JPH02244156A - 内部電荷保持媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧印加時露光方法等により情報を静電的に
記録し、任意時点で情報再生を行うことができる電荷保
持媒体に関し、特に電荷保持特性に優れた電荷保持媒体
に関する。

〔従来の技術〕

従来、高感度邊影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経て、記
録媒体としてのフィルム等に記録され、画像を再現する
場合には銀塩乳剤（印画紙等）を用いるか、または現像
フィルムを光学走査して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現
させる等により行われている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷層像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付
着させて、紙等に静電転写して現像する電子写真技術が
あるが、これは主として複写用に用いられており、一般
に低感度のためＩ最影用としては使用できず、記録媒体
としての光伝導層における静電荷の保持時間が短いため
に静電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通であ
る。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が節便で、長時間の記憶
が可能で、記憶した文字、線画、画像、コード、（１，
０）情報を目的に応じた画質で幼意に反復再生すること
ができる電荷保持媒体における電荷保持特性の改良を課
題とする。

〔課題を解決するための手段〕

そのために本発明の電荷保持媒体は、電極層と絶縁層と
からなる電荷保持媒体において、絶縁層上に光導電性又
は導電性層を積層し、該光導電性又は導電性層をパター
ニングし、その光導電性又は導電性層上に保護膜をコー
ティングにより積層したことを特徴とする。

またその保護膜の膜厚が０．　４μｍ以下に形成される
ことを特徴とするものである。

以下、本発明の電荷保持媒体を説明する。

第１図は本発明の電荷保持媒体の断面図、第２図は本発
明の電荷保持媒体を作製工程をその断面図で示す図で、
図中３は電荷保持媒体、１１は絶縁層、１３は電荷保持
媒体電橋、１４は光導電性又は導電性層、１５は絶縁層
支持体、２０は保護膜である。

絶縁層１１は電荷の移動を抑えるため高絶縁性の高分子
材料からなるものであり、比抵抗で１０１４Ω・ａｍ以
上の絶縁性を有することが要求される。

このような高分子材料は、樹脂としては熱可塑性樹脂、
或いは熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性
樹脂等のエネルギー線硬化樹脂、或いはエンジニアリン
グプラスチック等を使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、塩化ビニ
ル樹脂、ポリプロピレン、スチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン系樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ＡＡＳ　（
ＡＳＡ）樹脂、ＡＥＳ樹脂、繊維素誘導体樹脂、熱可塑
性ボリウレクン、ポリビニルブチラール、ポリ−４−メ
チルペンテン−１１ポリブテン−１１０ジンエステル樹
脂等、更に弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレ
ン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ま
たそれらのディスパージランタイプ、または変性タイプ
（コーティングタイプ）、またポリエーテルエーテルケ
トン樹脂、ポリバラキシリレンの下記構造式で示される
もの、 （尚、上記Ｃタイプは上記構造のもののみでなく、ベン
ゼン環における主鎖結合部位以外の部位の内１つが塩素
で置換されているもの、またＤタイプはその２つが塩素
で置換されているものであればよい、）等、 また熱硬化性樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メ
ラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂
等、 更に紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネルギ
ー線硬化樹脂としては、ラジカル重合性アクリレート系
化合物があり、例えばアクリル酸又はメタアクリル酸若
しくはこれらの誘導体のエステル化合物であって、両末
端に水酸基を有するものであり、具体的にはヒドロキシ
エチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート
、ヒドロキシブチルアクリレート、ヒドロキシエチルメ
タアクリレート、ヒドロキシプロピルメタアクリレート
、ヒドロキシブチルメタアクリレート、４−ヒドロキシ
シクロへキシルアクリレート、５−ヒドロキシシクロオ
クチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェニルオ
キシプロピルアクリレート等の重合性不飽和基１個有す
る（メタ）アクリル酸エステル化合物を始め、式 ％式％ で示される重合性不飽和基２個を有する化合物等を使用
することができる。

２個の水Ｈ＆と１個又は２個以上のラジカル重合性不飽
和基を有する硬化性化合物としては、例えばグリセロー
ルメタアクリレートや下記−数式（但しＲ，Ｒ’はメチ
ル基、または水素であり、Ｒ１はエチレングリコール、
プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ブタン
ジオール、１゜６−ヘキサンジオール等の短鎖ジオール
残基である。）により示されるアクリレート類を使用す
ることができる。

またエンジニアリングプラスチックとしてはポリカーボ
ネート、ポリアミド、アセタール樹脂、ポリフェニレン
オキシド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェ
ニレンサルファイド、ポリイミド樹脂、ポリスルフォン
、芳香族ポリエステル、ポリアクリレート等が使用でき
る。

絶縁層の積層方法としては、電極上に樹脂、ゴム類を蒸
着、スパッタ法等により、または溶剤に溶解させてコー
ティング、ディッピングすることにより層形成すること
ができる。

また絶縁層１１として、ラングミエアー・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

更に絶縁層１１としてはシリコンフィルム、ポリエステ
ルフィルム、ポリイミドフィルム、含弗素ポリマーフィ
ルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム
、ポリパラバン酸フィルム、ポリカーボネートフィルム
、ポリアミドフィルム等を接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成させてもよい。

或いはフィルムの片面に蒸着、スパッタ、又はコーティ
ング等により電極を形成させてもよい。

更にその上に電極を保護するための層をもうけてもよく
、更に機械的強度を必要とする場合にはンより機械強度
を有するフィルム等と貼り合わせてもよい。

絶縁層１１は、絶縁性の点からは少なくても１０００人
（０，１！Ｉｍ）以上の厚みが必要であり、フレキシビ
ル性の点からは１００μｍ以下が好ましい。

次ぎにｍ１層ｌｌ上に積層される光導ｉｔｍについて説
明する。

光導電層は、光が照射されると照射部分で光キャリア（
電子、正孔）が発生し、特に電界が存在する場合にその
効果が顕著である層である。材料は無機光導電材料、有
機光導電材料、有機無機複合型光導電材料等で構成され
る。

光導電材料として、まず無機光導電材料としては水素化
アモルファスシリコン（ａ　−Ｓｉ　：　Ｈ）、フッ素
化アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｆ）、アモルファ
スセレン（ａ−５ｅ）、アモルファスセレンテルル（ａ
　−５ｅ−Ｆｅ）　、アモルファスひ素セレン化合物（
ａ　−ＡＳｘＳ６ｉ）　、アモルファスひ素セレン化合
物＋Ｔｅ％硫化カドミウム（ＣｄＳ　）　、酸化亜鉛（
Ｚｎ　Ｏ）、有機光導電材料としては例えば、アゾ系顔
料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシアニ
ン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シアニ
ン染料系、メチン染料系が使用され、またヒドラゾン系
、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、カルバゾ
ール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフタレン系
、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン系、芳香
族アミン系等があり、例えばポリビニルカルバゾール（
ＰＶＫ）、トリニトロフルオレ／７（ＴＮＦ）、ＰＶＫ
−ＴＮＦ等があり、積層方法としては、無機材料は蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成するとよく、酸化亜
鉛にあってはコーティング法も使用でき、有機材料の場
合は溶剤に溶解させてコーティングするか、またディッ
ピング法、蒸着法、スパッター法等を使用して積層させ
るとよい。

また導電性材料としては、周期律表第１Ａ族（アルカリ
金属）、同ＩＢ族（銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類
金属）、同１１Ｂ族（亜鉛族）、同１［ＩＡ族（アルミ
ニウム族）、同１１１Ｂ族（希土類）〜、同ＩＶＢ族（
チタン族）、同ＶＢ族（バナジウム族）、同ＶＩＢ族（
クロム族）、同■Ｂ族（マンガン族）、同■族（鉄族、
白金族）、また同■Ａ族（炭素族）としては炭素、珪素
、ゲルマニウム、錫、鉛、同ＶＡ族（窒素族）としては
アンチモン、ビスマス、同ＶＩＡ族（酸素族）としては
硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使用される。また上
記元素単体のうち金属類は金属イオン、微細粉状の合金
、有機金属、錯体の形態としても使用することができる
。更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハ
ロゲン化物の形態で使用することができる。特に炭素、
金、銅、アルミニウム等が好ましく使用される。

これらの光導電性材料、又は導電性材料は絶縁層上に０
．１μｍ〜数μｍの膜厚で積層するとよい。

このように形成された光導電性又は導電性層をパターニ
ングするには、マスクを絶縁層上に密着させ、光導電性
又は導電性材料を蒸着法、スバ・フタ法、ＣＶＤ法で積
層してもよく、また絶縁層上にまず均一に膜形成した後
フォトレジストを塗布し、マスクを介して露光し、エツ
チングすることによりパターニングすることもでき、こ
の場合には単に光導電性又は導電性層のみでなく絶縁層
部までエツチングされていてもよい。

次いで、このパターン化された光導電層又は導電性層上
に絶縁層形成材料、例えば弗素系樹脂を溶媒に溶解させ
、０．１μｍ〜１μｍの膜厚にスピンナーコーティング
法、又はブレードコート法により塗布するか、又は蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ法により保護層２０をオーバー
コートする。

この保護層の膜厚は表面の破損、また情報電荷の減衰を
防止を目的とすると共に、本発明の電荷保持媒体に情報
を記録する際にこの保護層上に形成された像電荷がトン
ネリング現象により画素単位状の光導電性又は導電性層
に浸透することができる膜厚である必要がある。

保護膜としては上記絶縁層形成材料において記載した絶
縁性プラスチックフィルムを接着剤を使用して絶縁層上
に積層するとよい。

また絶縁性プラスチックを溶剤に溶解し、スピンナーコ
ーティング法等により塗布し形成してもよく、絶縁性プ
ラスチックとしては上述した絶縁層形成材料を使用する
とよい。

電荷保持媒体電極１３は、支持体に金属のものが使用さ
れる場合を除いて支持体上に形成され、その材質は比抵
抗値が１０’Ω・ｃｍ以下であれば限定されなく、金属
導電膜、無機金属酸化物導電膜であり、蒸着、スパッタ
法、ＣＶＤ法、コーティング、メツキ、ディッピング、
電解重合等により形成される。またその厚みは絶縁層電
橋を構成する材質の電気特性、及び情報の記録の際の印
加電圧により変化させる必要があるが、例えばアルミニ
ウムであれば１００〜３０００人程度である。１を荷保
持媒体電極は情報光を入射させる必要がある場合には支
持体同様の光学的特性が要求され、例えば情報光が可視
光（４００〜７００ｎｍ）であれば、Ｉ　ＴＯ（Ｉｎｚ
０３−８ｎＯ＊）　、また酸化錫等をスパッタリング、
蒸着させるか、またはこれらの微粉末をバインダーと共
にインキ化してコーティングしたような透明電極や、金
、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム等を蒸着、また
はスパッタリングすることにより作製される半透明電極
、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）　、ポリアセ
チレン等のコ−ティングによる有機透明電極等が使用さ
れる。

また情報光が赤外光（７００ｎ−以上）の場合にも上記
電極材料を使用することができるが、場合によっては可
視光をカットするために着色された可視光吸収電極も使
用できる。

更に情報光が紫外光（４００ｎ−以下）の場合も、上記
電極材料を使用できるが、支持体としては紫外光を吸収
するような有機高分子材料、ソーダガラス等は好ましく
なく、石英ガラスのような紫外光を透過する材料を使用
するとよい。

支持体１５は、絶縁層を強度的に支持するものであるが
、光透過性も同様に要求される場合がある。電荷保持媒
体３がフレキシブルなフィルム、テープ、ディスク形状
をとる場合には、フレキシブル性のあるプラスチックフ
ィルムが使用され、強度が要求される場合には剛性のあ
るシート、カラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体３は記録される情報、あるいは記録の方法
により種々の形状をとることができる。

例えば静電カメラ（同一出願人による同日出願）に用い
られる場合には、一般のフィルム（単コマ、連続コマ用
）形状、あるいはディスク状となり、レーザー等により
デジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合には
、テープ形状、ディスク形状、あるいはカード形状とな
る。

次ぎにこの電荷保持媒体を使用した静電画像記録方法に
ついて、第２図、第３図により説明する。

図中１は感光体、５は感光体支持体、７は感光体電極、
９は光導電層、１７は電源である。

まず第２図に示すようにｌ■厚のガラスからなる感光体
支持体５上に１０００人厚のＩｒＯからなる透明な感光
体電極７を形成し、この上に１０ｐｍ程度の光導電層９
を形成して感光体１を構成している。この感光体１に対
して、１０ＩＩｍ程度の空隙を介して上記電荷保持媒体
３が配置される。

次いでこの感光体ｌに対して、１０ＩＩｍ程度の空隙を
介して電荷保持媒体３をセットする。

第３図においては、感光体ｌ側から露光を行う態様であ
る。第３図（イ）に示すように電源１７により電極７．
１３間に電圧を印加する。暗所であれば感光体における
光導電層９は高抵抗体であるため、電極間には何の変化
も生じない、感光体１側より光が入射ｊると、光が入射
した部分の光導電層９は導電性を示し、絶縁層１１との
間に放電が生じ、電荷保持媒体に像電荷が移動する。

露光が終了したら、同図（ロ）に示すように電圧をＯＦ
Ｆにし、次いで同図（ハ）に示すように電荷保持媒体３
を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する。

電荷保持媒体中に光導電性層がパターニングされる場合
には、電荷保持媒体を取り出した後全面露光する。これ
により光導電性層にキャリアーが発生し、像電荷により
形成される電界により像電荷が保護層をトンネリング現
象により光導電性層に移動し光導電性層には電荷が蓄積
されるものである。

電荷保持媒体中に導電性層がパターニングされる場合に
は、電荷保持媒体を取り出し、像電荷により形成される
電界により像電荷が保護層をトンネリング現象により導
電性層に移動することにより電荷がパターニングされた
導電層に蓄積されるものである。なお、感光体ｌと電荷
保持媒体３とは上記のように非接触でなく接触式でもよ
い。

このようにして情報電荷は光導電層、又は導電層に蓄積
されるが、絶縁性の保護層が積層されているので情報電
荷は明所、暗所に関係なく放電せず長期間保存される。

本発明の電荷保持媒体への情報入力方法としては、高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本発明で使用される高解像度静電カメラ
は、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代わ
りに、前面に感光体電極７を設けた光導電層９からなる
感光体ｌと、感光体ｌに対向し、後面に電荷保持媒体電
極１３を設けた電荷保持媒体とにより記録部材を構成し
、画電極へ電圧を印加し、入射光に応じて光導電層を導
電性として入射光量に応じて電荷保持媒体に電荷を蓄積
させることにより入射光学像の静電潜像を形成するもの
で、機械的なシャ・ン夕も使用しうるし、また電気的な
シャッタも使用しうるものであり、また静電潜像は明所
、暗所に関係なく長期間保持することが可能である。ま
たプリズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離し
、平行光として取り出すカラーフィルターを使用し、Ｒ
ｌＧ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツトで１コマを形成
するか、またはｌ平面上にＲ，Ｇ、Ｂ像を並べて１セツ
トで１コマとすることにより、カラー撮影することもで
きる。

また本発明の電荷保持媒体への記録方法としてはレーザ
ーによる記録方法が好ましい、光源としてはアルゴンレ
ーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレー
ザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０ｎｍ、８
１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒体を面状
で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をおいて対向
させ、電飄圧印加する。この場合感光体のキ中リアの極
性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい、この状
態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応
したレーザー露光をスキャニングにより行うものである
０画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度
を変調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル
的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦＩＩＪＩＩによ
り行う、また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドｙ　ト’；工＊し９−ＯＮ　　ＯＦ　Ｆｆ
ｌｉｌｌＪをカケテ形成するものである。尚、感光体に
おける光導電層の分光特性は、パンクロマティックであ
る必要はな（、レーザー光源の波長に感度を有していれ
ばよい。

次ぎに記録された静電画像の再生方法について説明する
。

第４図は本発明の電荷保持媒体の静電画像再生方法にお
ける電位読み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番
号は同一内容を示している。なお、図中２１は電位読み
取り部、２３は検出電極、２５はガード電極、２７はコ
ンデンサ、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１を電荷保持媒体３の電荷蓄積面にそ
の保護膜上から対向させると、検出電極２３に電荷保持
媒体３の絶縁層ｌｌ上に蓄積された電荷によって生じる
電界が作用し、検出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と
等量の誘導電荷が生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量
の電荷でコンデンサ２７が充電されるので、コンデンサ
の電極間に蓄積電荷に応じた電位差が生じ、この値を電
圧計２９で読むことによって電荷保持体の電位を求める
ことができる。そして、電位読み取り部２１で電荷保持
媒体面上を走査することにより静電潜像を電気信号とし
て出力することができる。なお、検出電極２３だけでは
電荷保持媒体の検出電極対向部位よりも広い範囲の電荷
による電界（１１気力線）が作用して分解能が落ちるの
で、検出電極の周囲に接地したガード電極２５を配置す
るようにしてもよい、これによって、電気力線は面に対
して垂直方向を向くようになるので、検出電極２３に対
向した部位のみの電気力線が作用するようになり、検出
電極面積に略等しい部位の電位を読み取ることができる
。電位読み取りの精度、分解能は検出電極、ガード電極
の形状、大きさ、及び電荷保持媒体との間隔によって大
き←変わるため、要求される性能に合わせて最適条件を
求めて設計する必要がある。

また電荷保持媒体における像電荷を、反射防止膜を設け
た電荷保持媒体電陽側からレーザー光等を照射し、レー
ザー光の像電荷による変調を利用し、電気光学結晶を介
して情報を再生してもよい。

この場合電荷保持媒体は支持体、電極、絶縁層、光導電
層、保護層共に透明材料で形成する必要がある。また電
気光学結晶はその光路中に配置するとよく、このような
電気光学結晶としてはチタン酸バリウム、タンタル酸リ
チウム（ＬｉＴａ０ｓ）等電気光学効果を有するものを
使用するとよい。

第５図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、６１は電位読み取り装置、６３は増幅器、６５はＣＲ
Ｔ、６７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置６１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器６３で増幅してＣＲＴ６５で表示し
、またプリンタ６７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また“反復再生すること
が可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

〔作用及び発明の効果〕

本発明の電荷保持媒体は、電極層と絶縁層とからなる電
荷保持媒体において、絶縁層上に光導電性又は導電性層
を積層し、該光導電性又は導電性層をバターニングによ
り画素単位状に形成し、更にその光導電性又は導電性層
上に保護膜をコーティングにより積層して形成されるこ
とにより、表面の破損、また情報電荷の減衰を防止を可
能とすると共に、保護膜を像電荷がトンネリング現象を
生ずる膜厚とすることにより、保護膜上から情報の記録
、再生が可能とすることができるものである。

更に電荷を蓄積する光導電性又は導電外層部が絶縁層中
に封止されているので情報電荷の長期保存を可能とし、
また画素単位状にパターニングされることにより（０，
１）信号を画素単位毎に蓄積しうるものである。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕 （電荷保持媒体の作製方法） メチルフェニルシリコン樹脂１０ｇ、キシレン−ブタノ
ールｌ：ｌ溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤
（金属触媒）；商品名　ＣＲ−１５をＩＭ量％（０，２
ｇ）加えてよく攪拌し、ＡＰを１０００人蒸着Ｉｈガラ
ス基板上にドクターブレード４ミルを用いてコーティン
グを行った。

その後１５０℃、ｌｈｒの乾燥を行ない、膜厚ｌＯμｍ
の積層体を得た。

次いで、この絶縁層表面にフォトレジストとしてシブレ
ーマイクロボジット１４００をスピンコード法によりｌ
ｐｍの膜厚に塗布し、９０℃、２０分間加熱した０次い
で、線巾１μｍのフォマスクを使用し、縦横２回鰯高圧
水銀灯を使用して露光し、次いで、シプレーマイクロボ
ジットデベロッパーを用いて現像水洗し、次いで真空蒸
着法により光導電層としてａ−Ｓｅを０．５μｍの膜厚
に形成した。

次いで、シプレーマイクロボジットデベロッパーを用い
て現像（リフトオフ）を行い、＠ｌ　１　ｐ　ｍ、横１
ａｍのアイランド状の光導電層のパターンを絶縁層上に
形成した。

更にこの光導電層上にメチルフェニルシリコン樹脂をキ
シレンに溶解させた５０％溶液をスピンコード法により
塗布し、６０℃で乾燥させ、０゜３μｍｌｌ厚の保護膜
を形成した。

（静電画像記録方法） 第２図に示すように、後述する参考例１で作製する有機
感光体（ＰＶに−ＴＮＦ）　ｌと、上記電荷保持媒体を
、膜厚ｌＯμｍのポリエステルフィルムをスペーサーと
して使用し、対向させて重ね合わせ、次に第３図（イ）
に示すように両電極間７．１３に、感光体側を負、絶ａ
層側を正にして、−７００■の直流電圧を印加する。こ
の電圧印加状態で、感光体側より照度１０００ルツクス
のハロゲンランプを光源とする露光を１秒間行い、露光
終了後、第３図（ロ）に示すように電圧をＯＦＦとした
。

光が入射した部分の光導電層９は導電性を示し、絶縁層
１１との間に放電が生じ、絶縁層１１に電荷が蓄積され
る０次いで第３図（ハ）に示すように電荷保持媒体３を
取り出し、全面露光することにより静電潜像の形成が終
了する。

（電荷保持特性） 電荷保持媒体を保護膜上から表面電位計により表面電位
を測定すると、−１００Ｖの表面電位が測定され、一方
未露光部では表面電位はＯｖであった。この電荷保持媒
体を３０日間、２５°Ｃ１湿度３０％で放置後も表面電
位は９０Ｖあった。

（実施例２〕 メチルフェニルシリコン樹脂１０ｇ、キシレン−ブタノ
ールｌ：１溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤
（金属触媒）：商品名　ＣＲ−１５を１重量％（０，２
ｇ）加えてよく攪拌し、Ａｌを１０００人蒸着Ｉｈガラ
ス基板上にドクターブレード４ミルを用いてコーティン
グを行った。

その後１５０℃、ｌｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０μｍ
の積層体を得た。

次いでこの絶縁表面に光導電層としてａ−Ｓｅを０．１
，１ｍの膜厚に蒸着して形成した後、その光導電層上に
フォトレジストとしてシプレーマイクロポジット１４０
０をスピンコード法により１μｍの膜厚に塗布した。

次いでプレベータ後線巾１＃ｎのフォトマスクを使用し
、縦横２回超高圧水銀灯を使用して露光し、シブレーマ
イクロポジットデベロッパーにより現像した。

次にＲＦドライエツチング装置の平行電極間に挿入して
、エツチングガスとして四塩化炭素ガスを使用し、真空
度２　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒでグロー放電によりドライエ
ツチングすることにより縦１μｍ、横ｌｐｍのアイラン
ド状の光導電層のパターンを絶縁層上に形成し、次にシ
プレーマイクロポジットデベロッパーによりレジストを
除去した。

更にこの光導電層上に実施例１と同様にして保護層を形
成した。

次いで実施例１と同様にその表面電位を測定したところ
、露光部では１００Ｖ、未露光部では０■であり、明確
に（０，１）信号として利用しうろことがわかった。

〔実施例３〕 実施例１で同様に電極上に絶縁層を積層した後、導電層
としてＡＩを蒸着法により０．５μｍの膜厚に積層し、
次いでこの導電層上にフォトレジストとしてマイクロポ
ジット１３００−２７　（シブレイ社製）を使用し、１
．０μｍの膜厚に塗布した。

次いで、線巾のｌｌＩｍのフォトマスクを使用し、縦横
２回超高圧水銀灯を使用して露光し、次いで現像後、リ
ン酸水溶液によりエツチングし、側腹することによりＮ
　ｌ　ｐ　ｍ、横１ａｍのアイランド状の光導電層のパ
ターンを絶縁層上に形成した。

更にこのＡｔ上に、実施例１と同様にして保護膜を形成
して電荷保持媒体を作製した。

この電荷保持媒体を使用して実施例１の静電画像記録方
法と同様に電圧印加時露光した。ｎ先後、電源をＯＦＦ
とし、電荷保持媒体を取り出し、表面電位計により電位
読み取りしたところ、０．３μｍの膜厚の保護膜上から
１００Ｖの表面電位が検出された。この電荷保持媒体を
３０日間、２５°Ｃ１湿度３０％で放置後も表面電位は
８８Ｖあった。

〔参考例１〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮ
Ｆ　）作製方法 ポＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（亜南香料（株
）製Ｌ２，４．７−）リニトロフルオレノン１０ｇ、ポ
リエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東洋
紡（株）製）、テトラハイドロフラノ（ＴＨＦ）９０ｇ
の組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉｎ１０３−３
ｎＯ１を約１０００人の膜厚でスパッターしたガラス基
板（１＋ｗ厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し、
６０°Ｃで約１時間通風乾燥し、膜厚的１０μｍの光導
電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために
、更に１日自然乾燥を行って用いた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電荷保持媒体の断面図、第２図は静電
画像記録方法の−Ｊｌ！様を示す図、第３図は静電画像
記録方法を説明するための図、第４図は直流増幅型の電
位読み取り方法の例を示す図、第５図は本発明の静電画
像再生の概略構成を示す図である。 １は感光体、３は電荷保持媒体、５は感光体支持体、７
は感光体電極、９は光導電層、１１は絶縁層、１３は電
荷保持媒体電極、１４はパターン状光導電性又は導電性
層、１５は電荷保持媒体支持体、１７は電源、２０は保
護層、２１は電位読み取り部、２３は検出電極、２５は
ガード電橋、２７はコンデンサ。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外５名）第３ 図 （イ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極層と絶縁層とからなる電荷保持媒体において
   、絶縁層上に光導電性又は導電性層を積層し、該光導電
   性又は導電性層をパターニングし、更にその光導電性又
   は導電性層上に保護膜をコーティングにより積層したこ
   とを特徴とする内部電荷保持媒体。