JPH02245765A - 情報記録媒体及び情報記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報を連続調、（０・１）情報の形で記録し
、任意時点で情報を再生しうる情報記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経て、記
録媒体としてのフィルム等に記録され、画像を再現する
場合には銀塩乳剤（印画紙等）を用いるか、または現像
フィルムを光学走査して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現
させる等により行われている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
橿性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付
着させて、紙等に静電転写して現像する電子写真技術が
あるが、これは主として複写用に用いられており、一般
に低感度のため撮影用としては使用できず、記録媒体と
しての光伝導層における静電荷の保持時間が短いために
静電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である
。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像側の解像性、画質等は銀塩に劣る。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が簡便で、長時間の記録
が可能で、記録した文字、線画、画像、コード、（１，
０）情報を目的に応じた画質で任意に反復再生すること
ができる情報記録媒体の提供を課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

そのために本発明の情報記録媒体は、電極層上に被破壊
性電荷注入防止層を介して電荷輸送性を有する絶縁層を
積層したことを特徴とする。

またこの被破壊性電荷注入防止層には、色素又は顔料か
らなる熱吸収層を設けることができるものである。

上記情報記録媒体を使用した本発明の情報記録再生方法
は、まず電極層上に被破壊性電荷注入防止層を介して電
荷輸送性を有する絶縁層を積層した情報記録媒体を、加
熱手段により電荷注入防止層を破壊し、該破壊された電
荷注入防止層部を導電化させることにより情報を記録し
、情報再生に際しては情報記録媒体における絶縁層上面
に全面帯電を行うことにより再生することを特徴とする
ものである。

この加熱手段は、レーザービームによるパターン露光、
またはサーマルヘッドによることができる。

また本発明の情報記録媒体への他の情報記録再生方法は
、まず電極層上に被破壊性電荷注入防止層を介して、光
電荷発生性を有し、かつ電荷輸送性を有する絶縁層を積
層した情報記録媒体における絶縁層面と、電極上に光導
電層を積層した感光体の光導電層面とを対向させて配置
し、両電極間に電圧を印加した状態でパターン露光し、
絶縁表面に静電荷パターンを形成し、続いて絶縁層面を
前面露光し、静電パターン形成部における電荷注入防止
層を放電破壊することにより導電化させて情報を記録し
、情報再生に際しては情報記録媒体上面に全面帯電を行
い、該記録情報を再生することを特徴とするものである
。

また記録された情報を再生するには、トナー現像しても
よく、又表面電位読み取りによってもよいものである。

以下、本発明の情報記録媒体を説明する。

第１図は本発明の情報記録媒体の断面図、第２図は本発
明の情報記録媒体の作製工程をその断面図で示す図で、
図中３は情報記録媒体、１１は電荷輸送性を有する絶縁
層、１２は被破壊性電荷注入防止層、１３は電極、１４
は導電部、１５は支持体、１６は加熱装置である。

電荷輸送性を存する絶縁層１１は、電圧が印加されない
段階では絶縁層として機能するが、電圧印加時（像！萄
形成時もそうであるが）に於いては、電極から電荷が注
入されと橿めて容易にその電荷を移動させることができ
る機能を有する。

本発明では再生時に与える電荷の極性に応じてホール輸
送性、又は電子輸送性とする必要がある。

電極がプラスの時には、ホール輸送性のよいアモルファ
スセレン、また有機感光材料、例えばヒドラゾン系、ピ
ラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系、トリ
フェニルメタン系、多環芳香族化合物系等を使用すると
よい。

形成方法としては、ａ−３ｓの場合には蒸着、スパッタ
法等により形成することができ、アモルファスセレン、
アモルファスセレンテルル、アモルファス砒素セレン化
合物（ａ−ＡｓｚＳｅｉ）　、アモルファス砒素セレン
化合物（ａ−ＡｓｚＳｅｓ）　＋テルル等を、単層、ま
たは複層、または各種アモルファスセレンを組み合わせ
積層するとよい、また有機感光材料の場合には溶剤に溶
かしスピンナーコーティング法等により塗布するとよい
。

電極がマイナスの場合には、電子輸送性のよい酸化亜鉛
、硫化カドミウム等を使用するとよく、その形成方法と
してはコーティング法、或いはＣＶＤ法（Ｃｈｅａ＋１
ｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）で作製
される。コーティング法としては、硫化亜鉛粒子（粒径
１〜１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添
加して電荷発生層上にコーティングするか、またはジエ
チル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属を酸素ガスと共に
低真空中（１０−”〜ＩＴｏｒｒ）で混合し、加熱（１
５０℃〜４００℃）した基板上で化学反応させ、酸化亜
鉛膜として堆積させるとよい。

なお塗布法を使用する場合にはバインダーとしてシリコ
ーン樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂、エポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、飽和又は不飽和ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂
、フェノール樹脂、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭ
ＭＡ）樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂等を電荷輸
送材料１部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易い
ようにする。

膜厚としては１０〜５０μｍの膜厚とするとよい。

本発明においては後述する電極の種類と、上記絶縁層材
料の組み合わせが重要であり、後述する電極の種類によ
り電荷の注入性を相違することを本発明者等は見出した
０例えば絶縁層材料としてポリビニルカルバゾールを使
用する場合には、Ａｌ電極では余り電荷が注入されない
が、ＩＴＯ電極を使用すると電荷が注入されやすい０本
発明においては電圧印加時に電荷注入が容易な組み合わ
せを選択することが必要である。

また、この電荷輸送性を有する絶縁層は、先導電性材料
である場合もあり、そのような材料では光が照射される
と照射部分で光キャリア（電子、正孔）が発生し、特に
電界が存在する場合にその効果が顕著である層でもある
。

情報記録媒体電極１３は、支持体に金属のものが使用さ
れる場合を除いて支持体上に形成され、その材質は比抵
抗値が１０６Ω・ｃｍ以下であれば限定されなく、金属
導電膜、無機金属酸化物導電膜、或いは四級アンモニウ
ム塩等の有機導電膜であり、蒸着、スパッタ法、ＣＶＤ
法、コーティング、メツキ、デイツピング、電解重合等
により形成される。

本発明においては、電極材料として電荷輸送性を存する
絶縁層に電荷を注入しやすい材料を選択するとよい０例
えば絶縁層として゛ポリビニルカルバゾール等の有機光
導電材料を使用する場合には電極として無機金属酸化物
、例えば酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）電極を使用する
とよい。

またその厚みはｉｉｉを構成する材質の電気特性、及び
情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば１００〜３０００人程
度である。

電極は情報光を情報記録媒体下部より入射させる必要が
ある場合には支持体同様の光学的特性が要求され、例え
ば情報光が可視光（４００〜７００　ｎｍ）であれば、
ＩＴＯ（ＩｎｔＯｓ−５ｎｏり　、また酸化錫等をスパ
ッタリング、蒸着させるか、またはこれらの微粉末をバ
インダーと共にインキ化してコーティングしたような透
明電極や、金、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム等
を蒸着、またはスパッタリングすることにより作製され
る半透明電極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）
　、ポリアセチレン等のコーティングによる有ｉ透明電
極等が使用される。

また情報光が赤外光（７００ｎｓ＋以上）の場合にも上
記電極材料を使用することができるが、場合によっては
可視光をカントするために着色された可視光吸収電極も
使用できる。

更に情報光が紫外光（４００ｎｓ以下）の場合も、上記
電極材料を使用できるが、支持体としては紫外光を吸収
するような有機高分子材料、ソーダガラス等は好ましく
なく、石英ガラスのような紫外光を透過する材料を使用
するとよい、それらの場合は、基板裏面にフン化マグネ
シウム、酸化チタン等の反射防止層を形成するとよい。

本発明の情報記録媒体は、上記電極１３と電荷輸送性を
有する絶縁層１１との間に、被破壊性電荷注入防止層を
設けることを特徴とする。

被破壊性電荷注入防止層は、電圧印加時に電極から電荷
輸送性を有する絶縁層に電荷が移動するのを防止するた
めに設けられる。この電荷注入防止層は、いわゆるトン
ネリング効果により電荷が移動しない膜厚を有する絶縁
性のものと、整流効果を利用したものの二種類があるが
、本発明においては後述するレーザー照射、サーマルヘ
ッド等の加熱による情報書き込み手段により、その部分
において絶縁層と電極とが連通して導電化するような機
能を有するものである。

このような電荷注入防止層材料として まず無機絶縁性材料としては、ＴｅＯｘ等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング等により膜厚０．　１μｍ−１
０μｍに形成する。このような低融点化合物はレーザー
照射による加熱により加熱、融解され、その結晶化の程
度に応じた導電性を得ることができ、この場合にはレー
ザー照射の程度に応じて連続調の導電性を得ることがで
きるものである。

また他の無機絶縁材料としては、ＡｓｚＯｉ　、ＢｚＯ
ｓ、Ｂ１１Ｏｓ　、ＣｄＳ　、　ＣａＯ、Ｃｅ０ｚ、Ｃ
ｒａｂｓ　、Ｃｏｏ　％　Ｇｅ０ｔｓＨｆ（ｈ、Ｆｅｚ
ｅｓ　、Ｌａｇ’ｓ　、ＭｇＯ、Ｍｎ０ｚ、　ＮｄｚＯ
ｓ　、Ｎｂｔ’ｓ　、ＰｂＯ，５ｂｚＯｚ　、５ｉｆｔ
、５ｅａｔ、Ｔａｘｅｓ　、Ｔｉ１ｔ、Ｗｏｎ　、ｖ、
ｏｌ、Ｙ８Ｏ１、Ｙ２Ｏ１、Ｚｒ０ｇ、ＢａＴｉ０＝、
Ａｌｚｏｓ、Ｂ１８ＴｉＯＢ　、ＣａＯ−５ｒＯ、Ｃａ
０−ＹｘＯｓ、Ｃｒ−５ｉｎ、　ＬＬＴａＯｌ、ＰｂＴ
ｉＯ３、ＰｂＺｒ０＊、Ｚｒ０ｌ−Ｃｏ　、　Ｚｒ０ｚ
−５ｉＯｘ　、ＡＩＮ　、　ＢＮ％ＮｂＮ　、　５ｉａ
Ｌ　、ＴａＮ　、　ＴｉＮ　、　ＶＮ、　ＺｒＮ　。

ＳｉＣ、ＴｉＣＳ札、Ａｌ４Ｃ３、ＳｉＮ＊−ＡｌｚＯ
ｓ混晶体等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶ
Ｄ法等により膜厚ｏ、ｏｉμｍ〜１μｍに形成する０例
えば５ｔｏｔはサーマルヘッドにより加熱すると亀裂が
生じ、電荷輸送性を有する絶縁層と電極を導通させるこ
とによりその亀裂部を導電化させることができるもので
、これにより（０・１）記録が可能である。

また有機絶縁性材料としては、ポリプロピレン、ポリエ
チレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、ポリエステル、
ポリアミド、変性ＰＶＡ、アクリルポリカーボネート、
シリコン等の樹脂、またフィルム状としてはポリスチレ
ン、ポリブタジェン、ＰＥＴ、ポリプロピレン、ポリエ
チレン、塩化ビニル、ポリアミド、変性ＰＶＡ、アクリ
ル、直鎖低分子量ポリエチレンフィルム等の熱収縮性フ
ィルム等があり、溶剤と共にスピンナーコーティング法
等により形成され、又フィルム状の場合には接着剤、粘
着剤等で電極上に形成され、サーマルヘッド等により加
熱されることにより、加熱部が収縮して電荷輸送性を有
する絶縁層と電極とを連通させる性質を有するものであ
る。

この層の膜厚は、電荷の注入を防止するためにトンネル
効果を生じないような、例えば１０００Å以上の膜厚と
する必要がある。

また電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極基
板の極性と逆橿性の電荷輸送能を有する電荷輸送層を設
けてもよい、この場合にも上記絶縁性材料同様、加熱に
より導電化現象を生じるものを使用することができる。

このような電荷注入防止層は無ｍ絶縁層、有機絶縁層、
有機無機複合型絶縁層で形成され、その膜厚は０．１〜
ＩＯμｍ程度である。具体的には、電極がマイナスの場
合はＢ、ＡＩ、Ｇａ５１ｎ等をドープしたアモルファス
シリコン絶縁層、アモルファスセレン、またはオキサジ
アゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチ
ルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメ
タン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族ア
ミン等を樹脂中に分散して形成した有機絶縁層、電極が
プラスの場合は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ。

Ｂｉ等をドープしたアモルファスシリコン絶縁層、Ｚｎ
ＯｗＡ縁層等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ、コーティング等の方法により形成される。

このように形成される電荷注入防止層の一方、又は両面
、或いは電荷注入防止層が有機物の場合、その層中に、
ＬＥＤ、レーザー光等による光吸収により発熱する層を
設けると、それらの光源により光書き込みができ、例え
ば色素、顔料等を溶剤に熔解、又は分散させて、また必
要に応じてバインダーと共に塗布することにより、上記
電荷注入防止層を容易に破壊することができる。このよ
うな色素、顔料としては直接染料、酸性染料、塩基性染
料、金属錯塩染料、バット染料、硫化染料、ナフトール
染料、分散染料、反応染料、螢光増白染料、酸化染料等
の染料、又無Ｗ１顔料、フタロシアニン系有機顔料、染
付は系顔料、溶性アゾ系顔料、不溶性アゾ系顔料、ポリ
アゾ系顔料、バット系顔料、螢光顔料等の顔料がある。

支持体１５は、電荷輸送性を有する絶縁層を強度的に支
持するものであるが、絶縁層１１がフィルム形状の場合
には不用である。この場合には上記電極はフィルムの片
面に電荷注入防止層を介して形成されてもよいものであ
る。

支持体を設ける場合、光透過性も同様に要求される場合
がある。情報記録媒体３がフレキシブルなフィルム、テ
ープ、ディスク形状をとる場合には、フレキシブル性の
あるプラスチックフィルムが使用され、強度が要求され
る場合には剛性のあるシート、ガラス等の無機材料等が
使用される。

また光透過性が要求される場合には支持体上に反射防止
膜を設けるとよい０反１１防止膜は弗化マグネシウム、
酸化チタン等の無機酸化物を単層、又は複数層状にもう
けるとよい。

次ぎに本発明の情報記録再生方法における第１の情報記
録方法を、第２図により説明する。第２図（イ）は電荷
注入防止層が亀裂、または収縮作用により破壊された状
態を示す図、第２図（ロ）は電荷注入防止層が結晶化作
用により導電化することにより破壊された状態を示す図
である０図中１４３は！荷注入防止層が欠落した部位、
１４ｂは電荷注入防止層が結晶化した部位、１６は加熱
手段を示す。

まず第２図（イ）に示すように、本発明の情報記録媒体
に情報を記録する第１の方法は、情報記録媒体３上部、
又は下部よりサーマルヘッド等により電荷注入防止層に
情報を熱的に入力し、Ｗ荷注入防止層材料に収縮、また
は亀裂を生じさせ、電荷輸送性を有する絶縁層と電極と
を導通させるもので、情報に応じた導通部を形成するこ
とができ、（０・１）信号の形で情報を記録することが
できるものである。

また第２図（ロ）に示すものは、電荷注入防止層を酸化
テルル等の低融点化合物を使用して形成する場合であり
、この場合には加熱手段１６により情報が加熱印加され
ると、その部位において電荷注入防止層が溶融し、冷却
に伴い結晶化するもので、結晶化の程度により導電性と
なることを利用し情報をアナログで記録しうるちのであ
る。

電荷注入防止層近傍或いは層中に、染料、顔料等の光吸
収発熱性物質が存在する場合、レーザー等の光記録がで
き、記録方法としては、光源としてアルゴンレーザー（
５１４，４８８ｎｍ）　、ヘリウム−ネオンレーザ−（
６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０ｎｍ、８１０ｎ
ｍ等）が使用でき、情報記録媒体上方、または下方から
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。

画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を
変調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的
な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦＩＩＩ御により行
う、また画像において網点形成されるものには、レーザ
ー光にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をかけて
形成するものである。

尚、感光体を使用する情報記録方法においてレーザーを
使用することもでき、この場合には光導電層の分光特性
は、パンクロマチインクである必要はなく、レーザー光
源の波長に感度を有していればよい。

次に第３図により本発明の第２の情報記録再生方法を説
明する０図中１は感光体、３は情報記録媒体、５は感光
体支持体、７は感光体電極、９は光導電層、１１は光キ
ャリアー発生性及びキャリアー輸送能を有する絶縁層、
１７はＴ４ａである。

まず第３図（イ）に示すように、例えば１ｆｌ厚のガラ
スからなる感光体支持体５上に１０００人厚の１ＴＯか
らなる透明な感光体電極７を形成し、この上に１０μｍ
程度の光導電層９を形成した感光体ｌを用意する。この
感光体１に対して、ＩＯμｍ程度の空隙を介して上記情
報記録媒体３を配置する。

第３図においては、感光体１側から露光を行うＩｌ！３
ｉ様である。第３図（イ）に示すように電源１７により
電極７．１３間に電圧を印加する。暗所であれば感光体
における光導電ｒＭ９は高抵抗体であるため、電極間に
は何の変化も生じない、感光体１側より光１８が入射す
ると、光が入射した部分の感光体光導電層９は導電性を
示し、電荷輸送性を有する絶縁層１１との間に放電が生
じ、情報記録媒体に像電荷が移動する。

次に、第３図（ロ）に示すように、媒体を取り出した後
、情報記録媒体に対応した波長の全面露光を行うと、像
電荷が存在する部位において光キャリアーが発生し、像
電荷と同極性の光キャリアーが情報記録媒体電極に引か
れ、電荷注入防止層界面にまで移動する。電極間の電圧
を高電圧とすることにより、電極における電荷との間に
高電界が生じる（表面電位が１００ＯＶであれば、電界
強度は１０’　Ｖ／ｃｎ＋の高電界となる）ために、像
電荷の移動した電荷注入防止層における部位においては
放電破壊が生じ、電荷輸送性を有する絶縁層と電極とが
連通し、その電荷注入防止層部を導電化することができ
るものである。この場合の電荷注入防止層の形成材料と
してはトンネリング効果を生じないような膜厚（１００
０Å以上）の絶縁性膜とすればよい。

次ぎに記録された静電画像の再生方法について説明する
。

第４図は、情報を記録した情報記録媒体の断面図である
。

この情報記録媒体から情報を再生するには、まず同図（
イ）に示すように情報記録媒体の絶縁層１１上面にコロ
ナ帯電、又は対向電極による電圧印加方式により全面帯
電にさせると、同図（ロ）に示すように、電荷注入防止
層の欠落部においては電極と！荷輸送層とが導通してい
るために電極から電荷の移動が生じ、電荷輸送層上の電
荷を中和し、パターニングされていない部位においては
電荷が残存することとなる。

この電荷をトナーにより現像し、静電印刷等に利用する
ことができる。情報はポジ状態での情報を再生すること
ができるものである。

第５図は情報記録再生方法における他の方法である電位
読み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番号は同一
内容を示している。なお、図中２１は電位読み取り部、
２３は検出電極、２５はガード電橋、２７はコンデンサ
、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１を情報記録媒体３の電荷蓄積面にそ
の保護膜上から対向させると、検出電極２３に情報記録
媒体３の電荷輸送性を有する絶縁層１１上に蓄積された
電荷によって生じる電界が作用し、検出電極面上に情報
記録媒体上の電荷と等量の誘導電荷が生ずる。この誘導
電荷と逆極性の等量の電荷でコンデンサ２７が充電され
るので、コンデンサの電極間に蓄積電荷に応じた電位差
が生じ、この値を電圧計２９で読むことによって電荷保
持体の電位を求めることができる。そして、電位読み取
り部２１で情報記録媒体面上を走査することにより静電
潜像を電気信号として出力することができる。なお、検
出型ｐｉ２３だけでは情報記録媒体の検出電極対向部位
よりも広い範囲の電荷による電界（電気力線）が作用し
て分解能が落ちるので、検出電極の周囲に接地したガー
ド電極２５を配置するようにしてもよい、これによって
、電気力線は面に対して垂直方向を向くようになるので
、検出電極２３に対向した部位のみの電気力線が作用す
るようになり、検出電極面積に略等しい部位の電位を読
み取ることができる。ｉＺ位読み取りの精度、分解能は
検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び情報記録媒
体との間隔によって大きく変わるため、要求される性能
に合わせて最適条件を求めて設計する必要がある。

また情報記録媒体における像電荷を、反射防止膜を設け
た情報記録媒体電極側からレーザー光等を照射し、レー
ザー光の像電荷による変調を利用し、電気光学結晶を介
して情報を再生してもよい。

この場合情報記録媒体は支持体、電極、電荷輸送性を有
する絶縁層、絶縁層、保護層共に透明材料で形成する必
要がある。また電気光学結晶はその光路中に配置すると
よく、このような電気光学結晶としてはチタン酸バリウ
ム、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０ｓ）等電気光学効
果を有するものを使用するとよい。

第６図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、６１は電位読み取り装置、６３は増幅器、６５はＣＲ
Ｔ、６７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置６１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器６３で増幅してＣＲＴ６５で表示し
、またプリンタ６７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

〔作用及び発明の効果〕

本発明の情報記録媒体は、電極層上に被破壊性電荷注入
防止層を介して電荷輸送性を有する絶縁層を積層するこ
とにより形成し、レーザー光、又はサーマルヘッド等の
加熱手段を情報記録手段とすることにより、加熱部位の
電荷注入防止層を破壊し、その部位を導電化させること
ができるものである。そのため像電荷を電荷注入防止層
の有無の形に変換して保存しうるちのであり、情報記録
媒体として永続的に情報を保存しうるちのである。

また情報再生に際しては、その都度情報記録媒体表面を
全面帯電することにより容易に再生することができる。

即ち、情報記録媒体表面を全面帯電させると、電荷注入
防止層の欠落している情報記録部においては像電荷によ
り形成される電界により像電荷はリークし、情報を記録
してない部位のみに電荷を残存させることができ、この
電荷を再生方法すればよいものである。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕 Ｉｎ２Ｏ２−Ｓｎｏｗを約１０００人の膜厚でスパンタ
ーしたガラス基板（１ｕ厚）に、電荷注入防止層として
Ｓｉｎｇを同様のスバンタ法で、０．２　μｍの膜厚に
形成した。

次にこの電荷注入防止層上に、レーザー光吸収層として
、クリスタルバイオレフト（純正化学をテトラハイドロ
フランに溶解させ、１％溶液とし、スピンナーコーティ
ング法（１０００ｒｐｍ　、３０ｓ）で０．０５μｍの
膜厚に塗布する。

次いで形成されたレーザー光吸収層上に、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール１０ｇ（亜ｗ香ｎ　＜株）製）、２，
４．７−トリニトロフルオレノン１０ｇ、ポリエステル
樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東洋紡（株）製
）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇの組成を有
する混合液を暗所で作製してドクターブレードを用いて
塗布し、６０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍ
の電荷輸送性を有する絶縁層を有する情報記録媒体を得
た。

（実施例２〕 ＩｎｔｏコーＳｎｕｇを約１０００人の膜厚でスパッタ
ーしたＰＥＴフィルム基板（１００μｍ厚）に、電荷注
入防止層として、２軸延伸のポリエチレンフィルムを接
着剤を用いて電極上にラミネートした（５μｍ膜厚） 次にこの電荷注入防止層上に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール１０ｇ　（亜南香料（株）製）、２．４．７−ト
リニトロフルオレノン１０ｇ１ポリニスｆルｍＦＩＭ　
２　ｇ　（バインダー：バイロン２００東洋紡（株）製
）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇの組成を有
する混合液を暗所で作製し、ドクターブレードを用いて
塗布し、６０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍ
の電荷輸送性を有する絶縁層を有する情報記録媒体を得
た。

〔実施例３〕 Ｉｎ２Ｏ２−５ｎＯ１を約１０００人の膜厚でスパッタ
ーしたガラス基Ｉ（１ｍ厚）に、電荷注入防止層として
酸化テルルを、酸素雰囲気下でＴｅをスパッタすること
により１μｍの膜厚に形成した。

次にこの電荷注入防止層上に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール１０ｇ（亜南香料（株）製）、２、４．７−）リ
ニトロフルオレノン１０ｇ、ポリエステル樹脂２ｇ（バ
インダー：バイロン２００東洋紡（株）製）、テトラハ
イドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇの組成を有する混合液を
暗所で作製し、ドクターブレードを用いて塗布し、６０
℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍの電荷輸送性
を有する絶縁層を有する情報記録媒体を得た。

〔実施例４〕 第２図（イ）に示すように、実施例１で作製した情報記
録媒体上面より、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）１
５ｍＷ、スポット径５μｍφ、ｌＱｍｓでパターン走査
露光を行った。照射をした後、その情報記録媒体表面に
一６ＫＶでコロナ帯電をした結果、露光部の表面電位は
０■、未露光部は一４５０ｖが得られ、湿式トナー（リ
コーＢＳ）ナー）により、トナー現像をおこなった。

Ｈｅ−Ｎｅレーザーを照射した部分にはトナーは乗らず
、（０・１）印刷を鮮明におこなうことができた。

〔実施例５〕 第３図（イ）に示すように、実施例３で作製した情報記
録媒体上面と後述する参考例１で作製する有機感光体（
ＰＶＫ　−ＴＮＦ）　１とを、膜厚１０μｍのポリエス
テルフィルムをスペーサーとして使用して対向させて重
ね合わせ、両電極間７．１３に、感光体側を負、絶縁Ｊ
！！極側を正にして、−７００ｖの直流電圧を印加する
。この電圧印加状態で、感光体側より照度１０００ルツ
クスのハロゲンランプを光源とするパターン露光を１秒
間行い、露光終了後、電圧をＯＦＦとした。

続いて情報記録媒体を取り出し、全面に白色光を１０ル
ツクス・１０秒照射した後、暗所下でコロナ帯電（−６
Ｋ　Ｖ）を行い、第６図に示す電位読み取り表面電位を
測定した結果、パターン露光部には０■、未露光部には
一３００■の表面電位であり、ＣＲＴ上に再生したとこ
ろパターン画像が再生された。

〔参考例１〕・・・有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮＦ　’
）作製方法 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ　（亜南香料（株
）製）、２．４．７−）リニトロフルオレノンｌｏｇ、
ポリエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東
洋紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０
ｇの組成を有する混合液を暗所で作製し、ＩｎｔＯｉ−
３ｎＯ１を約１０００人の膜厚でスパンターしたガラス
基板（１鶴厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し、
６０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍの絶縁層
を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために、更
に１日自然乾燥を行って用いた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記録媒体の断面図、第２図は情報
記録方法の一実施例を説明するための図、第３図は他の
情報記録方法の実施例を説明するための図、第４図は記
録情報再生を説明するための図、第５図は直流増幅型の
電位読み取り方法の例を示す図、第６図は本発明の静電
画像再生の概略構成を示す図である。 １は感光体、３は情報記録媒体、５は感光体支持体、７
は感光体電極、９は光導電層、１１は電荷輸送性を有す
る絶縁層、１３は情報記録媒体電極、１４は情報記録部
、１５は情報記録媒体支持体、１６は加熱手段、１７は
電源、１８はパターン露光光、２１は電位読み取り部、
２３は検出電極“、２５はガード電極、２７はコンデン
サ。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外５名）図面の浄書 （イ） 図面の浄書 第１図 第２ｖＩＪ （イ） 図面の浄書 （イ） （ロ） 第５図 手 続 争甫 正 書 （方式） ％式％ 補正をする者 事件との関係

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極層上に被破壊性電荷注入防止層を介して電荷
   輸送性を有する絶縁層を積層したことを特徴とする情報
   記録媒体。
2. （２）上記被破壊性電荷注入防止層近傍又は層中に、色
   素又は顔料からなる熱吸収層を設けた請求項１記載の情
   報記録媒体。
3. （３）電極層上に被破壊性電荷注入防止層を介して電荷
   輸送性を有する絶縁層を積層した情報記録媒体を、加熱
   手段により電荷注入防止層を破壊し、該破壊された電荷
   注入防止層部を導電化させることにより情報を記録し、
   情報再生に際しては情報記録媒体における絶縁層上面に
   全面帯電を行うことにより再生することを特徴とする情
   報記録再生方法。
4. （４）上記加熱手段が、レーザービームによるパターン
   露光である請求項３記載の情報記録再生方法。
5. （５）電極層上に被破壊性電荷注入防止層を介して、光
   電荷発生性を有し、かつ電荷輸送性を有する絶縁層を積
   層した情報記録媒体における絶縁層面と、電極上に光導
   電層を積層した感光体の光導電層面とを対向させて配置
   し、両電極間に電圧を印加した状態でパターン露光し、
   絶縁表面に静電荷パターンを形成し、続いて絶縁層面を
   前面露光し、静電パターン形成部における電荷注入防止
   層を放電破壊することにより導電化させて情報を記録し
   、情報再生に際しては情報記録媒体上面に全面帯電を行
   い、該記録情報を再生することを特徴とする情報記録再
   生方法。
6. （６）上記記録された情報の再生方法が、トナー現像に
   よるか、又は表面電位読み取りによるものである請求項
   ３、４又は５記載の情報記録再生方法。