JPH02246313A - 露光装置のマスクアライメント用ターゲットパターンとウィンドゥパターン - Google Patents
露光装置のマスクアライメント用ターゲットパターンとウィンドゥパターンInfo
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- JPH02246313A JPH02246313A JP1068835A JP6883589A JPH02246313A JP H02246313 A JPH02246313 A JP H02246313A JP 1068835 A JP1068835 A JP 1068835A JP 6883589 A JP6883589 A JP 6883589A JP H02246313 A JPH02246313 A JP H02246313A
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- Japan
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- pattern
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
集積回路などのウェハー製造工程で、基板上に所定のレ
ジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィに
おけるマスクアライメント用のパターンに関し、 アライメント感度の高いパターンを実現することによっ
て、高精度で微細加工のバターニングを行うことが可能
な露光装置を実現することを目的とし、 基板上の位置合わせ用ターゲットを、露光用マスクに設
けたウィンドウから暗視野照明し、該ターゲットのエツ
ジから反射散乱する光を検知することによって、該基板
と該露光用マスクの位置合わせを行う場合に、 位置合わせ用ターゲットとして、正方形のターゲットを
基板上の縦方向と横方向に所定間隔で並べ、暗視野照明
用のウィンドウとして、前記ターゲットの、４つの辺を
構成するエツジのそれぞれの位置に、ウィンドウを設け
るように構成する。
ジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィに
おけるマスクアライメント用のパターンに関し、 アライメント感度の高いパターンを実現することによっ
て、高精度で微細加工のバターニングを行うことが可能
な露光装置を実現することを目的とし、 基板上の位置合わせ用ターゲットを、露光用マスクに設
けたウィンドウから暗視野照明し、該ターゲットのエツ
ジから反射散乱する光を検知することによって、該基板
と該露光用マスクの位置合わせを行う場合に、 位置合わせ用ターゲットとして、正方形のターゲットを
基板上の縦方向と横方向に所定間隔で並べ、暗視野照明
用のウィンドウとして、前記ターゲットの、４つの辺を
構成するエツジのそれぞれの位置に、ウィンドウを設け
るように構成する。
本発明は、集積回路などのウェハー製造工程で、基板上
に所定のレジストパターンを形成するためのフォトリソ
グラフィにおけるマスクアライメント用のパターンに関
する。
に所定のレジストパターンを形成するためのフォトリソ
グラフィにおけるマスクアライメント用のパターンに関
する。
〔フォトリソグラフィとマスクアライメント〕（１）フ
ォトリソグラフィ 半導体基板（ウェハー）の上に集積回路を形成する場合
、酸化膜の形成、エツチング、不純物拡散、あるいは電
極膜の形成等の処理を、ウェハーの所定の位置部分に行
う必要がある。
ォトリソグラフィ 半導体基板（ウェハー）の上に集積回路を形成する場合
、酸化膜の形成、エツチング、不純物拡散、あるいは電
極膜の形成等の処理を、ウェハーの所定の位置部分に行
う必要がある。
これらのウェハー処理は、ウェハーの所定位置部分のみ
を露出させ、それ以外の部分をマスクして行うことで実
現している。
を露出させ、それ以外の部分をマスクして行うことで実
現している。
また、前記マスクをウェハー上に形成する工程をパター
ニングと呼び、該パターニングとウェハー処理を繰り返
して行い、必要とする集積回路基板を作製する。
ニングと呼び、該パターニングとウェハー処理を繰り返
して行い、必要とする集積回路基板を作製する。
パターニングには種々の方法があるが、フォトレジスト
（感光性樹脂）を露光することによって行う技術がフォ
トリソグラフィである。
（感光性樹脂）を露光することによって行う技術がフォ
トリソグラフィである。
フォトリソグラフィは次の手順で作業を進める。
■ウェハー上にフォトレジストを塗布する。
■フォトレジストをパターニングマスクで露光する。
。
。
■露光したフォトレジストを現像する。
現像したフォトレジストは、光を照射した部分のみが高
分子化して残る。したがって、その他の部分について、
エツチング作業等のウェハー処理を行うことが可能とな
る。
分子化して残る。したがって、その他の部分について、
エツチング作業等のウェハー処理を行うことが可能とな
る。
（２）マスクアライメント
ウェハー上に集積回路を形成する場合、パターニングと
ウェハー処理を繰り返して行ない、必要とする半導体層
や絶縁層、電極層などを順次形成する。
ウェハー処理を繰り返して行ない、必要とする半導体層
や絶縁層、電極層などを順次形成する。
そのため、各パターニング工程相互間において、露光用
パターニングマスクの相対位置を一致させる必要がある
。これがマスクアライメントである。
パターニングマスクの相対位置を一致させる必要がある
。これがマスクアライメントである。
他方、集積回路の急速な微細加工化にともない、このマ
スクアライメントは特に重要となっている。
スクアライメントは特に重要となっている。
（１）ステッパ露光とアライメント装置現在、パターニ
ングのための露光装置としてステッパ露光装置が広く使
用されている。
ングのための露光装置としてステッパ露光装置が広く使
用されている。
ステッパ露光は、原寸パターンの数倍程度のレチクルパ
ターン（Ｒｅｔｆｃｌｅ Ｐａｔｔｅｒｎ）を、ウェハ
ー上に縮小して結像投影するものである。
ターン（Ｒｅｔｆｃｌｅ Ｐａｔｔｅｒｎ）を、ウェハ
ー上に縮小して結像投影するものである。
この場合のマスクアライメントは、ウェハー上の位置合
わせ用ターゲットパターン（Ｔａｒｇｅｔ Ｐａｔｔｏ
ｒｎ）と、レチクルに設けたウィンドウパターン（Ｗｉ
ｎｄｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ）の位置を一致させることで
行うている。
わせ用ターゲットパターン（Ｔａｒｇｅｔ Ｐａｔｔｏ
ｒｎ）と、レチクルに設けたウィンドウパターン（Ｗｉ
ｎｄｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ）の位置を一致させることで
行うている。
第３図は、アライメント装置の光学系を説明する図であ
る。
る。
このアライメント装置は、照明系からの照射光７で、レ
チクル６のアライメントウィンドウ（Ａｌｉｇｎｍｅｎ
ｔ Ｗｉｎｄｏｗ） ６ａの像を、レンズ系４を介して
ウェハー１に照射（暗視野照射）するもので、このとき
、ウェハー１上の位置合わせ用ターゲットパターンのエ
ツジで生じる散乱光８を、ミラー５を介してＰＭＴ （
Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ Ｔｕｂｅ） ９で検
知することによって、マスクアライメントを行う。
チクル６のアライメントウィンドウ（Ａｌｉｇｎｍｅｎ
ｔ Ｗｉｎｄｏｗ） ６ａの像を、レンズ系４を介して
ウェハー１に照射（暗視野照射）するもので、このとき
、ウェハー１上の位置合わせ用ターゲットパターンのエ
ツジで生じる散乱光８を、ミラー５を介してＰＭＴ （
Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ Ｔｕｂｅ） ９で検
知することによって、マスクアライメントを行う。
すなわち、ウェハー１が！！ｗ、されているＸステージ
２とＹステージ３を、Ｘ軸方向とＹ軸方向に微動させ、
該散乱光８が最も強くなるところを求めるのである。
２とＹステージ３を、Ｘ軸方向とＹ軸方向に微動させ、
該散乱光８が最も強くなるところを求めるのである。
また、ウェハー上に設ける位置合わせ用ターゲットパタ
ーンは、チップとチップの間の分割用スクライブライン
（Ｓｃｒｉｂｅ Ｌｉｎｅ）に設けている。
ーンは、チップとチップの間の分割用スクライブライン
（Ｓｃｒｉｂｅ Ｌｉｎｅ）に設けている。
第４図は、ターゲットパターンの投像位置を説明する平
面図である。同図において、ウェハー１のチップ１５相
互間の間隙がスクライブライン１６である。
面図である。同図において、ウェハー１のチップ１５相
互間の間隙がスクライブライン１６である。
（２）アライメントの原理
第５図は、アライメント方法の原理を説明する図である
。
。
同図（ａ）は、ウェハー１に設けたターゲットパターン
１１とレチクル６との相対位置関係を示す断面図、（ｂ
）はウェハーの位置ΔＤに対するＰＭＴ出力電圧Ｖｐの
関係を説明するグラフである。
１１とレチクル６との相対位置関係を示す断面図、（ｂ
）はウェハーの位置ΔＤに対するＰＭＴ出力電圧Ｖｐの
関係を説明するグラフである。
すなわち、レチクル６を固定しておき、ウェハー１を矢
印Ｍ方向に移動させたときのＰＭＴ出力電圧の変化であ
る。
印Ｍ方向に移動させたときのＰＭＴ出力電圧の変化であ
る。
図において、レチクルのウィンドウパターン１３ａ、１
３ｂからウェハー１に照射する光は、ウェハー１のター
ゲットパターン１１のエツジ部分で散乱する。
３ｂからウェハー１に照射する光は、ウェハー１のター
ゲットパターン１１のエツジ部分で散乱する。
したがって、レチクルのウィンドウパターン１３ａ、１
３ｂの中心位置１４と、ウェハーのターゲットパターン
１１のエツジの位置１２が一致したときの散乱光が最も
多く、ＰＭＴの出力電圧は最大となり、その前後位置に
おいては除々に低下する。
３ｂの中心位置１４と、ウェハーのターゲットパターン
１１のエツジの位置１２が一致したときの散乱光が最も
多く、ＰＭＴの出力電圧は最大となり、その前後位置に
おいては除々に低下する。
すなわち、ＰＭＴ出力電圧の最大となる位置が、ウェハ
ーのターゲットパターン１１とレチクル６の位置−故点
である。
ーのターゲットパターン１１とレチクル６の位置−故点
である。
したがって、第３図のＸ軸方向とＹ軸方向について、Ｐ
ＭＴ出力電圧の最大点を求めることにより、バターニン
グ工程において各マスクパターン・の位置を一致させる
ことができる。
ＭＴ出力電圧の最大点を求めることにより、バターニン
グ工程において各マスクパターン・の位置を一致させる
ことができる。
（３）レチクルのウィンドウパターンとウェハーのター
ゲットパターン 第６図は、レチクルのウィンドウパターンとウェハーの
ターゲットパターンを説明する平面図で、（ａ）はレチ
クルのウィンドウパターンを示し、図上のクロスハツチ
ングの部分はマスクされていて光が透過しない部分であ
る。また、（ｂ）はウェハーのターゲットパターンを示
し、図上のクロスハツチングの部分がターゲットパター
ンである。
ゲットパターン 第６図は、レチクルのウィンドウパターンとウェハーの
ターゲットパターンを説明する平面図で、（ａ）はレチ
クルのウィンドウパターンを示し、図上のクロスハツチ
ングの部分はマスクされていて光が透過しない部分であ
る。また、（ｂ）はウェハーのターゲットパターンを示
し、図上のクロスハツチングの部分がターゲットパター
ンである。
従来のウェハーのターゲットパターンは、縦方向と横方
向にそれぞれ帯状のターゲットパターン１１ｘおよび１
１ｙを設け、該ターゲットパターン１１ｘで図上の横方
向の位置合わせを行い、該ターゲットパターン１１ｙで
図上の縦方向の位置合ねせを行っている。
向にそれぞれ帯状のターゲットパターン１１ｘおよび１
１ｙを設け、該ターゲットパターン１１ｘで図上の横方
向の位置合わせを行い、該ターゲットパターン１１ｙで
図上の縦方向の位置合ねせを行っている。
また、その大きさはは、図上の縦方向で１１０μ−１横
方向で１３０μ−程度のものである。
方向で１３０μ−程度のものである。
他方、レチクルのウィンドウパターン１３ｘ、１３ｙは
、帯状ターゲットパターンの側部エツジに合わせて設け
、ターゲット１本について両側部分の２箇所にウィンド
ウがある。尚、レチクルのウィンドウパターン１３ｘ、
１３ｙは、第３図に示すところの、アライメントウィ
ンドウ６ａに設けている。
、帯状ターゲットパターンの側部エツジに合わせて設け
、ターゲット１本について両側部分の２箇所にウィンド
ウがある。尚、レチクルのウィンドウパターン１３ｘ、
１３ｙは、第３図に示すところの、アライメントウィ
ンドウ６ａに設けている。
そして、これらのウィンドウパターンとターゲットパタ
ーンは対で作成され、位置合わせの基準となる。
ーンは対で作成され、位置合わせの基準となる。
集積回路の高集積化にともない、その微細加工化も急速
に進んでおり、加エバターン幅は急速に狭くなっている
。
に進んでおり、加エバターン幅は急速に狭くなっている
。
したがって、バターニングの際のマスクアライメントに
も高精度が要求されている。
も高精度が要求されている。
従来のターゲットパターンとウィンドウパターンにおい
て、位置合わせの高精度化を行うためには、帯状ターゲ
ットパターンの長さを長くして、該ターゲットパターン
のエツジに生じる散乱光を多くし、よってＰＭＴ出力電
圧を上げ、アライメントの高感度化を図る必要がある。
て、位置合わせの高精度化を行うためには、帯状ターゲ
ットパターンの長さを長くして、該ターゲットパターン
のエツジに生じる散乱光を多くし、よってＰＭＴ出力電
圧を上げ、アライメントの高感度化を図る必要がある。
しかし、スクライブラインに設けるウェハーターゲット
には、おのずと大きさの限界があり、高感度化を限界ず
ける要因となっている。また、ウェハーにバターニング
するためのレチクルについても同様の限界がある。
には、おのずと大きさの限界があり、高感度化を限界ず
ける要因となっている。また、ウェハーにバターニング
するためのレチクルについても同様の限界がある。
本発明の技術的課題は、マスクアライメント用ターゲッ
トパターンとウィンドウパターンにおける以上のような
問題を解消し、同一面積でも多くの散乱光が得られ、ア
ライメント感度の高いパターンを実現することによって
、高精度で微細加工のバターニングを行うことが可能な
露光装置を実現することにある。
トパターンとウィンドウパターンにおける以上のような
問題を解消し、同一面積でも多くの散乱光が得られ、ア
ライメント感度の高いパターンを実現することによって
、高精度で微細加工のバターニングを行うことが可能な
露光装置を実現することにある。
第１図は、本発明の基本原理を説明する平面図で、（ａ
）はレチクルのウィンドウパターンを示し、図上のクロ
スハツチングの部分は光の透過しないマスク部分を示し
ている。また、（ｂ）はウェハーのターゲットパターン
を示し、図上のクロスハンチングの部分がターゲットパ
ターンである。
）はレチクルのウィンドウパターンを示し、図上のクロ
スハツチングの部分は光の透過しないマスク部分を示し
ている。また、（ｂ）はウェハーのターゲットパターン
を示し、図上のクロスハンチングの部分がターゲットパ
ターンである。
本発明のパターンの特徴は、パターンの全エツジが有効
に活用できる正方形のパターンを使用したとるにある。
に活用できる正方形のパターンを使用したとるにある。
すなわち、基板上の位置合わせ用ターゲット１１ａを、
露光用マスクに設けたウィンドウ１３ＸＸ、 ｔ３ｙｙ
から暗視野照明し、該ターゲット１１ａのエツジから反
射散乱する光を検知することによって、該基板と該露光
用マスクの位置合わせを行う場合に、位置合わせ用ター
ゲットと、して、正方形のターゲット１１ａを基板上の
縦方向と横方向に所定間隔で並べるものである。
露光用マスクに設けたウィンドウ１３ＸＸ、 ｔ３ｙｙ
から暗視野照明し、該ターゲット１１ａのエツジから反
射散乱する光を検知することによって、該基板と該露光
用マスクの位置合わせを行う場合に、位置合わせ用ター
ゲットと、して、正方形のターゲット１１ａを基板上の
縦方向と横方向に所定間隔で並べるものである。
他方、暗視野照明用のウィンドウとして、前記ターゲッ
ト１１ａの、４つの辺を構成するエツジのそれぞれの位
置に、ウィンドウ１３ｘｘ＋１３ＦＦを設けるものであ
る。
ト１１ａの、４つの辺を構成するエツジのそれぞれの位
置に、ウィンドウ１３ｘｘ＋１３ＦＦを設けるものであ
る。
本発明のターゲットパターンは正方形である。
他方、レチクルのウィンドウパターンは、該ターゲット
パターンの４本のエツジにそれぞれ設けである。
パターンの４本のエツジにそれぞれ設けである。
したがって、正方形の４つの辺の全てを、散乱光を得る
ためのエツジとして使用することができる。
ためのエツジとして使用することができる。
すなわち、エツジＹ１〜Ｙ６を図上の縦方向の位置合わ
せの際に使用し、エツジＸＩ −Ｘ１２を図上の横方向
の位置合わせの際に使用する。
せの際に使用し、エツジＸＩ −Ｘ１２を図上の横方向
の位置合わせの際に使用する。
その結果、エツジＹ１〜Ｙ６とエツジＸＩ −Ｘ１２と
は格子模様を形成し、一つの平面内で縦方向と横方向の
両方のエツジを得ることができる。そのためエツジ長が
長（なり、散乱光も多くなるのでアライメント感度が高
くなる。
は格子模様を形成し、一つの平面内で縦方向と横方向の
両方のエツジを得ることができる。そのためエツジ長が
長（なり、散乱光も多くなるのでアライメント感度が高
くなる。
ちなみに、第１図のパターンの場合、従来パターンの約
１．８倍のエツジ長が得られる。
１．８倍のエツジ長が得られる。
（実′施例〕
第２図は、実施例を説明する平面図で、（ａ）はレチク
ルのウィンドウパターンを示し、図上のクロスハツチン
グの部分は光の透過しないマスク部分を示している。ま
た、（ｂ）はウェハーのターゲットパターンを示し、図
上のクロスハツチングの部分がターゲットパターンであ
る。
ルのウィンドウパターンを示し、図上のクロスハツチン
グの部分は光の透過しないマスク部分を示している。ま
た、（ｂ）はウェハーのターゲットパターンを示し、図
上のクロスハツチングの部分がターゲットパターンであ
る。
また、ウェハー表面に厚さｌｐｍ＋のアルミニウムを蒸
着し、その後パターニング作業をする場合を例としてい
る。
着し、その後パターニング作業をする場合を例としてい
る。
本実施例のターゲットパターンは、−辺の長さが４μ−
の、正方形のターゲットパターン１１ｂを、横に１５個
、縦に４個並べたもので、その間隔は横および縦ともに
６μ−である。
の、正方形のターゲットパターン１１ｂを、横に１５個
、縦に４個並べたもので、その間隔は横および縦ともに
６μ−である。
したがって、全パターンの横の長さは１４４μ園、縦の
長さは３４ｕ＊となる。
長さは３４ｕ＊となる。
他方、ウィンドウパターンは、−辺の長さが４μ−の、
正方形マスク部分の周囲に、幅２μ禦のウィンドウパタ
ーン１３ｃを設け、さらにその周囲もマスクしたもので
ある。
正方形マスク部分の周囲に、幅２μ禦のウィンドウパタ
ーン１３ｃを設け、さらにその周囲もマスクしたもので
ある。
そして、前記のウィンドウパターンを、横に１５個、縦
に４個並べたもので、その間隔は横および縦ともに２ｐ
霞である。
に４個並べたもので、その間隔は横および縦ともに２ｐ
霞である。
本実施例の場合、ターゲットパターン１１ｂの一辺の長
さが４＃−１他方、ウィンドウパターン１３ｃの内径が
４μ■で外径が８μｍである。
さが４＃−１他方、ウィンドウパターン１３ｃの内径が
４μ■で外径が８μｍである。
したがって、該ターゲットパターン１１ｂのエツジがウ
ィンドウパターン１３ｃの中心位置に合わないことにな
る。
ィンドウパターン１３ｃの中心位置に合わないことにな
る。
これは、ウェハー表面に厚さ１μ■のアルミニウムを蒸
着し、その後パターニング作業をするためである。
着し、その後パターニング作業をするためである。
すなわち、１μ−のアルミニウムを蒸着を行うと、ウェ
ハーターゲット１１ｂの各辺が１μ■太るためである。
ハーターゲット１１ｂの各辺が１μ■太るためである。
そのため、アルミニウム蒸着後のパターニング作業の際
には、ターゲットパターン１１ｂの１辺の長さが６〃■
となり、ウィンドウパターン１３ｃの中心にターゲット
パターン１１ｂのエツジ位置が一敗するのである。
には、ターゲットパターン１１ｂの１辺の長さが６〃■
となり、ウィンドウパターン１３ｃの中心にターゲット
パターン１１ｂのエツジ位置が一敗するのである。
ちなみに、本実施例のエツジ長は、従来に比較して約１
．２倍程度となる。
．２倍程度となる。
以上のように本発明によれば、正方形のターゲットを縦
方向と横方向に所定間隔で並べることによって、ターゲ
ットのすべてのエツジを有効に活用できる。
方向と横方向に所定間隔で並べることによって、ターゲ
ットのすべてのエツジを有効に活用できる。
したがって、一定面積中にアライメント用の長いエツジ
長を得ることが可能となり、アライメント感度を高くす
ることができる。
長を得ることが可能となり、アライメント感度を高くす
ることができる。
その結果、微細加工のバターニングを高精度で行うこと
ができる露光装置を実現することができる。
ができる露光装置を実現することができる。
第１図は、本発明の基本原理を説明する平面図で、（ａ
） はレチクルのウィンドウパターン、（ｂ）はウェハ
ーのターゲットパターン、 第２図は、実施例を説明する平面図で、（ａ）はレチク
ルのウィンドウパターン、（ｂ） はウェハーのターゲ
ットパターン、 第３図は、アライメント装置の光学系を説明する図、 第４図は、ウェハーターゲットの投像位置を説明する平
面図、 第５図は、アライメント方法の原理を説明する図、 第６図は、レチクルのウィンドウパターンとウェハーの
ターゲットパターンを説明する平面図で、（ａ）はレチ
クルのウィンドウパターン、（ｂ） はウェハーのター
ゲットパターン、である。 図において、１はウェハー、２はＸステージ、３はＹス
テージ、４はレンズ系、５は固定ミラー６はレチクル、
６ａはアライメントウィンドウ、７は照射光、８は散乱
光、９はＰＭＴ、１０は反射器、ＩＬ１１ｂ−１１ｘ、
１１ｙはターゲットパターン、１１ａ はターゲット、
１２はターゲットのエツジ位置、１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｘ、１３ｙはウィンドウパターン、１３ｘｘ、
１３ｙｙはウィンドウ、１４はウィンドウパターンの
中心位置、１５はチップ、１６はスクライブライン、を
それぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社同 株式会社 九州富士通エレクトロニクス復代理人 弁
理士 福 島 康 文第１目 了うスメント表１５力尤宇刊− ′ ％３図 グーリスソトＪマグーン■設イ象イｎ量系４図 ７ライメント万う歎の盾し里 第５図 （ｂ）
） はレチクルのウィンドウパターン、（ｂ）はウェハ
ーのターゲットパターン、 第２図は、実施例を説明する平面図で、（ａ）はレチク
ルのウィンドウパターン、（ｂ） はウェハーのターゲ
ットパターン、 第３図は、アライメント装置の光学系を説明する図、 第４図は、ウェハーターゲットの投像位置を説明する平
面図、 第５図は、アライメント方法の原理を説明する図、 第６図は、レチクルのウィンドウパターンとウェハーの
ターゲットパターンを説明する平面図で、（ａ）はレチ
クルのウィンドウパターン、（ｂ） はウェハーのター
ゲットパターン、である。 図において、１はウェハー、２はＸステージ、３はＹス
テージ、４はレンズ系、５は固定ミラー６はレチクル、
６ａはアライメントウィンドウ、７は照射光、８は散乱
光、９はＰＭＴ、１０は反射器、ＩＬ１１ｂ−１１ｘ、
１１ｙはターゲットパターン、１１ａ はターゲット、
１２はターゲットのエツジ位置、１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｘ、１３ｙはウィンドウパターン、１３ｘｘ、
１３ｙｙはウィンドウ、１４はウィンドウパターンの
中心位置、１５はチップ、１６はスクライブライン、を
それぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社同 株式会社 九州富士通エレクトロニクス復代理人 弁
理士 福 島 康 文第１目 了うスメント表１５力尤宇刊− ′ ％３図 グーリスソトＪマグーン■設イ象イｎ量系４図 ７ライメント万う歎の盾し里 第５図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フオトリソグラフィによって基板上に所定のレジストパ
ターンを形成する露光装置において、基板上の位置合わ
せ用ターゲット（１１ａ）を、露光用マスクに設けたウ
ィンドウ（１３ｘｘ）、（１３ｙｙ）から暗視野照明し
、該ターゲット（１１ａ）のエッジから反射散乱する光
を検知することによって、該基板と該露光用マスクの位
置合わせを行う場合に、位置合わせ用ターゲットとして
、正方形のターゲット（１１ａ）を基板上の縦方向と横
方向に所定間隔で並べ、 暗視野照明用のウィンドウとして、前記ターゲット（１
１ａ）の、４つの辺を構成するエッジのそれぞれの位置
に、ウィンドウ（１３ｘｘ）、（１３ｙｙ）を設けたこ
とを特徴とする露光装置のマスクアライメント用ターゲ
ットパターンとウィンドウパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068835A JPH02246313A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 露光装置のマスクアライメント用ターゲットパターンとウィンドゥパターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068835A JPH02246313A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 露光装置のマスクアライメント用ターゲットパターンとウィンドゥパターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246313A true JPH02246313A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13385153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068835A Pending JPH02246313A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 露光装置のマスクアライメント用ターゲットパターンとウィンドゥパターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246313A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677091A (en) * | 1994-11-01 | 1997-10-14 | International Business Machines Corporation | Lithographic print bias/overlay target and applied metrology |
| CN1329971C (zh) * | 2002-09-17 | 2007-08-01 | 松下电器产业株式会社 | 制作半导体器件的方法和生成掩膜图样的方法 |
| JP2008258593A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-10-23 | Asml Netherlands Bv | インスペクション方法及び装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル及びデバイス製造方法、これら方法で使用する基板 |
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1989
- 1989-03-20 JP JP1068835A patent/JPH02246313A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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