JPH0225425B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0225425B2 JPH0225425B2 JP59131720A JP13172084A JPH0225425B2 JP H0225425 B2 JPH0225425 B2 JP H0225425B2 JP 59131720 A JP59131720 A JP 59131720A JP 13172084 A JP13172084 A JP 13172084A JP H0225425 B2 JPH0225425 B2 JP H0225425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- vapor
- container
- compound vapor
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ａ 産業上の利用分野
本発明は半導体製造工程で使用されるマスクリ
ペア装置等のパターン膜形成装置において、真空
中でパターン膜形成位置に化合物蒸気を局所的に
供給するための化合物蒸気吹付け装置に関するも
のである。
ペア装置等のパターン膜形成装置において、真空
中でパターン膜形成位置に化合物蒸気を局所的に
供給するための化合物蒸気吹付け装置に関するも
のである。
ｂ 従来の技術
化合物蒸気の存在する雰囲気内でサンプルの所
定位置に荷電粒子ビームまたはレーザービームを
照射し、照射位置にパターン膜を形成する方法は
現在、例えばマスクリペア装置として注目されて
いる。ところで化合物蒸気をサンプルの所定位置
に供給する方法としては、使用する化合物の飽和
蒸気圧がパターン膜形成装置の圧力と比較して充
分に高い場合には、例えば理化学研究所第15回シ
ンボジウム「イオン注入とサブミクロン加工」
（1984）121−124に述べられている。すなわち第
２図ａに示すように化合物１は容器２の内部に収
納されており、化合物蒸気は容器２からパイプ
３、バリアブルリークバルブ４を通して照射室５
に導入される。照射室５の内部にはサンプル６が
置かれており、照射室５に化合物蒸気る送り込む
ことによつてサンプル６の所定位置に化合物蒸気
を供給している。このときの供給量の調節は、バ
リアブルリークバルブ４のリーク量を調節するこ
とによつて行なう。尚、７は荷電粒子ビーム等を
入射させるための孔である。また、使用する化合
物の飽和蒸気圧が低い場合には、例えば新実験化
学講座２、丸善371−379に述べられているような
ヌツセンセルが使用される。すなわち第２図ｂに
示すように、化合物１を収納したヌツセンセル８
の外周部にはヒーター９が設けられており、この
ヒーター９によつて加熱されて蒸発した化合物は
オリフイス１０を通して噴出される。尚、ヌツセ
ンセル８には熱電対１１が設けられており、温度
コントローラを通して加熱温度を調節できるよう
になつている。そして、加熱温度によつて噴出さ
せる化合物蒸気の量をコントロールしている。
定位置に荷電粒子ビームまたはレーザービームを
照射し、照射位置にパターン膜を形成する方法は
現在、例えばマスクリペア装置として注目されて
いる。ところで化合物蒸気をサンプルの所定位置
に供給する方法としては、使用する化合物の飽和
蒸気圧がパターン膜形成装置の圧力と比較して充
分に高い場合には、例えば理化学研究所第15回シ
ンボジウム「イオン注入とサブミクロン加工」
（1984）121−124に述べられている。すなわち第
２図ａに示すように化合物１は容器２の内部に収
納されており、化合物蒸気は容器２からパイプ
３、バリアブルリークバルブ４を通して照射室５
に導入される。照射室５の内部にはサンプル６が
置かれており、照射室５に化合物蒸気る送り込む
ことによつてサンプル６の所定位置に化合物蒸気
を供給している。このときの供給量の調節は、バ
リアブルリークバルブ４のリーク量を調節するこ
とによつて行なう。尚、７は荷電粒子ビーム等を
入射させるための孔である。また、使用する化合
物の飽和蒸気圧が低い場合には、例えば新実験化
学講座２、丸善371−379に述べられているような
ヌツセンセルが使用される。すなわち第２図ｂに
示すように、化合物１を収納したヌツセンセル８
の外周部にはヒーター９が設けられており、この
ヒーター９によつて加熱されて蒸発した化合物は
オリフイス１０を通して噴出される。尚、ヌツセ
ンセル８には熱電対１１が設けられており、温度
コントローラを通して加熱温度を調節できるよう
になつている。そして、加熱温度によつて噴出さ
せる化合物蒸気の量をコントロールしている。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
第２図ａで説明した方法においては、化合物蒸
気の飽和蒸気圧が照射室の圧力と比較して充分に
高い条件でのみ成立する。化合物の蒸気圧が低い
場合にはパイプ３、バリアブルリークバルブ４ま
たは照射室５の内壁に化合物が析出すること及び
コンダクタンスのために化合物供給量の調節が困
難になる。また第２図ｂで説明した方法において
は、オリフイス１０から噴出される化合物蒸気
は、指向性を持たず広い範囲にわたる。ところで
パターン膜の形成を行なうために荷電粒子ビーム
等を照射する領域は１×１mm以下である。このた
め、荷電粒子ビーム等を照射する領域以外に噴出
された化合物蒸気は、無駄になるばかりでなく
様々の不都合が生じる原因となる。すなわち例え
ば、不必要な場所に付着した化合物の影響によつ
てパターン膜を形成する箇所に供給する化合物蒸
気量が時間と供に変化してしまうこと、又は、イ
オンビーム等の荷電粒子ビームを使用する場合に
は荷電粒子ビーム系に化合物が付着して系の劣化
をひき起こすことである。
気の飽和蒸気圧が照射室の圧力と比較して充分に
高い条件でのみ成立する。化合物の蒸気圧が低い
場合にはパイプ３、バリアブルリークバルブ４ま
たは照射室５の内壁に化合物が析出すること及び
コンダクタンスのために化合物供給量の調節が困
難になる。また第２図ｂで説明した方法において
は、オリフイス１０から噴出される化合物蒸気
は、指向性を持たず広い範囲にわたる。ところで
パターン膜の形成を行なうために荷電粒子ビーム
等を照射する領域は１×１mm以下である。このた
め、荷電粒子ビーム等を照射する領域以外に噴出
された化合物蒸気は、無駄になるばかりでなく
様々の不都合が生じる原因となる。すなわち例え
ば、不必要な場所に付着した化合物の影響によつ
てパターン膜を形成する箇所に供給する化合物蒸
気量が時間と供に変化してしまうこと、又は、イ
オンビーム等の荷電粒子ビームを使用する場合に
は荷電粒子ビーム系に化合物が付着して系の劣化
をひき起こすことである。
本発明は、真空中において化合物蒸気を所定位
置に供給する場合における上記の問題点を解決す
るものである。
置に供給する場合における上記の問題点を解決す
るものである。
ｄ 問題点を解決しようとする手段
真空中において、化合物を収納するための筒を
なす容器と、前記容器内に設けられた化合物収納
孔および化合物蒸気案内孔と、前記容器内に前記
化合物収納孔と前記化合物蒸気案内孔との接続を
開状態または閉状態にするためのバルブ体と、前
記容器を保持するための保持体と、前記保持体に
取付けられた前記バルブ体を作動させるための駆
動体と、前記容器内に設けられると共に前記化合
物蒸気案内孔に連結された細管状のノズルと、前
記容器の外周面に設けられたヒーターによつて構
成された手段である。
なす容器と、前記容器内に設けられた化合物収納
孔および化合物蒸気案内孔と、前記容器内に前記
化合物収納孔と前記化合物蒸気案内孔との接続を
開状態または閉状態にするためのバルブ体と、前
記容器を保持するための保持体と、前記保持体に
取付けられた前記バルブ体を作動させるための駆
動体と、前記容器内に設けられると共に前記化合
物蒸気案内孔に連結された細管状のノズルと、前
記容器の外周面に設けられたヒーターによつて構
成された手段である。
ｅ 作 用
前記ヒーターにより前記容器を加熱することに
より、収納された前記化合物を蒸気化させて、前
記バルブ体が開状態の時に前記化合物蒸気案内孔
およびノズルを経てビーム状に噴出させるように
した化合物蒸気吹付け装置であり、化合物蒸気の
噴出強度は前記ヒーターの加熱温度によつて調節
できるものである。
より、収納された前記化合物を蒸気化させて、前
記バルブ体が開状態の時に前記化合物蒸気案内孔
およびノズルを経てビーム状に噴出させるように
した化合物蒸気吹付け装置であり、化合物蒸気の
噴出強度は前記ヒーターの加熱温度によつて調節
できるものである。
ｆ 実施例
以下、図面に従つて本発明の実施例を説明す
る。第１図において、１２は容器で化合物１を内
部に収納している。１３は化合物蒸気案内孔、１
４はプランジヤーである。バルブ体は化合物蒸気
案内孔１３の端面とプランジヤー１４によつて構
成されており、第１図のように化合物蒸気案内孔
１３とプランジヤー１４が密着しているときにバ
ルブ体は閉状態で、プランジヤー１４が軸方向に
移動して化合物蒸気案内孔１３の端面との間にす
きまを生じたときにはバルブ体は開状態である。
尚、プランジヤー１４の移動は、シリンダ１５が
ロツド１６を介して行なう。ここでシリンダ１５
の保持は、保持体１７がシリンダ取付板１８を介
して行なう。１９は弁受けで、バルブ体が閉状態
のときに化合物１は容器１２の内部に密閉される
構造となつている。２０はシール部材、２１はＯ
リングで、第１図中の容器１２側を真空に、シリ
ンダ１５側を大気に仕切つている。２２は細管状
のノズルで、化合物１の蒸気をビーム状に噴出さ
せるためのものである。２３はヒーター線で、化
合物１を均一に加熱するために、容器１２の全体
にかかつている。２４は熱電対で、容器１２の温
度を検出する。２５はフイードスルーで、ヒータ
ー線２３及び熱電対２４の端子を真空容器から外
にとり出して温度コントローラ（図示せず）に接
続する。２６は絶縁体でフイードスルー２５を保
持体１７から絶縁させている。２７は真空容器、
２８はＯリングである。そして第１図中向かつて
左下側を真空容器内部とする。次に第１図で説明
した化合物蒸気吹付け装置の使用例について説明
する。真空容器２７の内部の圧力は１×
10-5Torr以下、化合物１をフエナントレンとす
る。また例えば、容器１２が80℃に加熱されると
容器１２の内部の圧力はフエナントレソ蒸気によ
つて0.16Torr程度になる。このときバルプ体を
開くとフエナントレン蒸気はノズル２２を通して
細いビーム状に噴出されたが、ビームの広がり及
び噴出量はOlander and KrugerのJ.APPl.
Phys.41（1970）2769−2776に述べられているよう
に、ノズルの径及び長さによつて決まる。
る。第１図において、１２は容器で化合物１を内
部に収納している。１３は化合物蒸気案内孔、１
４はプランジヤーである。バルブ体は化合物蒸気
案内孔１３の端面とプランジヤー１４によつて構
成されており、第１図のように化合物蒸気案内孔
１３とプランジヤー１４が密着しているときにバ
ルブ体は閉状態で、プランジヤー１４が軸方向に
移動して化合物蒸気案内孔１３の端面との間にす
きまを生じたときにはバルブ体は開状態である。
尚、プランジヤー１４の移動は、シリンダ１５が
ロツド１６を介して行なう。ここでシリンダ１５
の保持は、保持体１７がシリンダ取付板１８を介
して行なう。１９は弁受けで、バルブ体が閉状態
のときに化合物１は容器１２の内部に密閉される
構造となつている。２０はシール部材、２１はＯ
リングで、第１図中の容器１２側を真空に、シリ
ンダ１５側を大気に仕切つている。２２は細管状
のノズルで、化合物１の蒸気をビーム状に噴出さ
せるためのものである。２３はヒーター線で、化
合物１を均一に加熱するために、容器１２の全体
にかかつている。２４は熱電対で、容器１２の温
度を検出する。２５はフイードスルーで、ヒータ
ー線２３及び熱電対２４の端子を真空容器から外
にとり出して温度コントローラ（図示せず）に接
続する。２６は絶縁体でフイードスルー２５を保
持体１７から絶縁させている。２７は真空容器、
２８はＯリングである。そして第１図中向かつて
左下側を真空容器内部とする。次に第１図で説明
した化合物蒸気吹付け装置の使用例について説明
する。真空容器２７の内部の圧力は１×
10-5Torr以下、化合物１をフエナントレンとす
る。また例えば、容器１２が80℃に加熱されると
容器１２の内部の圧力はフエナントレソ蒸気によ
つて0.16Torr程度になる。このときバルプ体を
開くとフエナントレン蒸気はノズル２２を通して
細いビーム状に噴出されたが、ビームの広がり及
び噴出量はOlander and KrugerのJ.APPl.
Phys.41（1970）2769−2776に述べられているよう
に、ノズルの径及び長さによつて決まる。
ｇ 発明の効果
以上、説明してきたように本発明の化合物蒸気
吹付け装置を使用すると、蒸気圧の低い化合物蒸
気を局所的に吹付けるため、不必要な箇所を過剰
に汚染することがなくなる。また、化合物蒸気の
吹付け量を容易に制御できる点も大きな特徴とな
つている。
吹付け装置を使用すると、蒸気圧の低い化合物蒸
気を局所的に吹付けるため、不必要な箇所を過剰
に汚染することがなくなる。また、化合物蒸気の
吹付け量を容易に制御できる点も大きな特徴とな
つている。
第１図は本発明の化合物蒸気吹付け装置の実施
例を示す図、第２図ａ，ｂは従来技術による化合
物蒸気を所定位置に供給する手段を示す図であ
る。 １……化合物、２……容器、３……パイプ、４
……バイアブルリークバルブ、５……照射室、６
……サンプル、７……孔、８……ヌツセンセル、
９……ヒータ、１０……オリフイス、１１……熱
電対、１２……容器、１３……化合物蒸気案内
孔、１４……プランジヤー、１５……シリンダ、
１６……ロツド、１７……保持体、１８……シリ
ンダ取付板、１９……弁受け、２０……シール部
材、２１……Ｏリング、２２……ノズル、２３…
…ヒーター線、２４……熱電対、２５……フイー
ドスルー、２６……絶縁体、２７……真空容器、
２８……Ｏリング。
例を示す図、第２図ａ，ｂは従来技術による化合
物蒸気を所定位置に供給する手段を示す図であ
る。 １……化合物、２……容器、３……パイプ、４
……バイアブルリークバルブ、５……照射室、６
……サンプル、７……孔、８……ヌツセンセル、
９……ヒータ、１０……オリフイス、１１……熱
電対、１２……容器、１３……化合物蒸気案内
孔、１４……プランジヤー、１５……シリンダ、
１６……ロツド、１７……保持体、１８……シリ
ンダ取付板、１９……弁受け、２０……シール部
材、２１……Ｏリング、２２……ノズル、２３…
…ヒーター線、２４……熱電対、２５……フイー
ドスルー、２６……絶縁体、２７……真空容器、
２８……Ｏリング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 化合物蒸気の存在する雰囲気内でサンプルの
所定位置に荷電粒子ビーム照射によりパターン膜
を形成する装置において、大気と遮断して化合物
を収納するための容器と、前記化合物を加熱し蒸
気化合物とするヒータと、 前記化合物蒸気を前記容器より外部へ導く化合
物蒸気案内孔と、前記化合物蒸気案内孔に連結さ
れた細管状のノズルと、前記ノズルと前記容器の
接続を流体的に開状態または閉状態にするための
バルブ体よりなり、 前記ヒータにて前記容器を加熱することによ
り、収納された前記化合物を蒸気化させて、前記
バルブ体が開状態の時に前記化合物蒸気案内孔お
よびノズルを経てビーム状に噴出させるように構
成したことを特徴とする化合物蒸気吹付け装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131720A JPS6112864A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 化合物蒸気吹付け装置 |
| DE8585903053T DE3579236D1 (de) | 1984-06-26 | 1985-06-21 | Reparatur von masken. |
| EP85903053A EP0221184B1 (en) | 1984-06-26 | 1985-06-21 | Mask repairing apparatus |
| PCT/JP1985/000349 WO1986000426A1 (fr) | 1984-06-26 | 1985-06-21 | Dispositif de reparation de masques |
| US07/227,469 US4930439A (en) | 1984-06-26 | 1988-08-02 | Mask-repairing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131720A JPS6112864A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 化合物蒸気吹付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112864A JPS6112864A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0225425B2 true JPH0225425B2 (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=15064624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131720A Granted JPS6112864A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 化合物蒸気吹付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0544819U (ja) * | 1991-10-18 | 1993-06-15 | 小岩金網株式会社 | 屋外用収納箱 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59131720A patent/JPS6112864A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0544819U (ja) * | 1991-10-18 | 1993-06-15 | 小岩金網株式会社 | 屋外用収納箱 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6112864A (ja) | 1986-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3334054B2 (ja) | 主に無機物質のプラズマ補助堆積による不活性又は不浸透性内部表面を有する中空容器 | |
| US5435850A (en) | Gas injection system | |
| US5827786A (en) | Charged particle deposition of electrically insulating films | |
| EP2187709B1 (en) | Vapor emission device, organic thin-film vapor deposition apparatus and method of organic thin-film vapor deposition | |
| JP6647202B2 (ja) | 堆積アレンジメント、堆積装置、及びこれらの操作方法 | |
| KR101323249B1 (ko) | 초전도 선재 제조장치 및 제조방법 | |
| JP3962349B2 (ja) | 気相有機物の蒸着方法とこれを利用した気相有機物の蒸着装置 | |
| JPH0225425B2 (ja) | ||
| JP2004514063A (ja) | 液体原材料を気相にしてｃｖｄ反応室へ供給する装置及び方法 | |
| JP2004508460A (ja) | 表面へ管を通して気体または液体を供給する装置、その管のセットおよびその方法 | |
| US2762722A (en) | Method and apparatus for coating by thermal evaporation | |
| JPH0112263Y2 (ja) | ||
| JPS646506Y2 (ja) | ||
| JPH0458434B2 (ja) | ||
| KR100471358B1 (ko) | 유기 전자 발광층의 증착 장치 | |
| JPS646505Y2 (ja) | ||
| KR20060035308A (ko) | 유기 박막 증착 공정용 증발원 연속 공급장치 | |
| KR0144917B1 (ko) | 하향분사가 가능한 소오스 구조를 이용한 이온빔 증착방법 및 그 장치 | |
| WO1986000426A1 (fr) | Dispositif de reparation de masques | |
| US5170032A (en) | Radiation manufacturing apparatus and amendment | |
| JP4965774B2 (ja) | 樹脂蒸着ユニットおよび成膜装置 | |
| JPS6319857B2 (ja) | ||
| JP2943076B2 (ja) | バブリング機構とこれを含む表面処理装置 | |
| WO2015159428A1 (ja) | ラインソース | |
| KR20030059708A (ko) | 세슘 공급 장치 및 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |