JPS6233764A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6233764A JPS6233764A JP17230785A JP17230785A JPS6233764A JP S6233764 A JPS6233764 A JP S6233764A JP 17230785 A JP17230785 A JP 17230785A JP 17230785 A JP17230785 A JP 17230785A JP S6233764 A JPS6233764 A JP S6233764A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- substrates
- sputtering
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ハイレート式多数枚・基板同時成膜が可能な
マグネトロンタイプのカソードを保有するスパッタ装置
に係り、＃！ｆに、膜質および膜厚の均一な成膜を行な
うのに好適なスパッタ装置に関する。
マグネトロンタイプのカソードを保有するスパッタ装置
に係り、＃！ｆに、膜質および膜厚の均一な成膜を行な
うのに好適なスパッタ装置に関する。
従来、この種の装置は１％開昭５９．−７６１８５号公
報に記載のように、ハイレートを得るために、ターゲッ
トをＶ字状に配置し、均一なエロージ１ンエリアを得る
ため、一対の磁極を対向させるようになっていた。しか
し、Ｖ字状に配置されたターゲット間で放ｔさせるので
あるが、空間電位や磁位の点について配慮されておらず
、Ｖ字状ターゲット間での放電の均一性が慢られにく（
、形成膜の膜厚分布を良好に１−るのは困難であった。
報に記載のように、ハイレートを得るために、ターゲッ
トをＶ字状に配置し、均一なエロージ１ンエリアを得る
ため、一対の磁極を対向させるようになっていた。しか
し、Ｖ字状に配置されたターゲット間で放ｔさせるので
あるが、空間電位や磁位の点について配慮されておらず
、Ｖ字状ターゲット間での放電の均一性が慢られにく（
、形成膜の膜厚分布を良好に１−るのは困難であった。
さらに、基板へのスパッタ原子の入射角てついて、何ら
言及されてもおらず、基板の配置まで考慮されてい５ｐ
いので、少なぐとも２・枚以上の基板に均一な薄ｊ嗅を
形成するのは、はなはだ困難であった。
言及されてもおらず、基板の配置まで考慮されてい５ｐ
いので、少なぐとも２・枚以上の基板に均一な薄ｊ嗅を
形成するのは、はなはだ困難であった。
本発明の目的は、比紋的大面積で少なくとも２枚以上の
基板に同時に均一な膜質の薄膜をハイレートで安易に形
成するスパッタ装置のスパッタ宣構造を提供することに
ある。
基板に同時に均一な膜質の薄膜をハイレートで安易に形
成するスパッタ装置のスパッタ宣構造を提供することに
ある。
二股に、スパッタ法によって形成された薄膜は柱状構造
を持つことは良（知られている。さらにスパッタされた
物質の基板への入射角によって前記柱状構造が変わり、
膜質が変化することもよく報箭されでいる。また、特に
薄膜の磁気的性質は被着物質の基板への入射角によって
大きく変化するものである。
を持つことは良（知られている。さらにスパッタされた
物質の基板への入射角によって前記柱状構造が変わり、
膜質が変化することもよく報箭されでいる。また、特に
薄膜の磁気的性質は被着物質の基板への入射角によって
大きく変化するものである。
さらに１合金ターゲツトのスパッタリングではターゲッ
ト表面からのスパッタ原子の放出角度によって、その成
分比がことなることは良く知られ）でいる。
ト表面からのスパッタ原子の放出角度によって、その成
分比がことなることは良く知られ）でいる。
以上の理由により比較的大面積＋７）基改に均一な薄膜
をスパッタ法で得るＶ）は困難である。そＱ）困賭ン取
り除くため多くの場合、基板を何らかの方法で動かしな
がら成膜する手法が取られているか、または、上記困難
が少ないコンベンジＪナルタイプΩカソードによって、
１基板処理を行なっている。しかしながら、この場合１
機構的面で制約をうけたり、多数枚同時成膜を行なうた
めには、ターゲット面積か大きくなったりするため、を
量化設備が構成しにくいと同時に、スパッタ原子、ター
ゲット放出角及び基板入射角が何ら制御されるものでは
なかった。
をスパッタ法で得るＶ）は困難である。そＱ）困賭ン取
り除くため多くの場合、基板を何らかの方法で動かしな
がら成膜する手法が取られているか、または、上記困難
が少ないコンベンジＪナルタイプΩカソードによって、
１基板処理を行なっている。しかしながら、この場合１
機構的面で制約をうけたり、多数枚同時成膜を行なうた
めには、ターゲット面積か大きくなったりするため、を
量化設備が構成しにくいと同時に、スパッタ原子、ター
ゲット放出角及び基板入射角が何ら制御されるものでは
なかった。
本発明は、上記困難を取り除くため、スパッタ室に、２
ケのカソードを設置し、一方向に長いターゲットを使用
し、その長手方向に、多数枚基板を配置し、短手方向の
ターゲツト面角度を変えることにより、スパッタ原子の
放出角を制御し、ターゲットと基板位置を変えることに
より、基板入射角を制御可能としたうえ、良好な膜４分
布を確１保しながら、スパックレートを高めろことを可
能とし、さらには、基板間での膜質の均一性の確保を可
能とするものである。
ケのカソードを設置し、一方向に長いターゲットを使用
し、その長手方向に、多数枚基板を配置し、短手方向の
ターゲツト面角度を変えることにより、スパッタ原子の
放出角を制御し、ターゲットと基板位置を変えることに
より、基板入射角を制御可能としたうえ、良好な膜４分
布を確１保しながら、スパックレートを高めろことを可
能とし、さらには、基板間での膜質の均一性の確保を可
能とするものである。
以下１本発明の一実施例を第１図、第２図によ、り説明
する。
する。
第１図において、スパッタ室構造の横断面を示し、第２
図において縦断面を示す。
図において縦断面を示す。
スパッタ室には、全く同一のマグネトロンカッ。
−ド４及び４′が２ケ設置されて２つ、基板１に対しそ
のｈ及びＷが変えられる。さらに、基板に対する角度θ
が変えられるようになっている。またｗ、２図に示すよ
うに、ターゲット長手方向に基板１が３枚設置されてい
る。カソード４は放電の安定化を増すため、カソードを
可動してもまわりの状況に左右されにくいマグネトロン
カソードを使用し、３のマグネットを保有している。３
のマグネットから２のターゲット表面上にもれた磁束５
によって、ターゲット２０表面上のプラズマが収束され
、エロージヲンエリア６が形成される。短手方向と平行
な二〇−ジ胃ンエリアからスパッタされる原子は１両端
の基板と中央の基板との膜質な変えることと、膜厚分布
の均一性を害することから、短手方向と平行な二ロージ
ヲンエリアは、全体からくらべ小さくすると同時に、基
板位置から離して影響を少なくするように設計された。
のｈ及びＷが変えられる。さらに、基板に対する角度θ
が変えられるようになっている。またｗ、２図に示すよ
うに、ターゲット長手方向に基板１が３枚設置されてい
る。カソード４は放電の安定化を増すため、カソードを
可動してもまわりの状況に左右されにくいマグネトロン
カソードを使用し、３のマグネットを保有している。３
のマグネットから２のターゲット表面上にもれた磁束５
によって、ターゲット２０表面上のプラズマが収束され
、エロージヲンエリア６が形成される。短手方向と平行
な二〇−ジ胃ンエリアからスパッタされる原子は１両端
の基板と中央の基板との膜質な変えることと、膜厚分布
の均一性を害することから、短手方向と平行な二ロージ
ヲンエリアは、全体からくらべ小さくすると同時に、基
板位置から離して影響を少なくするように設計された。
使用したターゲットは、８１チＮＬ−１９チＦｅ厚さ１
１顛のものを使用し、保磁力の小さな磁性薄膜の形成を
行なった。
１顛のものを使用し、保磁力の小さな磁性薄膜の形成を
行なった。
磁性薄膜の場合、マグネトロンカソードのもれ磁束が基
板面の磁界分布を乱し、形成膜に悪影響を及ぼすため、
その影響をさけるため、Ｌを設定した。次に、膜厚分布
が悪化せず、放電が不安定にならない範囲で、スパッタ
レートを上げるように、θを設定した。次に、磁気特性
の基板面内の均一性と最適化をはかりながら、Ｗを決定
したつ以上の操作をくり返えし、” ｌ ｗｌθの最適
化をはかったところ、ｈ ２１２ｃｍ 、 ｗ ＝ｇ１
５ｃｍ 、θ＝２りであった。
板面の磁界分布を乱し、形成膜に悪影響を及ぼすため、
その影響をさけるため、Ｌを設定した。次に、膜厚分布
が悪化せず、放電が不安定にならない範囲で、スパッタ
レートを上げるように、θを設定した。次に、磁気特性
の基板面内の均一性と最適化をはかりながら、Ｗを決定
したつ以上の操作をくり返えし、” ｌ ｗｌθの最適
化をはかったところ、ｈ ２１２ｃｍ 、 ｗ ＝ｇ１
５ｃｍ 、θ＝２りであった。
膜厚分布、三基板肉±３俤以内、スパッタレー１ト８０
０ Ａ ／ ｒｍ、 ステップカバレッジ０．８５〜０
．８７゜組成バラツキ、測定誤差内、基板面内、基板間
での磁気特性のバラツキが小さな、良好な、磁性薄膜が
得られたつ 〔発明の効果〕 本発明によれば、実施例のごとく、基板面内の膜厚分布
を制御し、スパッタレートを上げることができるばかり
でな（、スパッタ原子のターゲット放出角や基板入射角
を制御可能であることは明らかである。さらに、ターゲ
ット長手方向に基板。
０ Ａ ／ ｒｍ、 ステップカバレッジ０．８５〜０
．８７゜組成バラツキ、測定誤差内、基板面内、基板間
での磁気特性のバラツキが小さな、良好な、磁性薄膜が
得られたつ 〔発明の効果〕 本発明によれば、実施例のごとく、基板面内の膜厚分布
を制御し、スパッタレートを上げることができるばかり
でな（、スパッタ原子のターゲット放出角や基板入射角
を制御可能であることは明らかである。さらに、ターゲ
ット長手方向に基板。
を並べているため、基板間の膜質の均一性は特にすぐれ
ているだけでなく、２枚以上の多数枚同時処理をターゲ
ット長手方向の長さを長くすることにより、簡便に実現
可能なのは明らかである。
ているだけでなく、２枚以上の多数枚同時処理をターゲ
ット長手方向の長さを長くすることにより、簡便に実現
可能なのは明らかである。
さらに、カソードタイプとして、マグネトロンカソード
だけではなく、ガンタイプ、たとえばトライマグ方式の
カソードを利用しでも良いことは理解されるべきである
。
だけではなく、ガンタイプ、たとえばトライマグ方式の
カソードを利用しでも良いことは理解されるべきである
。
第１図は本発明の一実施例のターゲット短手方向の側面
図、第２ｍはターゲット長手方向の側面図である。 １・・・基板 ２・・・ターゲット４・・
・マグネトロンカソード ５・・・マクネットモレ磁界 ６・・・エロージ曹ンエリア
図、第２ｍはターゲット長手方向の側面図である。 １・・・基板 ２・・・ターゲット４・・
・マグネトロンカソード ５・・・マクネットモレ磁界 ６・・・エロージ曹ンエリア
Claims (1)
- １、真空処理室内に陰極電位のターゲットと被着基板と
を設置し、スパッタリングによる成膜を行なう装置にお
いて、ターゲットを有するカソードを２個以上設置し、
該カソードを長円形または長方形とし、かつ被着基板に
対し一定の角度に傾斜させて配置し、複数の被着基板に
均一に膜付けできるようにしたことを特徴とするスパッ
タリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17230785A JPS6233764A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17230785A JPS6233764A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233764A true JPS6233764A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15939490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17230785A Pending JPS6233764A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233764A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312973A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| US4956070A (en) * | 1988-04-20 | 1990-09-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| KR20020032809A (ko) * | 2000-10-27 | 2002-05-04 | 신상선 | 도전성 막 증착장치 |
| JP2004022398A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法 |
| EP1293586A3 (de) * | 2001-09-13 | 2004-02-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche durch Pulsmagnetron-Zerstäuben |
| JP2012158096A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シート及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP17230785A patent/JPS6233764A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312973A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| US4956070A (en) * | 1988-04-20 | 1990-09-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| KR20020032809A (ko) * | 2000-10-27 | 2002-05-04 | 신상선 | 도전성 막 증착장치 |
| EP1293586A3 (de) * | 2001-09-13 | 2004-02-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche durch Pulsmagnetron-Zerstäuben |
| JP2004022398A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法 |
| JP2012158096A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シート及びその製造方法 |
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