JPH02253967A - サーマルプリントヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、基板上に成膜された、発熱ドツト部に通電す
るためのリードパターンであって、このリードパターン
にワイヤボンディング及び金メツキを可能にすることに
より信頼性を高めたサーマルプリントヘッドに関するも
のである。

〈従来の技術〉 従来この種のサーマルヘッドは、第２図に示すように、
基板（１）の上にグレーズ層（２）、抵抗体層（発熱部
）（３）、導体層（４）及び保護層（５）を順次積層し
て発熱ドツト部（６）を形成し、上記導体層（４）はこ
の発熱ドツト部（６）に通電するためのリードパターン
（４ａ）を形成する。

ところで、この種の電子部品におけるリードパターン（
４ａ）は、基板（１）上にスパッタまたは蒸着された中
純度（９９，９％以下、この程度の純度のアルミニウム
を３Ｎ（スリーナイン）−ＡＩという、）アルミニウム
薄膜、または高純度（９９，９９９％以下、この程度の
純度のアルミニウムを５Ｎ（ファイブナイン）−ＡＩと
いう、）アルミニウム薄膜に所定のエツチングを施して
形成される。

前者の３Ｎ−１！は、金メツキが可能で、この金メツキ
部分にワイヤボンディングが可能となる、そのため、ワ
イヤボンディングや半田被着が必要な部分（直付ＩＣや
フレキシブルケーブルなどとの接続部）のすべてに金メ
ツキを施して金メツキ層（８）を形成している。

後者の５　Ｎ−Ａｌは、高純度であることから熱圧着に
よって、金・アルミ共有結合会合の形成が可能であり、
信頼性の高いワイヤボンディングが可能である。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、前者の３Ｎ−ＡＩは、金メツキされたリ
ードパターン（４ａ）と外部回路（直付ｉＣやフレキシ
ブルケーブルなど）とのワイヤボンディングが可能であ
るとはいえ、均一な金メツキを施すことは非常に困難で
あり、また、金メツキにバラツキがあると、ワイヤボン
ディング強度にもバラツキを生じ、信頼性は完璧なもの
とはいえない問題点があった。

また、最近のプリントヘッドのドツト数の増大傾向を反
映して、リードパターンの微細化が進むと、金メツキの
構成長によってリードパターン間のショートが発生ずる
可能性が非常に大きくなり、また、リードパターンの微
細化によってワイヤボンディングが非常に困難になる問
題点があった。

更に、前音の３Ｎ−Ａｌは、金メツキは可能であっても
、熱圧着によるワイヤボンディングにおいては、接続強
度がでないという特質をもっており信頼性が低い。

後者の５Ｎ−ＡＩは、高純度であることから熱圧着によ
って信頼性の高いワイヤボンディングが可能であるが、
金メツキが不可能であるため、リードパターンの端子部
に外部回路（フレキシブルケーブルなど）接続のための
半田被着部を施せないという問題点がある。

この発明は、以上のような従来の課題を解決し、リード
パターンにワイヤボンディング及び金メツキを可能にす
ることにより信頼性を高めることを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 該目的を達成するための本発明は次の技術的手段を講じ
ている。

即ち、本発明は発熱ドツト部と、この発熱ドツト部に通
電するためのリードパターンとを基板上に備えるサーマ
ルプリントヘッドにおいて、上記リードパターンを、高
純度アルミニウムに、■族、ＩＢ族元素の中から選ばれ
た少なくとも一種以上の元素を、０．００１〜０　、１
　Ｗ’　ｔ％含有する薄膜から形成したことを特徴とす
るものである。

〈作用〉 この発明では、５　Ｎ−Ａ　１に金メツキが施せない理
由（即ち、金メツキは不純物を核として成長するもので
あるが、５Ｎ−１は高純度であるため、金メツキ成長の
ための核が少なすぎる。）に着目して、リードパターン
を５Ｎ−，１に■族、ＩＢ族元素の中から選ばれた少な
くとも一種以上の元素を０．００１〜．０．１Ｗｔ％含
有する薄膜から形成した。

即ち、上記リードパターンを形成する５Ｎ−Ａ１は、■
族、ＩＢ族元素の中から選ばれた少なくとも一種以上の
元素（不純物〉が存在し、上記した従来の中純度の３Ｎ
−Ａ１と高純度の５　Ｎ−ＡＮの中間的な性質を有する
。

従って、上記リードパターンは、これを形成する５Ｎ−
Ａ（中の不純物を核として金メツキが成長するから、金
メツキを施すことが可能となり、かつ、従来の中純度の
３　Ｎ−Ａ１よりは高純度であることから熱圧着によっ
て、金・アルミ共有結き合金の形成が可能であり、信頼
性の高いワイヤボンディングが可能となる。

〈実施例〉 以下本発明の実施例について第１図に基づいて説明する
。

図中、第２図の従来例と同等部分には同一の符号を付し
、その詳細な説明は省略する。

（１，）は基板、り２）はグレーズ層、＜３）は抵抗体
層く発熱部）、（４）は導体層、＜５）は保護層、（６
）は発熱ドツト部、（４ａ）はリードパターンである。

上記リードパターン（４ａ）は次のようにして形成され
る。

ガラス製のグレーズ層（２）を形成した基板（１）の表
面全面にＴａｚＮ（窒化タンタル）などからなる抵抗体
層（３）を蒸着する。この抵抗体層＜３）の表面全面に
、５Ｎ−／ｌに■族、ＩＢ族元素の中から選ばれた少な
くとも一種以上の元素を０．００１〜０．１Ｗｔ％ドー
プしたターゲットを用いてスパッタリングして、５Ｎ−
ＡＩに■族、ＩＢ族元素の中から選ばれた少なくとも一
種以上の元素（不純物（〕））をｏ、ｏｏｉ〜０．１Ｗ
ｔ％含有する導体層（４）を形成する。

■族、ＩＢ族元素としてはニッケル（Ｎ　ｉ　）、鉄（
Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓ　ｉ　）などが
ある。

次に、エツチング手法により、導体層（４）及び抵抗体
Ｎ（３）のパターン抜きを行って、所定のリードパター
ン（４ａ）を形成し、また、必要に応じて、図示のよう
にＩＣｌ０を直付するボンディング部（１３）を形成す
る。

そして、このリードパターン（４ａ）のうち、ワイヤボ
ンディングや半田被着が必要な部分（ボンディング部〈
１３）やフレキシブルケーブルなどを接続するための端
子部（１２））を残して保護層（５）を形成する。

リードパターン（４ａ）のフレキシブルケーブルなどを
接続するための端子部〈１２）には金メツキを施して金
メツキ層（８）を形成し、その表面に半田被着（９）を
施す。

上記ボンディング部（１３）にはＩＣｌ０のボンディン
グを行うとともに、ワイヤボンディングによりＩＣｌ０
とリードパターン（４ａ）との間を金ワイヤ（１１）に
より接続する。

以上本発明の代表的と思われる実施例について説明した
が、本発明は必ずしもこれらの実施例構造のみに限定さ
れるものではなく、本発明にいう構成要件を備え、かつ
本発明にいう目的を達成し、以下にいう効果を有する範
囲内において適宜改変して実施することができるもので
ある。

〈発明の効果〉 以上の説明から既に明らかなように本発明は、リードパ
ターンは■族、ＩＢ族元素の中から選ばれた少なくとも
一種以上の元素（不純物）が存在する５Ｎ−ＡＩから形
成され、上記した従来の中純度３Ｎ−ＡＩと高純度の５
Ｎ−、ｌ！の中間的な性質を有するから、金メツキを施
すことが可能となり、かつ、従来の中純度３Ｎ−Ａ１よ
りは高純度であることから熱圧着によるワイヤボンディ
ングが可能となる。

従って、リードパターンが微細で、金メツキによりリー
ドパターン間のショートが発生する可能性が非常に大き
なワイヤボンディング部では、金メツキを施すことなく
、熱圧着によるワイヤボンディングを行うことができ、
また、リードパターンの端子部には金メツキ、半田被着
を施すことにより、外部回路との接続が容易かつ確実と
なり、信頼性の高いサーマルプリントヘッドを提供出来
る効果がある。

代表的な実施例の構造を示す断面図、第２図は従来のサ
ーマルプリントヘッドの構造を示す断面図である。

図中り１）は基板、（４ａ）はリードパターン、（６）
は発熱ドツト部である。

【図面の簡単な説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　発熱ドット部と、この発熱ドット部に通電するため
   のリードパターンとを基板上に備えるサーマルプリント
   ヘッドにおいて、上記リードパターンを、高純度アルミ
   ニウムに、VIII族、 I Ｂ族元素の中から選ばれた少な
   くとも一種以上の元素を、０．００１〜０．１Ｗｔ％含
   有する薄膜から形成したことを特徴とするサーマルプリ
   ントヘッド。