JPS62102A - Directional coupler - Google Patents
Directional couplerInfo
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- JPS62102A JPS62102A JP60139533A JP13953385A JPS62102A JP S62102 A JPS62102 A JP S62102A JP 60139533 A JP60139533 A JP 60139533A JP 13953385 A JP13953385 A JP 13953385A JP S62102 A JPS62102 A JP S62102A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
4分の1波長と同程度の長さの分布結合形の一対のスト
リップ導体を、短冊形誘電体基板を介して結合すること
により、結合度が高く、且つ低コストの方向性結合器を
提供する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] By coupling a pair of distributed coupling type strip conductors with a length equivalent to a quarter wavelength through a rectangular dielectric substrate, the degree of coupling is high. Moreover, a low-cost directional coupler is provided.
本発明は、マイクロストリップ線路を用いた分布結合形
の方向性結合器の改良に関する。The present invention relates to improvements in distributed coupling type directional couplers using microstrip lines.
4分の1波長と同程度の長さストリップ導体を所望に組
合わせたマイクロ波帯乃至ミリ波帯の方向性結合器は、
導波管よりなる方向性結合器に比べて、著しく小形であ
るという利点があるので広く使用されている。A directional coupler for the microwave band or millimeter wave band, which has a desired combination of strip conductors with a length equivalent to a quarter wavelength, is
It is widely used because it has the advantage of being significantly smaller than a directional coupler made of a waveguide.
そして、マイクロストリップ線路を用いた方向性結合器
には、直接結合形と分布結合形とがあるが、前者の直接
結合形は占有面積が大きく、且つ比帯域が小さいという
短所があるので、これらの短所が除去された後者の分布
結合形がより多く使用されている。There are two types of directional couplers using microstrip lines: a direct coupling type and a distributed coupling type. The latter type of distributed combination, which eliminates the disadvantages of , is now more commonly used.
このような方向性結合器は、結合度が高いことと、低コ
ストのことが要望されている。Such a directional coupler is required to have a high degree of coupling and be low in cost.
第4図は従来の分布結合形の方向性結合器の1例の斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view of an example of a conventional distributed coupling type directional coupler.
第十図は小形で゛、広帯域の方向性結合器である分布結
合形の1例で、結合度が約−3dBと高いインクディジ
ティト形の分布形結合器であって、例えばアルミナ基板
のようなセラミック基板5の下面の全面に、下部導体N
6を形成しである。Figure 10 shows an example of a distributed coupling type, which is a small, broadband directional coupler, and is an ink digit type distributed coupler with a high coupling degree of about -3 dB. A lower conductor N is placed on the entire lower surface of the ceramic substrate 5.
6 is formed.
セラミック基板5の上面には、長さがほぼ4分の1波長
の3条のストリップ導体?、9.8が、この順に並列し
、極めて近接して(例えば間隔が1乃至2μm)設けら
れている。On the top surface of the ceramic substrate 5 are three strip conductors each having a length of approximately 1/4 wavelength. , 9.8 are arranged in parallel in this order and very close to each other (for example, with an interval of 1 to 2 μm).
ストリップ導体7の一方の端末には、第1のポート、1
を接続して設け、第1のポート1に対角線上に位置する
ストリップ導体8の端末には、第4のポート4を接続し
て設けである。One end of the strip conductor 7 has a first port, 1
A fourth port 4 is connected to the terminal of the strip conductor 8 located diagonally to the first port 1.
またストリップ導体7とストリップ導体8の中間に設け
たストリップ導体9の第1のポート1に対向する端末に
は、第4のポート4に平行して第2のポート2を接続し
て設け、ストリップ導体9の他方の端末には、第4のポ
ート4に対向する端末には、第1のポート1に平行して
第3のポート3を接続して設けである。Further, a strip conductor 9 provided between the strip conductor 7 and the strip conductor 8 has a second port 2 connected to the end opposite the first port 1 in parallel to the fourth port 4, and At the other end of the conductor 9, a third port 3 is connected to the end opposite to the fourth port 4 in parallel to the first port 1.
このような回路は、セラミック基板5の全面にニクロム
膜、その上層に金膜を蒸着等して形成、フォトリソグラ
フィ手段により形成したものである。Such a circuit is formed by depositing a nichrome film on the entire surface of the ceramic substrate 5 and a gold film on top thereof, and then by photolithography.
゛そして、第1のポート1の近傍、及び第4のポート4
の近傍の2個所で、ストリップ導体9を跨ぐ金リボンの
ようなブリッジ線10をワイヤボンデング等して、スト
リップ導体7とストリップ導体8とを接続している。゛Then, the vicinity of the first port 1 and the fourth port 4
The strip conductor 7 and the strip conductor 8 are connected at two locations near the strip conductor 9 by wire bonding or the like with a bridge wire 10 such as a gold ribbon that spans the strip conductor 9.
上述のように結合されているので、例えば、第1のポー
トlよりの入力信号は、第2のポート2、及び第4のポ
ート4から出力され、第3のポート3からは、殆ど出射
しないという方向性を有する。Since they are coupled as described above, for example, an input signal from the first port l is output from the second port 2 and the fourth port 4, and almost no signal is emitted from the third port 3. It has this direction.
なお、第4のポート4からの入力信号を投入した場合に
は、第1のポート1と第3のポート3より出力されるこ
とは勿論である。Note that when an input signal is input from the fourth port 4, it is of course outputted from the first port 1 and the third port 3.
しかしながら上記従来例の方向性結合器は、結合度を大
きくするためには、比誘電率の高いセラミック基板を用
い、且つ、ストリップ導体を極めて近接して設けること
が必要である。However, in the conventional directional coupler described above, in order to increase the degree of coupling, it is necessary to use a ceramic substrate with a high dielectric constant and to provide strip conductors very close to each other.
このために、高価なセラミック基板を使用し、ストリッ
プ導体を加工工程が複雑な薄膜で形成することになり、
高コストであるという問題点がある。For this purpose, an expensive ceramic substrate is used and the strip conductor is formed with a thin film that requires a complicated processing process.
There is a problem that it is high cost.
上記従来の問題点を解決するため本発明は、誘電体基板
15上に形成され、一方の端末に第1のポート1が、他
方の端末に第3のポート3が形成された第1のストリッ
プ導体16と、第1のストリップ導体16に近接して平
行に形成され、一方の端末に第2のポート2が、他方の
端末に第4のポート4が形成された第2のストリップ導
体17と、短冊形の一方の側面に第1の導体層18が、
他方の側面に第2の導体層19が設けられ、第1の導体
層18が第1のストリップ導体16に、第2の導体層1
9が第2のストリップ導体17にそれぞれ接続するよう
に、誘電体基板15に搭載された短冊形誘電体基板20
とよりなる構造にしたものである。In order to solve the above conventional problems, the present invention provides a first strip formed on a dielectric substrate 15, having a first port 1 at one end and a third port 3 at the other end. a second strip conductor 17 formed adjacent to and parallel to the first strip conductor 16 and having a second port 2 formed at one end and a fourth port 4 formed at the other end; , a first conductor layer 18 on one side of the rectangular shape,
A second conductor layer 19 is provided on the other side, the first conductor layer 18 is connected to the first strip conductor 16, and the second conductor layer 1
A rectangular dielectric substrate 20 mounted on the dielectric substrate 15 such that the strip conductors 9 are connected to the second strip conductor 17 respectively
The structure is based on the following.
上記本発明の手段によれば、第1のストリップ導体16
と第2のストリップ導体17とは、それぞれ短冊形誘電
体基板20の両側面に形成された第1の導体層18.第
2の導体層19に接続されているので、ストリップ導体
間隔を比較的大きくしても、第1のストリップ導体16
と第2のストリップ導体17とは高い結合度で結合され
る。According to the above means of the present invention, the first strip conductor 16
and the second strip conductor 17 are the first conductor layer 18 . formed on both sides of the rectangular dielectric substrate 20 . Since the first strip conductor 16 is connected to the second conductor layer 19, even if the strip conductor spacing is relatively large, the first strip conductor 16
and the second strip conductor 17 are coupled with a high degree of coupling.
したがって、加工工程が複雑な薄膜で第1.第2のスト
リップ導体を形成する必要がなく、安価な他の手段、例
えば銅箔をエツチングして形成することができる。また
、誘電体基板15の比誘電率が低くても結合度に影響を
与えないので、低コストの加工の容易な誘電体基板を使
用することができる。Therefore, for thin films with complicated processing steps, the first There is no need to form the second strip conductor and it can be formed by other inexpensive means, such as etching copper foil. Further, even if the relative dielectric constant of the dielectric substrate 15 is low, it does not affect the degree of coupling, so a low-cost dielectric substrate that is easy to process can be used.
以下図示実施例により、本発明を具体的に説明する。な
お、企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。The present invention will be specifically explained below with reference to illustrated examples. Note that the same reference numerals refer to the same objects throughout the plan.
第1図は本発明の1実施例の斜視図であり、第2図は他
の実施例の斜視図、第3図は他の実施例に比誘電率が小
さく加工が容易で、安価な誘電体基板15の下面の全面
には、銅箔等で下部導体層6を設けである、
そして、誘電体基板15の上面には、長さがほぼλg/
4(λgは短冊形誘電体基板の誘電率によって定まる実
効波長)の第1のストリップ導体16が形成されている
。また、第1のストリップ導体16に近接(例えは間隔
が0.5m)L平行に、長さが等しい第2のストリップ
導体17が、形成されている。Fig. 1 is a perspective view of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of another embodiment, and Fig. 3 is a perspective view of another embodiment of the present invention. A lower conductor layer 6 made of copper foil or the like is provided on the entire lower surface of the dielectric substrate 15, and a conductor layer 6 having a length of approximately λg/ is provided on the upper surface of the dielectric substrate 15.
4 (λg is the effective wavelength determined by the dielectric constant of the rectangular dielectric substrate) first strip conductor 16 is formed. Further, a second strip conductor 17 having the same length is formed close to the first strip conductor 16 (for example, at a distance of 0.5 m) and parallel to the first strip conductor 16 .
第1のストリップ導体16の一方の端末には、第1のポ
ートlが直角に接続形成され、他方の端末には、第1の
ポート1に平行して第3のポート3がコの字形に接続形
成されている。A first port 1 is connected at right angles to one end of the first strip conductor 16, and a third port 3 is connected to the other end in a U-shape parallel to the first port 1. Connections are formed.
また、第1のポート1が設けられた端末に対向する第2
のストリップ導体17の端末には、第2のポート2が直
角に接続形成され、他方の端末には、第2のポート2に
平行してコの字形に、第4のポート4が接続形成されて
いる。In addition, a second port facing the terminal provided with the first port 1 is provided.
A second port 2 is connected at right angles to one end of the strip conductor 17, and a fourth port 4 is connected to the other end in a U-shape parallel to the second port 2. ing.
上述の回路パターンは、誘電体基板15の表面に形成さ
れた銅箔層をエツチングすることにより容易に形成する
ことができる。The above circuit pattern can be easily formed by etching a copper foil layer formed on the surface of the dielectric substrate 15.
20は所望の比誘電率を有し、所望の幅で、長さがλg
/4の細長い短冊形の誘電体基板である。20 has a desired dielectric constant, a desired width, and a length of λg.
It is an elongated rectangular dielectric substrate of /4.
短冊形誘電体基板20の長手方向の一方の側面の全面に
は、第1の導体層18が設けられ、第1の導体層18に
対向した他方の側面には第2の導体層19が設けられて
いる。A first conductor layer 18 is provided on the entire surface of one side surface in the longitudinal direction of the rectangular dielectric substrate 20, and a second conductor layer 19 is provided on the other side surface facing the first conductor layer 18. It is being
短冊形誘電体基板20は、第1の導体層18.第2の導
体1!i19が誘電体基板15に垂直で、第1のストリ
ップ導体16と第2のストリップ導体17に平行して、
跨るように誘電体基板15上に載せられ、第1の導体層
18が第1のストリップ導体16に、第2の導体層19
が第2のストリップ導体17にそれぞれ半田付は等され
て接続され、搭載されている。The rectangular dielectric substrate 20 has a first conductor layer 18 . Second conductor 1! i19 is perpendicular to the dielectric substrate 15 and parallel to the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17,
The first conductor layer 18 is placed on the dielectric substrate 15 so as to straddle the first strip conductor 16, and the second conductor layer 19
are connected to and mounted on the second strip conductor 17 by soldering, respectively.
上述のように、短冊形誘電体基板20の両側面に対向し
て形成された第1の導体Ji18.第2の導体層19に
、第1のストリップ導体16と第2のストリップ導体1
7がそれぞれ接続されているので、第1のストリップ導
体16と第2のストリップ導体17とを所望に高い結合
度(例えば−3dB)で結合することができる。As described above, the first conductors Ji18. The second conductor layer 19 has a first strip conductor 16 and a second strip conductor 1.
7 are connected to each other, the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17 can be coupled with a desired high degree of coupling (for example, -3 dB).
したがって、例えば、第1のポート1よりの入力信号は
、第3のポート3、及び第2のポート2から出力され、
第4のポート4からは、殆ど出射しないという方向性を
有する。Therefore, for example, an input signal from the first port 1 is output from the third port 3 and the second port 2,
The fourth port 4 has a directionality in which almost no light is emitted.
なお、第1.第2のストリップ導体の間隔は比較的大き
く、且つ余裕度があるので、安価な手段でエツチングし
て形成する゛ことができる。また、誘電体基板15の比
誘電率が低くても結合度に影響を与えないので、加工の
容易な誘電体基板を使用することができて低コストであ
る。In addition, 1. Since the spacing between the second strip conductors is relatively large and there is a margin, they can be formed by etching at low cost. Further, even if the relative permittivity of the dielectric substrate 15 is low, it does not affect the degree of coupling, so a dielectric substrate that is easy to process can be used, resulting in low cost.
第2図及び第3図のものは、第1のポート1よりの入力
信号を、第2のポート2、及び第4のポート4から出力
する方向性結合器である。The ones in FIGS. 2 and 3 are directional couplers that output an input signal from a first port 1 from a second port 2 and a fourth port 4. In FIG.
第2図において、誘電体基板15に平行して形成され第
1のストリップ導体16と第2のストリップ導体17は
、はぼ中央部で切断されて、第1のストリップ導体16
は第1のポート1側のストリップ導体16Aと、第3の
ポート3側のストリップ導体16Bに分離されている。In FIG. 2, the first strip conductor 16 and the second strip conductor 17, which are formed in parallel to the dielectric substrate 15, are cut at approximately the center to form the first strip conductor 16.
is separated into a strip conductor 16A on the first port 1 side and a strip conductor 16B on the third port 3 side.
また、第2のストリップ導体17は第2のポート2側の
ストリップ導体17Aと、第4のポート4例のストリッ
プ導体17Bに分離されている。Further, the second strip conductor 17 is separated into a strip conductor 17A on the second port 2 side and a strip conductor 17B on the fourth port 4 examples.
そして、ストリップ導体16Bとストリップ導体17A
とは、切断部を斜めに横断する接続導体パターン31で
接続されている。Then, the strip conductor 16B and the strip conductor 17A
and are connected by a connecting conductor pattern 31 that diagonally crosses the cut portion.
短冊形誘電体基板20の両面に形成された第1の導体層
18と第2の導体層19は、ともにほぼ中央部で切断さ
れ、第1の導体層18は第1のポート1側の導体Jif
18Aと第3のポート3側の導体層18Bに分離され、
第2の導体層19は、第2のポート2側の導体層19A
と第4のポート4側の導体層19Bに分離されている。The first conductor layer 18 and the second conductor layer 19 formed on both sides of the rectangular dielectric substrate 20 are both cut approximately at the center, and the first conductor layer 18 is a conductor on the first port 1 side. Jif
18A and a conductor layer 18B on the third port 3 side,
The second conductor layer 19 is a conductor layer 19A on the second port 2 side.
and a conductor layer 19B on the fourth port 4 side.
そして導体層18Aと導体層19Bとは、誘電体基板1
5に密着する側と反対側の上面の中央部を、斜めに横断
する接続導体パターン32によって接続されている。The conductor layer 18A and the conductor layer 19B are the dielectric substrate 1
The connection conductor pattern 32 diagonally crosses the center of the upper surface on the side opposite to the side in close contact with the connection conductor pattern 32.
したがって、例えば第1のポートlよ゛りの入力信号は
、第2のポート2、及び第4のポート4から出力され、
第3のポート3からは、殆ど出射しないという方向性を
有する。Therefore, for example, an input signal from the first port 1 is output from the second port 2 and the fourth port 4,
The third port 3 has a directionality in which almost no light is emitted.
第3図においては、短冊形誘電体基板20の一方の側面
に形成された第1の導体層18は、はぼ中央部が、側面
視で鍵形に切断されて導体層18Aと導体層18Bに分
離されている。In FIG. 3, the first conductor layer 18 formed on one side of the rectangular dielectric substrate 20 is cut into a key shape in a side view at approximately the center thereof to form a conductor layer 18A and a conductor layer 18B. It is separated into
また、他方の面に形成された第2の導体層19は、側面
視が第1の導体層18とは逆形の鍵形に切断されて、導
体層19Aと導体層19Bとに分離されている。Further, the second conductor layer 19 formed on the other surface is cut into a key shape that is opposite to the first conductor layer 18 when viewed from the side, and is separated into a conductor layer 19A and a conductor layer 19B. There is.
そして、導体層18Aと導体層19Bとは短冊形誘電体
基板20を貫通するスルーホール導体42で連結接続さ
れ、導体層18Bと導体Jli19Aとは、スルーホー
ル導体41で連結接続されている。The conductor layer 18A and the conductor layer 19B are connected by a through-hole conductor 42 penetrating the rectangular dielectric substrate 20, and the conductor layer 18B and the conductor Jli 19A are connected by a through-hole conductor 41.
このような短冊形誘電体基板20が搭載されるストリッ
プ導体は、第2図に示したように中央部が切断されてス
トリップ導体16A 、 16B及びストリップ導体1
7A 、 17Bが形成されたもので、第2図のものと
異なる点は、接続導体層31でストリップ導体16Bと
ストリップ導体17Aとが接続されていないことである
。The strip conductor on which such a rectangular dielectric substrate 20 is mounted is cut at the center to form the strip conductors 16A, 16B and the strip conductor 1, as shown in FIG.
7A and 17B are formed, and the difference from the one shown in FIG. 2 is that the strip conductor 16B and the strip conductor 17A are not connected by the connection conductor layer 31.
このような構造の方向性結合器もまた1、第2図のもの
と同様な方向性の機能を備えている。A directional coupler having such a structure also has a directional function similar to that shown in FIGS. 1 and 2.
以上説明したように本発明は、誘電体基板上(設けた並
設して設けた第1のストリップ導体と第2のストリップ
導体とを他の短冊形誘電体基板を介して結合したもので
、広帯域で、高結合の特性を有するばかりでなく、素材
の誘電体基板が安価で、加工が容易であり、且つストリ
ップ導体の加工が容易で低コストである等、実用上で優
れた効果がある。As explained above, the present invention combines a first strip conductor and a second strip conductor provided in parallel on a dielectric substrate via another rectangular dielectric substrate, It not only has broadband and high coupling characteristics, but also has excellent practical effects such as the dielectric substrate material is inexpensive and easy to process, and the strip conductor is easy to process and low cost. .
第1図は本発明の1実施例の斜視図、
第2図は他の実施例の斜視図、
第3図は他の実施例の短冊形誘電体基板の舒視図、
第4図は従来の方向性結合器の斜視図である。
図において、
■は第1のポート、 2は第2のポート、3は第3の
ポート、 4は第4のポート、5はセラミック基板、
6は下部導体層、15は誘電体基板、
16は第1のストリップ導体、
17は第2のストリップ導体、
1日は第1の導体層、
19は第2の導体層、
18A、 18B、 19^、19Bは導体層、20は
短冊形誘電体基板、
31.32は接続導体パターン、
41.42はスルーホール導体を示す。
第3閾
第4@Fig. 1 is a perspective view of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of another embodiment, Fig. 3 is a top view of a rectangular dielectric substrate of another embodiment, and Fig. 4 is a conventional one. FIG. 2 is a perspective view of a directional coupler of FIG. In the figure, ■ is the first port, 2 is the second port, 3 is the third port, 4 is the fourth port, 5 is the ceramic substrate,
6 is the lower conductor layer, 15 is the dielectric substrate, 16 is the first strip conductor, 17 is the second strip conductor, 1 is the first conductor layer, 19 is the second conductor layer, 18A, 18B, 19 ^, 19B is a conductor layer, 20 is a rectangular dielectric substrate, 31.32 is a connection conductor pattern, and 41.42 is a through-hole conductor. 3rd threshold 4th @
Claims (2)
ート(1)が、他方の端末に第3のポート(3)が形成
された第1のストリップ導体(16)と、該第1のスト
リップ導体(16)に近接して平行に形成され、一方の
端末に第2のポート(2)が、他方の端末に第4のポー
ト(4)が形成された第2のストリップ導体(17)と
、短冊形の一方の側面に第1の導体層(18)が、他方
の側面に第2の導体層(19)が設けられ、該第1の導
体層(18)が該第1のストリップ導体(16)に、該
第2の導体層(19)が該第2のストリップ導体(17
)にそれぞれ接続するよう、該誘電体基板(15)に搭
載された短冊形誘電体基板(20)とよりなることを特
徴とする方向性結合器。(1) A first strip conductor (16) formed on a dielectric substrate and having a first port (1) formed at one end and a third port (3) formed at the other end; a second strip conductor formed adjacent to and parallel to the first strip conductor (16) and having a second port (2) formed at one end and a fourth port (4) formed at the other end; (17), a first conductor layer (18) is provided on one side of the rectangular shape, a second conductor layer (19) is provided on the other side, and the first conductor layer (18) is provided with the first conductor layer (18) on the other side. The first strip conductor (16) has the second conductor layer (19) connected to the second strip conductor (17).
) A directional coupler comprising a rectangular dielectric substrate (20) mounted on the dielectric substrate (15) so as to be connected to the dielectric substrate (15).
、第2の導体層が、それぞれほぼ中央部で切断され、該
第1のポート側の第1のストリップ導体が直接、或いは
切断された導体層を介して該第4のポート側のストリッ
プ導体に、該第3のポート側の第1のストリップ導体が
直接、或いは切断された導体層を介して該第2のポート
側のストリップ導体に、それぞれ接続されてなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方向性結合器
。(2) the first and second strip conductors, and the first
, the second conductor layers are each cut approximately at the center, and the first strip conductor on the first port side connects directly or via the cut conductor layer to the strip conductor on the fourth port side. , the first strip conductor on the third port side is connected to the strip conductor on the second port side directly or through a cut conductor layer. The directional coupler according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139533A JPS62102A (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | Directional coupler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139533A JPS62102A (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | Directional coupler |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102A true JPS62102A (en) | 1987-01-06 |
| JPH0225281B2 JPH0225281B2 (en) | 1990-06-01 |
Family
ID=15247491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60139533A Granted JPS62102A (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | Directional coupler |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102A (en) |
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