JPH02244720A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH02244720A JPH02244720A JP6554889A JP6554889A JPH02244720A JP H02244720 A JPH02244720 A JP H02244720A JP 6554889 A JP6554889 A JP 6554889A JP 6554889 A JP6554889 A JP 6554889A JP H02244720 A JPH02244720 A JP H02244720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- contact hole
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁膜に微細なコンタクトホールを、上層の
金属配線が断線しないような緩やかなテーパを持たせて
形成する半導体集積回路の製造方法に関する。
金属配線が断線しないような緩やかなテーパを持たせて
形成する半導体集積回路の製造方法に関する。
半導体集積回路の高集積化に伴い、コンタクトホールの
アスペクト比が大きくなり、コンタクトホールの上層に
設けられる配線が断線しやすくなる。そこで微細コンタ
クトホールを上層配線が断線しないように形成する技術
が必要となってきている。従来の微細コンタクトホール
形成方法には、酸素を混じたガスを用いるドライエツチ
ングによるレジストの後退を利用して傾斜した開口部を
形成するテーパエッチ法、あるいは等方性エツチングを
利用して球面状開口部を形成するラウンドエッチ法が適
用されている。
アスペクト比が大きくなり、コンタクトホールの上層に
設けられる配線が断線しやすくなる。そこで微細コンタ
クトホールを上層配線が断線しないように形成する技術
が必要となってきている。従来の微細コンタクトホール
形成方法には、酸素を混じたガスを用いるドライエツチ
ングによるレジストの後退を利用して傾斜した開口部を
形成するテーパエッチ法、あるいは等方性エツチングを
利用して球面状開口部を形成するラウンドエッチ法が適
用されている。
従来のテーパエッチ法においては、レジストの後退を利
用するため寸法制御が困難で安定したテ−バ角が得られ
ない、またエツチングプロセスが１３［９１ｉとなりス
ルーブツトが低下するという問題があった。
用するため寸法制御が困難で安定したテ−バ角が得られ
ない、またエツチングプロセスが１３［９１ｉとなりス
ルーブツトが低下するという問題があった。
一方、ラウンドエッチ法においては、テーバが上部にい
くにつれて急になり、開口部が緩やかになりにくいとい
う問題があった。
くにつれて急になり、開口部が緩やかになりにくいとい
う問題があった。
本発明の目的は、開口部が緩やかなテーバをもつコンタ
クトホールを簡単なプロセスで絶縁膜に安定して形成す
る半導体集積回路の製造方法を提供することにある。
クトホールを簡単なプロセスで絶縁膜に安定して形成す
る半導体集積回路の製造方法を提供することにある。
Ｌ記の目的の達成のために本発明は、配線の下層となる
絶縁膜にコンタクトホールを形成する際に、絶縁膜の材
料として加熱により流動性をも−）ものを選び、等方性
エツチングにより面取りエツチングを行い、次に異方性
エツチングにより絶縁膜面に垂直な穴を明け、次いで熱
処理により絶縁膜をリフローさせるものとする１等方性
工・７チングとしては、湿式エツチングまたはプラズマ
エツチングを行うことが有効である。異方性エツチング
としては、反応性・イオンエツチングを行うことが有効
である。
絶縁膜にコンタクトホールを形成する際に、絶縁膜の材
料として加熱により流動性をも−）ものを選び、等方性
エツチングにより面取りエツチングを行い、次に異方性
エツチングにより絶縁膜面に垂直な穴を明け、次いで熱
処理により絶縁膜をリフローさせるものとする１等方性
工・７チングとしては、湿式エツチングまたはプラズマ
エツチングを行うことが有効である。異方性エツチング
としては、反応性・イオンエツチングを行うことが有効
である。
コンタクトホールの形成を、面取りエツチング（ラウン
ドエッチ）工程、異方性エツチング工程および緩やかな
テーバを作るリフロー工程の３１゜程に分けたので、各
工程のプロセスを制御することにより、所期の緩やかな
テーパ査もつ関口部を有するコンタクトホールが、微細
な場合も精度よく形成できる。
ドエッチ）工程、異方性エツチング工程および緩やかな
テーバを作るリフロー工程の３１゜程に分けたので、各
工程のプロセスを制御することにより、所期の緩やかな
テーパ査もつ関口部を有するコンタクトホールが、微細
な場合も精度よく形成できる。
（実施例）
第１図（１１１〜ｔｅｌは本発明の一実施例のコンタク
トホール形成法の工程を示し、第１図ｆａ＋においてシ
リコン基板１には表面に７ ｓｉｏ！ ％のりんを含む
りんガラス （ＰＳＧ）ＩＩＩ２が１μの厚さに被覆さ
れている。このＰＳＧは後の工程のりフローの可能な材
料であり、代わりにほう素を添加したＢＰＳＧなどでも
よい、またリフロー時に下地３１基板１へのＰなどの拡
散が問題となる場合、ＰＳＧのＦへＳｉＯｘ膜を形成し
ておく、まず、第１図中）に示すようにコンタクトホー
ルのレジストパターン３を形成する０次に、ＨＦを用い
た湿式エツチング庖行い、第１図ｔｅ）に示すようにＰ
ＳＧＩＩＩ１２の半分程度がなくなるまで一定時間等方
性エソヂングを行う、この後、ふっ素系のガスを使った
反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）を行い、第１図ｆｄ
ｌに示ずようにＰＳＧ膜２がなくなるまで異方性エツチ
ングを実施する。さらに、レジスト３を除去した後９５
０℃のスチーム中での１０分間の熱処理によりリフロー
工程を行うと第１図＋１１１に示すような上部関口部の
テーバが緩やかな形状のコンタクトホール４が形成され
る。リフロー後、コンタクトホールの底のシリコン面上
に酸化膜が形成されている場合は、これを除去するため
のウェット処理またはドライ処理が配線形成前に必要で
ある。
トホール形成法の工程を示し、第１図ｆａ＋においてシ
リコン基板１には表面に７ ｓｉｏ！ ％のりんを含む
りんガラス （ＰＳＧ）ＩＩＩ２が１μの厚さに被覆さ
れている。このＰＳＧは後の工程のりフローの可能な材
料であり、代わりにほう素を添加したＢＰＳＧなどでも
よい、またリフロー時に下地３１基板１へのＰなどの拡
散が問題となる場合、ＰＳＧのＦへＳｉＯｘ膜を形成し
ておく、まず、第１図中）に示すようにコンタクトホー
ルのレジストパターン３を形成する０次に、ＨＦを用い
た湿式エツチング庖行い、第１図ｔｅ）に示すようにＰ
ＳＧＩＩＩ１２の半分程度がなくなるまで一定時間等方
性エソヂングを行う、この後、ふっ素系のガスを使った
反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）を行い、第１図ｆｄ
ｌに示ずようにＰＳＧ膜２がなくなるまで異方性エツチ
ングを実施する。さらに、レジスト３を除去した後９５
０℃のスチーム中での１０分間の熱処理によりリフロー
工程を行うと第１図＋１１１に示すような上部関口部の
テーバが緩やかな形状のコンタクトホール４が形成され
る。リフロー後、コンタクトホールの底のシリコン面上
に酸化膜が形成されている場合は、これを除去するため
のウェット処理またはドライ処理が配線形成前に必要で
ある。
このようにして形成される上部に緩やかなテーバ面、下
部に垂直側壁を持つコンタクトホー・ルの形状は、湿式
エツチングあるいはりフローの条件を変えることにより
制御可能である。
部に垂直側壁を持つコンタクトホー・ルの形状は、湿式
エツチングあるいはりフローの条件を変えることにより
制御可能である。
本発明の他の実施例では、第１図ｔｅｌに示し、た等方
性エツチングをふっ素系のガスを用いたプラズマエツチ
ングで行う、その他の工程は上記の実施例と同様で、同
様な形状のコンタクトホールが形成できる。
性エツチングをふっ素系のガスを用いたプラズマエツチ
ングで行う、その他の工程は上記の実施例と同様で、同
様な形状のコンタクトホールが形成できる。
本発明によれば、コンタクトホールの形成を面取りのた
めの等方性エツチング、垂直な開孔のための異方性のド
ライエツチング、リフローの３−１ｍ程に分け、レジス
トの後退を利用セす、面取り面のりフローを行うため、
寸法精度よく、開口部に緩やかなテーバを有し、上層配
線の被覆性のよいコンタクトホールが形成できる。また
各工程の制御によりテーバ角の調整も可能であり、スル
ーブツトの低下もない。
めの等方性エツチング、垂直な開孔のための異方性のド
ライエツチング、リフローの３−１ｍ程に分け、レジス
トの後退を利用セす、面取り面のりフローを行うため、
寸法精度よく、開口部に緩やかなテーバを有し、上層配
線の被覆性のよいコンタクトホールが形成できる。また
各工程の制御によりテーバ角の調整も可能であり、スル
ーブツトの低下もない。
第１図（Δ）〜（イ）は本発明の−・つの−・実施例の
工程を順次示す断面図である。
工程を順次示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）配線の下層となる絶縁膜にコンタクトホールを形成
する際に、絶縁膜の材料として加熱により流動性をもつ
ものを選び、等方性エッチングにより面取りエッチング
を行い、次に異方性エッチングにより絶縁膜面に垂直な
穴を明け、次いで熱処理により絶縁膜をリフローさせる
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。 ２）等方性エッチングとして湿式エッチングを行うこと
を特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の製造方法
。 ３）等方性エッチングとしてプラズマエッチングを行う
ことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の製造
方法。 ４）異方性エッチングとして反応性イオンエッチングを
行うことを特徴とする請求項１、２または３記載の半導
体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6554889A JPH02244720A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6554889A JPH02244720A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244720A true JPH02244720A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13290177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6554889A Pending JPH02244720A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02244720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291247A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| US5629237A (en) * | 1994-10-24 | 1997-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Taper etching without re-entrance profile |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP6554889A patent/JPH02244720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291247A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| US5629237A (en) * | 1994-10-24 | 1997-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Taper etching without re-entrance profile |
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