破断強度確率分布曲線
を示す図である。 lはフッ化物光ファイバ用母材、2はダミー棒3は線引
き用炉芯管、4は加熱ヒーター 5は線引き雰囲気ガス
供給口、6は線引きガス排気ロアは乾燥ハロゲン系ガス
供給口、8は乾燥ノ10ゲン系ガス排気口、9は加圧用
ガス供給口、lOはハロゲン系化合物液体、1)はハロ
ゲン系化合物液体の収納容器、12は輸送管、13は流
量調整器、14は噴霧ノズル、15は圧縮ガス供給口、
16は排気口、23は線引き用炉芯管、24は加熱ヒー
ター、25は線引き雰囲気ガス供給口、26は線引きガ
ス排気口である。
物ファイバを乾燥ハロゲンガス雰囲気中を通過させる場
合を示す。第2図は本発明の別の実施例の概略説明図で
あり、ファイバ表面にノ10ゲン系化合物の霧状液体を
吹き付ける場合を示す。 第3図は本発明の比較例1及び実施例1.2で得られた
フッ化物光ファイバa、b、cの破断強度確率分布曲線
を示す図である。 lはフッ化物光ファイバ用母材、2はダミー棒3は線引
き用炉芯管、4は加熱ヒーター 5は線引き雰囲気ガス
供給口、6は線引きガス排気ロアは乾燥ハロゲン系ガス
供給口、8は乾燥ノ10ゲン系ガス排気口、9は加圧用
ガス供給口、lOはハロゲン系化合物液体、1)はハロ
ゲン系化合物液体の収納容器、12は輸送管、13は流
量調整器、14は噴霧ノズル、15は圧縮ガス供給口、
16は排気口、23は線引き用炉芯管、24は加熱ヒー
ター、25は線引き雰囲気ガス供給口、26は線引きガ
ス排気口である。
Claims (2)
- (1)フッ化物光ファイバ用母材の加熱延伸又は紡糸工
程において、加熱延伸又は紡糸直後のガラス表面をハロ
ゲン系化合物の気体又は霧状液体雰囲気中に通過させる
ことを特徴とするフッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸
方法。 - (2)上記ハロゲン系化合物が、HF、F_2、NF_
3又はClF_3であることを特徴とする請求項(1)
に記載の延伸紡糸方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087889A JPH02243529A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087889A JPH02243529A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02243529A true JPH02243529A (ja) | 1990-09-27 |
Family
ID=13155075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6087889A Pending JPH02243529A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | フッ化物光ファイバ用母材の延伸紡糸方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02243529A (ja) |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6087889A patent/JPH02243529A/ja active Pending
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