JPH02257453A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明を以下の項目に従って説明する。

Ａ、産業上の利用分野・・・・・・・・・す、３Ｂ６発
明の概要・・・・・・・・・・・・・・　４Ｃ０従来の
技術 Ｃ＋、まえがき・・・・・・・・・・・・・・　４Ｃｔ
、マーク形成の原理（第５図）・・・・・６Ｃｓ、再生
の原理（第６図及び第７図）・・・　８Ｃ４先願発明（
２層膜オーバーライト）の説明Ｑ　・　−・　・　・　
・　・　・　・ｌＩＣ，クラス１についての原理の詳細
説明・・３２Ｃ，クラス２についての原理の詳細説明・
・４００７クラス３についての原理の詳細説明・・４７
Ｃ，クラス４についての原理の詳細説明・φ５４Ｃ，ク
ラス５についての原理の詳細説明・・６０Ｃ９゜クラス
６についての原理の詳細説明・・６６Ｃ，クラス７につ
いての原理の詳細説明・・７２Ｃａｔクラス８について
の原理の詳細説明ψ・７８ＣＩ　１クラス９についての
原理の詳細説明−拳８６Ｄ１発明が解決しようとする課
題・・・・・ｐ、９２Ｅ０課題を解決する為の手段・・
・・・・・・９４Ｆ１作用・・・・・・・・・・・・・
・・・９４Ｇ、実施例 Ｇ１．実施例（第１図及び第２図）・・・・・９５Ｇ７
．比較例（第３図及び第４図）・・・・・９７Ｈ０効果
・・・・・・・・・・・・・・・・９８Ａ、　　（産業
上の利用分野〕 本発明は、オーバーライト可能な光磁気記録方法及びそ
れに使用される装置に関する記録、特にピットポジショ
ン記録方法及びそれに使用される装置に関する。

Ｂ、　　Ｃ発明の概要〕 オーバーライト可能な光磁気、ピットポジション記録方
法において、レーザビームの強度をピット形成時に低レ
ベルとし、ピット形成時以外を高レベルとすることによ
り、消し残りが生じず、Ｓ／Ｎ比の良い再生　信号が得
られる。

Ｃ，（従来の技術〕 旦二里人だ皇 最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を使用した後、消去することができ、新たな
情報を記録することができるというユニークな利点のた
めに、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ４ａｙｅｒ　ｏｒ　１ａ
ｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルファ
スのＧｄＦｅやＧｄＣｏ５ＧｄＦｅＣｏ１ＴｂＦｅ５Ｔ
ｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層は一般に
同心円状又は螺旋状のトラックを成しており、このトラ
ックの上に情報が記録される。ここで、本明細書では、
膜面に対し［上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又は「下向き
（ｄｏｗｎｗａｒｄ）Ｊの何れか一方を、ＦＡ向き」、
他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき情報は、予
め２値化されており、この情報が「Ａ向き」の磁化を有
するマーク（Ｂ　＋）と、「逆Ａ向き」の磁化を有する
マーク（Ｂ１１）の２つの信号で記録される。これらの
マークＢｌ、Ｂ＠は、デジタル信号の１．　　Ｏの何れ
か一方と他方にそれぞれ相当する。

しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記録前
に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向き」
に揃えられる。この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚ
ｅ）と呼ばれる。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化
を有するマーク（Ｂ、）を形成する。情報は、このマー
ク（Ｂ１）の有無及び／又はマーク長によって記録され
る。

Ｃ，マーク〉　の　理 マークの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録再生層に直径が１μｍ以下のマークを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０１マーク／　ｃｒｌまでの記録密度を達成す
ることができる。何故ならば、レーザビームはその波長
とほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで
凝縮（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することが出来るから
である。

第５図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層１の上に絞りこみ、それを加熱す
る。その間、初期化された向きとは反対の向きの記録磁
界Ｈｂを加熱された部分に外部から印加する。そうする
と局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｅ（ｃｏｅｒｓｉ
ｖｉｔｙ）は減少し記録磁界Ｈｂより小さくなる。その
結果、その部分の磁化は、記録磁界Ｈｂの向きに並ぶ。

こうして逆に磁化されたマークが形成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少する保磁力Ｈｃを有し、この現象に基づいて記録
が実行される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み
）と引用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点Ｔｃより低い補償温
度Ｔｃ、Ｉｌｐ（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐ
ｅｒａｔｕｒｅ）を有しており、そこでは磁化（Ｍ）は
ゼロになる。

逆にこの温度付近で保磁力Ｈｃが非常に大きくなり、そ
の温度から外れると保磁力Ｈｅが急激に低下する。この
低下した保磁力Ｈｃは、比較的弱い記録磁界Ｈｂによっ
て打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。この記
録プロセスはＴ　ｃ　ｏ□書込み（補償点書込み）と呼
ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下した保磁力Ｈｃを有する磁性材料
に対し、その低下した保磁力Ｈｅを打ち負かせる記録磁
界Ｈｂを印加すれば、記録は可能である。

旦ム再生旦原旦 第６図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光り、に変換され、そして記録層１に照射されたとき
、光はその表面で反射されるか又は記録層１を透過する
。このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転す
る。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又
は磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザ（偏光子）の
軸を一〇に度傾けた面に垂直にセットしておくと、「逆
Ａ向き」に磁化されたマーク７（Ｂｅ）から反射された
光はアナライザを透過することができない。それに対し
てｒＡ向き」に磁化されたマーク（Ｂ１）から反射され
た光は、（ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナライザー
を透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲される
。その結果、「Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ　＋）
は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ、）よりも明る
く見え、ディテクタに於いて強い電気信号を発生させる
。このディテクタからの電気信号は、記録された情報に
従って変調されるので、情報が再生されるのである。

ところで、従来、キュリー点Ｔｃが低（て記録が容易で
、しかも保磁力Ｈｅが高くて保存安定性が高く、その上
θｋが大きくて再生（読み出し）時のＣ／Ｎ比が高い１
つの磁性材料を見い出すことは困難で、そのため必要な
機能を分離して２つの異なる磁性材料を積層した多層光
磁気記録媒体が提案された（特開昭５７−７８６５２号
）。

この記録媒体は、第７図に示すように、垂直磁化可能な
低キユリー点を有する高保磁力層と、垂直磁化可能な高
キュリー点を有する低保磁力層との２層膜からなり、該
高保磁力層と低保磁力層とは互いに交換結合しているも
のである。そのため、低キユリー点を有する高保磁力層
で情報の記録と保存を行ない、記録された情報は低保磁
力層に転写されるので、高キュリー点を有しかつθにの
大きな低保磁力層で情報の読み出しを行なうのである。

その後、第１層を記録層、第２層を記録補助層とし、両
層の交換結合力σ、と、キュリー点Ｔｃ。

保磁力Ｈｅの違いを利用した光変調だけによるオーバー
ライト可能な多層光磁気記録媒体が発明され、特許出願
された（特開昭６２−１７５９４８号）。

以下、この出願を「先願」と引用する。尚、先願明細書
では交換結合力σ、を界面磁壁エネルギーと称している
。

Ｃ２願発　（２層膜オーバーライト）の説先願発明のオ
ーバーライトは、光だけを変調し、記録磁界は変調しな
い。磁界を高速度で変調させることは困難である。つま
り、記録に使用するレーザービームは、記録すべき情報
に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は
、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値
化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既
知の手段である。例えばＴＨＥ　ＩＩＩＥＬＬ　ＳＹＳ
ＴＥＭＴＥＣ）ＩＮＩｃＡＬ　ＪＯＵＲＮＡＬ、　Ｖｏ
ｌ、６２（１９８３）、　１９２３−１９３６に詳しく
記載されている。

先願発明のオーバーライトで特徴的なことの１つは、ビ
ーム強度の高レベルと低レベルである。

即ち、ビーム強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈｂによ
り記録補助層（第２層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き
」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）させ、この第２層の「逆Ａ
向き」磁化によって記録層（第１層）に「逆Ａ向き」磁
化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマークを形成する。

ビーム強度が低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向き」
磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ
向き」磁化〕を有するマークを形成する。ビームは［近
接した２本のビーム」とし、先行ビームを低レベルで点
灯して原則として変調せず、それにより常に逆Ａ向き〔
又は「Ａ向き」〕のマークを形成し、つまり、これで前
の情報が消去される−次いで、後行ビームを高レベルと
前記低レベルと同等又はそれよりも低い基底レベル（ゼ
ロレベルを含む）との間で情報に従いパルス変調するこ
とにより、高レベルのときにのみＡ向き〔又は「逆Ａ向
き」〕のマークを形成し、これにより記録することをし
てもよい。

ビーム強度 いずれにせよ、必要な高レベルと低レベルと場合により
基底レベルが与えられれば、前述の文献等に記載された
変調手段を部分的に修正するだけで、ビーム強度を上記
の如く変調することは、当業者にとって容易である。

尚、ここでは、「Ａ向き」は、磁性層に対して上向き又
は下向きの何れか一方を意味し、他方は「逆Ａ向き」と
称される。

また、ここでは、　　　　又は△△△　という表現は、
先に〔〕の外の○○○を読んだときには、以下の００℃
［Ｗｌｔ、！ｈ６△〕のときにも、〔〕の外の○Ｏ○を
読むことにする。それに対して先に○○○を読まずに〔
〕内の△△△の方を選択して読んだときには、以下のＱ
ＱΩニス旦△Δ△〕のときにも○○○を読まずに〔〕内
の△△△を読むものとする。

このようにオーバーライト可能な媒体は、垂直磁気異方
性を有する少なくとも２層の磁性層からなり、第１層が
記録層で第２層が記録補助層からなる。

媒体は、第１実施態様と第２実施態様とに大別される。

いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層構造を
有し、この構造は次のように分けられる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保
磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。いず
れも垂直磁化膜からなる。

なお、第１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成
されていてもよい。

第１実施態様では、第１層の保磁力をＨＣＩ、第２層の
それをＨｃ！、第１層のキュリー点をＴＣＩ、第２層の
それをＴｃ１、室温をＴＲ１低レベルのレーザービーム
を照射した時の記録媒体の温度をＴＬ、高レベルのレー
ザービームを照射した時のそれをＴＨ％第１層が受ける
結合磁界をＨＤ＋、第２層が受ける結合磁界をＨＤ、と
した場合、記録媒体は、下記の式１を満足し、そして室
温で式２〜５を満足する。

ＴつくＴｃｌ郊Ｔｔ＜Ｔｃ伶ぽ□・・・・・−・・・・
−・・・・・・・・式ｌＨｃ＋＞Ｈｃｔ　＋　ｌＨｏ＋
苓ＨＤ、Ｉ・・・・・・−・・・・・−・・・・・・・
・・式２Ｈｃ　＋　＞　Ｈｏ　＋　　−・−−−−−−
−−−−−−−−”’−−”’式３Ｈａｔ＞Ｈｏｔ・・
・・−・−・・・・・・・−・・・・・・・・・・・・
・・−・・・・・・・・−・−・−・・・・・・・−・
式４Ｈｃｘ＋Ｈｏｔ＜　　１）Ｉｉｎｉ、　ｌ　　＜Ｈ
ｃｔ±ＨＤＩ・・・−・°・式５上記式中、符号「鏝」
は、等しいか又はほぼ等しいことを表す。また上記式中
、複合上、王については、上段が後述するＡ　（ａｎｔ
ｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段
は後述するＰＣｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合
である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
、）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向き
は反転せずに第２層の磁化のみが反転する。そこで、記
録前に媒体に初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）を印加すると
、第２層のみをｒＡ向き」ここでは「Ａ向き」を便宜的
に本明細書紙面において上向きの矢？で示し、「逆Ａ向
き」を下向きの矢８で示す　　　　　に磁化させること
ができる。そして、Ｈｉｎｉ、がゼロになっても、式４
により、第２層の磁化？は再反転せずにそのまま保持さ
れる。

初期補助磁界（Ｈｉｎｔ、）により第２層のみが、記録
直前まで「Ａ向き」？に磁化されている状態を概念的４
こ表すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き１は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の表
を簡単のために、次のように表す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴｏに上昇させる。するとＴ。

はキュリー点Ｔ’ｃ＋より高温度なので第１層の磁化は
消失してしまう。更に、Ｔ）Ｉはキュリー点Ｔ’ｃｔ付
近なので第２層の磁化も全く又はほぼ消失する。

ここで、媒体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き
Ｊの記録磁界Ｈｂを印加する。記録磁界Ｈｂは、媒体自
身からの浮遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「
逆Ａ向き」の記録磁界Ｈｂを印加したとする。媒体は移
動しているので、照射された部分は、レーザービームか
ら直ぐに遠ざかり、空気で冷却される。Ｈｂの存在下で
、媒体の温度が低下すると、第２層の磁化は、Ｈｂに従
い、反転されて「逆Ａ向き」の磁化となる（状態２Ｍ）
。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度力（Ｔｃｌより少
し下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁
気的結合（交換結合）力のため：こ、第１層の磁化の向
きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、
媒体に応じて８　（Ｐタイプの媒体の場合）又は？　（
Ａタイプの媒体の場合）この高レベルのレーザービーム
による状態の変イヒをここでは高温サイクルと呼ぶこと
；こする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュ１ノー点Ｔｃ＋付近なの
で第１層の磁化は全く又は＋ｚｓｔｔ肖失してしまうが
、キュリー点Ｔｃはりは低温であるので第２層の磁化は
消失しない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、ＭＣＩはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザビームから直ぐに遠
ざかり、空気で冷却される。

冷却が進むと、再び第１層の磁化が現れる。現れる磁化
の向きは、磁気的結合力のために第２層の磁化の向きの
影響を受ける。その結果、媒体によって？　（Ｐタイプ
の場合）又は８　（Ａタイプの場合）の磁化が出現する
。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化？又は８を有するマークが形成される。つ
まり、レーザビームを情報に従い高レベル（高温サイク
ル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に変
調することによりオーバーライトが可能となる。

旦ヱイプ盗体ｐｊ金 ΔＬ歪ズ脈休体璽金 なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（マーク）
は、１回転する間に再びＨｉｎｉ、の作用を受け、その
結果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」省に揃えられる。

しかし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及ぶ
ことはなく、そのため記録された情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。

このような第１層及び第２層を構成する垂直磁化膜は、
■補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及
びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方
を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群
から選択される。

以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の説
明である。それに対して第２実施態様は室温より高い所
定の温度に於いて低下したＨｅをを利用するものである
。第２実施態様は、第１実施態様に於けるＴＣＩの代わ
りに第１層が第２層に磁気結合される温度ＴＳＩを使用
し、Ｔｃｔの代わりに第２層がＨｂで反転する温度Ｔｓ
ｔを使用すれば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力をＨＣＩ　Ｎ第２層
のそれを）（ｃｔ、第１層が第２層に磁気的に結合され
る温度をＴｌｌとし、第２層の磁化がＨｂで反転する温
度をＴ。、室温をＴＲｓ低レベルのレーザビームを照射
した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーザービーム
を照射した時のそれをＴＨｓ第１層が受ける結合磁界を
ＨＣｌ、第２層が受ける結合磁界をＨ８２とした場合、
記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜１０
を満足するものである。

Ｔ　ｔ＋　＜　Ｔ　＊　＋、ＴＬ　＜　Ｔ　ｓ　ｚ郊Ｔ
　ＨＨｃ　ｌ＞　Ｈｃ　ｒ　＋　　Ｈｏ　ｌ＋　Ｈｏ　
２ＨＣＩ＞ＨＤ ＨＣｌ＞ＨＣｌ Ｈｃｔ＋Ｈｏ＊＜　　Ｈｉｎｉ、　　　＜Ｈｃ・・・・
・−・・−式６ ・−・−・・・−・−・・・・・式７ 式８ 式９ ±ＨＤＩ−・−・・−・式１０ 上記式中、複合上、＋：については、上段が後述するＡ
　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合で
あり、下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプ
の媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が遷
移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧ
ｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙその他）合金組成から選択された非
晶質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）−重希土類金
属・（ｈｅａｖｙｒａｒｅ　　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａ
ｌ）合金組成から選択された場合には、各合金としての
外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移
金属原子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の
向き及び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す
）のスピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えば
ＴＭのスピンの向き及び大きさを点線のベクトル↑で表
わし、ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、
合金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル
？で表す。このとき、ベクトル？はベクトル↑とベクト
ル↑との和として表わされる。ただし、合金の中では７
ＭスピンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル↑
とベクトル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って
、↓と↑との和或いは↓と↑との和は、両者の強度が等
しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れ
る磁化の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの
合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔ　ｉｏｎｃｏ
ｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し
、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有
するベクトル（０又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑↓は？と
なり、↑↓は８となる。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、７Ｍリッチな組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、媒体全
体としては、種類を次の４象限に分類することができる
。先に述べたＰタイプは■象限と■象限に属するもので
あり、Ａタイプは■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ （第１層） ７Ｍリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕第１層
と第２層の補償温度の有無について分類すると、媒体は
４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は、４つ全
部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、「保磁
力と温度との関係を表すグラフ」を書（と、次の通りに
なる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は第２層
のそれである。

一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ
ー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔ、、、、、）と呼ばれる。

補償温度は、７Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

タイプｌ 保磁力 タイプ２ 保磁力 タイプ４ 保磁力 タイプ３ 保磁力 ここで、第１層と第２層の両方につい−ＬＲＥリッチか
７Ｍリッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないか
で分けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

第１表 第　１　表　（続き） Ｃ，クラス１についての原理の説 ここで第１表に示したクラスｌの記録媒体（Ｐタイプ・
■象限・タイプ１）に属する特定の媒体Ｎα１を例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。こ
の媒体Ｎα１は、次式１１：％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。

室温Ｔｅｌで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式１２
である。この媒体Ｎα１は式１２を満足する。

式１２： ％式％ 但し、ＨＣＩ　：第１層の保磁力 ＨＣ２：第２屓の保磁力 Ｍｓ、：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏ
ｎ）Ｍｓ□：第２眉の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー（交換結合力）（ｉｎｔｅｒ
ｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）このとき、旧
ｎｉ、の条件式は、式１５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１３
〜１４で示される。この媒体Ｎα１は式１３〜１４を満
足する。

２Ｍ５２ｔ＊ 式１５： 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑Ｊ）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１）
。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザビームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｅｌ
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｈ）。

２Ｍｓ＋ｊ さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴｃｏｈｐ、２より少し高い温度に
なったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（↑↓→↑↓）。そのた
め、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化にな
る（状態３ｏ）。

しかし、この温度ではＨ（２がまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、Ｔ）ｌになると、第２層の温度はほぼキ
ュリー点ＴＣ２となり、その磁化も消失する（状態４゜
）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴ。２より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって？し↑）の磁化が生
じる（状態５Ｈ）。しかし、温度はまだＴ　ｃ　Ｉより
高いので第１層には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔｅａ＋ｎｐ、２以
下になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転するし↑→↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、合から「逆Ａ向き
」８になる（状態６）Ｉ）。

この状態６．では媒体の温度はＴ。１より高いので第り
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨＣＺは大きいので第２層の磁化８は、↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴＣＩより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）
を揃えるように働く。そして、第１層の温度はＴ　ｃ　
ｅ□３，１以上なので７Ｍスピンの方が大きく、そのた
め第１層には↓↑っまり今の磁化が出現する。この状態
が状態７□である。

されることなく、状態８１１が保持される。こうして、
「逆Ａ向き」のマーク形成が完了する。

低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状
態２Ｌ）。

媒体の温度がこの状態７Ｈのときの温度から更に低下し
て、Ｔ　ｅ　ａ□１以下になると、第１層のＲＥスピン
と７Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　↓↑
→↓↑　）。その結果、８の磁化が出現する（状態８８
）。

そして、やがて媒体の温度は状態８゜のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨｃｌは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転この状態２Ｌに於い
てレーザービームのスポット領域から外れると、媒体温
度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）、ＴＭ
スピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち８の磁化が記録磁界↑
Ｈｂに打ち勝って出現する（状態３Ｌ）。この状態の温
度はＴ９゜□１以上なので７Ｍスピンの方が大きい。

媒体温度が更にＴｃｏｎｐ、１以下に冷えると高温サイ
クルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小
関係が逆転する（　↑↓→↑↓　）。その結果、第１層
の磁化は今となる（状態４Ｌ）。

Ｃ，クラス２についての原理の説 次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体Ｎα２を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα２は、次式１６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」？のマーク形成が完了する。

室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、
式１７である。この媒体Ｎα２は式１７を満足する。

式１７： ％式％ ただし、Ｈ６１：第１層の保磁力 Ｈｏ：第２層の保磁力 Ｍｓ＋：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｓ＊　：第２層の飽和磁気モーメントｔ１　：第１層
の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式２０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１８
〜１９で示される。この媒体Ｎα２は式１８〜１９を満
足する。

２Ｍｓ＊ｊｔ 式２０： 室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑↓）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）
。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２ｏ）
。

２Ｍｓ＋ｊ さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ２゜□１．．より少し高い温度に
なったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（↑↓→↑↓）。そのた
め、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化に
なる（状態３□）。

しかし、この温度ではＨｃｔがまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、ＴＨになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点Ｔ’ｃｉとなり、その磁化は消失する（状態４□
）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｅ３より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって？し↑）の磁化が生
じる。しかし、温度はまだＴ。１より高いので第１層に
は磁化は現れない。この状態が状態５Ｎである。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔ　ｅ　６゜、２以
下になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（↓↑→↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転して？から「逆Ａ向き
」８になる（状態６イ）。

この状態６Ｈでは媒体の温度はＴＣＩより高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨｃｇは大きいので第２層の磁化が↑Ｈｂで反転する
ことはない。

そして、更に温度が低下してＴ　ｃ　＋より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように働く。そのため第１層には↓↑つまり
８の磁化が出現する。この状態が状態７Ｈである。

そして、やがて媒体の温度は状態７Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
態７）ｌが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のマー
ク形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状
態２Ｌ）。

この状態２Ｌに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ。１より少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）、ＴＭ
スピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち？の磁化が出現する（
状態３Ｌ）。

この状態３Ｌは媒体温度が更に低下しても変化がない。

その結果、第１層には、「Ａ向き」のマークが形成され
る。

０７クラス３についての原理の説 次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体Ｎα３を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα３は、次式２１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

により反転せずに第２眉のみが反転する条件は、式２２
である。この媒体Ｎα３は式２２を満足する。

式２２： ％式％ ただし、ＨＣＩ　：第１層の保磁力 ）１ｃｔ　：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｓｔ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σＷ：界面磁壁エネルギー 室温ＴＩＩで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式２５で示される。

Ｈｉｎｔ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２３
〜２４で示される。この媒体Ｎα３は式２３〜２４を満
足する。

２Ｍｓ＋ｔ＋ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えばｒＡ向き」？（１番）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
）。

この状態１は記録直前・まで保持される。ここでは、記
録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ　
ｃ　＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２
Ｍ）。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴ８となると
、ＴＨは第２層のＴ６！にほぼ等しいので、その磁化も
消失する（状態３１（）。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴ　ｃ　ｔより少し下がると、第２層に磁
化が生じる。この場合、↓Ｈｂによって＆（↓↑）の磁
化が生じる。しかし、温度はまだＴｅｌより高いので第
１層には磁化は現れない。この状態が状態４Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴＣＩより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同
士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働く。

この場合、媒体温度はまだＴ。。□１以上にあるので、
７Ｍスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（↓↑）。

その結果、第２層には？の磁化が出現する（状態５Ｍ）
。

この状態５□の温度から、媒体温度が更に低下してＴ６
゜□１以下になると、第１層の７ＭスピンとＲＥスピン
の強度の大小関係が逆転する（↓↑→↓↑）。そのため
、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化になる
（状態６．４）。

そして、やがて媒体の温度は状態６．ｌのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいの
で第１層の磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のマーク形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨ，！は大きいので、
その磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（状態
２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（↑）、ＴＭス
ピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち８の磁化が出現する。

この場合、温度はＴ　ｃ　ｏ□、１以上なので７Ｍスピ
ンの方が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴ６゜０．１以下に冷えると高温サイク
ルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関
係が逆転する（　↑↓→↑↓　）。その結果、第１層の
磁化は↓Ｈｂに打ち勝って？となる（状態４Ｌ）。

Ｃ，クラス４についての　理の 次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα４を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα４は、次式２６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、ｒＡ向き」？のマーク形成が完了する。

室温Ｔ１１で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７
である。この媒体Ｎ（Ｌ４は式２７を満足する。

式３０： ただし、Ｈｃ、　：第１層の保磁力 ＨＣ！　：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ５１：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　ｚ第１層の膜厚 ｔｔ　：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３０で示される。

Ｈｉｎｔ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２８
〜２９で示される。この媒体Ｎａ４は式２８〜２９を満
足する。

２Ｍｓ＋ｔ＋ Ｍｓｉｔｚ 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えばｒＡ向き」？（↑↓）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は第１層のキュリー点Ｔ’
ｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２１
４）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴｏにな
ると、第２層の温度ＴＨはキュリー点ＴＣ２にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状態３．である。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように働く。そのため第１層には↓↑つまり
８の磁化が出現する。この状態が状態５□である。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ！より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓↑）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴｅｌより高いので第１層
には磁化が現れない。この状態が状態４日である。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ６１は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のマーク形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌを越えているので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈｃｚはまだ十分に大きいので、第２層の
磁化？は↓Ｈｂで反転することはない。この状態が状態
２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ。ｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

ＴＭスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり交換結合力はＲＥスピン同士（
↑）　、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く。そ
の結果、第１層には、↑↓即ち？の磁化が↓Ｈｂに打ち
勝って出現する。この状態が状態３Ｌである。

Ｃ，クラス５についての原理の説 次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体Ｎα５を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα５は次式３１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向きｊ省のマーク形成が完了する。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２
である。この媒体Ｎα５は式３２を満足する。

式３２ｚ 式３５： ただし、ＨＣＩ　：第１層の保磁力 ＨＣ！　：第２層の保磁力 Ｍｓｌ：第１層の飽和磁気モーメント ＭＨ：第２層の飽和磁気モーメント ｔｌ　：第１層の膜厚 ｔ８　：第２層の膜厚 σＶ　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３３
〜３４で示される。この媒体Ｎα５は式３３〜３４を満
足する。

室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えばｒＡ向き」？（↓↑）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ
）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｅ
ｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２□）
。

さらにビームの照射が続くと、媒体の温度がＴＨとなる
と、ＴＨはＴ。２にほぼ等しいので、第２層の磁化も消
失する（状態３Ｈ）。

を揃える力が働く。この場合、媒体温度はまだＴ。。１
２．１以上にあるので、７Ｍスピンの方がＲＥスピンよ
り大きくなる（↑↓）。その結果、第２層には８の磁化
が出現する（状態５Ｍ）。

この状態３１（においてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ！より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓）（ｂのために８（↑↓）の磁
化が出現する。しかし、温度はＴ。１より高いので第１
層には磁化が現れない。この状態が状態４、である。

この状態５Ｈの温度から、媒体温度が更に低下してＴｃ
ｏａ＋ｐ、１以下になると、第１層の７ＭスピンとＲＥ
スピンの強度の大小関係が逆転する（↑↓→↑↓）。そ
のため、第１層の磁化が反転し、「Ａ向き」？の磁化に
なる（状態６ｏ）。

更に、媒体温度が低下してＴＣＩより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により層１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士
（↑）、ＴＭスピン同士（↓）そして、やがて媒体の温
度は状態６Ｈのときの温度から室温まで低下する。室温
でのＨｅｌは十分に大きいので第１層の磁化は安定に保
持される。

こうして、「Ａ向き」のマーク形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｃ！は大きいので、
第２層の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（
状態２Ｌ）。

媒体温度が更にＴｅａ＋ｎｐ、１以下に冷えると高温サ
イクルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大
小関係が逆転する（　↓↑→↓↑　）。その結果、第１
層の磁化は８となる（状態４Ｌ）。

この状態２Ｌでビームの照射が終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第
２層のＲＥ、７Ｍスピン（ル↑）の影響が交換結合力に
より第１層の各スピンに及ぶ。

つまりＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を
揃える力が働く。その結果、第１層には、↓↑即ち？の
磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。

この場合、温度はＴ　ｃ　ｏ□、５以上なので７Ｍスピ
ンの方が大きくなる（状態３Ｌ）。

この状態４．は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のマーク形成が完了する
。

ＣＩＯクラス６についての原理の説 次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα６を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα６は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ＊　　　　　　　Ｔｃ＋　　　　　　Ｔｃ！ＴＬ　　
　　　ＴＨ 式３７である。この媒体Ｎα６は式３７を満足する。

式３７： ただし、）Ｉｃ＋　：第１層の保磁力 ）ｉｃｔ　：第２層の保磁力 Ｍ５１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｓ＊　：第２層の飽和磁気モーメントｔ１　：第１層
の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式４０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３８
〜３９で示される。この媒体ＮαＧは式３８〜３９を満
足する。

室温ＴＩで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、２Ｍｓ
＊ｉｇ 式４０： 室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？シ↑）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１）
。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、第２層の温度ＴＨはＴＣｌにほぼ等しいので、そ
の磁化も消失する。これが状態３．４である。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ）は↓の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
ｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｈ）
。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴＣｌより少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑↓）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴｅｌより高いので第１層
には磁化が現れない。この状態が状態４Ｈである。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃｌより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（↓
）を揃えるように働く。そのため第１層には↑↓つまり
？の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態が状
態５゜である。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」？のマーク形成が完了する。

ることはない。この状態が状態２Ｌである。

この状態２．においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃｔより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（、↑）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、
ＴＭスピン同士（？）を揃えるように働く。その結果、
層１には、↓↑即ち８の磁化が出現する。この状態が状
態３してある。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈｃ　ｔはまだ十分に大きいので、第２層
の磁化？は↓Ｈｂで反転すこの状態３Ｌは媒体温度が室
温まで下がっても保持される。その結果、「逆Ａ向き」
８のマーク形成が完了する。

Ｃ１ｌクラス７についての　理の説日 次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα７を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

２Ｍｓ＊ｊｉ ２Ｍｓ＋ｉ＋ ただし、ＨＣＩ　：第１層の保磁力 ＨＣ！　：第２層の保磁力 Ｍ３．；第１層の飽和磁気モーメント ＭＳ！：第２層の飽和磁気モーメント ｔｌ　；第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σＷ　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｍｉｎｉ、の条件式は、式４５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２眉の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４３
〜４４で示される。この媒体Ｎα７は式４３〜４４を満
足する。

室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２眉のみが反転する条件は、式４２
である。この媒体Ｎα７は式４２を満足する。

式４５： 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↓↑）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）
。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度Ｔ、はキュリー点ＴＣ２にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状態３□である。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔｔ、は第１層のキュリー点Ｔ
ＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２１
（）。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度が’Ｉ’ｃｇより少し下がると、第２層の磁
化が出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑↓）の
磁化が出現する。しかし、温度はまだＴＣＩより高いの
で第１層には磁化が現れない。この状態が状態４゜であ
る。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔ’ｃ＋より少し下が
ると、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↑↓
）からの交換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピ
ン同士（↓）を揃えるように働く。そのため第１層には
↑↓つまり８の磁化が出現する。この状態が状態５Ｈで
ある。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」各のマーク形成が完了する。

に大きいので、第２層の磁化？は↓Ｈｂで反転すること
はない。この状態が状態２．である。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低゛下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ、Ｔ
Ｍスピン（↓↑）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、Ｔ
Ｍスピン同士（↑）を揃えるように働く。その結果、第
１層には、１↑即ち？の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現
する。この状態が状態３Ｌである。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、ＨＣＩはまだ十分この状態３Ｌは媒体温度
が室温まで下がっても保持される。その結果、「Ａ向き
」？のマーク形成が完了する。

ＣＩ２クラス８についての　理の説 次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体Ｎｏ８を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα８は、次式４６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

式４７： ただし、ＨＣＩ　：第１層の保磁力 ＨＣ２：第２層の保磁力 Ｍｓｌ：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳ！：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１眉の膜厚 Ｉ２　：第２層の膜厚 σＷ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４８
〜４９で示される。この媒体Ｎα８は式４８〜４９を満
足する。

室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界ｔ（ｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は式４７で
ある。この媒体Ｎα８は室温で式４７を満足する。

２Ｍｓ＋ｔ Ｍｓｔｔｔ 式５０： 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」會（↑↓）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）
。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴｃｏｍｐ、２
より少したかくなると、ＲＥスピン（↑）及び１Ｍスピ
ン（↓）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転す
る（↑↓　−↑↓）。その結果、第２層の磁化は反転し
て「逆Ａ向き」８となる。この状態が状態３．である。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ。

１にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２８）
。

しかし、この温度ではＩ（ｃｔがまだ大きいので、第２
層の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度が更に上昇
してＴ、になったとする。すると、ＴＨはＴｃ！にほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する（状態４．）。

この状態４ＨにおいてレーザービーＡＯ：、、、ｔニッ
ト領域から外れると、媒体温度は低下を始メう。

媒体温度がＴ、はり少し下がると、第２眉にｌａ化が生
じる。この場合、↑Ｈｂにより？（、↑）ノ磁化が出現
する。しかし、温度はまだＴＣＩより高いので、第１層
には磁化が現れない。この状態が状態５Ｈである。

温度はまだＴＣＩより高いので第１層の磁化はまだ現れ
ない。この状態が状態６Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴ。１より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化（↓
↑）が交換結合力により第１層に及ぶ。

その結果、ＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（
↑）を揃える力が働（。その結果、第１層には↓Ｔ　（
１７）の磁化が出現する（状態７Ｈ）。

さらに媒体温度が低下してＴ　ｅｌｌｌｌｌｌ、！より
少し下がると、ＲＥスピン（↓）及び７Ｍスピン（？）
の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転する（、↑
　→↓↑　）。その結果、第２層の磁化は反転して「逆
Ａ向き」８となる。この状態では、Ｈｃ！は既に相当大
きくなっているので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転
されることはない。そして、そして、やがて媒体の温度
は状態７゜のときの温度から室温まで低下する。室温で
のＨｃｌは十分に大きいので第１層の磁化は安定に保持
される。

こうして、「Ａ向き」會のマーク形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔｔは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｅ　２は大きいので
、その磁化は↑Ｈｂによって反転されることはない（状
態２Ｌ）。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のマーク形成が完了する
。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。っまりＲＥスピン同士（↑）　、ＴＭ
スピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち８の磁化が↑Ｈｂに打
ち勝って出現する。この状態が状態３Ｌである。

ＣＩＩクラス９についての原理の脱 灰に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎｏ、　９を例に
とり、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα９は、次式５１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

式５２： ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈｃ！：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｓ！＝第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σＷ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５５で示される。

Ｈ３ｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式５３
〜５４で示される。この媒体に９は式５３〜５４を満足
する。

室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式５２
である。この媒体に９は式５２を満足する。

２Ｍｓ！ｔｔ 式５５： 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑↓）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）
。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、第２層の温度Ｔ□はＴｃｔにほぼ等しいので、第
２層の磁化も消失する。これが状態３□である。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２．４
）。

この状態３□においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃｔより少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓↑）の磁化
が出現する。しかし、この温度はまだＴｃより高いので
第１層には磁化は現れない。この状態が状態４Ｈである
。

そし・て、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下が
ると、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↓↑
）からの交換結合力がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭス
ピン同士（↑）を揃えるように働く。そのため第１層に
（ム↑っまり今の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。

この状態が状態５□である。

そして、やがて媒体の温度は状態５□のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」電のマーク形成が完了する。

磁化は消失する。この状態では、ＨＣ２はまだ十分に大
きいので、第２層の磁化？は↓Ｈｂで反転することはな
い。この状態が状態２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↑）、
ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く。その結果、
第１層には、↑↓即ち８の磁化が出現する。この状態が
状態３Ｌである。

低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、そのこの状態３Ｌは媒体
温度が室温まで下がっても保持される。その結果、「逆
Ａ向き」８のマーク形成が完了する。

Ｄ、　　（発明が解決しようとする課題〕従来のオーバ
ーライトが不可能な光磁気記録方法の１つに、ピットポ
ジション記録と呼ばれる方法がある。

これは、トラックの長手方向に沿って、ピットと呼ぶ島
状の単位領域を間歇的に形成して行くもので、ピットの
大きさは常に一定であり、情報はピットとピットとの間
隔の大小で表現する。当然のことながら、ピットの磁化
の向きと、ピット以外のトラック部分の磁化の向きとは
反対である。

従来技術及び先願の説明では、「マーク」あるきは「ピ
ット」と呼んだもののうち、量的に少ない磁化の向きを
持つものが、本明細書で言うピットに相当する。

即ち、ピットポジション記録においては、情報に従って
適当な間隔でトラック上にピットを点々と形成してゆく
ので、この意味で記録することをピットを！ふと表現す
ることが出来る。

本発明者は、先願のオーバーライト記録において、この
ピットポジション記録を試みた。

オーバーライト記録では、前に形成されたピットの位置
にピットを書かない時には、このピットを消去しなけれ
ばならない。この意味でピットを消去すると表現するこ
とが出来る。

先願のオーバーライト記録において、試みたピットポジ
ション記録は、次のようなものである。

つまり、従来技術のマークＢ１に相当するピットを形成
すれば良いので、第３図に示すようにピット形成時にレ
ーザビームの強度を高レベルのレーザ光強度Ｐｏにして
媒体の温度を高い温度Ｔ□にし、ピット形成時以外には
低レベルのレーザ光強度Ｐｔ＋こして媒体の温度を低い
温度Ｔｔにしていた。

しかしながら、この試みは、オーバーライトするとＳ／
Ｎ比が低いという問題点があった。

従って、本発明の目的は、オーバーライト可能な光磁気
記録媒体を用いてピットポジション記録を行なう場合に
Ｓ／Ｎ比の高い記録方法及びそれに使用される記録装置
を提供することにある。

Ｅ、　　［課題を解決するための手段〕上記問題点の解
決のために、本発明では、第１図に示すように、ピット
形成時にはレーザビームの強度を低レベルのレーザ光強
度Ｐｔにして媒体の温度がＴＬになるようにし、ピット
形成時以外には高レベルのレーザ光強度ＰＨにして媒体
の温度がＴＨになるようにした。

なるようにし、ピット形成時以外（消去するとき）に高
レベルの強度のレーザビームを照射して媒体の温度がＴ
Ｈになるようにした。

そのため、消去時はＴ）ｌに上昇した領域の幅が、ピッ
ト形成時にＴＬに上昇した領域の幅より広くなるので、
消え残りが生ぜず、Ｓ／Ｎ比が向上する。

Ｆ、　　（作　用〕 先の試みで、Ｓ／Ｎ比が低い原因は、本発明者の研究に
よれば、ピットの消え残りが生じることにあり、更に、
消え残りが生じる原因は、先の試みでは、消す場合に低
レベルの強度のレーザビームを照射して媒体の温度がＴ
Ｌに上昇した領域の幅が、ピット形成時に高レベルの強
度のレーザビームを照射して媒体の温度がＴＨに上昇し
た領域の幅に比べて狭くなることにある、ということを
突き止めた。

本発明では、逆にピット形成時に低レベルの強度のレー
ザビームを照射して媒体の温度がＴ・、にＧ、　　（実
　施　例〕 以下、実施例及び参考例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

Ｇ１．実施例 まず、光変調オーバーライト可能な直径１３０ｍｍの溝
付きディスクを用意した。ディスクを回転させて線速度
５．６ｍ／ｓ一定とし、低レベルのレーザ光強度Ｐ、を
２．５ｍＷに設定し、高レベルのレーザ光強度Ｐ）Ｉを
１１ｍＷ　　に設定してオーバーライトの実験を行った
。　まず、記録周波数３．７ＭＨｚにしてピット形成時
を低レベルのレーザ光強度ＰＬｓピット形成時以外を高
レベルのレーザ光強度Ｐ□で、再生信号がデユーティ比
５０％になるように、３Ｔ信号（ピット形成時を“ｌ”
、それ以外を“０°とすると、“−１−０−０−１−０
−０−１−”のように、２回の“０”と１回の“１”が
周期的に繰り返す信号）を記録した。

その後、同じパワーで、第１図のようにレーザ強度を変
調し、８Ｔ信号（７回の“０”と１回の“ｌ“が周期的
に繰り返す信号）をオーバーライトした。これを信号の
形に現すと次のようになる。

−１−０−０−０−０−０−０−０−１−０−０−０−
０−０−０−０−１−．０−０−尚、ピット形成以外の
時高レベルのレーザ強度が照射されているので、記録膜
の温度が高まっている。そのため、ピット形成時のレー
ザ強度のレベルを、再生時のレーザ強度と同じレベルに
下げても、その部分の媒体の温度はＴＬにしか下がらな
いことがある。従って、この場合には、レーザビームの
強度を、ピット形成（記録）レベル、ピット形成以外（
消去）レベル、再生レベルの３レベルも必要とせず、ピ
ット形成（記録兼再生）レベルと、ピット形成以外（消
去）レベルとの２段階で済む。従って、この場合によれ
ば、レーザビームの強度切り換え機構を簡素化すること
ができる。

即ち、３Ｔ信号の上に８Ｔ信号をオーバーライトするに
は、先に書かれた３Ｔ信号のピットを消去しなければな
らない。

この後再生すると、第２図に示すように、前に記録して
あった３、　７ＭＨｚの３Ｔ信号は完全に消去されてい
ることが分かる。

Ｇｔ、比較例 実施例と同じ条件で、ピット形成時を高レベルのレーザ
光強度ＰＨで、ピット形成時以外を低レベルのレーザ光
強度ＰＬで行った。実施例と同様に、まず、記録周波数
３．７ＭＨｚで３Ｔ信号を記録し、その後、第３図のよ
うにレーザ強度を変調し、８Ｔ信号をオーバーライトし
た。この後、再生すると、第４図に示すように、前に記
録してあった３Ｔ信号の消え残りがあった。

Ｈ，（発明の効果〕 以上のとおり、本発明によれば、オーバーライト可能な
光磁気ピットポジション記録において、前のピットの消
し残りが生じず、Ｓ／Ｎ比が高くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例において、レーザビーム強度
の変調を表す波形図である。 第２図は、本発明の実施例で、オーバーライトした後の
再生信号の周波数成分を表すスペクトラムアナライザに
よる解析信号波形図である。 第３図は、比較例において、レーザビーム強度の変調を
表す波形図である。 第４図は、比較例で、オーバーライトした後の再生信号
の周波数成分を表すスペクトラムアナライザによる解析
信号波形図である。 第５図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第６図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第７図は、・本発明の実施例にかかるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ−・・−・−・−・−レーザービーム、Ｉ、ｐ−−・
−・・・−直線偏光、 Ｂ１・−・−・・−「Ａ向き」磁化を有するマーク（ピ
ットに相当）、 Ｂ、・・・・−・・「逆Ａ向き」磁化を有するマーク、
１−・−・−・・・・−記録層（第１層）、２−・・・
・−・・・−記録補助層（第２層）、Ｓ・・−・・・−
・・・・一基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）垂直磁気異方性を有する少なくとも２つの磁性層
   が積層されている光変調方式でオー バーライト可能な光磁気記録媒体に対して、レーザビー
   ムの強度を、高レベルと低レベルとの間で情報に従いパ
   ルス変調しながらレーザビームを照射することにより記
   録する、光磁気ピットポジション記録方法において、 レーザビームの強度をピット形成時を低レ ベルとし、ピット形成時以外を高レベルとしたことを特
   徴とする記録方法。
2. （２）（ａ）レーザビーム光源、 （ｂ）レーザビームの強度を高レベルと低レベルとの間
   で情報に従い変調する変調手段、 （ｃ）光磁気記録媒体の回転手段、 （ｄ）記録磁界印加手段、及び、 （ｅ）場合により（ｄ）と兼用してもよい初期補助磁界
   印加手段からなる、 オーバーライト可能な、光磁気ピットポジ ション記録装置において、 レーザビームの強度をピット形成時を低レベルに、ピッ
   ト形成時以外を高レベルに設定したことを特徴とする装
   置。