JPH0225281B2 - - Google Patents
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- JPH0225281B2 JPH0225281B2 JP60139533A JP13953385A JPH0225281B2 JP H0225281 B2 JPH0225281 B2 JP H0225281B2 JP 60139533 A JP60139533 A JP 60139533A JP 13953385 A JP13953385 A JP 13953385A JP H0225281 B2 JPH0225281 B2 JP H0225281B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
伝送周波数の4分の1波長と同程度の長さの分
布結合形の一対のストリツプ導体を、短冊形誘電
体基板を介して結合することにより、結合度が高
く、且つ低コストの方向性結合器を提供する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] By coupling a pair of distributed coupling type strip conductors with a length equivalent to a quarter wavelength of the transmission frequency through a rectangular dielectric substrate, the degree of coupling can be improved. To provide a directional coupler with high efficiency and low cost.
本発明は、マイクロストリツプ線路を用いた分
布結合形の方向性結合器の改良に関する。
The present invention relates to improvements in distributed coupling type directional couplers using microstrip lines.
伝送周波数の4分の1波長と同程度の長さスト
リツプ導体を所望に組合わせたマイクロ波帯乃至
ミリ波帯の方向性結合器は、導波管よりなる方向
性結合器に比べて、著しく小形であるという利点
があるので広く使用されている。 A directional coupler in the microwave or millimeter wave band, which has a desired combination of strip conductors with a length equivalent to a quarter wavelength of the transmission frequency, is significantly more efficient than a directional coupler made of a waveguide. It is widely used because it has the advantage of being small.
そして、マイクロストリツプ線路を用いた方向
性結合器には、直接結合形と分布結合形とがある
が、前者の直接結合形は占有面積が大きく、且つ
比帯域が小さいという短所があるので、これらの
短所が除去された後者の分布結合形がより多く使
用されている。 There are two types of directional couplers using microstrip lines: direct coupling type and distributed coupling type, but the former direct coupling type has the disadvantages of occupying a large area and having a small fractional bandwidth. , the latter distributed combination type, which eliminates these disadvantages, is being used more often.
このような方向性結合器は、結合度が高いこと
と、低コストのことが要望されている。 Such a directional coupler is required to have a high degree of coupling and be low in cost.
〔従来の技術〕
第4図は従来の分布結合形の方向性結合器の1
例の斜視図である。[Prior art] Figure 4 shows one of the conventional distributed coupling type directional couplers.
FIG. 3 is a perspective view of an example.
第4図は小形で、広帯域の方向性結合器である
分布結合形の1例で、結合度が約−3dBと高いイ
ンタデイジテイト形の分布形結合器であつて、例
えばアルミナ基板のようなセラミツク基板5の下
面の全面に、下部導体層6を形成してある。 Figure 4 shows an example of a distributed coupling type, which is a small, broadband directional coupler.It is an interdigitated type distributed coupler with a high coupling degree of approximately -3 dB. A lower conductor layer 6 is formed on the entire lower surface of the ceramic substrate 5.
セラミツク基板5の上面には、長さが伝送周波
数のほぼ4分の1波長の3条のストリツプ導体
7,9,8が、この順に並列し、極めて近接して
(例えば間隔が1乃至2μm)設けられている。 On the top surface of the ceramic substrate 5, three strip conductors 7, 9, and 8, each having a length of approximately a quarter wavelength of the transmission frequency, are arranged in parallel in this order and very close to each other (for example, with a spacing of 1 to 2 μm). It is provided.
ストリツプ導体7の一方の端末には、第1のポ
ート1を接続して設け、第1のポート1に対角線
上に位置するストリツプ導体8の端末には、第4
のポート4を接続して設けてある。 A first port 1 is connected to one terminal of the strip conductor 7, and a fourth terminal is connected to the terminal of the strip conductor 8 diagonally to the first port 1.
The port 4 is connected to the port 4.
またストリツプ導体7とストリツプ導体8の中
間に設けたストリツプ導体9の第1のポート1に
対向する端末には、第4のポート4に平行する第
2のポート2を接続して設け、ストリツプ導体9
の他方の端末には、第4のポート4に背向するよ
うに第1のポート1に平行する第3のポート3を
接続して設けてある。 Furthermore, a second port 2 parallel to the fourth port 4 is connected to a terminal of the strip conductor 9 provided between the strip conductors 7 and 8, which is opposite to the first port 1, and the strip conductor 9
A third port 3 which is parallel to the first port 1 and is connected to the other terminal of the port 4 is provided at the other end of the port 4 .
このような回路は、セラミツク基板5の全面に
ニクロム膜、その上層に金膜を蒸着等して形成、
フオトリソグラフイ手段により形成したものであ
る。 Such a circuit is formed by depositing a nichrome film on the entire surface of the ceramic substrate 5 and a gold film on top of it.
It was formed by photolithography.
そして、第1のポート1の近傍、及び第4のポ
ート4の近傍の2個所で、ストリツプ導体9を跨
ぐ金リボンのようなブリツジ線10をワイヤボン
デング等して、ストリツプ導体7とストリツプ導
体8とを接続している。 Then, a bridge wire 10 such as a gold ribbon spanning the strip conductor 9 is wire-bonded at two locations, one near the first port 1 and the other near the fourth port 4, to connect the strip conductor 7 and the strip conductor. 8 is connected.
上述のように結合されているので、例えば、第
1のポート1よりの入力信号は、第2のポート
2、及び第4のポート4から出力され、第3のポ
ート3からは、殆ど出射しないという方向性を有
する。なお、第4のポート4から入力信号を投入
した場合には、第1のポート1と第3のポート3
より出力されることは勿論である。 Since they are coupled as described above, for example, an input signal from the first port 1 is output from the second port 2 and the fourth port 4, and almost no signal is emitted from the third port 3. It has this direction. Note that when an input signal is input from the fourth port 4, the input signal is input from the first port 1 and the third port 3.
Of course, it will be output more.
しかしながら上記従来例の方向性結合器は、結
合度を大きくするためには、比誘電率の高いセラ
ミツク基板を用い、且つ、ストリツプ導体を極め
て近接して設けることが必要である。
However, in the conventional directional coupler described above, in order to increase the degree of coupling, it is necessary to use a ceramic substrate with a high dielectric constant and to provide strip conductors extremely close to each other.
このために、高価なセラミツク基板を使用し、
ストリツプ導体を加工工程が複雑な薄膜で形成す
ることになり、高コストであるという問題点があ
る。 For this purpose, an expensive ceramic substrate is used,
There is a problem in that the strip conductor is formed of a thin film with complicated processing steps, resulting in high cost.
上記従来の問題点を解決するために本発明は、
第1図に例示したように、誘電体基板15の表面
に形成され、一方の端末に第1のポート1が、他
方の端末に第3のポート3がそれぞれ形成され
た、伝送周波数の1/4波長の奇数倍の長さの第1
のストリツプ導体16と、第1のストリツプ導体
16に近接して平行に形成され、一方の端末に第
2のポート2が、他方の端末に第4のポート4が
それぞれ形成された、長さが第1のストリツプ導
体16の長さに等しい第2のストリツプ導体17
と、短冊形の一方の側面に第1の導体層18が、
他方の側面に第2の導体層19が設けられ、第1
の導体層18が第1のストリツプ導体16に、第
2の導体層19が第2のストリツプ導体17にそ
れぞれ接続するよう、誘電体基板15に搭載され
た、長さが第1のストリツプ導体16の長さに等
しい短冊形誘電体基板20とよりなる構成とす
る。
In order to solve the above conventional problems, the present invention
As illustrated in FIG. 1, it is formed on the surface of a dielectric substrate 15, and has a first port 1 at one terminal and a third port 3 at the other terminal. The first one with a length that is an odd multiple of 4 wavelengths
A strip conductor 16 of length is formed adjacent to and parallel to the first strip conductor 16, with a second port 2 formed at one end and a fourth port 4 formed at the other end. A second strip conductor 17 equal in length to the first strip conductor 16
and a first conductor layer 18 on one side of the rectangular shape,
A second conductor layer 19 is provided on the other side, and a second conductor layer 19 is provided on the other side.
A length of the first strip conductor 16 is mounted on the dielectric substrate 15 such that the conductor layer 18 is connected to the first strip conductor 16 and the second conductor layer 19 is connected to the second strip conductor 17. The structure consists of a rectangular dielectric substrate 20 whose length is equal to .
上記本発明の手段によれば、第1のストリツプ
導体16と第2のストリツプ導体17とは、それ
ぞれ短冊形誘電体基板20の両側面に形成された
第1の導体層18、第2の導体層19に接続され
ているので、ストリツプ導体間隔を比較的大きく
しても、第1のストリツプ導体16と第2のスト
リツプ導体17とは高い結合度で結合される。
According to the means of the present invention, the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17 are the first conductor layer 18 and the second conductor layer formed on both sides of the rectangular dielectric substrate 20, respectively. Since they are connected to layer 19, first strip conductor 16 and second strip conductor 17 are coupled with a high degree of coupling even if the strip conductor spacing is relatively large.
したがつて、加工工程が複雑な薄膜で第1、第
2のストリツプ導体を形成する必要がなく、安価
な他の手段、例えば銅箔をエツチングして形成す
ることができる。また、誘電体基板15の比誘電
率が低くても結合度に影響を与えないので、低コ
ストの加工の容易な誘電体基板を使用することが
できる。 Therefore, it is not necessary to form the first and second strip conductors using thin films that require complicated processing steps, and can be formed using other inexpensive methods such as etching copper foil. Further, even if the relative dielectric constant of the dielectric substrate 15 is low, it does not affect the degree of coupling, so a low-cost dielectric substrate that is easy to process can be used.
以下図示実施例により、本発明を具体的に説明
する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物
を示す。
The present invention will be specifically explained below with reference to illustrated examples. Note that the same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.
第1図は本発明の1実施例の斜視図であり、第
2図は他の実施例の斜視図、第3図は他の実施例
の短冊形誘電体基板の斜視図である。 FIG. 1 is a perspective view of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of another embodiment, and FIG. 3 is a perspective view of a rectangular dielectric substrate of another embodiment.
第1図において、例えばテフロン(登録商標)
グラスのように比誘電率が小さく加工が容易で、
安価な誘電体基板15の下面の全面には、銅箔等
で下部導体層6を設けてある。 In Figure 1, for example, Teflon (registered trademark)
Like glass, it has a small dielectric constant and is easy to process.
A lower conductor layer 6 made of copper foil or the like is provided on the entire lower surface of the inexpensive dielectric substrate 15.
そして、誘電体基板15の上面には、長さがほ
ぼλg/4(λgは短冊形誘電体基板の誘電率によつ
て定まる実効波長)の第1のストリツプ導体16
が形成されている。また、第1のストリツプ導体
16に近接(例えは間隔が0.5mm)し平行に、長
さが等しい第2のストリツプ導体17が、形成さ
れている。 A first strip conductor 16 having a length of approximately λg/4 (λg is the effective wavelength determined by the dielectric constant of the rectangular dielectric substrate) is disposed on the upper surface of the dielectric substrate 15.
is formed. Further, a second strip conductor 17 having the same length is formed close to the first strip conductor 16 (for example, at a spacing of 0.5 mm) and parallel to the first strip conductor 16.
第1のストリツプ導体16の一方の端末には、
第1のポート1が直角に接続形成され、他方の端
末には、第1のポート1に平行して第3のポート
3が第1のストリツプ導体16に直角に接続形成
されている。 At one end of the first strip conductor 16,
A first port 1 is connected at a right angle, and at the other end, parallel to the first port 1, a third port 3 is connected at a right angle to a first strip conductor 16.
また、第1のポート1が設けられた端末に対向
する第2のストリツプ導体17の端末には、第2
のポート2が直角に接続形成され、他方の端末に
は、第2のポート2に平行して第2のストリツプ
導体17に直角に接続形成されている。 Further, at the terminal of the second strip conductor 17 opposite to the terminal provided with the first port 1, a second strip conductor 17 is provided.
A second port 2 is connected at right angles, and at the other end, parallel to the second port 2, a second strip conductor 17 is connected at right angles.
上述の回路パターンは、誘電体基板15の表面
に形成された銅箔層をエツチングすることにより
容易に形成することができる。 The above circuit pattern can be easily formed by etching a copper foil layer formed on the surface of the dielectric substrate 15.
20は所望の比誘電率を有し、所望の幅で、長
さがλg/4の細長い短冊形の誘電体基板である。 Reference numeral 20 denotes an elongated rectangular dielectric substrate having a desired dielectric constant, a desired width, and a length of λg/4.
短冊形誘電体基板20の長手方向の一方の側面
の全面には、第1の導体層18が設けられ、第1
の導体層18に対向した他方の側面には第2の導
体層19が設けられている。 A first conductor layer 18 is provided on the entire surface of one side surface in the longitudinal direction of the rectangular dielectric substrate 20.
A second conductor layer 19 is provided on the other side facing the conductor layer 18 .
短冊形誘電体基板20は、第1の導体層18、
第2の導体層19が誘電体基板15に垂直で、第
1のストリツプ導体16と第2のストリツプ導体
17に平行して、跨るように誘電体基板15上に
載せられ、第1の導体層18が第1のストリツプ
導体16に、第2の導体層19が第2のストリツ
プ導体17にそれぞれ半田付け等されて接続さ
れ、搭載されている。 The rectangular dielectric substrate 20 includes a first conductor layer 18,
A second conductor layer 19 is placed on the dielectric substrate 15 perpendicularly to the dielectric substrate 15 and parallel to and straddles the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17. 18 is connected to the first strip conductor 16, and a second conductor layer 19 is connected to the second strip conductor 17 by soldering or the like and mounted.
上述のように、短冊形誘電体基板20の両側面
に対向して形成された第1の導体層18、第2の
導体層19に、第1のストリツプ導体16と第2
のストリツプ導体17がそれぞれ接続されている
ので、第1のストリツプ導体16と第2のストリ
ツプ導体17とを所望に高い結合度(例えば−
3dB)で結合することができる。 As described above, the first strip conductor 16 and the second conductor layer 18 and the second conductor layer 19 are formed on both sides of the rectangular dielectric substrate 20 to face each other.
Since the strip conductors 17 are connected to each other, the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17 can be connected to each other with a desired high degree of coupling (for example, -
3dB).
したがつて、例えば、第1のポート1よりの入
力信号は、第3のポート3、及び第2のポート2
から出力され、第4のポート4からは、殆ど出射
しないという方向性を有する。 Therefore, for example, an input signal from the first port 1 is input to the third port 3 and the second port 2.
The light is output from the fourth port 4, and almost no light is emitted from the fourth port 4.
なお、第1、第2のストリツプ導体の間隔は比
較的大きく、且つ余裕度があるので、安価な手段
でエツチングして形成することができる。また、
誘電体基板15の比誘電率が低くても結合度に影
響を与えないので、加工の容易な誘電体基板を使
用することができて低コストである。 Incidentally, since the interval between the first and second strip conductors is relatively large and there is a margin, they can be formed by etching using inexpensive means. Also,
Even if the relative dielectric constant of the dielectric substrate 15 is low, it does not affect the degree of coupling, so a dielectric substrate that is easy to process can be used, resulting in low cost.
第2図及び第3図のものは、第1のポート1よ
りの入力信号を、第2のポート2、及び第4のポ
ート4から出力する方向性結合器である。 The ones in FIGS. 2 and 3 are directional couplers that output an input signal from a first port 1 from a second port 2 and a fourth port 4. In FIG.
第2図において、誘電体基板15に平行して形
成された第1のストリツプ導体16と第2のスト
リツプ導体17は、ほぼ中央部で切断されて、第
1のストリツプ導体16は第1のポート1側のス
トリツプ導体16Aと、第3のポート3側のスト
リツプ導体16Bに分離されている。また、第2
のストリツプ導体17は第2のポート2側のスト
リツプ導体17Aと、第4のポート4側のストリ
ツプ導体17Bに分離されている。 In FIG. 2, the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17 formed in parallel to the dielectric substrate 15 are cut approximately at the center, and the first strip conductor 16 is connected to the first port. It is separated into a strip conductor 16A on the port 1 side and a strip conductor 16B on the third port 3 side. Also, the second
The strip conductor 17 is separated into a strip conductor 17A on the second port 2 side and a strip conductor 17B on the fourth port 4 side.
そして、ストリツプ導体16Bとストリツプ導
体17Aとは、切断部を斜めに横断する接続導体
パターン31で接続されている。 The strip conductor 16B and the strip conductor 17A are connected by a connecting conductor pattern 31 that diagonally crosses the cut portion.
短冊形誘電体基板20の両面に形成された第1
の導体層18と第2の導体層19は、ともにほぼ
中央部で切断され、第1の導体層18は第1のポ
ート1側の導体層18Aと第3のポート3側の導
体層18Bに分離され、第2の導体層19は、第
2のポート2側の導体層19Aと第4のポート4
側の導体層19Bに分離されている。 The first electrodes formed on both sides of the rectangular dielectric substrate 20
The conductor layer 18 and the second conductor layer 19 are both cut approximately at the center, and the first conductor layer 18 is cut into the conductor layer 18A on the first port 1 side and the conductor layer 18B on the third port 3 side. The second conductor layer 19 is separated from the conductor layer 19A on the second port 2 side and the fourth port 4 side.
It is separated into a side conductor layer 19B.
そして導体層18Aと導体層19Bとは、誘電
体基板15に密着する側と反対側の上面の中央部
を、斜めに横断する接続導体パターン32によつ
て接続されている。 The conductor layer 18A and the conductor layer 19B are connected by a connecting conductor pattern 32 that diagonally crosses the center of the upper surface on the side opposite to the side in close contact with the dielectric substrate 15.
したがつて、例えば第1のポート1よりの入力
信号は、第2のポート2、及び第4のポート4か
ら出力され、第3のポート3からは、殆ど出射し
ないという方向性を有する。 Therefore, for example, an input signal from the first port 1 is output from the second port 2 and the fourth port 4, and almost no signal is emitted from the third port 3.
第3図においては、短冊形誘電体基板20の一
方の側面に形成された第1の導体層18は、ほぼ
中央部が、側面視で鍵形に切断されて導体層18
Aと導体層18Bに分離されている。 In FIG. 3, the first conductor layer 18 formed on one side of the rectangular dielectric substrate 20 is cut approximately in the center into a key shape when viewed from the side.
A and a conductor layer 18B.
また、他方の面に形成された第2の導体層19
は、側面視が第1の導体層18とは逆形の鍵形に
切断されて、導体層19Aと導体層19Bとに分
離されている。 In addition, a second conductor layer 19 formed on the other surface
is cut into a key shape that is opposite to the first conductor layer 18 when viewed from the side, and is separated into a conductor layer 19A and a conductor layer 19B.
そして、導体層18Aと導体層19Bとは短冊
形誘電体基板20を貫通するスルーホール導体4
2で連結接続され、導体層18Bと導体層19A
とは、スルーホール導体41で連結接続されてい
る。 The conductor layer 18A and the conductor layer 19B are formed by through-hole conductors 4 passing through the rectangular dielectric substrate 20.
2, the conductor layer 18B and the conductor layer 19A
are connected to each other by a through-hole conductor 41.
このような短冊形誘電体基板20が搭載される
ストリツプ導体は、第2図に示したように中央部
が切断されてストリツプ導体16A,16B及び
ストリツプ導体17A,17Bが形成されたもの
で、第2図のものと異なる点は、接続導体層31
でストリツプ導体16Bとストリツプ導体17A
とが接続されていないことである。 The strip conductor on which such a rectangular dielectric substrate 20 is mounted is cut at the center to form strip conductors 16A, 16B and strip conductors 17A, 17B, as shown in FIG. The difference from the one in Figure 2 is that the connection conductor layer 31
and strip conductor 16B and strip conductor 17A
and are not connected.
このような構造の方向性結合器もまた、、第2
図のものと同様な方向性の機能を備えている。 A directional coupler with such a structure also has a second
It has the same directional function as the one shown.
以上説明したように本発明は、誘電体基板上に
設けた並設して設けた第1のストリツプ導体と第
2のストリツプ導体とを他の短冊形誘電体基板を
介して結合したもので、広帯域で、高結合の特性
を有するばかりでなく、素材の誘電体基板が安価
で、加工が容易であり、且つストリツプ導体の加
工が容易で低コストである等、実用上で優れた効
果がある。
As explained above, the present invention combines a first strip conductor and a second strip conductor provided in parallel on a dielectric substrate via another rectangular dielectric substrate. It not only has broadband and high coupling characteristics, but also has excellent practical effects such as the dielectric substrate material is inexpensive and easy to process, and the strip conductor is easy to process and low cost. .
第1図は本発明の1実施例の斜視図、第2図は
他の実施例の斜視図、第3図は他の実施例の短冊
形誘電体基板の斜視図、第4図は従来の方向性結
合器の斜視図である。
図において、1は第1のポート、2は第2のポ
ート、3は第3のポート、4は第4のポート、5
はセラミツク基板、6は下部導体層、15は誘電
体基板、16は第1のストリツプ導体、17は第
2のストリツプ導体、18は第1の導体層、19
は第2の導体層、18A,18B,19A,19
Bは導体層、20は短冊形誘電体基板、31,3
2は接続導体パターン、41,42はスルーホー
ル導体を示す。
Fig. 1 is a perspective view of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of another embodiment, Fig. 3 is a perspective view of a rectangular dielectric substrate of another embodiment, and Fig. 4 is a perspective view of a conventional rectangular dielectric substrate. FIG. 2 is a perspective view of a directional coupler. In the figure, 1 is the first port, 2 is the second port, 3 is the third port, 4 is the fourth port, 5
1 is a ceramic substrate, 6 is a lower conductor layer, 15 is a dielectric substrate, 16 is a first strip conductor, 17 is a second strip conductor, 18 is a first conductor layer, 19
are the second conductor layers, 18A, 18B, 19A, 19
B is a conductor layer, 20 is a rectangular dielectric substrate, 31, 3
Reference numeral 2 indicates a connection conductor pattern, and 41 and 42 indicate through-hole conductors.
Claims (1)
末に第1のポート1が他方の端末に第3のポート
3がそれぞれ形成された、伝送周波数の1/4波長
の奇数倍の長さの第1のストリツプ導体16と、 該第1のストリツプ導体16に近接して平行に
形成され、一方の端末に第2のポート2が他方の
端末に第4のポート4がそれぞれ形成された、長
さが該第1のストリツプ導体16の長さに等しい
第2のストリツプ導体17と、 短冊形の一方の側面に第1の導体層18が、他
方の側面に第2の導体層19が設けられ、該第1
の導体層18が該第1のストリツプ導体16に、
該第2の導体層19が該第2のストリツプ導体1
7にそれぞれ接続するよう、該誘電体基板15に
搭載された、長さが該第1のストリツプ導体16
の長さに等しい短冊形誘電体基板20とよりなる
ことを特徴とする方向性結合器。 2 前記第1、第2のストリツプ導体16,1
7、及び前記第1、第2の導体層18,19が、
それぞれほぼ中央部で切断され、該第1のポート
側の第1のストリツプ導体16Aが直接、或いは
切断された導体層を介して該第4のポート側のス
トリツプ導体17Bに、該第3のポート側の第1
のストリツプ導体16Bが直接、或いは切断され
た導体層を介して該第2のポート側のストリツプ
導体17Aに、それぞれ接続されてなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方向性結
合器。[Claims] 1. A device having a wavelength of 1/4 of the transmission frequency, which is formed on the surface of the dielectric substrate 15, and has a first port 1 at one terminal and a third port 3 at the other terminal. A first strip conductor 16 having an odd number of lengths, and a second port 2 formed in parallel with the first strip conductor 16, with a second port 2 at one end and a fourth port 4 at the other end. a second strip conductor 17 having a length equal to the length of the first strip conductor 16; a first conductor layer 18 on one side of the rectangular shape and a second conductor layer 18 on the other side; A conductor layer 19 is provided, the first
a conductor layer 18 on the first strip conductor 16;
The second conductor layer 19 is connected to the second strip conductor 1
The length of the first strip conductor 16 is mounted on the dielectric substrate 15 to connect to the first strip conductor 16, respectively.
1. A directional coupler comprising: a rectangular dielectric substrate 20 having a length equal to . 2 The first and second strip conductors 16,1
7, and the first and second conductor layers 18 and 19,
The first strip conductor 16A on the first port side connects to the strip conductor 17B on the fourth port side directly or through the cut conductor layer, and the third port side is cut approximately at the center of each conductor. side first
The directionality according to claim 1, characterized in that the strip conductors 16B are connected to the strip conductors 17A on the second port side directly or through cut conductor layers. combiner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139533A JPS62102A (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | Directional coupler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139533A JPS62102A (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | Directional coupler |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102A JPS62102A (en) | 1987-01-06 |
| JPH0225281B2 true JPH0225281B2 (en) | 1990-06-01 |
Family
ID=15247491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60139533A Granted JPS62102A (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | Directional coupler |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102A (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104202A (en) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Fujitsu Ltd | Directional coupler |
| JPS6313502A (en) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Yuniden Kk | Microwave directional coupler |
| US4967171A (en) * | 1987-08-07 | 1990-10-30 | Mitsubishi Danki Kabushiki Kaisha | Microwave integrated circuit |
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| CN110385156B (en) * | 2018-04-16 | 2023-07-14 | 中石化石油工程技术服务有限公司 | Portable geochemical analysis console |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943004B2 (en) * | 1977-09-30 | 1984-10-19 | 富士通株式会社 | directional coupler |
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-
1985
- 1985-06-26 JP JP60139533A patent/JPS62102A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62102A (en) | 1987-01-06 |
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