JPH02246327A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02246327A JPH02246327A JP1068625A JP6862589A JPH02246327A JP H02246327 A JPH02246327 A JP H02246327A JP 1068625 A JP1068625 A JP 1068625A JP 6862589 A JP6862589 A JP 6862589A JP H02246327 A JPH02246327 A JP H02246327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- power supply
- semiconductor manufacturing
- process chamber
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体装置のエツチングプロセスな
どに利用される半導体製造装置の改良に関する。
どに利用される半導体製造装置の改良に関する。
第２図は、従来の半導体製造装置の一例を示す模式的断
面図である。
面図である。
同図に示されるように、この半導体製造装置は、内部に
一対の反応用電極、すなわち対向電極１と高周波電極２
とが対向して配置されるプロセスチャンバ３と、前記プ
ロセスチャンバ３内にあって、反応電極の一方（高周波
電極２）の側に取り付けられた静電チャック４と、前記
プロセスチャンバ３内の一対の反応電極間（対向電極１
と高周波電極２との間）に高周波電圧を印加する接地型
高周波電源５と、前記プロセスチャンバ３内の静電チャ
ック４に直流高電圧を印加する直流電源６とを備えてい
る。
一対の反応用電極、すなわち対向電極１と高周波電極２
とが対向して配置されるプロセスチャンバ３と、前記プ
ロセスチャンバ３内にあって、反応電極の一方（高周波
電極２）の側に取り付けられた静電チャック４と、前記
プロセスチャンバ３内の一対の反応電極間（対向電極１
と高周波電極２との間）に高周波電圧を印加する接地型
高周波電源５と、前記プロセスチャンバ３内の静電チャ
ック４に直流高電圧を印加する直流電源６とを備えてい
る。
静電チャック４の構造は、周知の如く、一対の平面上電
極板４ａ、４ｂを平面的に隣接配置し、それらの上を絶
縁材４ｃにより平坦に被覆してなるものであり、該静電
チャック４内の一対の電極４ａ、４ｂ間に直流電源６か
らの直流高電圧を印加することにより、静電チャック４
上に載置されたウェーハ７を静電吸引力により吸着保持
させるようになっている。
極板４ａ、４ｂを平面的に隣接配置し、それらの上を絶
縁材４ｃにより平坦に被覆してなるものであり、該静電
チャック４内の一対の電極４ａ、４ｂ間に直流電源６か
らの直流高電圧を印加することにより、静電チャック４
上に載置されたウェーハ７を静電吸引力により吸着保持
させるようになっている。
なお、図において８はプラズマ領域、９は冷却水通路で
ある。
ある。
このような半導体製造装置によれば、ウェーハ７に対し
ＲＩＥ（ＲｅａｅｔＩｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｌｎｇ）
型の１−）チングプロセスを行うことができる。
ＲＩＥ（ＲｅａｅｔＩｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｌｎｇ）
型の１−）チングプロセスを行うことができる。
しかしながら、このような従来の半導体製造装置にあっ
ては、直流電源６として接地型の電源が使用されている
ことから、静電チャック４内の電極板４ａ、４ｂの電位
は常に一定電位に固定されることとなり、そのため絶縁
材４ｃの表面に傷などが入って耐圧が低下すると、高周
波電極２の電位が変動した際に、その耐圧低下部分にお
いて絶縁が破壊され、その際のスパークなどによりウェ
ーハ７上の素子が破壊されてしまうという問題点があっ
た。
ては、直流電源６として接地型の電源が使用されている
ことから、静電チャック４内の電極板４ａ、４ｂの電位
は常に一定電位に固定されることとなり、そのため絶縁
材４ｃの表面に傷などが入って耐圧が低下すると、高周
波電極２の電位が変動した際に、その耐圧低下部分にお
いて絶縁が破壊され、その際のスパークなどによりウェ
ーハ７上の素子が破壊されてしまうという問題点があっ
た。
この発明は、上述の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的とするところは、この種の半導体製造装置にお
いて、静電チャックの絶縁破壊に起因するウェーハの損
傷を未然に防止することにある。
その目的とするところは、この種の半導体製造装置にお
いて、静電チャックの絶縁破壊に起因するウェーハの損
傷を未然に防止することにある。
この発明は、上記の目的を達成するために、内部に一対
の反応用電極（１，２）が対向して配置されるプロセス
チャンバ（３）と、前記プロセスチャンバ（３）内にあ
って、反応電極の一方（２）の側に取り付けられた静電
チャック（４）と、前記プロセスチャンバ（３）内の一
対の反応電極（１，２）間に高周波電圧を印加する接地
型高周波電源（５〕と、前記プロセスチャンバ（３）内
の静電チャック（４）に直流高電圧を印加する直流電源
とを備えた半導体製造装置において、前記直流電源とし
て、非接地型直流電源（６ａ）を用い、静電チャック（
４）の電位を接地電位より浮かせたことを特徴とするも
のである。
の反応用電極（１，２）が対向して配置されるプロセス
チャンバ（３）と、前記プロセスチャンバ（３）内にあ
って、反応電極の一方（２）の側に取り付けられた静電
チャック（４）と、前記プロセスチャンバ（３）内の一
対の反応電極（１，２）間に高周波電圧を印加する接地
型高周波電源（５〕と、前記プロセスチャンバ（３）内
の静電チャック（４）に直流高電圧を印加する直流電源
とを備えた半導体製造装置において、前記直流電源とし
て、非接地型直流電源（６ａ）を用い、静電チャック（
４）の電位を接地電位より浮かせたことを特徴とするも
のである。
このような構成によれば、直流電源として非接地型直流
電源（６ａ）を用いて、静電チャック（４）の電位を接
地電位よりも浮かせたことにより、高周波電極（５）と
静電チャッ内電極（４ａ。
電源（６ａ）を用いて、静電チャック（４）の電位を接
地電位よりも浮かせたことにより、高周波電極（５）と
静電チャッ内電極（４ａ。
４ｂ）との間に過大な電圧が印加されることがなくなり
、その結果、絶縁破壊の問題を解消しそれに起因するウ
ェーハの損傷を確実に防止できる。
、その結果、絶縁破壊の問題を解消しそれに起因するウ
ェーハの損傷を確実に防止できる。
第１図は、本発明に係わる半導体製造装置の一実施例を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
なお、同図において、第２図の従来例と同一構成部分に
ついては、同符号を付して説明は省略する。
ついては、同符号を付して説明は省略する。
この実施例装置の特徴は、直流電源６ａとして非接地型
電源を使用し、これにより静電チャック４の電位を接地
電位より浮かせたことにある。
電源を使用し、これにより静電チャック４の電位を接地
電位より浮かせたことにある。
このような構成によれば、高周波電極２の電位が変動し
たとしても、絶縁材４ｃに対しては過大な電圧が印加さ
れることはない。
たとしても、絶縁材４ｃに対しては過大な電圧が印加さ
れることはない。
そのため、仮に絶縁材４Ｃに耐圧低下部分が生じたとし
ても、それによる絶縁破壊が生ずることはなく、従って
絶縁破壊に起因するウェーハ７の損傷を防止できる。
ても、それによる絶縁破壊が生ずることはなく、従って
絶縁破壊に起因するウェーハ７の損傷を防止できる。
一方、静電チャック４における静電吸引力は、周知の如
＜、電極板４ａ、４ｂ間の電位差のみにより定まり、対
地電位とは係わりがないため、直流電源６ａとして非接
地型電源を用いたとしても、静電チャック４の性能を低
下させることはない。
＜、電極板４ａ、４ｂ間の電位差のみにより定まり、対
地電位とは係わりがないため、直流電源６ａとして非接
地型電源を用いたとしても、静電チャック４の性能を低
下させることはない。
以上の説明で明らかなように、この発明によれば、この
種の半導体製造装置において、静電チャックの絶縁破壊
に起因するウェーハの損傷を未然に防止することができ
る。
種の半導体製造装置において、静電チャックの絶縁破壊
に起因するウェーハの損傷を未然に防止することができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す模式的断面図、第２図
は従来の半導体製造装置の一例を示す模式的断面図であ
る。 １・・・対向電極 ２・・・高周波電極 ３・・・プロセスチャンバ ４・・・静電チャック ４ａ、４ｂ・・・電極板 ４Ｃ・・・絶縁材 ５・・・接地型高周波電源 ６・・・接地型直流電源 ６ａ・・・非接地型直流電源 ７・・・ウェーハ ８・・・プラズマ領域 ９・・・冷却水通路 本遼ＢＦＩｆ）−爽施汐１１庖示す貴代なり吋面囚塾
１ 目 従来Ｏ半薄停−１立；９！／）−５例と示す薬弐的ｔｆ
Ｔ面固 某２ 目
は従来の半導体製造装置の一例を示す模式的断面図であ
る。 １・・・対向電極 ２・・・高周波電極 ３・・・プロセスチャンバ ４・・・静電チャック ４ａ、４ｂ・・・電極板 ４Ｃ・・・絶縁材 ５・・・接地型高周波電源 ６・・・接地型直流電源 ６ａ・・・非接地型直流電源 ７・・・ウェーハ ８・・・プラズマ領域 ９・・・冷却水通路 本遼ＢＦＩｆ）−爽施汐１１庖示す貴代なり吋面囚塾
１ 目 従来Ｏ半薄停−１立；９！／）−５例と示す薬弐的ｔｆ
Ｔ面固 某２ 目
Claims (1)
- 内部に一対の反応用電極（１、２）が対向して配置され
るプロセスチャンバ（３）と、前記プロセスチャンバ（
３）内にあって、反応電極の一方（２）の側に取り付け
られた静電チャック（４）と、前記プロセスチャンバ（
３）内の一対の反応電極（１、２）間に高周波電圧を印
加する接地型高周波電源（５）と、前記プロセスチャン
バ（３）内の静電チャック（４）に直流高電圧を印加す
る直流電源とを備えた半導体製造装置において、前記直
流電源として、非接地型直流電源（６ａ）を用い、静電
チャック（４）の電位を接地電位より浮かせたことを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068625A JPH02246327A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068625A JPH02246327A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246327A true JPH02246327A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13379122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068625A Pending JPH02246327A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246327A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133721A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 基体ホルダ− |
| JPS62229716A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 三菱電線工業株式会社 | 車載用雑音防止電線 |
| JPH0198218A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068625A patent/JPH02246327A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133721A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 基体ホルダ− |
| JPS62229716A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 三菱電線工業株式会社 | 車載用雑音防止電線 |
| JPH0198218A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5255153A (en) | Electrostatic chuck and plasma apparatus equipped therewith | |
| JPH0730468B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR100286622B1 (ko) | 정전척 및 그 사용방법 | |
| EP0049588B1 (en) | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein | |
| JP4285853B2 (ja) | 処理方法 | |
| EP1166323B1 (en) | Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing | |
| JPH04162623A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| KR19990063844A (ko) | 진공처리기 내의 유전성 피처리물의 정전기식유지방법 및 장치 | |
| JP4053148B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3343629B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5330615A (en) | Symmetric double water plasma etching system | |
| JPH1027780A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH07201818A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0618182B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR20010081035A (ko) | 플라즈마 에칭 장치 | |
| JPH06283474A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1167725A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP4026702B2 (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマアッシング装置 | |
| JP3118497B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH05190654A (ja) | 静電吸着方法 | |
| JPH07193049A (ja) | エッチング装置及びエッチング方法 | |
| JPS63211629A (ja) | 放電電極 | |
| JPS61113235A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH03145151A (ja) | 静電チャック装置 | |
| KR200205176Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 식각장비의 정전척 |