JPH02247372A - 薄膜成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は薄膜の成膜方法、特に良好な特性の膜の形成
に関するもの、である。

［従来の技術］ 基体上に成膜領域を制限して薄膜を形成する方法と０℃
、　［薄膜））ンドブツクＪ　　Ｐ、２７９〜３０７．
オーム社（昭和５８年）に、領域を制限するためのマス
ク部材を、基体上にほぼ密着させるように設置して、全
面に成膜を行い、成膜終了後マスク部材を取り外す方法
や、基体上に写真製版技術を用いて薄膜のパターンを形
成する方法、さらに全面成膜後、イオンビームなどを用
いて不用部分を除去することにより薄膜パターンを形成
する方法が示されている。これらの技術は、例えば電気
配線をパターニングする場合、電気伝導は薄膜中を電子
が基体と平行に移動することによりなされ、薄膜を面内
方向に利用する場合に適している。

一方、薄膜では面内方向と垂直方向く法線方向）とで詫
特性に差が生じることが多く、薄膜における異方性とし
て知られている。代表的な例として、磁性薄膜が挙げら
れ、通常は垂直方向に比べ面内方向の保持力が大きくな
るが、特別な材料と成膜方法を選ぶ二とにより、面内方
向よりも垂直方向の保磁力を太き（することが可能であ
り一１垂直磁気記録媒体として研究が盛んに行われてい
る。

更に、人工格子膜のように、薄膜の垂直方向の積層を人
工的に制御する場合には、面内方向と垂直方向での原子
配列が異なるため、二のような異方性が現れやすい。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のように従来の薄膜成膜方法では、薄膜の垂直方向
での特性を利用しようとした場合、薄膜のパターン形成
方法は幾何学的に不可能で、薄膜を非常に厚く成膜して
、垂直方向の特性を用いる必要があり、基体上に数多く
の素子を並べて集積回路を作ることができないという課
題があった。

この発明は、上記のような課題を解消するためになされ
たもので、疑似的に薄膜の垂直方向（厚さ方向）の特性
が利用でき、かつ、基体上に集積した素子列〈回路）が
形成できるようにすることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係わる薄膜成膜方法は、蒸着粒子の基体への
付着を制限するマスクを、基体の表面近傍に配設し、成
膜中に上記マスクを基体面に平行に移動させるようにし
たものである。

［作　用］ この発明における薄膜成膜方法は、蒸着粒子の基体への
け着を制限するマスクを、基体の表面近傍に配設し、成
膜中に上記マスクを基体面に平行に移動させるため、８
ＭＩ４の積層が基体と平行に順次ずれてゆき、細長いパ
ターンが形成されるとともに、薄膜の積層方向が基体表
面に対し、疑似的に傾斜することにより、従来の薄膜方
向の異方性を面内方向に、すなわちパターンの長軸方向
に傾けることができる。

［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す模式図であり、図に
おいて（１）は基体、（２）は基体の近傍に配設したマ
スクであり、例えば基体に接触しないように近接し、マ
スク（２〉を基体表面と平行な方向に移動させることが
できる機構を設けている。このような基体とマスクを真
空槽〈４〉の中に配置し、スパッタリングカソード（３
〉を用いてスパッタリング成膜を行う。

スパッタリング成膜の手順として、まず、基体とマスク
をセットし、真空排気を行い所定の真空度にしたのち、
スパッタガス導入孔（図示せず）から、例えばアルゴン
ガスなどのスパッタガスを真空槽内へ所定量導き、スパ
ッタリングカソードに電圧をかけることにより真空槽内
で放電を起こさせ成膜を開始する。成膜中にマスクを基
体表面と平行に移動させる。マスクの移動速度は成膜の
堆積速度や、必要とするスパッタ膿の特性により適宜決
定すればよい。第２図にこの実施例による成膜の断面模
式図を示す。図において＜１）は基体、（５）は基体上
に堆積した薄膜である。図中矢印は、基体に対するマス
クの移動方向を示し、マスクの移動は一定速度であって
もよ（、また、間欠的であってもよい。（５〉の薄膜は
、微小厚さの膜層がマスクの移動にともなって、少しず
つずれて堆積され、疑似的に薄層が傾いた状態になって
いる。

このように二の発明の薄膜の成膜方法を用いることによ
って、薄層が傾いて形成され、基体に平行な面内方向で
も薄膜の垂直方向の特性の一部、または全部を用いて、
細長いストライブ状のパターン化が容易であり、配線素
子などの素子化が可能となる。

また、第２図では基体として、平坦な基体表面を用いた
例を示したが、基体の表面の少な（とも一部に傾いた面
を設け、その傾斜面から成膜を開始することにより、第
３図のような薄膜形成ができ、第２図の例よりもより改
善された特性の薄膜が得られる。

なお、上記の実施例ではスパッタリング法を用いたが、
真空蒸着法、ＣＶＤ法及びイオンクラスター法でも同様
の効果を奏する。また、基体として金属基板、単結晶基
板、ガラス基板、プラスチック基板及び非結晶基板など
の内、いずれであっても構わないし、マスクの材質につ
いても、いかなる材料を用いても構わないことは言うま
でもない。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、　蒸着粒子の基体への
付着を制限するマスクを、基体の表面近傍に配設し、成
膜中に上記マスクを基体面に平行に移動させるようにし
たので、薄膜の垂直方向の特性を疑似的に面内方向に傾
けることがで、薄膜の垂直方向の特性を実際の素子に利
用できるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す模式図で、第２図は
この発明により簿られな薄膜の断面模式図、第３図は基
体として一部に傾斜面を有する基体上に成膜した場合の
薄膜の断面模式図である。 図において（１）は基体、〈２）はマスク、（３〉はス
パッタリングカソード、（４〉は真空槽、（５）は堆積
した薄膜である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基体上に蒸着粒子を付着させて、薄膜を成膜する方法
   において、蒸着粒子の基体への付着を制限するマスクを
   、上記基体の表面近傍に配設し、成膜中に上記マスクを
   基体面に平行に移動させることを特徴とする薄膜成膜方
   法。