JPH0618182B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- etching
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体等の電子部品製造工程に用いるドライエ
ッチング装置に関するものである。
ッチング装置に関するものである。
従来の技術 近年、半導体デバイスの集積化に伴い、ドライエッチン
グ技術は重要な基幹技術となっている。
グ技術は重要な基幹技術となっている。
従来のドライエッチング装置について説明する。第２図
は平行平板電極型ドライエッチング装置の概略構成図で
ある。第２図において、１は対向電極、２は基板電極で
整合器３，高周波電源４が接続されている。５，６は対
向電極１および基板電極２を冷却するための媒体の出入
口である。基板電極は絶縁体７により絶縁され被エッチ
ング試料となるウエハ８が載置されている。９はウエハ
８を移載するための昇降手段であり、１０は反応ガス供
給口、１１は排気口であり、排気口１１には容器内圧力
を一定にするための図示しない排気手段が接続されてい
る。
は平行平板電極型ドライエッチング装置の概略構成図で
ある。第２図において、１は対向電極、２は基板電極で
整合器３，高周波電源４が接続されている。５，６は対
向電極１および基板電極２を冷却するための媒体の出入
口である。基板電極は絶縁体７により絶縁され被エッチ
ング試料となるウエハ８が載置されている。９はウエハ
８を移載するための昇降手段であり、１０は反応ガス供
給口、１１は排気口であり、排気口１１には容器内圧力
を一定にするための図示しない排気手段が接続されてい
る。
以上のように構成されたドライエッチング装置に反応ガ
スが供給されかつ一定の圧力で保持された状態で、高周
波電力が印加すると、対向電極１と基板電極２間におい
て反応ガスがプラズマ化し、ウエハ８上に形成した被エ
ッチング試料は上記反応ガスプラズマの物理化学反応に
よって除去排出され、エッチングが進行する。
スが供給されかつ一定の圧力で保持された状態で、高周
波電力が印加すると、対向電極１と基板電極２間におい
て反応ガスがプラズマ化し、ウエハ８上に形成した被エ
ッチング試料は上記反応ガスプラズマの物理化学反応に
よって除去排出され、エッチングが進行する。
しかし、上記構成の平行平板型ドライエッチング装置に
おいては反応ガスのプラズマ密度が低く、例えばシリコ
ン酸化膜のドライエッチングなどでは、十分なエッチン
グ速度が得られず、生産性の面で問題があった。
おいては反応ガスのプラズマ密度が低く、例えばシリコ
ン酸化膜のドライエッチングなどでは、十分なエッチン
グ速度が得られず、生産性の面で問題があった。
そこで最近、上記問題点を解決する手段として有磁場型
ドライエッチング装置の開発が報告されている。（第３
４回応物関係連合講演予稿ｐ455） 以下、有磁場型ドライエッチング装置について図を参照
しながら説明する。第３図は有磁場型ドライエッチング
装置の概略構成図である。第３図において、第２図と同
一構成要素については同一番号を付している。１２は対
向電極１裏面に設置された永久磁石であり、この永久磁
石１２はヨーク材１４に固定され、回転させるための手
段としてモーター１３が接続されている。
ドライエッチング装置の開発が報告されている。（第３
４回応物関係連合講演予稿ｐ455） 以下、有磁場型ドライエッチング装置について図を参照
しながら説明する。第３図は有磁場型ドライエッチング
装置の概略構成図である。第３図において、第２図と同
一構成要素については同一番号を付している。１２は対
向電極１裏面に設置された永久磁石であり、この永久磁
石１２はヨーク材１４に固定され、回転させるための手
段としてモーター１３が接続されている。
上記構成の有磁場型ドライエッチング装置について動作
原理を簡単に説明する。一定圧力下で反応ガスが供給さ
れ高周波電力が印加されると反応ガスがプラズマ化する
が、上記構成のようにプラズマ中に磁場を重畳すること
により、磁力線にそって電子が回転運動しトラップされ
る。電子の飛行工程が回転運動により大きくなり中性反
応ガスとの衝突頻度が増え、従ってプラズマ密度が増大
する。プラズマ密度が高まることにより前記の平行平板
型ドライエッチングの場合に比較し、エッチング速度を
大巾に増大させることができるわけである。
原理を簡単に説明する。一定圧力下で反応ガスが供給さ
れ高周波電力が印加されると反応ガスがプラズマ化する
が、上記構成のようにプラズマ中に磁場を重畳すること
により、磁力線にそって電子が回転運動しトラップされ
る。電子の飛行工程が回転運動により大きくなり中性反
応ガスとの衝突頻度が増え、従ってプラズマ密度が増大
する。プラズマ密度が高まることにより前記の平行平板
型ドライエッチングの場合に比較し、エッチング速度を
大巾に増大させることができるわけである。
発明が解決しようとする問題点 このように有磁場型ドライエッチング装置においては、
プラズマ密度を高めエッチング速度を増大するという効
果があるが、被エッチング試料上に均一に磁場を印加す
ることが困難であり、従ってエッチング均一性の面で問
題があった。
プラズマ密度を高めエッチング速度を増大するという効
果があるが、被エッチング試料上に均一に磁場を印加す
ることが困難であり、従ってエッチング均一性の面で問
題があった。
そこで近年、より均一な磁場を得るために考えられたの
が同心円の永久磁石を偏心させる方法で第４図ａ，ｂは
その永久磁石の構成を示したものである。
が同心円の永久磁石を偏心させる方法で第４図ａ，ｂは
その永久磁石の構成を示したものである。
第４図ｃは第４図ａ，ｂに記した同心円磁石を偏心させ
る方法でエッチングを行った際のウエハ内エッチング速
度分布と圧力の関係を示したものである。エッチングは
下記の条件にて行った。
る方法でエッチングを行った際のウエハ内エッチング速
度分布と圧力の関係を示したものである。エッチングは
下記の条件にて行った。
反応ガス ：CHF3 45SCCM，Ｏ２ ５SCCM 高周波電力：４５０Ｗ 試 料 ：６インチシリコン基板上のシリコン酸化膜 第４図ｃに示す結果は、圧力５０ｍTorrにてウエハ内の
エッチング速度分布がほぼ均一になるように第４図ａ，
ｂに示す永久磁石の偏心位置を調整したものである。し
かしながら、図より明らかなように圧力の変化に伴って
ウエハ中央部とウエハ周辺部のエッチング速度が不均一
となり、５０ｍTorrでの均一性は２０ｍTorrや100mTorr
においては保持されないことがわかる。
エッチング速度分布がほぼ均一になるように第４図ａ，
ｂに示す永久磁石の偏心位置を調整したものである。し
かしながら、図より明らかなように圧力の変化に伴って
ウエハ中央部とウエハ周辺部のエッチング速度が不均一
となり、５０ｍTorrでの均一性は２０ｍTorrや100mTorr
においては保持されないことがわかる。
第５図ａ〜ｃは第４図ａ，ｂに示す永久磁石を静止状態
にし、プラズマの放電を観察した結果である。図中斜線
部はプラズマ密度の高い領域を示す。図に示すように圧
力増加に伴ってウエハ表面上のプラズマ密度の高い部分
がウエハ周辺から中央部へと変位していることがわか
る。このプラズマ密度の分布変化が圧力変化に伴うエッ
チング不均一性の要因となっている。
にし、プラズマの放電を観察した結果である。図中斜線
部はプラズマ密度の高い領域を示す。図に示すように圧
力増加に伴ってウエハ表面上のプラズマ密度の高い部分
がウエハ周辺から中央部へと変位していることがわか
る。このプラズマ密度の分布変化が圧力変化に伴うエッ
チング不均一性の要因となっている。
以上のように従来構成の永久磁石ではエッチング条件の
変化、特に圧力変化に伴うウエハ上のプラズマ密度の分
布も著しく変化する。そのため、エッチング条件を変化
させる際にはその都度永久磁石の構成を変えたり、偏心
位置を再調整するなどして均一化をはかる必要があっ
た。
変化、特に圧力変化に伴うウエハ上のプラズマ密度の分
布も著しく変化する。そのため、エッチング条件を変化
させる際にはその都度永久磁石の構成を変えたり、偏心
位置を再調整するなどして均一化をはかる必要があっ
た。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のドライエッチン
グ装置は、回転軸に対して放射状に広がる形状の永久磁
石を１組あるいは複数組配置したことを特徴とするもの
である。
グ装置は、回転軸に対して放射状に広がる形状の永久磁
石を１組あるいは複数組配置したことを特徴とするもの
である。
作 用 本発明は上記した構成により、エッチング条件の変化に
対しても、永久磁石の構成等何ら再調整することなく、
常に均一なエッチングが可能となるものである。
対しても、永久磁石の構成等何ら再調整することなく、
常に均一なエッチングが可能となるものである。
実施例 以下本発明の一実施例のドライエッチング装置について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図ａ〜ｃは本発明の永久磁石の構成およびエッチン
グ結果を示したものである。
グ結果を示したものである。
ドライエッチング装置の全体構成は第３図に示したもの
と同様であり、その説明を採用する。
と同様であり、その説明を採用する。
この実施例では永久磁石の構成が第１図ａ，ｂに示すよ
うに放射状に広がる異磁極の永久磁石12を対としたもの
を１組の単位とし、これを複数組み合わせた構成をとっ
ている。また隣接する永久磁石は漏えい磁界を増すため
同磁極のものを配置した。
うに放射状に広がる異磁極の永久磁石12を対としたもの
を１組の単位とし、これを複数組み合わせた構成をとっ
ている。また隣接する永久磁石は漏えい磁界を増すため
同磁極のものを配置した。
第１図ｃは第１図ａ，ｂに示した永久磁石を用いたエッ
チング装置にてエッチングを行った結果である。エッチ
ング条件は従来の技術で示したものと同様とした。
チング装置にてエッチングを行った結果である。エッチ
ング条件は従来の技術で示したものと同様とした。
第１図ｃと第４図ｃを比較すると明らかなように、本発
明の永久磁石構成により圧力変化に対してもウエハ内の
エッチング均一性はほとんど変化せず、良好な均一性が
得られることがわかる。これは圧力変化によって生じる
プラズマ密度分布の変化が本発明の構成の永久磁石を用
いることで緩和されるためである。
明の永久磁石構成により圧力変化に対してもウエハ内の
エッチング均一性はほとんど変化せず、良好な均一性が
得られることがわかる。これは圧力変化によって生じる
プラズマ密度分布の変化が本発明の構成の永久磁石を用
いることで緩和されるためである。
上記のように放射状に広がる形状をもつ永久磁石を具備
した有磁場型ドライエッチング装置を用いることでエッ
チング条件の変化に伴うエッチング均一性の変化をなく
し、均一性のよいエッチングが可能となる。
した有磁場型ドライエッチング装置を用いることでエッ
チング条件の変化に伴うエッチング均一性の変化をなく
し、均一性のよいエッチングが可能となる。
なお、上記実施例ではエッチング条件変化として圧力に
対するエッチング速度分布の変化を示したが、高周波電
力等他のエッチング条件変化に対してもエッチング均一
性は保持される。また上記実施例においては放射状に広
がる形状をした磁極の異なる永久磁石を複数組組み合せ
たものを用いたが、同形状の永久磁石を１組用いても均
一性の改善に効果があることはいうまでもない。
対するエッチング速度分布の変化を示したが、高周波電
力等他のエッチング条件変化に対してもエッチング均一
性は保持される。また上記実施例においては放射状に広
がる形状をした磁極の異なる永久磁石を複数組組み合せ
たものを用いたが、同形状の永久磁石を１組用いても均
一性の改善に効果があることはいうまでもない。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、対向電極裏面に回転
手段を有する永久磁石を具備した有磁場型ドライエッチ
ング装置において、前記永久磁石を、回転軸に対して放
射状に広がる形状をもつ磁極の異なる２個の永久磁石１
組あるいは複数組の組み合わせで構成したことによっ
て、エッチング条件変化に対して永久磁石構成を何ら変
えることなく常に均一性のよいエッチングが可能とな
る。
手段を有する永久磁石を具備した有磁場型ドライエッチ
ング装置において、前記永久磁石を、回転軸に対して放
射状に広がる形状をもつ磁極の異なる２個の永久磁石１
組あるいは複数組の組み合わせで構成したことによっ
て、エッチング条件変化に対して永久磁石構成を何ら変
えることなく常に均一性のよいエッチングが可能とな
る。
第１図は本発明の一実施例を示し、同図ａは永久磁石の
構成を示す縦断正面図、同図ｂは底面図、同図ｃはエッ
チング結果を示した図、第２図は従来の平行平板型ドラ
イエッチング装置の概略構成図、第３図は有磁場型ドラ
イエッチング装置の概略構成図、第４図ａは従来の永久
磁石を示す縦断正面図、同図ｂは同底面図、同図ｃはエ
ッチング結果を示した図、第５図ａ〜ｃは従来の永久磁
石によるプラズマ密度の分布を示した図である。 １……対向電極、２……基板電極、４……高周波電源、
８……ウエハ、１０……反応ガス供給口、１１……排気
口、１２……永久磁石、１３……モーター、１４……ヨ
ーク材。
構成を示す縦断正面図、同図ｂは底面図、同図ｃはエッ
チング結果を示した図、第２図は従来の平行平板型ドラ
イエッチング装置の概略構成図、第３図は有磁場型ドラ
イエッチング装置の概略構成図、第４図ａは従来の永久
磁石を示す縦断正面図、同図ｂは同底面図、同図ｃはエ
ッチング結果を示した図、第５図ａ〜ｃは従来の永久磁
石によるプラズマ密度の分布を示した図である。 １……対向電極、２……基板電極、４……高周波電源、
８……ウエハ、１０……反応ガス供給口、１１……排気
口、１２……永久磁石、１３……モーター、１４……ヨ
ーク材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−173838（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−111430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−57936（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】真空容器内にあって、試料を載置する基板
電極と、前記基板電極に平行して設置された対向電極
と、前記基板電極と前記対向電極の間に高周波電力を印
加する手段と、前記対向電極裏面にあって対向電極と平
行面内で回転するための回転手段を具備した永久磁石
と、前記真空容器内に反応ガスを供給する手段および前
記真空容器内を一定の圧力に保持するための排気手段と
からなるドライエッチング装置において、前記永久磁石
は、回転軸に対して放射状に広がる形状をもち間隙をも
ってヨーク材に固定された互いに磁極の異なる２個の永
久磁石１組あるいは複数組から構成されていることを特
徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】複数の磁極の異なる永久磁石の組を、隣同
志の磁極が同磁極になるように配置した特許請求の範囲
第１項記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62195914A JPH0618182B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | ドライエッチング装置 |
| KR1019880009898A KR910009321B1 (ko) | 1987-08-05 | 1988-08-03 | 드라이에칭장치 |
| US07/228,217 US4906347A (en) | 1987-08-05 | 1988-08-04 | Dry-etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62195914A JPH0618182B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6439025A JPS6439025A (en) | 1989-02-09 |
| JPH0618182B2 true JPH0618182B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=16349086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62195914A Expired - Fee Related JPH0618182B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | ドライエッチング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4906347A (ja) |
| JP (1) | JPH0618182B2 (ja) |
| KR (1) | KR910009321B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910010516A (ko) * | 1989-11-15 | 1991-06-29 | 아오이 죠이치 | 반도체 메모리장치 |
| JPH04196529A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
| KR100297358B1 (ko) * | 1991-07-23 | 2001-11-30 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마에칭장치 |
| US5455197A (en) * | 1993-07-16 | 1995-10-03 | Materials Research Corporation | Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer |
| US5628889A (en) * | 1994-09-06 | 1997-05-13 | International Business Machines Corporation | High power capacity magnetron cathode |
| RU2141005C1 (ru) * | 1997-03-28 | 1999-11-10 | Баранов Александр Михайлович | Способ уменьшения шероховатости поверхности и устройство для его осуществления |
| US20040028837A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma processing |
| US8567423B1 (en) * | 2009-10-19 | 2013-10-29 | James B. Combs, Jr. | Pole mount for portable canopy assembly |
| CN103972016B (zh) * | 2013-01-25 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控管组件及磁控溅射设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4631106A (en) * | 1984-09-19 | 1986-12-23 | Hitachi, Ltd. | Plasma processor |
| JPS61128526A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6289864A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPS6353261A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-08-05 JP JP62195914A patent/JPH0618182B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-08-03 KR KR1019880009898A patent/KR910009321B1/ko not_active Expired
- 1988-08-04 US US07/228,217 patent/US4906347A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890004412A (ko) | 1989-04-21 |
| US4906347A (en) | 1990-03-06 |
| KR910009321B1 (ko) | 1991-11-09 |
| JPS6439025A (en) | 1989-02-09 |
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