JPH02252728A - 有機非線形光学材料 - Google Patents
有機非線形光学材料Info
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- JPH02252728A JPH02252728A JP7766089A JP7766089A JPH02252728A JP H02252728 A JPH02252728 A JP H02252728A JP 7766089 A JP7766089 A JP 7766089A JP 7766089 A JP7766089 A JP 7766089A JP H02252728 A JPH02252728 A JP H02252728A
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- Japan
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- nonlinear optical
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- thin film
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- alkyl
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は新規な有機非線形光学材料に関する。
[従来の技術・発明が解決しようとする課題]非線形光
学材料は、第二次高調波発生(以下、SHGという)、
第三次高調波発生(以下、THGという)などの波長変
換や、光スィッチ、位相共役波発生などの能動的光素子
に用いられる光学祠料であり、将来の光情報処理分野に
おいて、中核的役割を担う材料と期待されている。その
中でも、バンドギャップの制限のために約700r+a
+以下の短波長で発振させることが困難な半導体レーザ
の発振波長を高効率で半分にするSHG素子が強く望ま
れている。この要望は発振波長を半分にすることによっ
て集光面積がl/4となり、その結果記録密度を4倍に
することが可能となる光ディスク装置分野でとくに顕著
である。
学材料は、第二次高調波発生(以下、SHGという)、
第三次高調波発生(以下、THGという)などの波長変
換や、光スィッチ、位相共役波発生などの能動的光素子
に用いられる光学祠料であり、将来の光情報処理分野に
おいて、中核的役割を担う材料と期待されている。その
中でも、バンドギャップの制限のために約700r+a
+以下の短波長で発振させることが困難な半導体レーザ
の発振波長を高効率で半分にするSHG素子が強く望ま
れている。この要望は発振波長を半分にすることによっ
て集光面積がl/4となり、その結果記録密度を4倍に
することが可能となる光ディスク装置分野でとくに顕著
である。
非線形光学材料として従来から最も広く使用されている
のは、KDPなどの無機強誘電体結晶である。しかし、
これらの無機材料には、非線形光学定数が小さいという
欠点がある。とくに、第二次高調波発生のための効率は
入射光パワーの2乗に比例するため、半導体レーザ光の
ように比較的パワーの低い光源を用いねばならない産業
分野においては、無機非線形光学材料を用いることがで
きないのが実状である。
のは、KDPなどの無機強誘電体結晶である。しかし、
これらの無機材料には、非線形光学定数が小さいという
欠点がある。とくに、第二次高調波発生のための効率は
入射光パワーの2乗に比例するため、半導体レーザ光の
ように比較的パワーの低い光源を用いねばならない産業
分野においては、無機非線形光学材料を用いることがで
きないのが実状である。
このような背景のもとに、高効率で第二次高調波を発生
させることのできる材料として有機材料が注目を集めて
いる(デイ−ジエイ ウィリアムズ(D、J、Wlll
lais)編、エイ シー ニスシンポジウム シリ
ーズ(AC3Symp、 Ser、)、 Vol。
させることのできる材料として有機材料が注目を集めて
いる(デイ−ジエイ ウィリアムズ(D、J、Wlll
lais)編、エイ シー ニスシンポジウム シリ
ーズ(AC3Symp、 Ser、)、 Vol。
233、 rノンリニアー オプティカル ブロバティ
ズ オブ オーガニック アンド ボリメリックマテリ
アルズ(Nonlinear 0ptical Pro
pertiesofOrganic and Po1y
+ger1c Materlals) J(1983)
)。しかしながら、該有機材料のうち、低分子有機非線
形光学材料には安定性および特性面で問題がある。大き
い非線形光学定数をつるためには、π−共役長の長い高
分子材料が望ましいと考えられているが、これらπ −
共役長の長い高分子化合物は不溶不融のものが多く、は
なはだ加工性に乏しいという欠点がある。
ズ オブ オーガニック アンド ボリメリックマテリ
アルズ(Nonlinear 0ptical Pro
pertiesofOrganic and Po1y
+ger1c Materlals) J(1983)
)。しかしながら、該有機材料のうち、低分子有機非線
形光学材料には安定性および特性面で問題がある。大き
い非線形光学定数をつるためには、π−共役長の長い高
分子材料が望ましいと考えられているが、これらπ −
共役長の長い高分子化合物は不溶不融のものが多く、は
なはだ加工性に乏しいという欠点がある。
一方、有機非線形光学材料において、その非線形光学定
数を支配する因子は大きくは次の二つ、すなわち、第一
は低分子化合物のばあいはその一分子、高分子材料のば
あいはその繰返し単位であるモノマーユニットの分子超
分極率であり、第二はそれらの配列である。第二次高調
波発生などの二次の非線形光学材料として薄膜を用いる
ばあいには、分子超分極率がすべて強めあうように各分
子が配列することが望ましい。したがって、分子を法線
方向または面内の一方向に配列させる必要がある。(い
ずれのばあいにおいてもこれらの高配向材料は透過型や
導波路型など、あらゆる方法で利用することができる。
数を支配する因子は大きくは次の二つ、すなわち、第一
は低分子化合物のばあいはその一分子、高分子材料のば
あいはその繰返し単位であるモノマーユニットの分子超
分極率であり、第二はそれらの配列である。第二次高調
波発生などの二次の非線形光学材料として薄膜を用いる
ばあいには、分子超分極率がすべて強めあうように各分
子が配列することが望ましい。したがって、分子を法線
方向または面内の一方向に配列させる必要がある。(い
ずれのばあいにおいてもこれらの高配向材料は透過型や
導波路型など、あらゆる方法で利用することができる。
)
しかしながら、従来の簡便な薄膜形成法、すなわちスピ
ンコード法、キャスト法、ディッピング法、バーコード
法、ロールコート法などのような方法を用いて作製した
薄膜は秩序性のないアモルファス状態であり、中心対称
性のない構造であることを必要とする第二次高調波発生
などの二次の非線形光学材料としては用いることができ
ないものであった。
ンコード法、キャスト法、ディッピング法、バーコード
法、ロールコート法などのような方法を用いて作製した
薄膜は秩序性のないアモルファス状態であり、中心対称
性のない構造であることを必要とする第二次高調波発生
などの二次の非線形光学材料としては用いることができ
ないものであった。
また、このような高配向な有機薄膜をうる方法として、
ラングミュア−プロジェット法(LB法)や有機分子線
エピタキシー法(OMBE法)などがすでに提案されて
いるが、その手法は現在のところ、非常に複雑かつ煩雑
である。
ラングミュア−プロジェット法(LB法)や有機分子線
エピタキシー法(OMBE法)などがすでに提案されて
いるが、その手法は現在のところ、非常に複雑かつ煩雑
である。
以上のように、従来においてはπ−共役長の長い高分子
化合物を簡便な薄膜形成法を用いて中心対称性のない薄
膜にする方法はなかった。
化合物を簡便な薄膜形成法を用いて中心対称性のない薄
膜にする方法はなかった。
[課題を解決するための手段]
本発明は、上記従来の問題点を解決し、大きい非線形光
学特性を有し、製膜化などの成形が容易で、かつ中心対
称性をとりに< < 、SHG 、光混合、パラメトリ
ック発振、電°気光学効果などの二次非線形光学効果、
とくにSHG活性であるようなπ共役長の長い高分子化
合物(以下、π −共役系高分子という)からなる新規
な第二次非線形光学効果を示す有機非線形光学材料を提
供するためになされたものである。
学特性を有し、製膜化などの成形が容易で、かつ中心対
称性をとりに< < 、SHG 、光混合、パラメトリ
ック発振、電°気光学効果などの二次非線形光学効果、
とくにSHG活性であるようなπ共役長の長い高分子化
合物(以下、π −共役系高分子という)からなる新規
な第二次非線形光学効果を示す有機非線形光学材料を提
供するためになされたものである。
すなわち、従来、π−共役系高分子は不溶不融のものが
多いためプロセス制御性に欠けていたが、本発明の材料
は溶剤に可溶なπ −共役系高分子がらなり、簡便な薄
膜作製法によって中心対称性のない薄膜を作製しうる高
性能な二次非線形光学効果を示す材料である。
多いためプロセス制御性に欠けていたが、本発明の材料
は溶剤に可溶なπ −共役系高分子がらなり、簡便な薄
膜作製法によって中心対称性のない薄膜を作製しうる高
性能な二次非線形光学効果を示す材料である。
本発明は、一般式(1):
(式中、R1は炭素数1〜2oのアルキル基またはアル
コキシル基、Xiは−8−または−Nll−1gは整数
を示す)で表わされるπ −共役系高分子重合体および
(または)一般式(■): (式中、R2は水素原子または炭素数1〜2oのアルキ
ル基もしくはアルコキシル基、R3は炭素数1〜20の
アルキル基またはアルコキシル基、X’およびx3は−
S−または−NH−1mおよびnは整数を示す)で表わ
されるπ −共役系高分子共重合体からなる二次の非線
形光学効果を有する有機非線形光学材料に関する。
コキシル基、Xiは−8−または−Nll−1gは整数
を示す)で表わされるπ −共役系高分子重合体および
(または)一般式(■): (式中、R2は水素原子または炭素数1〜2oのアルキ
ル基もしくはアルコキシル基、R3は炭素数1〜20の
アルキル基またはアルコキシル基、X’およびx3は−
S−または−NH−1mおよびnは整数を示す)で表わ
されるπ −共役系高分子共重合体からなる二次の非線
形光学効果を有する有機非線形光学材料に関する。
[作 用]
本発明の材料は、溶剤可溶なπ−共役系高分子からなり
、簡便な薄膜作製法が利用できるため、素子作製プロセ
スが著しく容易となり、また高効率の第二次非線形光学
効果を示す非線形光学材料である。
、簡便な薄膜作製法が利用できるため、素子作製プロセ
スが著しく容易となり、また高効率の第二次非線形光学
効果を示す非線形光学材料である。
[実施例]
本発明の有機非線形光学材料は、−数式(I):で表わ
されるπ −共役系高分子重合体および(または)−数
式(I): で表わされるπ −共役系高分子重合体からなる。
されるπ −共役系高分子重合体および(または)−数
式(I): で表わされるπ −共役系高分子重合体からなる。
−数式(1)中のR1は炭素数が1〜2oのアルキル基
またはアルコキシル基である。前記アルキル基やアルコ
キシル基を側鎖として導入することによりπ−共役系高
分子が可溶性になり、その炭素数が大きくなるほど溶剤
に溶けやすくなる。しがし、非線形光学特性に寄与して
いるのはチオフェン環やピロール環であって、アルキル
基やアルコキシル基は非線形光学特性に寄与しないので
、側鎖の炭素数が大きくなるほどπ −共役系高分子全
体の非線形光学特性は低下する。したがって、これらの
バランスの点から、前記アルキル基またはアルコキシル
基の炭素数は1〜12が好ましい。xlは−S−または
−NH−を示す。gは整数を示し、5〜50000 、
さらには20〜50000が好ましい。重合度の高いも
のが非線形光学特性よく、pが5未満では成形時に固体
化しにくくなる。また塗布性の高いπ −共役系高分子
をうるためには、分子量が充分大きいことが好ましい。
またはアルコキシル基である。前記アルキル基やアルコ
キシル基を側鎖として導入することによりπ−共役系高
分子が可溶性になり、その炭素数が大きくなるほど溶剤
に溶けやすくなる。しがし、非線形光学特性に寄与して
いるのはチオフェン環やピロール環であって、アルキル
基やアルコキシル基は非線形光学特性に寄与しないので
、側鎖の炭素数が大きくなるほどπ −共役系高分子全
体の非線形光学特性は低下する。したがって、これらの
バランスの点から、前記アルキル基またはアルコキシル
基の炭素数は1〜12が好ましい。xlは−S−または
−NH−を示す。gは整数を示し、5〜50000 、
さらには20〜50000が好ましい。重合度の高いも
のが非線形光学特性よく、pが5未満では成形時に固体
化しにくくなる。また塗布性の高いπ −共役系高分子
をうるためには、分子量が充分大きいことが好ましい。
なお、−数式(I)で表わされる重合体におけるRI
Xiのそれぞれは、いずれも1種である必要はない
。
Xiのそれぞれは、いずれも1種である必要はない
。
一般式(II)中のR2は水素原子または炭素数が1〜
20のアルキル基もしくはアルコキシル基である。
20のアルキル基もしくはアルコキシル基である。
R2がアルキル基またはアルコキシル基のばあい、R1
と同様に炭素数が1〜12のものが好ましい。
と同様に炭素数が1〜12のものが好ましい。
R3は炭素数1〜20のアルキル基またはアルコキシル
基であるが、R1と同様に炭素数が1〜12のものが好
ましい。mおよびnはそれぞれ整数を示し、(lIl十
n)が5〜50000、さら1こは20〜50000で
あるのが好ましい。重合度の高いものが非線形光学特性
がよく、(lll+n)が5未満では成形時に固体化し
にくくなる。また、mとnの比率は溶剤に対する溶解性
などにより適宜設定すればよい。分子量は塗布性の高い
π−共役系高分子をつるために、充分大きいことが好ま
しい。X2 Xiはそれぞれ−S−または−NH−
を示す。なお、一般弐(II)で表わされる重合体にお
けるR2 R3X2 Xiのそれぞれは、いず
れも1種である必要はない。
基であるが、R1と同様に炭素数が1〜12のものが好
ましい。mおよびnはそれぞれ整数を示し、(lIl十
n)が5〜50000、さら1こは20〜50000で
あるのが好ましい。重合度の高いものが非線形光学特性
がよく、(lll+n)が5未満では成形時に固体化し
にくくなる。また、mとnの比率は溶剤に対する溶解性
などにより適宜設定すればよい。分子量は塗布性の高い
π−共役系高分子をつるために、充分大きいことが好ま
しい。X2 Xiはそれぞれ−S−または−NH−
を示す。なお、一般弐(II)で表わされる重合体にお
けるR2 R3X2 Xiのそれぞれは、いず
れも1種である必要はない。
−数式(1)で表わされるπ 〜共役系高分子は、ラン
ダム共重合体、ブロック共重合体のどちらでもよい。
ダム共重合体、ブロック共重合体のどちらでもよい。
これらのπ −共役系高分子は、それぞれ単独で用いて
もよく、2種以上を併用してもよい。
もよく、2種以上を併用してもよい。
つぎに−数式(1)または(It)で表わされるπ −
共役系高分子の合成法について説明する。
共役系高分子の合成法について説明する。
該合成法にと(に限定はないが、−数式CI)や(It
)で表わされる重合単位を与える七ツマ−を電解重合ま
たは化学重合することによって高分子化する方法など用
いられる。化学重合によって高分子化する方法としては
、塩化第二鉄などの酸化剤を触媒とする合成法が簡便で
あり、また重合度も上がるなどの点から好ましい。
)で表わされる重合単位を与える七ツマ−を電解重合ま
たは化学重合することによって高分子化する方法など用
いられる。化学重合によって高分子化する方法としては
、塩化第二鉄などの酸化剤を触媒とする合成法が簡便で
あり、また重合度も上がるなどの点から好ましい。
前記−数式(I)や(1)で表わされる重合単位を与え
るモノマーは、R” MgBrなどのグリニア試薬と3
位にブロム基(B「)を有する複素五員環(チオフェン
またはピロール)のジクロロ(ジフェニルフォスフイノ
プロパン)ニッケル(I)などのニッケル触媒を用いて
のカップリング反応によってうろことができる。
るモノマーは、R” MgBrなどのグリニア試薬と3
位にブロム基(B「)を有する複素五員環(チオフェン
またはピロール)のジクロロ(ジフェニルフォスフイノ
プロパン)ニッケル(I)などのニッケル触媒を用いて
のカップリング反応によってうろことができる。
前記π −共役系高分子は溶剤に可溶である。
前記π −共役系高分子を溶解させる溶剤の具体例とし
ては、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、クロロホ
ルム、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、トルエン
、酢酸エチル、ヘキサン、ジメトキシエタン、キシレン
、ニトロプロパン、ニトロベンゼン、N−メチルピロリ
ドン、ベンゾニトリルなどの有機溶媒があげられるが、
もちろんこれらに限定されるわけではない。これらの溶
剤は単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよ
い。
ては、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、クロロホ
ルム、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、トルエン
、酢酸エチル、ヘキサン、ジメトキシエタン、キシレン
、ニトロプロパン、ニトロベンゼン、N−メチルピロリ
ドン、ベンゾニトリルなどの有機溶媒があげられるが、
もちろんこれらに限定されるわけではない。これらの溶
剤は単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよ
い。
前記のごときπ −共役系高分子からなる本発明の有機
非線形光学材料は、用途などに応じて膜状、ファイバー
状、バルク状などに成形されるが、種々の素子に用いう
るという点から膜厚1000〜30000人程度の薄膜
が好ましい。
非線形光学材料は、用途などに応じて膜状、ファイバー
状、バルク状などに成形されるが、種々の素子に用いう
るという点から膜厚1000〜30000人程度の薄膜
が好ましい。
π−共役系高分子を薄膜化する方法にはとくに制限はな
いが、たとえば前記溶媒にπ −共役系高分子を溶かし
た溶液を基板上に塗布し、そののち溶剤を蒸発させるこ
とにより、π −共役系高分子薄膜とすることができる
。
いが、たとえば前記溶媒にπ −共役系高分子を溶かし
た溶液を基板上に塗布し、そののち溶剤を蒸発させるこ
とにより、π −共役系高分子薄膜とすることができる
。
前記塗布方法としては、たとえばスピンコード法、キャ
スト法、ディッピング法、バーコード法、ロールコート
法などがあげられる。このうちプロセス上、均一な薄膜
かえられるという観点がらスピンコード法が好ましい。
スト法、ディッピング法、バーコード法、ロールコート
法などがあげられる。このうちプロセス上、均一な薄膜
かえられるという観点がらスピンコード法が好ましい。
このような薄膜は非線形光学材料として有用なπ−共役
系高分子となっているばかりでなく、その詳細な原因は
不明であるが、二次の非線形光学効果に不可欠な中心対
称性のない薄膜となっている。
系高分子となっているばかりでなく、その詳細な原因は
不明であるが、二次の非線形光学効果に不可欠な中心対
称性のない薄膜となっている。
以上のように、本発明の有機非線形光学材料は、二次の
非線形光学材料に必要である大きい分子超分極率を有す
るπ−共役系高分子が高秩序で配向した有機薄膜であっ
て、スピンコード法などの簡便な方法でうろことができ
る。
非線形光学材料に必要である大きい分子超分極率を有す
るπ−共役系高分子が高秩序で配向した有機薄膜であっ
て、スピンコード法などの簡便な方法でうろことができ
る。
以下に、本発明を実施例を用いてさらに具体的に説明す
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。
実施例1
一般式(I)のR1がヘキシル基、XiがS原子である
ポリへキシルチオフェンを以下のようにして合成した。
ポリへキシルチオフェンを以下のようにして合成した。
まず、フラスコ中に薄片状の金属マグネシウム3.95
gとジエチルエーテル200 mlを入れ、撹拌しなが
ら、ヘキシルブロマイド24m1を滴下するグリニア反
応によりヘキシルマグネシウムブロマイドをえた。つぎ
に、フラスコ中にブロモチオフェン20g1触媒である
ジクロロ(ジフェニルフォスフイノプロパン)ニッケル
(I[)0.33gおよびジエチルエーテル200 m
lを入れ、撹拌しながら前記ヘキシルマグネシウムブロ
マイド28m1を滴下して反応させ、滴下終了後さらに
3時間リフラックスした。
gとジエチルエーテル200 mlを入れ、撹拌しなが
ら、ヘキシルブロマイド24m1を滴下するグリニア反
応によりヘキシルマグネシウムブロマイドをえた。つぎ
に、フラスコ中にブロモチオフェン20g1触媒である
ジクロロ(ジフェニルフォスフイノプロパン)ニッケル
(I[)0.33gおよびジエチルエーテル200 m
lを入れ、撹拌しながら前記ヘキシルマグネシウムブロ
マイド28m1を滴下して反応させ、滴下終了後さらに
3時間リフラックスした。
反応終了後、ジエチルエーテルを除去し、減圧蒸留によ
る精製を行なうことにより、3−へキシルチオフェンを
えた。
る精製を行なうことにより、3−へキシルチオフェンを
えた。
えられた3−へキシルチオフェンモノマー8.4gを7
00m1のクロロホルム中に溶解したのち、触媒として
無水塩化第二鉄32.4gを添加し、チッ素気流下、室
温にて2日間撹拌した。反応終了後、えられた生成物を
アセトンおよびメタノールを用いてソックスレー抽出法
によって洗浄し、クロロホルムに溶かしたのち、メタノ
ール中への再沈殿によりポリへキシルチオフェンをえた
。えられたポリへキシルチオフェンの分子ffl(My
)をゲルパーミテーションクロマトグラフィーによって
調べたところ80000であった。
00m1のクロロホルム中に溶解したのち、触媒として
無水塩化第二鉄32.4gを添加し、チッ素気流下、室
温にて2日間撹拌した。反応終了後、えられた生成物を
アセトンおよびメタノールを用いてソックスレー抽出法
によって洗浄し、クロロホルムに溶かしたのち、メタノ
ール中への再沈殿によりポリへキシルチオフェンをえた
。えられたポリへキシルチオフェンの分子ffl(My
)をゲルパーミテーションクロマトグラフィーによって
調べたところ80000であった。
つぎ、にガラス基板の温度および雰囲気温度を約60℃
に設定し、ポリへキシルチオフェンの約2重量%クロロ
ホルム溶液をガラス基板上にスピンコ−ト法にて塗布し
、乾燥させてフィルムを形成した。このとき、スピナー
の回転数は毎分2000回転とした。えられたフィルム
の膜厚は約800人であった。
に設定し、ポリへキシルチオフェンの約2重量%クロロ
ホルム溶液をガラス基板上にスピンコ−ト法にて塗布し
、乾燥させてフィルムを形成した。このとき、スピナー
の回転数は毎分2000回転とした。えられたフィルム
の膜厚は約800人であった。
えられたフィルムのSHG特性をメーカフリンジ法にて
測定した。メーカフリンジ法は薄膜材料の非線形光学定
数χ■を評価するのに用いられる方法であり、標準試料
(石英単結晶)と比較してそのχ0を決定する。また、
入射光に対して試料を回転したり、入射光および出射S
H光の偏光をそれぞれP偏光またはS偏光に設定する組
合わせにより、非線形光学定数テンソルのそれぞれの成
分まで決定することができる。
測定した。メーカフリンジ法は薄膜材料の非線形光学定
数χ■を評価するのに用いられる方法であり、標準試料
(石英単結晶)と比較してそのχ0を決定する。また、
入射光に対して試料を回転したり、入射光および出射S
H光の偏光をそれぞれP偏光またはS偏光に設定する組
合わせにより、非線形光学定数テンソルのそれぞれの成
分まで決定することができる。
本測定で用いた実験系を第1図に示す。第1図に示すよ
うにYAGレーザ(1)から出た波長1.08Iのレー
ザ光は偏光子(2によって直線偏光となったあと、レン
ズ(3)によって集光され、回転ステージ(4)上の薄
膜試料(5)に照射される。試料では第二次高調波が発
生し、フィルター(6)によって入射光を取除き、適当
な光量に調節し、偏光子(7)によって望む偏光のS1
1光だけが取出され、光電子増倍管(8)にて検知され
る。なお、図中Cωはボックスカー積分器、Mはコント
ローラである。
うにYAGレーザ(1)から出た波長1.08Iのレー
ザ光は偏光子(2によって直線偏光となったあと、レン
ズ(3)によって集光され、回転ステージ(4)上の薄
膜試料(5)に照射される。試料では第二次高調波が発
生し、フィルター(6)によって入射光を取除き、適当
な光量に調節し、偏光子(7)によって望む偏光のS1
1光だけが取出され、光電子増倍管(8)にて検知され
る。なお、図中Cωはボックスカー積分器、Mはコント
ローラである。
第2図にえられたフィルムのSHGメーカフリンジを示
す。横軸は試料の回転角であり、縦軸は試料で発生した
SHG光強度である。第2図に示すように、薄膜試料特
有のメーカフリンジが観察され、実施例1のポリへキシ
ルチオフェンスピンコード膜が基板に対しての垂直配向
性を保持していることがわかる。この原因は現時点では
明らがではないが、材料内部または材料と基板との相互
作用によるものと考えられる。
す。横軸は試料の回転角であり、縦軸は試料で発生した
SHG光強度である。第2図に示すように、薄膜試料特
有のメーカフリンジが観察され、実施例1のポリへキシ
ルチオフェンスピンコード膜が基板に対しての垂直配向
性を保持していることがわかる。この原因は現時点では
明らがではないが、材料内部または材料と基板との相互
作用によるものと考えられる。
さらにえられたフィルムの非線形光学定数を第1表に示
す。
す。
実施例2
ポリへキシルチオフェンの約2重量%のクロロホルム溶
液を用いて、実施例1と同様にして、ガラス基板上にポ
リへキシルチオフェン膜を形成した。ただし、スピナー
の回転数は毎分1000回転であり、えられたフィルム
の膜厚は約1000人であった。えられたフィルムのS
HG特性を実施例1と同様にして測定した。結果を第1
表に示す。
液を用いて、実施例1と同様にして、ガラス基板上にポ
リへキシルチオフェン膜を形成した。ただし、スピナー
の回転数は毎分1000回転であり、えられたフィルム
の膜厚は約1000人であった。えられたフィルムのS
HG特性を実施例1と同様にして測定した。結果を第1
表に示す。
実施例3
実施例1でえられたヘキシルチオフェンモノマーとチオ
フェンモノマーをモル比4:1で混合したものを用いた
ほかは、実施例1と同様にして化学重合し、ポリへキシ
ルチオフェン−ポリチオフェン共重合体をえた。
フェンモノマーをモル比4:1で混合したものを用いた
ほかは、実施例1と同様にして化学重合し、ポリへキシ
ルチオフェン−ポリチオフェン共重合体をえた。
ガラス基板の温度および雰囲気温度を約80”Cに設定
し、該共重合体の約2重量%クロロホルム溶液をガラス
基板上にスピンコード法にて塗布し、乾燥させてフィル
ムを形成した。このとき、スピナーの回転数は毎分20
00回転とした。フィルムの膜厚は約700人であった
。えられたフィルムのSHG特性を実施例1と同様にし
て測定した。結果を第1表に示す。
し、該共重合体の約2重量%クロロホルム溶液をガラス
基板上にスピンコード法にて塗布し、乾燥させてフィル
ムを形成した。このとき、スピナーの回転数は毎分20
00回転とした。フィルムの膜厚は約700人であった
。えられたフィルムのSHG特性を実施例1と同様にし
て測定した。結果を第1表に示す。
比較例1
石英単結晶の非線形光学定数を第1表に示す。
第 1 表
第1表から、実施例1〜3のフィルムの非線形光学定数
が無機材料である石英単結晶に比べて非常に大きいこと
がわかる。
が無機材料である石英単結晶に比べて非常に大きいこと
がわかる。
[発明の効果]
このように本発明の有機非線形光学材料は、高性能な二
次の非線形光学効果を有する材料であり、溶剤可溶なπ
−共役系高分子から簡便な方法により成形することがで
きる。
次の非線形光学効果を有する材料であり、溶剤可溶なπ
−共役系高分子から簡便な方法により成形することがで
きる。
第1図は非線形光学定数を決定するためのメーカフリン
ジ測定系を示す説明図であり、第2図は実施例1でえら
れたポリへキシルチオフェン膜のメーカフリンジ特性を
示すグラフである。 (図面の符号) (1) : YAG レーザ (2):偏光子 (3):レンズ (4)一回転ステージ (5):薄膜試料 (6):フィルター (7) 、偏光子 (8):光電増倍管 (9):ボックスカー積分器 (至)ニコントローラ
ジ測定系を示す説明図であり、第2図は実施例1でえら
れたポリへキシルチオフェン膜のメーカフリンジ特性を
示すグラフである。 (図面の符号) (1) : YAG レーザ (2):偏光子 (3):レンズ (4)一回転ステージ (5):薄膜試料 (6):フィルター (7) 、偏光子 (8):光電増倍管 (9):ボックスカー積分器 (至)ニコントローラ
Claims (1)
- (1)一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は炭素数1〜20のアルキル基またはア
ルコキシル基、X^1は−S−または−NH−、lは整
数を示す)で表わされるπ−共役系高分子重合体および
(または)一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^2は水素原子または炭素数1〜20のアル
キル基もしくはアルコキシル基、R^3は炭素数1〜2
0のアルキル基またはアルコキシル基、X^2およびX
^3は−S−または−NH−、mおよびnは整数を示す
)で表わされるπ−共役系高分子共重合体からなる二次
の非線形光学効果を有する有機非線形光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7766089A JPH02252728A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 有機非線形光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7766089A JPH02252728A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 有機非線形光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252728A true JPH02252728A (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=13640031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7766089A Pending JPH02252728A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 有機非線形光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02252728A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008081748A (ja) * | 1999-02-10 | 2008-04-10 | Carnegie Mellon Univ | ポリ(3−置換チオフェン)の製造方法 |
| JP2008538223A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-10-16 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 改善された電子性能を有する可溶性ポリ(チオフェン)のコポリマー |
| JP2015030789A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 国立大学法人神戸大学 | ポリ(3−置換チオフェン)化合物並びにその合成中間体及びそれらの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7766089A patent/JPH02252728A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008081748A (ja) * | 1999-02-10 | 2008-04-10 | Carnegie Mellon Univ | ポリ(3−置換チオフェン)の製造方法 |
| JP2013091798A (ja) * | 1999-02-10 | 2013-05-16 | Carnegie Mellon Univ | ポリ(3−置換チオフェン)の製造方法 |
| JP2008538223A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-10-16 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 改善された電子性能を有する可溶性ポリ(チオフェン)のコポリマー |
| JP2015030789A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 国立大学法人神戸大学 | ポリ(3−置換チオフェン)化合物並びにその合成中間体及びそれらの製造方法 |
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