JPH02243967A - トラック・ホールド回路 - Google Patents
トラック・ホールド回路Info
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- JPH02243967A JPH02243967A JP1134494A JP13449489A JPH02243967A JP H02243967 A JPH02243967 A JP H02243967A JP 1134494 A JP1134494 A JP 1134494A JP 13449489 A JP13449489 A JP 13449489A JP H02243967 A JPH02243967 A JP H02243967A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
- G11C27/026—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element associated with an amplifier
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トラックホールド回路に係り、特に、電圧測
定、例えばデジタルボルトメータ内のアナログ/デジタ
ル変換のような電圧の瞬時値を素早く正確に決定する方
法に関する0本発明は、測定する電圧が時間の関数とし
て変化する(すなわち、電圧が交流電圧であるか、ある
いは交流電圧成分を含んでいる)場合に特に有用である
。
定、例えばデジタルボルトメータ内のアナログ/デジタ
ル変換のような電圧の瞬時値を素早く正確に決定する方
法に関する0本発明は、測定する電圧が時間の関数とし
て変化する(すなわち、電圧が交流電圧であるか、ある
いは交流電圧成分を含んでいる)場合に特に有用である
。
この種の手段には、(a)サンプル後ホールドする回路
、および(b)トラック後ホールドする回路の二種類が
ある。
、および(b)トラック後ホールドする回路の二種類が
ある。
サンプル/ホールド回路は、電圧貯蔵素子(たとえば小
容量のコンデンサ)を興味の対象である電圧に周期的に
接続する。コンデンサは、充電されるとすぐにサンプル
していた電圧から切り離され、その電荷は別の回路、た
とえば入力インピーダンスの十分に高いバッファ増幅器
に接続される。
容量のコンデンサ)を興味の対象である電圧に周期的に
接続する。コンデンサは、充電されるとすぐにサンプル
していた電圧から切り離され、その電荷は別の回路、た
とえば入力インピーダンスの十分に高いバッファ増幅器
に接続される。
バッファ増幅器の出力は、次にサンプルするか、あるい
はコンデンサの電荷が漏れるかするまでホールドコンデ
ンサの電荷に対応する一定の電圧を保持する トラック/ホールド回路は電圧貯蔵素子(たとえば容量
の小さいホールドコンデンサ)を含み、その電荷が絶え
間無く変化して興味の対象とする電圧の値を反映する。
はコンデンサの電荷が漏れるかするまでホールドコンデ
ンサの電荷に対応する一定の電圧を保持する トラック/ホールド回路は電圧貯蔵素子(たとえば容量
の小さいホールドコンデンサ)を含み、その電荷が絶え
間無く変化して興味の対象とする電圧の値を反映する。
たとえば入力バッファ増幅器の入力は興味の対象である
電圧であり、出力負荷はホールドコンデンサである。ホ
ールドコンデンサは対象とする電圧に接続されるか、あ
るいはバッファされた電圧にスイッチを通して接続され
る。ホールドコンデンサの電荷が印加された入力電圧に
追随するときは該スイッチは閉じ、瞬時値を保持すると
きは切れる。ホールドコンデンサの両端の電圧は出力バ
ッファ増幅器に印加され、そこからの出力を利用する。
電圧であり、出力負荷はホールドコンデンサである。ホ
ールドコンデンサは対象とする電圧に接続されるか、あ
るいはバッファされた電圧にスイッチを通して接続され
る。ホールドコンデンサの電荷が印加された入力電圧に
追随するときは該スイッチは閉じ、瞬時値を保持すると
きは切れる。ホールドコンデンサの両端の電圧は出力バ
ッファ増幅器に印加され、そこからの出力を利用する。
本発明はトラック/ホールド回路に適用し、特にマルチ
スロープ積分タイプのデジタル電圧計に有用である0本
発明は高速サンプリングを高精度で提供する。
スロープ積分タイプのデジタル電圧計に有用である0本
発明は高速サンプリングを高精度で提供する。
第1図に従来技術の基本的なトラック/ホールド回路1
の概略図を示す、入力電圧VIN2が追随(トラック)
され、保持(ホールド)される、入力電圧■、は入力バ
ッファ増幅器3に印加され、その出力はスイッチ5.4
を通してホールドコンデンサCMOLゎ5に接続される
。入力バッファ3の目的は、C,OL、の負荷効果によ
りVINを低下させることなく、C工。、。が絶えず■
、の瞬時値に充電されるように維持することである。こ
のために入力バッファ3は(V’Hの負荷とならぬよう
に)入力インピーダンスは十分高<(CHoL、を駆動
できるように)出力インピーダンスは十分低く、(保持
された電圧がホールド時の■、の瞬時値と本当に同じに
なるように)周波数レスポンスと利得精度が十分でなけ
ればならない。こうしてCHoLD5の両端の電圧はス
イッチ3.4が閉じている間入力値■1工2に追随する
ようになる。
の概略図を示す、入力電圧VIN2が追随(トラック)
され、保持(ホールド)される、入力電圧■、は入力バ
ッファ増幅器3に印加され、その出力はスイッチ5.4
を通してホールドコンデンサCMOLゎ5に接続される
。入力バッファ3の目的は、C,OL、の負荷効果によ
りVINを低下させることなく、C工。、。が絶えず■
、の瞬時値に充電されるように維持することである。こ
のために入力バッファ3は(V’Hの負荷とならぬよう
に)入力インピーダンスは十分高<(CHoL、を駆動
できるように)出力インピーダンスは十分低く、(保持
された電圧がホールド時の■、の瞬時値と本当に同じに
なるように)周波数レスポンスと利得精度が十分でなけ
ればならない。こうしてCHoLD5の両端の電圧はス
イッチ3.4が閉じている間入力値■1工2に追随する
ようになる。
入力端子V+N2の瞬時値が保持されるべき値になった
ときS、4は開く(十分速く開くものとする) 、 C
11ot*5はVINに追随していたのでCHOLD5
はスイッチS+4が開いた時のVIHの最終値を表し続
ける。該最終値は出力バッファ6に印加され、その出力
から出力電圧V。at 7が得られる。
ときS、4は開く(十分速く開くものとする) 、 C
11ot*5はVINに追随していたのでCHOLD5
はスイッチS+4が開いた時のVIHの最終値を表し続
ける。該最終値は出力バッファ6に印加され、その出力
から出力電圧V。at 7が得られる。
出力バッファ6に必要な周波数レスポンスはVINの最
大印加周波数には関係なく、Slを開くことにより追随
が中断される速度に関係している。出力バッファ6が良
好な入力インピーダンスを維持しCHoLl、の電荷を
乱さない限りは■。uTはSlが開いた瞬間の■、に等
しくなる(あるいはスケールファクター倍に等しい)。
大印加周波数には関係なく、Slを開くことにより追随
が中断される速度に関係している。出力バッファ6が良
好な入力インピーダンスを維持しCHoLl、の電荷を
乱さない限りは■。uTはSlが開いた瞬間の■、に等
しくなる(あるいはスケールファクター倍に等しい)。
前述の第1図の説明は理想化したものであり、S、が完
全なスイッチであると仮定している。あとでわかるよう
にそれは必ずしも必要なことではない。
全なスイッチであると仮定している。あとでわかるよう
にそれは必ずしも必要なことではない。
第2図は第1図の回路を詳細に表したもので、同様な素
子は参照番号を同一にしている。第1図と第2図の主な
差はスイッチS1がρチャンネルMO3FET Q、
8で実現されることである。
子は参照番号を同一にしている。第1図と第2図の主な
差はスイッチS1がρチャンネルMO3FET Q、
8で実現されることである。
ゲート駆動電圧11はQ、のオン、オフを制御する。ゲ
ート駆動電圧が一15ボルトの時、Q、はオンであり、
ゲート駆動電圧が+15ボルトの時Q、はオフである。
ート駆動電圧が一15ボルトの時、Q、はオンであり、
ゲート駆動電圧が+15ボルトの時Q、はオフである。
ゲート駆動電圧は他の値をとらず、ゲート駆動電圧11
のオンからオフへの遷移は実用的に十分早い。
のオンからオフへの遷移は実用的に十分早い。
Q、は完全なスイッチではない。このため、オンからオ
フ、あるいはオフからオンへの切り換えに有限の時間が
必要となるが、この制限は本特許の出願の主な主張では
ない、それよりもQlの電気容量に起因する悪影響にど
う対処するかということが関心事である。それはドレイ
ン・ゲート間静電容量、C□9、およびドレイン・ソー
ス間静電容量、Cn5lOである。ストレイあるいは不
要インピーダンスの通例として、これらの電気容量を第
2図に点線で示す。
フ、あるいはオフからオンへの切り換えに有限の時間が
必要となるが、この制限は本特許の出願の主な主張では
ない、それよりもQlの電気容量に起因する悪影響にど
う対処するかということが関心事である。それはドレイ
ン・ゲート間静電容量、C□9、およびドレイン・ソー
ス間静電容量、Cn5lOである。ストレイあるいは不
要インピーダンスの通例として、これらの電気容量を第
2図に点線で示す。
素子間静電容量CDG9は第2図の回路の動作に誤差を
生じさせる。ゲート駆動電圧11が一15ボルトから+
15ボルトに変化してQlがスイッチオフすると30ボ
ルトの信号がC,。L12に送られる。これはSlおよ
び入力バッファ3がCHoL。
生じさせる。ゲート駆動電圧11が一15ボルトから+
15ボルトに変化してQlがスイッチオフすると30ボ
ルトの信号がC,。L12に送られる。これはSlおよ
び入力バッファ3がCHoL。
に印加していた電荷を妨害する。この状態は第2図の波
形部分「AJから「D」に示す。「A」は、(直流電圧
でもよいが)時間変化(タイムバリアント)VIHのあ
る時間の波形を示すものであり、入力バッファ3の出力
、および(もしSlが閉じている場合)C工。L5の両
端の電圧を表している。
形部分「AJから「D」に示す。「A」は、(直流電圧
でもよいが)時間変化(タイムバリアント)VIHのあ
る時間の波形を示すものであり、入力バッファ3の出力
、および(もしSlが閉じている場合)C工。L5の両
端の電圧を表している。
rB、は、ゲート駆動電圧11を表し、Qlをオンから
オフに切り変える場合が示されている。
オフに切り変える場合が示されている。
「C」は、CHoL、の両端に生ずる理想的な波形を表
す。注意すべき点は、Qlがオフする時までこの電圧は
「A」の電圧に一致し、その後「C」は全く変化しない
ことである。「D」はCMOLllに生ずる実際の波形
を示している。Q、がオフするときC1IoL、の電圧
は正のステップ12となることがわかる。ステップ12
は、ゲート駆動信号1・lがCoG9を通して結合する
ことによって引き起こされる外乱(disturban
ce ’ペデスタル誤差Jとも呼ばれる)である、ス
テップ12の大きさは明確にするため誇張しである。
す。注意すべき点は、Qlがオフする時までこの電圧は
「A」の電圧に一致し、その後「C」は全く変化しない
ことである。「D」はCMOLllに生ずる実際の波形
を示している。Q、がオフするときC1IoL、の電圧
は正のステップ12となることがわかる。ステップ12
は、ゲート駆動信号1・lがCoG9を通して結合する
ことによって引き起こされる外乱(disturban
ce ’ペデスタル誤差Jとも呼ばれる)である、ス
テップ12の大きさは明確にするため誇張しである。
もしゲート駆動電圧11の遷移が常に同じ振幅であれば
CHOLDの電荷への外乱は常に一定量、すなわち、3
0 (C*a/ CMOLI)であり、したがって一定
のオフセットとして補償できる。残念なことに、COC
は理想的でない半導体静電容量であるので、C、OL、
の電荷への外乱は(他の項の中で)■、および比C□/
CM(ILI+の関数でもあることがわかる。C□は半
導体静電容量であり、その値は部分的に両端の電圧に依
存するので正確に補償できない、この状況により第2図
の回路の最終的な精度が制限される。
CHOLDの電荷への外乱は常に一定量、すなわち、3
0 (C*a/ CMOLI)であり、したがって一定
のオフセットとして補償できる。残念なことに、COC
は理想的でない半導体静電容量であるので、C、OL、
の電荷への外乱は(他の項の中で)■、および比C□/
CM(ILI+の関数でもあることがわかる。C□は半
導体静電容量であり、その値は部分的に両端の電圧に依
存するので正確に補償できない、この状況により第2図
の回路の最終的な精度が制限される。
素子間静電容IE Cas 10はフィールドスルー誤
差の原因となる。Qlがオフであっても入力バッファ3
の出力とCll0LDの間にまだ結合があるからである
。この誤差がいったんC0゜L、に入ってしまうと補償
することはほとんど不可能なので、単純に誤差を最小に
しておくか、最初に除いておかねばならない。
差の原因となる。Qlがオフであっても入力バッファ3
の出力とCll0LDの間にまだ結合があるからである
。この誤差がいったんC0゜L、に入ってしまうと補償
することはほとんど不可能なので、単純に誤差を最小に
しておくか、最初に除いておかねばならない。
多少異なるトラック/ホールド回路を簡単に説明するこ
とで従来技術の解決法に関するこの説明を終える。ここ
で第3図を参照すると、入力端子V、、13が、抵抗器
R,14およびスイッチQ。
とで従来技術の解決法に関するこの説明を終える。ここ
で第3図を参照すると、入力端子V、、13が、抵抗器
R,14およびスイッチQ。
15を通って演算増幅器17のマイナス(反転)入力に
印加されている。該演算増幅器の出力は、Vout22
である。増幅器17のプラス(非反転)入力は接地され
、ホールドコンデンサC−0L018は増幅器17の出
力およびマイナス入力の間に接続される。抵抗器R,1
9は増幅器17の出力およびR114とQl 15の接
続点の間に接続される。第2図に示したように、Qlは
pチャンネルのMOS FETであり、その導電状態
はゲート駆動電圧16によって制御される。第2図のQ
18に付随していたのと同じ浮遊容量C,$20および
C□21が第3図のQ、15に付随している。
印加されている。該演算増幅器の出力は、Vout22
である。増幅器17のプラス(非反転)入力は接地され
、ホールドコンデンサC−0L018は増幅器17の出
力およびマイナス入力の間に接続される。抵抗器R,1
9は増幅器17の出力およびR114とQl 15の接
続点の間に接続される。第2図に示したように、Qlは
pチャンネルのMOS FETであり、その導電状態
はゲート駆動電圧16によって制御される。第2図のQ
18に付随していたのと同じ浮遊容量C,$20および
C□21が第3図のQ、15に付随している。
第3図の回路23の動作は次のようになる。入力電圧V
l)1は、抵抗器R,14を通ってスイッチQ115に
印加される。ゲート駆動電圧16が、−15ボルトの時
pチャンネルMO3FETQ、はオンであり、入力端子
V+s13を増幅器17の入力に到達させる。増幅器1
7は印加された信号を反転し、次に抵抗R1’19を通
して帰還する。印加された電圧■、および帰還電圧■。
l)1は、抵抗器R,14を通ってスイッチQ115に
印加される。ゲート駆動電圧16が、−15ボルトの時
pチャンネルMO3FETQ、はオンであり、入力端子
V+s13を増幅器17の入力に到達させる。増幅器1
7は印加された信号を反転し、次に抵抗R1’19を通
して帰還する。印加された電圧■、および帰還電圧■。
urの合計は(増幅器17の利得によって決まるカリは
とんどゼロとなり、Q+45のソースば仮想接地となる
。ゲート駆動電圧16が+15ボルトに変化するとQ、
はオフとなり、■。。アはスタティック状態となる。
とんどゼロとなり、Q+45のソースば仮想接地となる
。ゲート駆動電圧16が+15ボルトに変化するとQ、
はオフとなり、■。。アはスタティック状態となる。
第3図の回路23は確かな長所を持っている。
Q、は回路の仮想接地点で動作するので、ゲート駆動信
号がCIIGを通してCHoL、/増幅器17の組合せ
に結合することによって引き起こされるペデスタル誤差
の値が固定され、■、には依存しなくなる、したがって
第3図の回路のペデスタル誤差は容易に補償される。さ
らに、Q、がオフになってはじめてQlの電圧が変化す
るので、Q、の静電容量に付随した誘電吸収は全く現れ
なくなる。
号がCIIGを通してCHoL、/増幅器17の組合せ
に結合することによって引き起こされるペデスタル誤差
の値が固定され、■、には依存しなくなる、したがって
第3図の回路のペデスタル誤差は容易に補償される。さ
らに、Q、がオフになってはじめてQlの電圧が変化す
るので、Q、の静電容量に付随した誘電吸収は全く現れ
なくなる。
しかしながら第3図の回路2゛3にもい(つかの欠点が
ある。ひとたびQ、がオフになると、CD320を通し
ての結合によるフィードスルー誤差が生ずる可能性があ
る。また回路23は増幅器17が■、の全周波数レンジ
にわたって良好な入力インピーダンス、高い利得、およ
び良好な周波数レスポンスを持つことを必要とするとい
う欠点がある。
ある。ひとたびQ、がオフになると、CD320を通し
ての結合によるフィードスルー誤差が生ずる可能性があ
る。また回路23は増幅器17が■、の全周波数レンジ
にわたって良好な入力インピーダンス、高い利得、およ
び良好な周波数レスポンスを持つことを必要とするとい
う欠点がある。
〔解決しようとする問題点および解決手段〕本発明は、
上記した従来技術を除くためになされたものであり、第
1図および第2図に示したように、印加されたVINを
スイッチを閉じてトラック/ホールドコンデンサCHO
LDに加え、利得1の増幅器がスイッチが開いた時のC
11oLDの両端の電圧を(反転することなく)写しと
る回路および方法を含む、しかしながら、該スイッチは
特別なシーケンスでオン・オフする3個のスイッチ(F
ET)からなる複合スイッチの一部であるe CN0L
Iの直前のFETのゲート駆動電圧ばVaUアに一定の
オフセットをかけた電圧にクランプされる。この配置は
ペデスタル誤差(CMOLゆの直前のFETのドレイン
・ゲート静電界1cm)の第1発生源を一定にし、VI
Nの値と無関係にする。したがって該ペデスタル誤差は
容易に校正でき、CDGの非線形性による悪影響は受け
ない。
上記した従来技術を除くためになされたものであり、第
1図および第2図に示したように、印加されたVINを
スイッチを閉じてトラック/ホールドコンデンサCHO
LDに加え、利得1の増幅器がスイッチが開いた時のC
11oLDの両端の電圧を(反転することなく)写しと
る回路および方法を含む、しかしながら、該スイッチは
特別なシーケンスでオン・オフする3個のスイッチ(F
ET)からなる複合スイッチの一部であるe CN0L
Iの直前のFETのゲート駆動電圧ばVaUアに一定の
オフセットをかけた電圧にクランプされる。この配置は
ペデスタル誤差(CMOLゆの直前のFETのドレイン
・ゲート静電界1cm)の第1発生源を一定にし、VI
Nの値と無関係にする。したがって該ペデスタル誤差は
容易に校正でき、CDGの非線形性による悪影響は受け
ない。
第3図に示したように■。。アはトランクからホールド
に切り変える時にスイッチに帰還される。
に切り変える時にスイッチに帰還される。
しかしながら本回路では帰還されるのは非反転のV 0
1lTであり、複合スイッチを形成している3個のFE
Tの一つを通して帰還される。■。u7は残りの2個の
FETの接続点に帰還される。2個のFETは印加され
た■1Nに対して直列になっている。これら2個のFE
Tのうちの極値のひとっでVINが回路全体への入力と
して印加され、もう−方の極値で印加された■、がCN
0LIIに達する。この配置により■、がCN0LIへ
達する直列路にある2個のFETの中点はホールドの間
低インピーダンスのACグラウンド(すなわち■。II
T )に接続される。これはC++otsの電荷を妨害
する前にフィードスルー電流をグラウンドに逃す。
1lTであり、複合スイッチを形成している3個のFE
Tの一つを通して帰還される。■。u7は残りの2個の
FETの接続点に帰還される。2個のFETは印加され
た■1Nに対して直列になっている。これら2個のFE
Tのうちの極値のひとっでVINが回路全体への入力と
して印加され、もう−方の極値で印加された■、がCN
0LIIに達する。この配置により■、がCN0LIへ
達する直列路にある2個のFETの中点はホールドの間
低インピーダンスのACグラウンド(すなわち■。II
T )に接続される。これはC++otsの電荷を妨害
する前にフィードスルー電流をグラウンドに逃す。
回路の他の特徴は、複合スイッチを構成する3個のFE
Tが制御nされたシーケンスで切り換わる間にペデスタ
ル誤差の第2の発生源が正確に、かつ自動的に補償され
ることである。トラック期間中に2個の直列のFETと
帰還FETの接続点は■、になる。制御されたシーケン
スで切り変わる間に該点は初期の容量結合性の電圧外乱
を経験し、直列のFETがターンオフする過程の途中で
別のある電圧になる。該初期の外乱は印加されたVIN
に最も近いFETのCIGから起こり、該印加された■
8,4はCIIoL、に最も近いFETのC0を通して
C)、。L9に結合する時に第2のペデスタル誤差とな
る。しかしながら該結合によって引き起こされる全ての
悪影響は2個の直列FETがオフになった後に帰還FE
Tがターンオンされるとすぐに逆転される0以上のこと
は直列接続点をVINに戻すことにより初期容量性結合
の電圧外乱を相殺するので、CHoLDに最も近いFE
TのC□を通りCイ。。
Tが制御nされたシーケンスで切り換わる間にペデスタ
ル誤差の第2の発生源が正確に、かつ自動的に補償され
ることである。トラック期間中に2個の直列のFETと
帰還FETの接続点は■、になる。制御されたシーケン
スで切り変わる間に該点は初期の容量結合性の電圧外乱
を経験し、直列のFETがターンオフする過程の途中で
別のある電圧になる。該初期の外乱は印加されたVIN
に最も近いFETのCIGから起こり、該印加された■
8,4はCIIoL、に最も近いFETのC0を通して
C)、。L9に結合する時に第2のペデスタル誤差とな
る。しかしながら該結合によって引き起こされる全ての
悪影響は2個の直列FETがオフになった後に帰還FE
Tがターンオンされるとすぐに逆転される0以上のこと
は直列接続点をVINに戻すことにより初期容量性結合
の電圧外乱を相殺するので、CHoLDに最も近いFE
TのC□を通りCイ。。
の電荷を乱す全ての不要な増加電荷はすぐに放電される
。
。
したがって本発明の方法は3個のスイッチをシーケンシ
ャルに切り換えるための複合スイッチング手段を含む。
ャルに切り換えるための複合スイッチング手段を含む。
すなわち、Vlllから08゜、。への路に直列になっ
た2個のスイッチおよび2個の直列スイッチの接続点と
Cll0LI上で輔らえたVIMを写し取る利得1のバ
ッファ増幅器が発生する■。IITとの間にあるもう一
個のスイッチである。本発明の方法の一つの特徴はCN
σ1.に最も近い直列スイッチに対する制御信号の電圧
極値をクランプし、該制御信号からCM。LDへ容量的
に結合した外乱を一定の量にすることである。これはオ
フにする制御信号をV ouyに一定のオフセットをか
けた電圧レベルにクランプすることによってなされる0
本発明の方法の他の特徴は第2の容量性外乱を取り除く
ことである。この外乱は2個の直列スイッチ間の直列接
続点に摂動(perturbation)を伴って発生
ずる。摂動の発生は許されるが直列接続点および■。u
7間のスイッチをターンオンすることによって取り消さ
れる。C#loL、への第2の容量性外乱はこうして最
初に発生した場所と回路を通って非常に正確に取り消さ
れる0本発明の方法の第3の特徴は、2個の直列スイッ
チの直列接続点を■。。
た2個のスイッチおよび2個の直列スイッチの接続点と
Cll0LI上で輔らえたVIMを写し取る利得1のバ
ッファ増幅器が発生する■。IITとの間にあるもう一
個のスイッチである。本発明の方法の一つの特徴はCN
σ1.に最も近い直列スイッチに対する制御信号の電圧
極値をクランプし、該制御信号からCM。LDへ容量的
に結合した外乱を一定の量にすることである。これはオ
フにする制御信号をV ouyに一定のオフセットをか
けた電圧レベルにクランプすることによってなされる0
本発明の方法の他の特徴は第2の容量性外乱を取り除く
ことである。この外乱は2個の直列スイッチ間の直列接
続点に摂動(perturbation)を伴って発生
ずる。摂動の発生は許されるが直列接続点および■。u
7間のスイッチをターンオンすることによって取り消さ
れる。C#loL、への第2の容量性外乱はこうして最
初に発生した場所と回路を通って非常に正確に取り消さ
れる0本発明の方法の第3の特徴は、2個の直列スイッ
チの直列接続点を■。。
によって与えられる良好な交流グラウンドへ接続するこ
とによって2個の直列スイッチのフィードスルー誤差を
抑制することである。
とによって2個の直列スイッチのフィードスルー誤差を
抑制することである。
トラッキングモード中は2個の直列スイッチはオンであ
り、第3のスイッチはオフである。保持モードに入るた
めにC、OL、に最も近い直列のスイッチをまずターン
オフし、次に■、に最も近い直列スイッチをターンオフ
し、次に第3のスイッチをターンオンする。
り、第3のスイッチはオフである。保持モードに入るた
めにC、OL、に最も近い直列のスイッチをまずターン
オフし、次に■、に最も近い直列スイッチをターンオフ
し、次に第3のスイッチをターンオンする。
第4図は本発明に従って構成されたトラック/ホールド
回路24の概略図である。追随・保持すべき入力端子V
IN25をnチャンネル接合FET(JPET)Ql
26のソースに印加する。 V、H2Sに追随している
間Q、はオンであり、ドレインを通してコンデンサCI
およびもう一つのnチャンネルJFETQ!27のソー
スに印加する。
回路24の概略図である。追随・保持すべき入力端子V
IN25をnチャンネル接合FET(JPET)Ql
26のソースに印加する。 V、H2Sに追随している
間Q、はオンであり、ドレインを通してコンデンサCI
およびもう一つのnチャンネルJFETQ!27のソー
スに印加する。
追随している間Q227もオンであり、ドレインを通し
て入力信号vlNを電圧貯蔵素子であるコンデンサC0
゜4.28に印加する。印加されたVINは常に■、に
等しくなるようにC,43およびCMOL028を充・
放電する。第1図および第2図の基本トラック/ホール
ド回路におけるように、追随を一時停止し保持を始める
と、CnoLs2Bの電荷は凍結され、電圧は出力増幅
器29によって■。uT30として写し取られる。この
ためにC*ots28は利得1の増幅器29の非反転入
力に接続される。
て入力信号vlNを電圧貯蔵素子であるコンデンサC0
゜4.28に印加する。印加されたVINは常に■、に
等しくなるようにC,43およびCMOL028を充・
放電する。第1図および第2図の基本トラック/ホール
ド回路におけるように、追随を一時停止し保持を始める
と、CnoLs2Bの電荷は凍結され、電圧は出力増幅
器29によって■。uT30として写し取られる。この
ためにC*ots28は利得1の増幅器29の非反転入
力に接続される。
一方、該増幅器の反転入力は、結果として生じたVOL
I?に接続される。
I?に接続される。
vou’rはまたpチャンネルMO3FET Q13
1の一つの端子に接続される。Q331は回路24が追
随しているときはオフであり、保持しているときはオン
である。Q3のもう一方の端子は、戻ってC,43の端
に接続される。この端はQ。
1の一つの端子に接続される。Q331は回路24が追
随しているときはオフであり、保持しているときはオン
である。Q3のもう一方の端子は、戻ってC,43の端
に接続される。この端はQ。
26のドレインおよびQ、27のソースの接続点である
。
。
QlおよびQ8のゲートはゲート駆動11′lB4Oで
発生するゲート駆動信号B41によって制御される。Q
3のゲートはまたゲート駆動回路40で発生するゲート
制御信号A42に接続される0回路24が入力電圧VI
Nへの追随状態から保持状態に変わり、■。。アを生ず
るようになるときに、選択されたシーケンスで3個のF
ET Ql 、QlおよびQ、が切り換わるようにゲ
ート駆動信号A42およびB41が発生される。さらに
これらの他に、いわゆるカレント・レギュレータ・ダイ
オード36が、Ql 26のソースおよびゲートの間に
接続され、第2カレントレギユレータダイオード35が
Q、のゲートおよびQ2のゲートの間に接続される。
発生するゲート駆動信号B41によって制御される。Q
3のゲートはまたゲート駆動回路40で発生するゲート
制御信号A42に接続される0回路24が入力電圧VI
Nへの追随状態から保持状態に変わり、■。。アを生ず
るようになるときに、選択されたシーケンスで3個のF
ET Ql 、QlおよびQ、が切り換わるようにゲ
ート駆動信号A42およびB41が発生される。さらに
これらの他に、いわゆるカレント・レギュレータ・ダイ
オード36が、Ql 26のソースおよびゲートの間に
接続され、第2カレントレギユレータダイオード35が
Q、のゲートおよびQ2のゲートの間に接続される。
第4図の回路24の残りの素子には、もう一つのカレン
ト・レギュレータ・ダイオード34と直列になった6ボ
ルトのツェナーダイオード32を含む、ツェナーダイオ
ード32は、V OUTから6ボルトのオフセットを発
生し、クランプ・ダイオード33の一方の端子に接続さ
れる。クランプ・ダイオード33の他の端子はQ227
のゲートに接続される。
ト・レギュレータ・ダイオード34と直列になった6ボ
ルトのツェナーダイオード32を含む、ツェナーダイオ
ード32は、V OUTから6ボルトのオフセットを発
生し、クランプ・ダイオード33の一方の端子に接続さ
れる。クランプ・ダイオード33の他の端子はQ227
のゲートに接続される。
カレント・レギュレータ・ダイオードの性質について述
べる。記号37に示すように該カレント・レギュレータ
・ダイオードは、実際には単純なJFETであり、その
ゲートはJFETの他の端子の1つに接続されている。
べる。記号37に示すように該カレント・レギュレータ
・ダイオードは、実際には単純なJFETであり、その
ゲートはJFETの他の端子の1つに接続されている。
該カレント・レギュレータ・ダイオードは、小信号ダイ
オードと同様なリード線2本のアクシャルパッケージに
封入され、34.35および36のような楕円記号、°
あるいは六角形のダイオード記号38によって表される
。
オードと同様なリード線2本のアクシャルパッケージに
封入され、34.35および36のような楕円記号、°
あるいは六角形のダイオード記号38によって表される
。
カレント・レギュレータ・ダイオードの電圧対順方向電
流特性には2つの主要な勾配がある。原点の近傍はかな
り勾配が急で(縦座標=1、横座標=V)比較的低い抵
抗、約1キロオームを示す。
流特性には2つの主要な勾配がある。原点の近傍はかな
り勾配が急で(縦座標=1、横座標=V)比較的低い抵
抗、約1キロオームを示す。
電流がレギュレーション値に等しくなるI −Vカーブ
上の屈曲点で第2の勾配があり、ずっと平らな傾きでか
なり高い抵抗、約300キロオーム、を示す、高抵抗の
勾配で動作させるとき、素子を定電流源と見なすことが
でき、この故に「カレント・レギュレータ」ダイオード
と称する。これらの素子をt−Vカーブの曲がり(一方
の勾配からもう一方の勾配へ屈曲する点)の片側にある
セグメントから、曲がりの反対側にあるセグメントに切
り換えて動作させることも可簡である。この状況下では
素子は印加された順バイアス電圧に応じて異なる2つの
値をもった抵抗器となる。第4図の回路24は、1ミリ
アンペアのカレント・レギュレータ・ダイオード(曲が
りは1mAにある)を用いる。素子34を定電流源とし
て用いてツェナーダイオード32の両端に発生する電圧
を安定化し、一方素子35および36を高低の切り換え
回部な抵抗として用いる。
上の屈曲点で第2の勾配があり、ずっと平らな傾きでか
なり高い抵抗、約300キロオーム、を示す、高抵抗の
勾配で動作させるとき、素子を定電流源と見なすことが
でき、この故に「カレント・レギュレータ」ダイオード
と称する。これらの素子をt−Vカーブの曲がり(一方
の勾配からもう一方の勾配へ屈曲する点)の片側にある
セグメントから、曲がりの反対側にあるセグメントに切
り換えて動作させることも可簡である。この状況下では
素子は印加された順バイアス電圧に応じて異なる2つの
値をもった抵抗器となる。第4図の回路24は、1ミリ
アンペアのカレント・レギュレータ・ダイオード(曲が
りは1mAにある)を用いる。素子34を定電流源とし
て用いてツェナーダイオード32の両端に発生する電圧
を安定化し、一方素子35および36を高低の切り換え
回部な抵抗として用いる。
第4図の回路24の動作は以下のようである。
追随の間Q、およびQ2はオンであり、Q3はオフであ
る。QlおよびQ2をオンにするためにゲート駆動回路
40は、内部的に、ゲート駆動信号B41に対してオー
ブン回路を形成する。これは点Bを「フロート」させ、
カレント・レギュレータ・ダイオード35および36の
両端にほとんど電圧が出ないように保証することによっ
て、これらのダイオード35および36を低い抵抗モー
ドで動作させる。カレント・レギュレータ・ダイオード
35および36はそれぞれ約1キロオームで′動作し、
点Bはオーブンに見え、印加されたVINもQ、および
Q2のゲートに現れる(こうしてVaSはゼロあるいは
小さな値となり、各トランジスタはターンオンする)。
る。QlおよびQ2をオンにするためにゲート駆動回路
40は、内部的に、ゲート駆動信号B41に対してオー
ブン回路を形成する。これは点Bを「フロート」させ、
カレント・レギュレータ・ダイオード35および36の
両端にほとんど電圧が出ないように保証することによっ
て、これらのダイオード35および36を低い抵抗モー
ドで動作させる。カレント・レギュレータ・ダイオード
35および36はそれぞれ約1キロオームで′動作し、
点Bはオーブンに見え、印加されたVINもQ、および
Q2のゲートに現れる(こうしてVaSはゼロあるいは
小さな値となり、各トランジスタはターンオンする)。
この事に付随してクランプダイオード33は逆バイアス
されたままとなる。
されたままとなる。
ここで本節を翔れてダイオード33が通常逆バイアスさ
れる理由、およびその状態を前述の方法で維持するため
にどんな条件が必要かを簡単に説明する。
れる理由、およびその状態を前述の方法で維持するため
にどんな条件が必要かを簡単に説明する。
回路24について最も基本的な仮定の一つは、もちろん
、VINの直前のソースが何であっても、どんな速度が
要求されようと、CIおよびC,。。
、VINの直前のソースが何であっても、どんな速度が
要求されようと、CIおよびC,。。
を充・放電するのに十分能力を有するということである
。この仮定は、vlMが出力増幅器29の入力に存在す
るということを断言するための根拠となる。出力増幅器
29の周波数レスポンスが妨害し始める点まで、v o
utもVINと共に足並みをそろえるようにして変化す
る。■。u7に6ボルトのオフセットを与え、該オフセ
ット出力電圧をクランプ・ダイオード33の陽極に印加
するために、ツェナー・ダイオード32がV。u7およ
び(バラストに僚だ負荷抵抗器として動作する)もうひ
とつのカレント・レギュレータ・ダイオード34間に接
続される。出力増幅器29の周波数レスポンスを無視す
ると、■。u7は■18に等しくなり、その結果クラン
プ・ダイオード33の陽極がVINより常に6ボルト負
になる。これは、■、の全ての「許容できる」値に対し
てクランプ・ダイオード33が追随中道バイアスされる
ことを保証する。
。この仮定は、vlMが出力増幅器29の入力に存在す
るということを断言するための根拠となる。出力増幅器
29の周波数レスポンスが妨害し始める点まで、v o
utもVINと共に足並みをそろえるようにして変化す
る。■。u7に6ボルトのオフセットを与え、該オフセ
ット出力電圧をクランプ・ダイオード33の陽極に印加
するために、ツェナー・ダイオード32がV。u7およ
び(バラストに僚だ負荷抵抗器として動作する)もうひ
とつのカレント・レギュレータ・ダイオード34間に接
続される。出力増幅器29の周波数レスポンスを無視す
ると、■。u7は■18に等しくなり、その結果クラン
プ・ダイオード33の陽極がVINより常に6ボルト負
になる。これは、■、の全ての「許容できる」値に対し
てクランプ・ダイオード33が追随中道バイアスされる
ことを保証する。
一つの実際の回路(実質的には第6図の回路)に対して
「許容できる」とはその瞬時値が直流入力および3MH
zから5MHzより低い交流入力に対してグラウンド電
位プラスマイナス11あるいは12ボルト以内の全ての
電圧であることである。もちろんこの値は一例に過ぎず
、実際の装置の性能に依存することは言うまでもない、
3MHzから5MHz以上では、出力増幅器29の利得
が下がり始めるという事実を反映してピークピーク値が
減少してしまう、ゆえに、10MHzでは、Vinはわ
ずか5ポルトのピークピーク値の振幅だけが許される。
「許容できる」とはその瞬時値が直流入力および3MH
zから5MHzより低い交流入力に対してグラウンド電
位プラスマイナス11あるいは12ボルト以内の全ての
電圧であることである。もちろんこの値は一例に過ぎず
、実際の装置の性能に依存することは言うまでもない、
3MHzから5MHz以上では、出力増幅器29の利得
が下がり始めるという事実を反映してピークピーク値が
減少してしまう、ゆえに、10MHzでは、Vinはわ
ずか5ポルトのピークピーク値の振幅だけが許される。
もし、■、がこの電圧よりも大きくなればVINと減少
したV。、との電圧差がツェナーダイオード32電圧を
越え°、続いてクランプ・ダイオード33を十分順バイ
アスし得る。
したV。、との電圧差がツェナーダイオード32電圧を
越え°、続いてクランプ・ダイオード33を十分順バイ
アスし得る。
ここで動作の主機構に話を戻すと、追随中ゲート駆動回
路40が点42を汁15ポルトにセットするのでQ、3
1はオフになる。
路40が点42を汁15ポルトにセットするのでQ、3
1はオフになる。
ゆえに、前述の状況下でV。□はVINに追随し、回路
24は常にホールドモードに切り換えられる。
24は常にホールドモードに切り換えられる。
トランクからホールドへ切り換えるためにTRK/HL
Dライン39の論理値はTRKからHLDヘトグルさ
れる。これに呼応して、ゲート駆動回路40がまず点B
42を一15ボルトにセットし、少し遅れて点A41を
一15ボルトにセットする(これらの遷移に関した波形
は第5図参照)。
Dライン39の論理値はTRKからHLDヘトグルさ
れる。これに呼応して、ゲート駆動回路40がまず点B
42を一15ボルトにセットし、少し遅れて点A41を
一15ボルトにセットする(これらの遷移に関した波形
は第5図参照)。
点B42がオープンから一15Vになるとカレント・レ
ギュレータ・ダイオード35および36は深く順バイア
スされ、約300キロオームの抵抗器としての動作に切
り換わる0点Bの該変化はまたQ、およびC2をターン
オフさせる。C8がまずターンオフし、しばらくしてQ
、が続いてターンオフする。これを達成するためにC2
より大きなピンチオフ電圧のQ、を選択する。ダイオー
ド36の抵抗値が大きいので点BおよびV工はお互いに
負荷とならない、ダイオード35の抵抗値が大きいので
Q、のゲートをQ、のゲートとは異なる電圧にできる。
ギュレータ・ダイオード35および36は深く順バイア
スされ、約300キロオームの抵抗器としての動作に切
り換わる0点Bの該変化はまたQ、およびC2をターン
オフさせる。C8がまずターンオフし、しばらくしてQ
、が続いてターンオフする。これを達成するためにC2
より大きなピンチオフ電圧のQ、を選択する。ダイオー
ド36の抵抗値が大きいので点BおよびV工はお互いに
負荷とならない、ダイオード35の抵抗値が大きいので
Q、のゲートをQ、のゲートとは異なる電圧にできる。
特にQ、のゲートは、順バイアスされたダイオード33
によってv ot+rより約7ボルト負の電圧にクラン
プされる。
によってv ot+rより約7ボルト負の電圧にクラン
プされる。
第2図で述べたようにC2に対するゲート駆動電圧のC
,Gtを通しての結合によりC、、L、の電荷が撹乱さ
れる。しかしながら、第2図の状況とは対照的にC1゜
Loに対する電圧外乱(第1ペデスタル誤差)の大きさ
はMINに依存する項を持たない。
,Gtを通しての結合によりC、、L、の電荷が撹乱さ
れる。しかしながら、第2図の状況とは対照的にC1゜
Loに対する電圧外乱(第1ペデスタル誤差)の大きさ
はMINに依存する項を持たない。
クランプ・ダイオード33の動作によりQ、のゲートに
印加された電圧ステップの大きさはV。LI?(すなわ
ち、■、)に関係がある。Q、のゲートは、点Bの信号
によって■。、7より約7ボルト負の電圧に駆動される
。結果としてC8014に(Cmszを通してのゲート
駆動結合のため)生じた電圧誤差は−7(C5cz /
CM@Lll) テア’)、vINに依存する項はな
い、これは、電圧が常に同一なので、C工、が両端の電
圧に関して非線形であるか否かは特に問題とはならない
ということを意味している。ゆえに、第1ペデスタル誤
差は一定のオフセットであり校正により補正可能である
。
印加された電圧ステップの大きさはV。LI?(すなわ
ち、■、)に関係がある。Q、のゲートは、点Bの信号
によって■。、7より約7ボルト負の電圧に駆動される
。結果としてC8014に(Cmszを通してのゲート
駆動結合のため)生じた電圧誤差は−7(C5cz /
CM@Lll) テア’)、vINに依存する項はな
い、これは、電圧が常に同一なので、C工、が両端の電
圧に関して非線形であるか否かは特に問題とはならない
ということを意味している。ゆえに、第1ペデスタル誤
差は一定のオフセットであり校正により補正可能である
。
−旦QlおよびC2の両方がオフになるとC3はオンに
なる。C3をオンにすることには2つの利点がある。一
つはCos、44およびC□246を通ってCI4゜L
、に到達するフィードスルー誤差の量が実質的に減少す
ることである。これはC3が実効的な交流グラウンド(
増幅器29の出力)へ低いインピーダンスで接続するか
らであり、c +5sz46およびCN0L628の直
列の接続から誤差電流を分流する。もう一つの利点は第
2のペデスタル誤差の除去に関する。この2つ目の利点
の機構を正確に評価するためにはQ、およびC2がオフ
する時に起こる事をもう少し詳細に述べなければならな
い。
なる。C3をオンにすることには2つの利点がある。一
つはCos、44およびC□246を通ってCI4゜L
、に到達するフィードスルー誤差の量が実質的に減少す
ることである。これはC3が実効的な交流グラウンド(
増幅器29の出力)へ低いインピーダンスで接続するか
らであり、c +5sz46およびCN0L628の直
列の接続から誤差電流を分流する。もう一つの利点は第
2のペデスタル誤差の除去に関する。この2つ目の利点
の機構を正確に評価するためにはQ、およびC2がオフ
する時に起こる事をもう少し詳細に述べなければならな
い。
一旦Q8がオフするとQ、がオフする時に生ずる第2の
ペデスタル誤差がある。コンデンサCl43への電圧外
乱の大きさは、 (第1式): %式%) で表される。このC1への電圧外乱は、cooを通って
Cl0LIIに結合する。その結果生じたCll0LI
への電圧外乱(第2のペデスタル誤差)は、(第2式)
: ΔC4゜Ll) = (VIN 15)(C1)GI/ CI) CC
*sz / CMOLD)で表される。これは、回路に
残すには実際いやな量である。なぜなら■、に依存する
項を含み非線形コンデンサC0,およびCI、ffZを
含むからである。
ペデスタル誤差がある。コンデンサCl43への電圧外
乱の大きさは、 (第1式): %式%) で表される。このC1への電圧外乱は、cooを通って
Cl0LIIに結合する。その結果生じたCll0LI
への電圧外乱(第2のペデスタル誤差)は、(第2式)
: ΔC4゜Ll) = (VIN 15)(C1)GI/ CI) CC
*sz / CMOLD)で表される。これは、回路に
残すには実際いやな量である。なぜなら■、に依存する
項を含み非線形コンデンサC0,およびCI、ffZを
含むからである。
しかしながら、castを通ってCl0LIIに結合す
るものは全てCN上の電荷を変化させる。(結局、もし
素子間浮遊容量によるペデスタル誤差がなければ、C3
上の電圧はCll0L、に対してと同様にVIMのまま
である。)これは、Q、およびC2が両方ともオフとな
り状態が落ち着いた後は、第2式のCHOljへの外乱
は[CIの電圧を有るべき値」、すなわち■1Nの捕捉
値、すなわちV。utに[戻すことにより正確に取り除
かれる]、ことを意味している。Q、をオンするもう一
つの利点はCIをv outに戻すことである。これ・
はc esmを通しての結合によるC、 、、 、、へ
の外乱を、同一の0□2を通って等量で反対の電荷を結
合することによって正確に打ち消す。
るものは全てCN上の電荷を変化させる。(結局、もし
素子間浮遊容量によるペデスタル誤差がなければ、C3
上の電圧はCll0L、に対してと同様にVIMのまま
である。)これは、Q、およびC2が両方ともオフとな
り状態が落ち着いた後は、第2式のCHOljへの外乱
は[CIの電圧を有るべき値」、すなわち■1Nの捕捉
値、すなわちV。utに[戻すことにより正確に取り除
かれる]、ことを意味している。Q、をオンするもう一
つの利点はCIをv outに戻すことである。これ・
はc esmを通しての結合によるC、 、、 、、へ
の外乱を、同一の0□2を通って等量で反対の電荷を結
合することによって正確に打ち消す。
第5図はトラックからホールドへの遷移に用いられるQ
、−Qユの選択的切り換えの結果として生じるC7の電
圧とV、u、の電圧間の関係を示す。
、−Qユの選択的切り換えの結果として生じるC7の電
圧とV、u、の電圧間の関係を示す。
特にゲート駆動信号Bが低くなる時に生じるCIへの電
圧外乱がQlの動作によって完全に回復されることを示
している。その結果、v outの初期ペデスタルはC
2上の電圧回復によってほとんど完全に補正される。補
正されないで残るものは残留ペデスタルであり、その原
因はQ3の補正機構の範囲外であり、たとえばCIG□
によるペデスタルである。とにかく、残留ペデスタルは
本質的に一定誤差であり、校正可能である。
圧外乱がQlの動作によって完全に回復されることを示
している。その結果、v outの初期ペデスタルはC
2上の電圧回復によってほとんど完全に補正される。補
正されないで残るものは残留ペデスタルであり、その原
因はQ3の補正機構の範囲外であり、たとえばCIG□
によるペデスタルである。とにかく、残留ペデスタルは
本質的に一定誤差であり、校正可能である。
第6図はHewlett−Packard社のデジタル
マルチメータに用いられた実際のトラック/ホールド回
路の概略図である。第6図の回路の動作は、実質的には
第4図の回路動作と同一である。第6図のQ9.、は第
4図のQ、に対応する。同様にQ、。。
マルチメータに用いられた実際のトラック/ホールド回
路の概略図である。第6図の回路の動作は、実質的には
第4図の回路動作と同一である。第6図のQ9.、は第
4図のQ、に対応する。同様にQ、。。
はQ8に、Q9.4はQ、に、U、。2は出力増幅器2
9に、CR9,−1はクランプダイオード33に、およ
びQ9etQ9@xはゲート駆動回路40に対でできて
いる。これは該コンデンサの誘電吸収をけである。ガー
ドは、単にプリント回路ボードのる。こうしてCMOL
Iに並列する浮遊容量を最小にする。このように面倒な
ことをする理由は浮遊容量が有害な誘電吸収の原因とな
りがちで回路の性能を制限するからである。
9に、CR9,−1はクランプダイオード33に、およ
びQ9etQ9@xはゲート駆動回路40に対でできて
いる。これは該コンデンサの誘電吸収をけである。ガー
ドは、単にプリント回路ボードのる。こうしてCMOL
Iに並列する浮遊容量を最小にする。このように面倒な
ことをする理由は浮遊容量が有害な誘電吸収の原因とな
りがちで回路の性能を制限するからである。
誘電吸収について、Q、、Q、およびQ、は、第4図お
よび第6図の回路動作に誘電吸収誤差をもたらさないこ
とに注目すべきである。トラックモードではQ、 と
Q2のゲート、ソースおよびドレインは全て同じ電位(
V IN)にあるので回路がホールドに切り換わるとき
帯電したFETの素子間容量は存在しない、こうしてF
ETの素子間容量を通してC,。L、へ伝達される電荷
は、VINのあらゆる値およびVINのあらゆるスルー
レートに対しても同一である。それゆえにFETの素子
間浮遊容量に誘電吸収があるかどうかは問題ではない。
よび第6図の回路動作に誘電吸収誤差をもたらさないこ
とに注目すべきである。トラックモードではQ、 と
Q2のゲート、ソースおよびドレインは全て同じ電位(
V IN)にあるので回路がホールドに切り換わるとき
帯電したFETの素子間容量は存在しない、こうしてF
ETの素子間容量を通してC,。L、へ伝達される電荷
は、VINのあらゆる値およびVINのあらゆるスルー
レートに対しても同一である。それゆえにFETの素子
間浮遊容量に誘電吸収があるかどうかは問題ではない。
本発明は、以上のように構成され、作用するものである
から、上記した課題を達成することができるという効果
が得られる。
から、上記した課題を達成することができるという効果
が得られる。
第1図ないし第3図は従来例に係り、第1図は従来のト
ランク/ホールド回路の原理を示す簡単な回路図、第2
図は第1図の回路をより詳細に示し該回路の欠点を説明
するための図、第3図は別の従来例に係るトランク/ホ
ールド回路の回路図である。 第4図ないし第6図は本発明の実施例に係り、第4図は
本発明の特徴を最も良く示すトラック/ホールド回路の
回路図、第5図は第4図の回路における動作を説明する
ための波形図、第6図は実際の製品におけるトラック/
ホールド回路の構成を示す回路図である。
ランク/ホールド回路の原理を示す簡単な回路図、第2
図は第1図の回路をより詳細に示し該回路の欠点を説明
するための図、第3図は別の従来例に係るトランク/ホ
ールド回路の回路図である。 第4図ないし第6図は本発明の実施例に係り、第4図は
本発明の特徴を最も良く示すトラック/ホールド回路の
回路図、第5図は第4図の回路における動作を説明する
ための波形図、第6図は実際の製品におけるトラック/
ホールド回路の構成を示す回路図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 トラックモードにおいては印加される入力に追随し、ホ
ールドモードにおいては印加される入力の瞬時値を順次
保持してその保持した値を出力する回路において、 信号グランドに対する印加入力を受ける第1の端子と、
第2のスイッチの第1の端子及び第3のスイッチの第1
の端子に接続される第2の端子とを備え、オン及びオフ
の状態をとる第1のスイッチと、 第1の端子と、増幅器の入力及びキャパシタの第1の端
子に接続された第2の端子とを備え、オン及びオフの状
態をとる第2のスイッチと、第1の端子と、信号グラン
ドに接続された第2の端子とを備えたキャパシタと、 入力と、第3のスイッチの第2の端子に接続された出力
とを有する増幅器と、 第1の端子と第2の端子とを備え、オン及びオフの状態
をとる第3のスイッチと、 第1のスイッチ及び第2のスイッチ及び第3のスイッチ
に接続され、トラックモードでは第1のスイッチ及び第
2のスイッチがオン状態になり且つ前記第3のスイッチ
がオフ状態になるべく動作させ、またホールドモードで
は順次第2のスイッチがオフとなり第1のスイッチがオ
フとなり第3のスイッチがオンとなるべく動作させる制
御回路と、 を具備するトラック・ホールド回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/198,941 US4922130A (en) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | High performance track/hold for a digital multimeter |
| US198,941 | 1988-05-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02243967A true JPH02243967A (ja) | 1990-09-28 |
| JP2975378B2 JP2975378B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=22735533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134494A Expired - Fee Related JP2975378B2 (ja) | 1988-05-26 | 1989-05-26 | トラック・ホールド回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4922130A (ja) |
| JP (1) | JP2975378B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010096696A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | ホールド回路 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170075A (en) * | 1991-06-11 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Sample and hold circuitry and methods |
| US5148054A (en) * | 1991-08-07 | 1992-09-15 | Unitrode Corporation | High accuracy MOSFET-switched sampling circuit |
| JP2833289B2 (ja) * | 1991-10-01 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | アナログスイッチ |
| GB2260833A (en) * | 1991-10-22 | 1993-04-28 | Burr Brown Corp | Reference voltage circuit allowing fast power-up |
| GB2298979B (en) * | 1992-09-08 | 1997-03-26 | Fujitsu Ltd | Analog-to-digital converters |
| GB9218987D0 (en) * | 1992-09-08 | 1992-10-21 | Fujitsu Ltd | Voltage storage circuits |
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| JPH0766727A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタで構成されるアナログ信号のサンプリング回路 |
| US6281687B1 (en) * | 1999-06-09 | 2001-08-28 | Agilent Technologies | Off-chip process, voltage, temperature, compensation resistor sharing |
| JP2001273786A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Kawasaki Steel Corp | サンプル・ホールド回路 |
| KR100477564B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2005-03-18 | 이디텍 주식회사 | 영상출력시스템에 내장되는 에이디변환기의 트랙앤홀드회로장치 |
| US20090072868A1 (en) * | 2007-09-17 | 2009-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wideband track-and-hold amplifier |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3581305A (en) * | 1968-07-17 | 1971-05-25 | Texaco Inc | Sequential approximation pulse height analog-to-digital converter |
| DE2441192C2 (de) * | 1974-08-28 | 1982-06-03 | Rohde & Schwarz GmbH & Co KG, 8000 München | Abtast- und Halte-Schaltung zum Ermitteln des in einem periodischen Signal enthantenen Spannungswertes |
| US4070667A (en) * | 1975-11-03 | 1978-01-24 | General Electric Company | Charge transfer analog-to-digital converter |
| JPS5267250A (en) * | 1975-11-03 | 1977-06-03 | Gen Electric | Analoggtoodigital converter |
| CA1045217A (en) * | 1976-02-10 | 1978-12-26 | Glenn A. Pollitt | Constant impedance mosfet switch |
| US4065766A (en) * | 1976-03-18 | 1977-12-27 | General Electric Company | Analog-to-digital converter |
| US4074260A (en) * | 1976-05-24 | 1978-02-14 | General Electric Co. | Analog-to-digital converter |
| US4070666A (en) * | 1976-06-21 | 1978-01-24 | General Electric Company | Automatic polarity sensing analog-to-digital converter |
| JPS5461454A (en) * | 1977-10-07 | 1979-05-17 | Gen Electric | Charge transfer type ad converter circuit |
| US4138666A (en) * | 1977-11-17 | 1979-02-06 | General Electric Company | Charge transfer circuit with threshold voltage compensating means |
| US4180807A (en) * | 1977-11-17 | 1979-12-25 | General Electric Company | Charge transfer circuit with voltage threshold compensating means |
| US4250494A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-10 | General Electric Company | Charge transfer analog-to-digital converter with precise charge control |
| EP0176596B1 (en) * | 1982-11-26 | 1990-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Analog input circuit |
| JPH067647B2 (ja) * | 1984-07-27 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | パルス発生回路 |
-
1988
- 1988-05-26 US US07/198,941 patent/US4922130A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1134494A patent/JP2975378B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010096696A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | ホールド回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2975378B2 (ja) | 1999-11-10 |
| US4922130A (en) | 1990-05-01 |
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Legal Events
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