JPS646505Y2 - - Google Patents

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JPS646505Y2
JPS646505Y2 JP1984149955U JP14995584U JPS646505Y2 JP S646505 Y2 JPS646505 Y2 JP S646505Y2 JP 1984149955 U JP1984149955 U JP 1984149955U JP 14995584 U JP14995584 U JP 14995584U JP S646505 Y2 JPS646505 Y2 JP S646505Y2
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compound
compound vapor
container
heater
mask repair
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Description

【考案の詳細な説明】 a 産業上の利用分野 本考案は半導体装置の製造工程のなかで必要と
されるマスクおよびレチクルの欠陥修正装置に装
着される化合物蒸気吹付け装置に関するものであ
る。
b 従来の技術 化合物蒸気の存在する雰囲気内でサンプルの所
定位置にイオンビームを照射し、照射位置にパタ
ーン膜を形成する方法は現在、例えばマスクリペ
ア装置として注目されている。ところで化合物蒸
気をサンプルの所定位置に供給する方法として
は、例えば新実験化学講座2、丸善371−379に述
べられているようなヌツセンセルが使用される。
すなわち第5図に示すように、化合物1を収納し
たヌツセンセル2の外周部にはヒーター3が設け
られており、このヒーター3によつて加熱されて
蒸発した化合物はオリフイス4を通して噴出され
る。尚、ヌツセンセル2には熱電対5が設けられ
ており、温度コントローラを通して加熱温度を調
節できるようになつている。そして、加熱温度に
よつて噴出させる化合物蒸気の量をコントロール
している。
c 考案が解決しようとする問題点 第5図で説明した方法においては、オリフイス
4から噴出される化合物蒸気は、指向性を持たず
広い範囲にわたる。ところでパターン膜の形成を
行なうためにイオンビームを照射する領域は1×
1mm以下である。このため、イオンビームを照射
する領域以外に噴出された化合物蒸気は、無駄に
なるばかりでなく様々の不都合が生じる原因とな
る。すなわち例えば、不必要な場所に付着した化
合物の影響によつてパターン膜を形成する箇所に
供給する化合物蒸気量が時間と共に変化してしま
うこと、又は、イオン源に化合物が付着して系の
劣化をひき起こすことである。
本考案は、真空中において化合物蒸気を所定位
置に供給する場合における上記の問題点を解決す
るものである。
d 問題点を解決するための手段 本考案は上記問題点を解決するために、マスク
およびレチクルの白点欠陥位置にイオンビーム照
射および化合物蒸気吹付けによつて炭化膜等のパ
ターン膜を形成させるマスクリペア装置に用いら
れる化合物蒸気吹付け装置において化合物を収納
するための筒状をなす容器と、前記容器内に設け
られた化合物収納孔および化合物蒸気案内孔と、
前記容器内に形成されると共に前記化合物蒸気案
内孔に連結された細管状のノズルと、前記化合物
収納孔と前記ノズルとの連絡を開状態または閉状
態とするためのバルブ体と、前記容器を保持する
ための保持体と、前記バルブ体を作動させるため
に前記保持体に設けられた駆動体と、前記容器の
外周に設けられた外部磁場無発生型ヒーターから
なる化合物蒸気吹付け装置の構成としたものであ
る。
e 作用 前記ヒーターにより前記容器を加熱することに
より、収納された前記化合物を蒸気化させて、前
記バルブ体が開状態の時に前記化合物蒸気案内孔
およびノズルを経てビーム状に噴出させるように
した化合物蒸気吹付け装置であり、化合物蒸気の
噴出強度は前記ヒーターの加熱温度によつて調節
できるものである。
さらに本考案によるマスクリペア装置用化合物
蒸気吹付け装置は、前記ヒーターに通電して前記
容器を加熱した時に、前記ノズル近傍に発生する
磁場を充分弱くしイオンビームが悪響を受けるの
を防止することができる。
f 実施例 以下図面に従つて本考案によるマスクリペア装
置用化合物蒸気吹付け装置を説明する。
真空中で、マスクおよびレチクルの白点欠陥位
置に化合物蒸気を吹付けながらイオンビームを照
射し、白点欠陥位置に付着した化合物を分解また
は化合させて炭化膜等のパターン膜を形成させる
マスクリペア装置において、化合物蒸気吹付け装
置は、例えば第1図に示されるようなものであ
る。すなわち6は化合物で容器7の内部の化合物
収納孔に収納されている。尚、フオトマスクの白
点欠陥を修正する場合においては、化合物種とし
てイオンビーム照射により炭化またはポリマー化
するピレンやフエナントレン等が使用される。ま
た8は化合物蒸気案内孔、9はプランジヤーであ
る。プランジヤー9はロツド10を介して駆動体
25によつて軸方向に移動できる構造となつてお
り、化合物蒸気案内孔8の端面とプランジヤー9
が密着している時にはバルブ体が閉状態で、化合
物蒸気案内孔8の端面とプランジヤー9が離れて
いる時にはバルブ体が開状態である。11はヒー
ター線で容器7を加熱する。そして加熱によつて
蒸発した化合物6の蒸気はバルブ体が開状態のと
きに化合物蒸気案内孔8及びノズル12を通して
細いビーム状に噴出される。また、13は熱電
対、14は弁受け、15は保持体である。以上の
系は真空中に置かれている。すなわち16は真空
容器で第1図中向かつて左下側が真空、右上側が
大気である。また17はOリングで真空をシール
している。18はフイードスルーで、真空中のヒ
ーター11および熱電対13と大気中の温度コン
トローラを接続するためのものである。ここで化
合物蒸気の吹付け強度はヒーター11による加熱
温度によつて調節する。尚、イオンビーム、マス
クおよび化合物蒸気発生装置の位置関係は第2図
に示すようなものである。すなわち19はマスク
またはレチクル、20はイオンビーム、21は化
合物蒸気吹付け装置のノズル近傍および22は化
合物蒸気吹付け装置から噴出された化合物分子、
23はパターン膜形成位置である。
第2図に示した化合物蒸気吹付け装置のノズル
先端とパターン膜形成位置23との距離は短い程
良い。なぜならば、前記ノズル先端とパターン膜
形成位置との距離が長いと、噴出される化合物分
子22は拡がりのために不必要な場所にも吹付け
られる。この不必要な化合物分子はパターン膜形
成に無駄になるばかりでなく様々の不都合が生じ
る原因となる。すなわち例えば、マスクリペア装
置内の前記化合物の分圧が時間と共に変化してイ
オン源の短寿命化をひき起こす事である。ところ
で第3図に示したヒーター線の巻き方では、ノズ
ル先端とパターン膜形成位置との距離を充分短く
することができない。なぜならば、ヒーター線1
1に通電して容器7を加熱すると、ノズル近傍に
磁場が生じてイオンビーム20の軌道が乱され
て、所定の形状のパターン膜形成ができなくなつ
てしまうからである。そこで本考案においてはヒ
ータを外部磁場無発型とした。第4図aはヒータ
ー線11を無誘導巻きにした実施例で、容器7に
巻かれたヒーター線11はノズル位置近傍でUタ
ーンするように巻かれている。このため、ヒータ
ー線11に通電する時電流はUターン前と後とで
は容器7に対して反対まわりに流れるために、磁
場は生じない。第1図bもヒーター線を無誘導巻
きにした実施例で、容器7は第1図で説明したも
のと同等で、11は2芯または4芯のシース型ヒ
ーター線である。第1図bの例では、シース線は
容器7のノズル近傍で巻き終わつているが、シー
ス線内部の電熱素線はシース線終点でUターンし
ているため、実質上第4図aの例と同等で磁場は
生じない。また、ヒーター線11の加工の都合
上、第4図aの無誘導巻きが困難な場合には、第
4図cに示すヒーター線の巻き方でも通電時に発
生する磁場は充分に弱いものであつた。すなわ
ち、容器7の中程ではヒーター線11は無誘導巻
きであるが、ノズル位置近傍の数巻きは通常の巻
き方である。第4図dはヒーター線の外周部に磁
気遮蔽体を装着した実施例で、容器7およびヒー
ター線11はこれまでに説明したものと同等で、
これらの外周部に筒状の磁気遮蔽体24を装着し
ている。ここで磁気遮蔽体24の材質としては
PB,PC,PD,PE等の鉄ニツケル磁性合金が適
当であつた。
g 以上説明してきたように、本考案のマスクリ
ペア装置用化合物蒸気吹付け装置によると、蒸
気圧の低い化合物蒸気を局所的に吹付けるた
め、不必要な箇所を過剰に汚染することがなく
なる。また、化合物蒸気の吹付け量を容易に制
御できる点も大きな特徴となつている。
又ヒーター線に通電する時に生じるノズル近
傍の磁場を充分弱くすることができるためにパ
ターン膜形成の形状を乱す事なくノズル先端と
パターン膜形成位置を充分近づけることができ
る。その結果、イオン源の長寿命化すなわちマ
スクリペア装置のメインテナンスを著しく軽減
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案のマスクリペア装置用化合物吹
付け装置の全体装置を示す図である。第2図はイ
オンビーム、マスクおよび化合物蒸気吹付け装置
の位置関係を示す図、第3図は参考例としてのヒ
ーター線の巻き方を示す図である。第4図a,
b,c,dは本考案のマスクリペア装置用化合物
吹付け装置の実施例を示す図である。第5図は従
来のマスクリペア装置用化合物蒸気吹付け装置で
ある。 6…化合物、7…容器、8…化合物蒸気案内
孔、9…プランジヤー、10…ロツド、11…ヒ
ータ、12…ノズル、15…保持体。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) マスクおよびレチクルの白点欠陥位置にイオ
    ンビーム照射および化合物蒸気吹付けによつて
    炭化膜等のパターン膜を形成させるマスクリペ
    ア装置に用いられる化合物蒸気吹付け装置にお
    いて、化合物を収納するための簡状をなす容器
    と、前記容器内に設けられた化合物収納孔およ
    び化合物蒸気案内孔と、前記容器内に形成され
    ると共に前記化合物蒸気案内孔に連結された細
    管状のノズルと、前記化合物収納孔と前記ノズ
    ルとの連絡を開状態または閉状態とするための
    バルブ体と、前記容器を保持するための保持体
    と、前記バルブ体を作割させるために前記保持
    体に設けられた駆動体と、前記容器の外周に設
    けられた外部磁場無発生型ヒーターからなるこ
    とを特徴とするマスクリペア装置用化合物蒸気
    吹付け装置。 (2) 実用新案登録請求の範囲第1項記載のマスク
    リペア装置用化合物蒸気吹付け装置において、
    前記外部磁界無発生型ヒータは無誘導巻のヒー
    タ線であることを特徴とするマスクリペア装置
    用化合物蒸気吹付け装置。 (3) 実用新案登録請求の範囲第1項記載のマスク
    リペア装置用化合物蒸気吹付け装置において、
    前記外部磁界無発生型ヒータはヒータ線とその
    外周に装着された磁気遮蔽体よりなることを特
    徴とするマスクリペア装置用化合物蒸気吹付け
    装置。
JP1984149955U 1984-10-03 1984-10-03 Expired JPS646505Y2 (ja)

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JPS6166350U JPS6166350U (ja) 1986-05-07
JPS646505Y2 true JPS646505Y2 (ja) 1989-02-20

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