JPH02260908A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPH02260908A
JPH02260908A JP8262989A JP8262989A JPH02260908A JP H02260908 A JPH02260908 A JP H02260908A JP 8262989 A JP8262989 A JP 8262989A JP 8262989 A JP8262989 A JP 8262989A JP H02260908 A JPH02260908 A JP H02260908A
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JP
Japan
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reflector
surface acoustic
acoustic wave
wave device
crystal substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP8262989A
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English (en)
Inventor
Eiji Iegi
家木 英治
Koji Kawakatsu
川勝 孝治
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回転Y板X伝搬、水晶基板を用いた弾性表面
波装置に関し、特に、反射器の構造が改良されたものに
関する。
〔従来の技術〕
第2図は、回転Y板X伝搬、水晶基板を用いた従来の弾
性表面波装置の一例を示す平面図である。
弾性表面波装置1は、回転Y板X伝搬、水晶基板2上に
、互いに間挿し合うくし歯電極3.4からなるインター
デジタルトランスデユーサ5と、インターデジタルトラ
ンスデユーサ5の両側に配置されたショート・ストリッ
プ型の反射器6.7とを有する。
インターデジタルトランスデユーサ5を構成しているく
し歯電極3,4の電極指3a、4aは互い間挿し合うよ
うに配置されている。また、反射器6.7は、互いに平
行に配置された複数本のメタル・ストリップ6a、7a
を短絡部6b、7bで短絡させた構造を有する。
反射器6.7は高反射率でないと表面波が漏洩し、損失
の原因となる。また、弾性表面波装置においても、他の
電子部品と同、様により小型のものが求められている。
そこで、従来の弾性表面波装置1では、反射器6.7の
反射効率を高め、反射器の大きさを低減し、それによっ
て表面波装置を小型化することが試みられている。
すなわち、反射器6,7のメタル・ストリップ6a、7
aの膜厚を厚くし、ストリップ1本当たりの反射率を高
め、それによってメタル・ストリップ数を低減した構造
が採用されていた。
〔発明が解決しようとした技術的課題)しかしながら、
メタル・ストリップ6a、7aの膜厚を厚くした場合に
は、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反
射効率のばらつきが生しがちであった。
よって、歩留の低下を避けるためにも、反射器の膜厚を
薄くするには自ずと限度があった。
他方、128’ Y−X、LiNb0.からなる圧電基
板におけるレイリー波の反射に関しては、ショート・ス
トリップ型の反射器についてメタル・ストリンツブのデ
ユーティ比、すなわちメタル・ストリップの幅のメタル
・ストリップ・ピッチに対する割合dをd<0.5とし
た場合に反射係数を高め得ることが報告されている。
本発明の目的は、回転Y板X伝搬、水晶基板を用いた弾
性表面波装置において、反射器の反射効率を安定にかつ
効果的に高め得るものを提供することにある。
〔技術的課題を解決するための手段〕
本発明の弾性表面波装置は、回転Y板X伝搬。
水晶基板を用い、該水晶基板に励起されるレイリー波を
利用したものである。
水晶基板上には、互いに間挿し合うくし歯電極を有する
インターデジタルトランスデユーサが形成されている。
このインターデジタルトランスデユーサの側方には、反
射器が形成されている。反射器は、互いに平行な複数本
の突部を有する。
そして、反射器における突部の幅の突部ピッチに対する
割合、すなわちデユーティ比d1が、1゜0dd、≧0
.55とされており、かつ反射器の突部の厚みの表面波
の波長に対する割合が、2%以上、10%以下とされて
いることを特徴とする。
なお、反射器を構成する互いに平行な複数本の突部は、
基板上に付与された複数本の導電性ストリップで構成し
てもよく、あるいは基板に互いに平行な複数本の溝を形
成して溝間の基板部分を突部として構成してもよい。
〔作用〕
反射器における突部の厚みを厚くすることにより、反射
係数を高めることには限度があることを考慮し、本発明
では、水晶基板を用いた弾性表面波装置において、反射
器のデユーティ比d、を上記のように1.O>d、≧0
.55とし、かつ突部の厚みの表面波の波長に対する割
合を2%以上、10%以下とすることにより、後述の実
施例に示すように反射効率が高められている。すなわち
、本発明は、反射器のデユーティ比d1及び厚み/波長
を上述のように設定することにより反射効率を高め、そ
れによって弾性表面波装置の特性の安定化、及び小型化
を図ったことに特徴を有するものである。
〔実施例の説明〕
第1図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。弾性表面波装置11では、平面形状が矩形の回
転Y板X伝搬、水晶基板12の中央に、互いに間挿し合
うくし歯電極13.14からなるインターデジタルトラ
ンスデユーサ15が形成されている。クシ歯電極13.
14は、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の電極指1
3a。
14aを有する。
インターデジタルトランスデユーサ15の表面波伝搬路
方向外側には、一対の反射器16.17が形成されてい
る0反射器16.17は、それぞれ、第2図に示した反
射器6.7と同様に短絡型のものに構成されており、複
数本のメタルストリップ16a、17aと短絡部16b
、17bとを有する。
但し、本実施例の反射器16.17では、第3図に反射
器16の要部を拡大して断面図で示すように、反射器1
6の突部としてのA!よりなるメタル・ストリップ16
aの幅aのストリップ・ピッチ(a+b)に対する割合
、すなわちデューティ比d+ =a/ (a+b)が0
.55以上、1゜0未満とされている。
水晶基板を用いた従来構造(第2図)では、反射器のデ
ユーティ比は約0. 5とされている0本発明において
、デユーティd1を上述の範囲に設定したのは、該範囲
内で反射器のメタル・ストリップ1本当たりの反射効率
が効果的に高められるからである。これを、第4図及び
第5図を参照して説明する。
第4図は、第1図実施例の構造において、デユーティ比
d、を変化させた場合のメタル・ストリンブ1本当たり
の反射率を示す図である。なお、第4図では、反射器1
6.17におけるメタル・ストリップ16a、17aの
膜厚/波長(単位はいずれもμm)を1.77%、3.
51%、5゜31%及び6.93%とした場合の4種の
特性を示した。
第4図から明らかなように、膜厚/波長が、3゜51%
、5,31%及、6.93%の3種類の反射器では、メ
タル・ストリップ16a、17a1本当たりの反射率は
、デユーティd1が0.5を超えると高められることが
わかる。
また、第5図は、メタル・ストリップ16a17aの膜
厚/波長を0〜8%の範囲で変化させ、上記デユーティ
d1を1.0までの範囲で変化させた場合の反射係数が
最大となる組合わせ(実線Aで示す)、並びに反射係数
が最大の場合から10%の範囲の領域(斜線でハツチン
グを付した領域B)を示す。
よって、第5図の破線Cから明らかなように、(膜厚/
波長)が2%以上、であり、デユーティ比d、が0.5
5以上であれば、筋反射係数を実現し得ることがわかる
。よって、本発明では、デユーティd1が0.55以上
とされており、かつ反射器の突部の波長に対する割合が
2%以上とされている。
他方、膜厚/波長を10%以下とするのは、10%を越
えると製造ばらつきが大きくなり、歩留が低下するから
であり、かつ反射効率を高める効果が飽和するからであ
る。
より好ましくは、上記デユーティ比d、を0゜55≦d
、≦0.75とし、かつ膜厚/波長を3%以上とするこ
とにより、デユーティ比d+のばらつきに対する周波数
ばらつきを低減することができ、より一層歩留を改善す
ることができる。これを、第6図及び第7図を参照して
説明する。
第6図は、デユーティ比d、を1゜0までの範囲で、表
面波の音速のばらつきを示す図である。
横軸はデユーティ比d、とされており、縦軸は、デユー
ティ比が0.5のときの音速■。、、を基準にしたとき
の音速の変化! (vx−vol、)/V。、5xio
o (%)で示されている。なお、VXは所望とするデ
ユーティ比での表面波の音速を示す。
なお、第6図では、メタル・ストリップ16a。
17aの膜厚/波長が2%、4%及び6%の3種類の弾
性表面波装置についての特性が示されている。第6図か
ら、音速のばらつきは、デユーティ比d1が0.55〜
0.75のあたりで極小になることがわかる。
また、第7図は、メタル・ストリップ16a。
17aの膜厚/波長を0〜8%の範囲で変化させた場合
のデユーティd、の変化を示す、なお、第7図において
は、デユーティ比に対する表面波の速度の変化の極小点
となる場合の特性を実線0で、極小点から10・%の音
速変化点の特性を実線P及びQで示しである。
従って、第7図における破線でハツチングを付した領域
R内では音速変化のばらつきを低減することができるの
で、膜厚/波長は3%以上とすることが好ましいことが
わかる。
よって、第6図及び第7図の結果から、デユーティ比d
1を0.75≧d、≧0.55とし、かつ膜厚/波長を
3%以上の範囲にすることにより、音速のばらつきを効
果的に低減し得ることがわかる。
なお、第1図実施例では、反射器16.17は、メタル
・ストリップ16a、17aで構成されていたが、金属
以外の他の導電性材料からなるストリップで構成しても
よい。
また、本発明の突部は、導電性ストリップに代えて、水
晶基板表面に互いに平行な複数本の溝を形成し、該溝間
の部分を突部としたものをも包含する。この場合には、
第8図に示すように、溝21間の突部22の幅aの突部
ピッチ(a+b)に対する割合をデユーティ比d、とし
、かつ溝21間の突部22の溝21の底部からの高さを
突部の厚みとして厚み/波長を上記の範囲に設定すれば
よい。
さらに、第1図実施例の反射器16.17は短絡部16
b、17bで短絡された構造を有していたが、水晶基板
では圧電性が小さいため、オーブン型すなわち短絡部を
有せず複数本の独立した突部からなる反射器でも同様の
効果を得ることができる。従って、本発明は、オーブン
型の反射器を有する弾性表面波装置にも通用することが
できる。
なお、カット角25°〜45°では反射率の大きさが1
1%変化するが、デユーティ比の保存性には差は無かっ
た。
また、インターデジタルトランスデユーサ2個を用いた
2ボ一ト型弾性表面波共振子においても適用できる。
さらに、弾性表面波共振子のみならず、反射器を利用し
て低損失化を図ったフィルタ等の弾性表面波装置一般に
適用することができる。
なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を、本発明のように大きくすれば有効であるが、反射器
を用いた本発明装置のような構造では、インターデジタ
ルトランスデユーサのデユーティ比を高めることにより
、表面波の閉込め効率も高められる。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、水晶基板を用い表面す
べり波を利用した弾性表面波装置において、反射器のデ
ユーティ比d1を1.o>a、≧0.55とし、反射器
の突部の突部ピッチに対する割合を2%以上、10%以
下としたので、反射器の反射効率を効果的に高めること
が可能となる。
よって、同一の突部の厚みであれは膜厚2%以上で+2
0%以上反射効率を高めることができ、反射器の突部の
本数を低減して小型化を図ることができ、かつ反射器か
らの表面波の漏洩を低減して低損失化を図ることができ
る。
また、反射器における突部の本数を同一とした場合には
、突部の厚みを薄くすることができるので、反射器の反
射効率のばらつきを低減することができ、特性の安定な
弾性表面波装置を量産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第2図は従来の弾性表面波装置の平面図、第3図は第1
図のlll−lff線に沿う部分を拡大して示す断面図
、第4図はデユーティ比d、と反射器のメタル・ストリ
ップ1本当たりの反射率との関係を示す図、第5図は反
射係数が高められる範囲を示す図、第6図は音速のばら
つきとデユーティ比との関係を示す図、第7図は音速の
ばらつきが低減されるデユーティ比及び膜厚/波長の組
合わせを説明するための図、第8図は水晶基板に溝を形
成することにより突部を構成した例を説明するための部
分拡大断面図である。 図において、11は弾性表面波装置、12は水晶基板、
13.14はくし歯電極、15はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、16.17は反射器、16a、17aは
突部としてのメタル・ストリップを示す。 第3図 デーー千(C乙 第7図 第8図 g舜Z撃/ノシも t%) 丁コーTでC乙 礫 (n

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  回転Y板X伝搬,水晶基板と、 前記水晶基板上に形成されており、互いに間挿し合うく
    し歯電極を有するインターデジタルトランスデューサと
    、 前記インターデジタルトランスデューサの側方に設けら
    れており、かつ互いに平行な複数本の突部を有する反射
    器とを備え、 前記反射器における突部の幅の突部ピッチに対する割合
    d_1が、1.0>d_1≧0.55とされており、か
    つ 前記突部の厚みの表面波の波長に対する割合が2%以上
    、10%以下であることを特徴とする弾性表面波装置。
JP8262989A 1989-03-31 1989-03-31 弾性表面波装置 Pending JPH02260908A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1215818A3 (en) * 2000-12-07 2003-05-28 Fujitsu Media Devices Limited Surface acoustic wave filter
US6774747B2 (en) 2001-08-09 2004-08-10 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device
US6940208B2 (en) 2001-07-24 2005-09-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
JP2023544271A (ja) * 2020-10-01 2023-10-23 ソイテック 表面弾性波デバイス(saw)用の反射構造体

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