JPH03142733A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録磁界Ｈｂの向きを変調せずに、光の強度
変調だけでオーバーライド（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）が
可能な光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が威されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、再び新
たな情報を記録することが繰り返し何度も可能であると
いうユニークな利点のために、最も大きな魅力に満ちて
いる。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ５ＴｂＦｅ
、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層は
一般に同心円状又はらせん状のトラックを成しており、
このトラックの上に情報が記録される。ここで、本明細
書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又は
「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）Ｊの何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき情
報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」の
磁化を有するビット（Ｂｌ）と、「逆Ａ向き」の磁化を
有するビット（Ｂ６）の２つの信号で記録される。これ
らのビットＢ＋、Ｂｅは、デジタル信号の１．０の何れ
か一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記
録されるトラックの磁゛化は、記録前に強力な外部磁場
を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。こ
の処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｘｅ）と呼ばれる。

その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット（
Ｂｌ）を形成する。

情報は、 このビット（Ｂ１）の有無及び／又はビット長によって
記録される。

ビット形成の原理： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録層に直径が１μｍ以下のビットを形成することによ
り情報が記録される。光学的記録においては、理論的に
約１０”　ビット／ｃ！ｌまでの記録密度を達成するこ
とができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほ
とんど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮
（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することが出来るからであ
る。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖＨｙ）は減少し記録層ｇ（Ｈｂ）より小さく
なる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｗｂ）
の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形成さ
れる。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｅの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有しており１そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度から
外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨｅは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされる。

つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ、。

２．書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｅを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再生の原理： 第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁、場ベクトルを有する電磁波である。光が直
線偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射
されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（
１）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｓｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一〇に度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない。それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射さ
れた光は、　（ｓｉｎ２θｋ）３を乗じた分がアナライ
ザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲さ
れる。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｌ
）は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｏ）よりも明
るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生さ
せる。このディテクターからの電気信号は、記録された
情報に従って変調されるので、情報が再生されるのであ
る。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（玉）予め、前段処理として記録装置又は消去装置を
用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライド（ＯＶｅｒ　Ｗｒｉｔｅ）は、不可能とさ
れていた。

もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライドが可能になる。しかしながら、
記録磁界Ｈｂの向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂが永久磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂが電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界ＨｂをＯ
Ｎ、　ＯＦＦせずに又は記録磁界Ｈｂの向きを変調せず
に、照射する光の強度だけを記録すべき２値化情報に従
い変調することにより、オーバーライドが可能な光磁気
記録方法と、それに使用されるオーバーライド可能な光
磁気記録媒体と、同じくそれに使用されるオーバーライ
ド可能な記録装置が発明され、特許出願された（特開昭
６２−１７５９４８号）。以下、この発明を「基本発明
」と引用する。

〔基本発明の説明〕

基本発明の特徴１つは、記録層（第１層）と記録補助層
（第２層）との少なくとも２層構造の多層垂直磁化膜か
らなる光磁気記録媒体を使用することである。そして、
情報を「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁
化を有するビットで第１層（場合により第２層にも）に
記録するのである。

基本発明のオーバーライド方法は、 （ａ）記録媒体を移動させること； （ｂ）初期補助磁界Ｈｉｎｉ．を印加することによって
、記録する前までに、第１層の磁化はそのままにしてお
き、第２層の磁化のみを、「Ａ向き」に揃えておくこと
； （Ｃ）レーザービームを媒体に照射すること；（ｄ）前
記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパルス状に
変調すること； （ｅ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること； （ｆ）前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に「Ａ
向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向きｊ磁化を有す
るビットの何れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベ
ルの時に、他方のビットを形成させること； からなる。

基本発明では、記録するときには、例えば（ａ）光磁気
記録媒体を移動させる手段；（ｂ）初期補助磁界Ｈｉｎ
＋、印加手段；（ｃ）レーザービーム光源； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁化
を有するビットの何れか一方のビットを形成させるのに
適当な温度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形成させるのに適当な温度を媒体
に与える低レベル とにパルス状に変調する変調手段； （ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることがあ
り得る記録磁界印加手段； からなるオーバーライド可能な光磁気記録装置を使用す
る。

基本発明では、レーザービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、ＴＨＩＩ　　ＢＥＬＬ　　３ＹＳ
ＴＥＭ　　Ｔ［ＩＣＦＩＮＩＣＡＬ　　ＪＯＵＲＮＡＬ
。

Ｖｏｌ、　６２（１９８３）、　１９２３−１９３８に
詳しく説明されている。従って、ビーム強度の必要な高
レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一
部修正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、
そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが
与えられれば、容易であろう。

基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベ
ルの時に、記録磁界Ｈｂにより記録補助層（第２層）の
「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ
）させ、この第２層の「逆Ａ向きｊ磁化によって記録層
（第１層）に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕
を有するビットを形成する。ビーム強度が低レベルの時
は、第２層の「Ａ向き」磁化によって第１層に「Ａ向き
」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成
する。

なお、本明細書では、 ０００　（又はΔ△Δ〕という表現は、先に〔〕の外の
ＯＯＯを読んだときには、以下のＯＯＯ〔又はΔΔΔ〕
のときにも、〔〕の外の○○○を読むことにする。それ
に対して先に○○○を読まずに〔〕内のΔΔΔの方を選
択して読んだときには、以下の○○○〔又はΔΔΔ〕の
ときにも○○○を読まずに〔〕内のΔΔΔを読むものと
する。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例え
ば媒体における所定の記録場所をアクセスするためにレ
ーザービームを非常な低レベル′で点灯することがある
。また、レーザービームを再生に兼用するときには、非
常な低レベル０の強度でレーザービームを点灯させるこ
とがある。本発明においても、レーザービームの強度を
この非常な低レベル１にすることもある。しかし、ビッ
トを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル１
よりも高い。従って、例えば、基本発明におけるレーザ
ービームの出力波形は、次の通りになる。

ビーム強度 値化情報の例　　　１１１００１１１１０００なお、基
本発明の明細書には開示されていないが、本発明では、
記録用のビームは、１本ではなく近接した２本のビーム
を用いて、先行ビームを原則として変調しない低レベル
のレーザービーム（消去用）とし、後行ビームを情報に
従い変調する高レベルのレーザービーム（書込用）とし
てもよい。この場合、後行ビームは、高レベルと基底レ
ベル（低レベルと同−又はそれより低いレベルであり、 出力がゼロでもよい） との間でパルス変 調される。

この場合の出力波形は次の通りである。

先行ビーム 後行ビーム ビーム強度 値化情報の例 １１１００１１１１０００ 基本発明で使用される媒体は、第１実施態様と第２実施
態様とに大別される。

いずれの実施態様 においても、 記録媒体は、記録層（第１層） と記 録補助層（第２層） を含む多層構造を有する。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁力
が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。なお、第
１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成されてい
てもよい。場合により第１層と第２層との間に第３の層
が存在していてもよい。更に第１層と第２層との間に明
確な境界がなく、一方から徐々に他方に変わってもよい
。

第１実施態様では、記録層（第１層）の保磁力をＨｃ　
＋　ｓ記録補助層（第２層）のそれをＨｃｈ第１層のキ
ュリー点をＴｃ１、第２層のそれをＴｃｈ室温をＴ冨、
低レベルのレーザービームを照射し点との間に補償温度
をＴＬ、高レベルのレーザービームを照射した時のそれ
をＴｌ１ｓ有する受ける結合磁界を）（ｏ＋、第２層が
受ける結合磁界をＨＤ！とした場合、記録媒体は、下記
の式１を満足し、そして室温で式２〜５を満足するもの
である。

Ｔ　Ｍ　＜　Ｔ　Ｃ１４Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃ＊＃　Ｔ　
＊　＝−−・開開・・拭ＩＨｃ＋＞Ｈｃ＊＋　ｌＨｏ＋
王Ｈｏ　ｔ　Ｉ　　　　　・−式２ＨＣｌ　＞　ＨＤ　
ｌ　　　　　　　　　　　　、、−、、−、−、、開開
、式３Ｈｃｘ＞Ｈｅｒ・−・・　　　　　　　　・・・
・・・−・・・開開・・式４Ｈａ＊＋Ｈｏ＊＜　１Ｈｉ
ｎｉ、　ｌ　＜ＨｃＩ±Ｈｏ　ｔ−曲・式５上記式中、
符号「＃Ｊは、等しいか又はほぼ等しいことを表す。ま
た上記式中、複合士、王については、上段が後述するＡ
　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合で
あり、下段は後述するＰ（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの
媒体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプ
に属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

Ｔ　Ｌ　　　　　　　　Ｔ　ｍ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
、）を印加すると、式５によれば、記録層（第１層）の
磁化の向きは反転せずに記録補助層（第２層）の磁化の
みが反転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界（
Ｈｉｎｉ、）を印加すると、第２層のみを「Ａ向き」□
ここでは「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上
向きの矢金で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢６で示す
□−に磁化させることができる。そして、旧ｎｉ。

がゼロになっても、式４により、第２層の磁化廿は再反
転せずにそのまま保持される。

初期補助磁界（Ｈ１ｎ＋、）により第２層のみが、記録
直前まで「Ａ向き」９に磁化されている状態を概念的に
表すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き１は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴＨに上昇させる。すると、ＴＲはキュリー点
Ｔｃ＋より高温度なので記録層（第１層）の磁化は消失
してしまう。更にＴＲＩはキ二す−点Ｔｃｚ付近なので
記録補助層（第２層）の磁化も全く又はほぼ消失する。

ここで、媒体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き
」の記録磁界（Ｈｂ）を印加する。記録磁界（）ｉｂ）
は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。説明を間単にす
るために「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加したと
する。媒体は移動しているので、照射された部分は、レ
ーザービームから直ぐに遠ざかり、冷却される。Ｈｂの
存在下で、媒体の温度が低下すると、第２層の磁化は、
Ｈｂに従い、反転されて「逆Ａ向き」の磁化となる（状
態２１１）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴｃ＋より少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向きは
、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
に応じて８（Ｐタイプの媒体の場合）又は合 （Ａタイプの媒体の場合） が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。Ｔ、はキ二す−点ＴＣＩ付近なので
第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔｃｔよりは低温であるので第２層の磁化は消失し
ない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、 不要であるが、 高 速度（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能
である。従って、止むを得ず高温サイクルのときのまま
になっている。

しかし、ＨＣｌはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び第１層の磁
化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のため
に第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
によって０（Ｐタイプの場合）又は８（Ａタイプの場合
）の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化合又は６を有するピットが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライドが可能となる。

Ｐタイプ媒体の場合 Ａタイプ媒体の場合 なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再びＨｉｎｉ．の作用を受け、その
結果、記録補助層（第２層）の磁化は元の「Ａ向き１合
に揃えられる。しか′し、室温では、第２層の磁化の影
響が記録層（第１層）に及ぶことはなく、そのため記録
された情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。なお、第１層と第２層の組成設
計によっては、再生前に再生磁界Ｈａを印加することに
より、元の「Ａ向き」會に揃えられた第２層に第１層の
情報を転写させる方法や、再生磁界Ｈ１を印加せずとも
Ｈｉｎｉ．の影響がなくなるや否や第２層に第１層の情
報が自然転写されるものがあるので、この場合には、第
２層から情報を再生してもよい。

このような記録層（第１層）及び記録補助層（第２層）
を構成する垂直磁化膜は、■補償温度を有せずキュリー
点を有するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに■補
償温度、キュリー点の双方を有するフェリ磁性体の非晶
質或いは結晶質からなる群から選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様は室温より高い所定の温度に於いて低下したＨｃをを
利用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に
於けるＴｃ＋の代わりに記録層（第１層）が記録補助層
（第２層）に磁気結合される温度Ｔｓ＋を使用し、Ｔｃ
！の代わりに１１２層が１（ｂで反転する温度Ｔ０を使
用すれば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、ｊ１１１層の保磁力をＨｃｌｓ第２
層のそれをＨｃｈ有する第２層に磁気的に結合される温
度をＴ１とし、第２層の磁化がＨｂで反転する温度をＴ
ｓｓ、室温をＴｌｑ低レベルのレーザービームを照射し
た時の媒体の温度をＴＬＳ高レベルのレーザービームを
照射した時のそれをＴＨＩＩ有する受ける結合磁界をＨ
ｌｌｌ、１２層が受ける結合磁界をＨＤＩとした場合、
記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜１０
を満足するものである。

Ｔｍ＜Ｔｍ＋熔ＴＬ＜ＴｓｔＮＴＨ・−・・・・・・−
・・・・・−・・・−・式６Ｈｃ　ｒ　＞　Ｈｃ雷＋　
ＩＨ引￥Ｈｏ第１　・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・−式７Ｈｃ＋＞Ｈｏｔ Ｈａｓ＞Ｈｏｔ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　９ＨＣ１＋）１０！＜　　１Ｈｉｎｉ、　　
ｌ　　＜）（ｅｌ−ｔ）（ＤＩ””’−”式１０上記式
中、複合士、壬については、上段が後述するＡ　（ａｎ
ｔｌｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下
段は後述するＰ　Ｃｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の
場合である。

第１．Ｉｔ！２実施態様ともに、記録層（第１層）、記
録補助層（第２層）が遷移金属（例えばＦｅ。

Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧｄ、　Ｔｂ、　ｔｏｙ
その他）合金組成から選択された非晶質フェリ磁性体で
ある記録媒体が好ましい。

第璽層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ）−重希土類金＊
（ｈｅａｖｙ　ｒａｒｅｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合
金組成から選択された場合には、各合金としての外部に
現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原
子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及
び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のス
ピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの
スピンの向き及び大きさを点線のベクトル↑で表わし、
ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、合金全
体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル９で表
す。このとき、ベクトル合はベクトル７とベクトル↑と
の和として表わされる。ただし、合金の中では７Ｍスピ
ンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル７とベク
トル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って、↓と
↑との和或いは↓と７との和は、両者の強度が等しいと
き、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの合金ｉ
ｔｓは補償組成（ｃｏｕｅｎｓａｔｉｏｎｃｏｍｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のときには
、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し、いずれ
か大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有するベク
トル（合又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑↓は９と
なり、↑＝は８となる。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、７Ｍリッチな組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を縦軸座標に第２層の組成をとると、先願発
明の媒体全体としては、種類を次の４象限に分類するこ
とができる。先に述べたＰタイプはＩ象限と■象限に属
するものであり、Ａタイプは■象限と■象限に属するも
のである。

ＲＥリッチ（第１層） ７Ｍリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。

〕 一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ
ー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔ、、、、）と呼ばれる。

補償温度は、７Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は
第２層のそれである。

タイプ１ 保磁力 タイプ２ 保磁力 タイプ３ 保磁力 タイプ４ 保磁力 ここで、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）の両
方についてＲＥリッチかＴＭＩＪ−ソチかで分け、かつ
補償温度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次
の９クラスに分類される。

第　　１　　表 第 表 （続き） 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、基本発明の明細書に具体的に開示された
媒体では、■記録磁界Ｈｂの取り得る範囲つまりマージ
ンが狭いという第１の問題点、及び■低温サイクルによ
るマーク（現在では、基本発明でいうビットは「マーク
」と呼ばれる）の形成を仮に消去と呼ぶと、完全に消去
されるレーザビーム強度（パワー）Ｆｅｅと、再生時に
消去が始まってしまうレーザビーム強度Ｐｒｓとの差（
Ｐｃｅ−Ｐ　ｒｓ）が大きく、そのため、再生時に強い
ビームを照射することができず、そのためＣ／Ｎ比が低
いという第２の問題点があった。

本発明の目的は、これらの問題点の解決にある。

〔課題を解決するための手段〕

そのため、本発明は、 「垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直磁
気異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造を
有し、 層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、 第２層の磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界Ｈｉ
ｎｉ．により「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」に揃えられ、 （１）高レベルのレーザービームが照射された時は、記
録磁界Ｈｂにより第２層に所定の向きの磁化が作られ、
この第２層の磁化の作用によって第１層に「逆Ａ向き」
磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマークが形成され
、 （２）低レベルのレーザービームが照射された時は、Ｈ
ｉｎｉ、により所定の向きにさせられた第２層の磁化の
作用によって第１層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き
」磁化〕を有するマークが形成され、　かつ、下記１条
件、 Ｔ　＊　＜　Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ａ　ｒ　＜　Ｔ　Ｉ≦Ｔ
ｓｔを満足し、かつ室温で下記４条件： Ｈｃ＋＞Ｈｃｔ＋　　　Ｈｏｔ乎）ｌｏｇＨｃ＋＞Ｈｏ
ｔ Ｈａ冨＞ＨＤ！ Ｈｃｘ＋Ｈｏ富＜　　ｌＨｉｎｉ．　　ｌ　　＜Ｈｃ＋
±ＭＤＩを満足するオーバーライド可能な光磁気記録媒
体において、 第２層が補償温度を有し、かつ、　第１層のキュリー点
Ｔｃ＋が第２層の補償温度Ｔ、。、、！より高いことを
特徴とするオーバーライド可能な光磁気記録媒体」を提
供する。

ただし、 Ｔ麓：室温 Ｔ　ａ　Ｉ：第１層のキュリー点 Ｔｏ：第２層のキュリー点 ＴＬ：低レベルのレーザービームを照射し点との間に補
償温度 Ｔ、ｌ：高レベルのレーザービームを照射し点との間に
補償温度 Ｈｃ＋： Ｈｃ＊： Ｈｏｔ： Ｈ旧： Ｈｉｎ＋。

第１層の保磁力 第２層の保磁力 有する受ける結合磁界 第２層が受ける結合磁界 ：初期補助磁界 ここで第１表に示したクラスｌの記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプｌ）に属する媒体馳１を例にとり、本発
明のオーバーライド原理について詳細に説明する。

この媒体弘１は、次式１１＝ Ｔｍ　＜Ｔｓｓｓ＊、＋くＴＬ＜Ｔｃ＋＜Ｔ＊≦Ｔｅｌ
及び式１１の２　：　Ｔ　ｇｅｅｓｅ、　ｔ　　＜　Ｔ
　ｃ＋の関係を有する。Ｔ１゜□１は、ＴＬよりも高く
とも、等しくとも、低くともよいが、説明を簡単にする
目的から、以下の説明では、Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ａｍ□、
１とする。以上の関係をグラフで示すと、次の如くなる
。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層の
グラフを示す。

保磁力 室温Ｔ麿で第璽層（記録層）の磁界が初期補助磁界Ｈｉ
ｎｔ、により反転せずに第２層のみが反転する条件は、
式１２である。この媒体Ｉ４１１Ｌ１は式１２を満足す
る。

式１２： ％式％ 但し、ＨｃＩ：第１層の保磁力 Ｈｃ＊：第２層の保磁力 Ｍ□：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｘａｔｌｏ
ｎ）Ｍ□：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔｌ　：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、Ｈｉｎ＋、の条件式は、式１５で示される。

Ｈｉｎ＋、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第
１層、第２層の磁化が反転せずに保持される条件は、式
１３〜１４で示される。この媒体磁１は式１３〜１４を
満足する。

２Ｍｓ＋ｔ＋ ２Ｍｓ＊ｔ＊ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに次式１５：％式％ を満足するＨｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」合（↑↓
）に揃えられる。このとき、第１層は前の記録状態のま
まで残る（状態１ａ又はｌｂ）。

〔「逆Ａ向き」マーク〕　　　〔「Ａ向き」マーク〕＊
　□　は磁壁を示す（以下、同様）。

この状態１ａ＝１ｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、記録磁界Ｈｂは、一般の磁界がそうであるように
、レーザービームの照射領域（スポット領域）と同一の
範囲に絞ることは難しい。媒体がディスク状の場合、−
旦記録された情報（マーク）は、１回転した場合、途中
でＨｉｎｉ．の影響を受け、状態１ａ、ｌｂとなる。そ
して、次に、そのマークは、レーザービームの照射領域
（スポット領域）の１トラック分隣りを通過する。この
とき、状態ｌａ、ｌｂのマークは、記録磁界Ｈｂの影響
を受ける。そのとき、Ｈｂと反対向きの磁化を有する状
態１ａのマークの第１層の磁化の向きがＨｂによって反
転させられたとすると、１回転前に記録されたばかりの
情報が消失することになる。そうなってはならない条件
は、 ２Ｍｉ＋ｔ＋ で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式を満足
させる必要がある。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの
条件は、式１５の２で示される。

さて、状態１ａ％　ｉｂのマークは、いよいよレーザー
ビームのスポット領域に到達する。レーザービームの強
度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種が
ある。

□　低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
、。、２１以上に上昇する。そうすると、第１層のＲＥ
、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の大小関係
が逆転する。その結果、第１層の磁化が反転する（状態
１ａ→状態２Ｌｍ、状態１ｂ→状態２い）。この状態で
は、−時的にＡタイプになる。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがてＴ
Ｌになる。すると、 ２Ｍｓ＋ｔ＋ の関係となり、Ｈｂ↑が存在しても、状態２Ｌａは状態
３Ｌに遷移する。他方、状態２いは、Ｈｂ↑が存在して
も、そのままの状態を保つため、同じ状態３Ｌになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ１゜２．以下に
冷えると第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関係
が逆転する（　↑ｊ−＋↑↓　）。

その結果、第１層の磁化は合となる（状態４Ｌ）。

この状態では元のＰタイプに戻る。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」合のマーク形成が完了する。

□高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、Ｔ６゜、、Ｉを経て低温ＴＬに上昇する。

その結果、状態３Ｌと同じ状態２Ｍになる。

高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度が第２層のＴ　ａｍｗａｅ、　＊
より少し高い温度になったとき、ＲＥ。

ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係
が逆転する（↑↓→札）。そのため、第２層の磁化が反
転し、「逆Ａ向き」ａの磁化になる（状態３．Ｉ）。

しかし、この温度では）（ｅｚがまだ大きいので、↑Ｈ
ｂによって第２層の磁化が反転されることはない。さら
に温度が上昇し、Ｔｃ＋になると、第１層の磁化は消失
する（状態４．ｌ）。

さらに温度が上昇し、Ｔ、になると、第２層の温度はキ
ュリー点Ｔｃ！に近くなり、ＨＣｌが小さくなるので、
第２層の磁化が↑Ｈｂによって反転する （状態５．Ｉ）。

この状態５１Ｉにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下を始める。

そして、温度がＴＣＩより少し下がると、第ｉ層に磁化
が出現する。そのとき第２層からの界面磁壁エネルギー
がＲＥスピン同士（↓）、　ＴＭスピン同士（↑）を揃
えるように働く。そして、第１層の温度はＴ、。ｓ、１
以上なので７Ｍスピンの方が大きく、そのため第１層に
は↓Ｔつまり９の磁化が出現する。この状態が状態６）
１である。

そして、媒体の温度がＴ６゜、、１以下になると、ＲＥ
ｌＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関
係が逆転する（↓↑→↓↑）。その結果、合金全体の磁
化は反転し、合から「逆Ａ向き」■になる（状態７、）
。

媒体の温度がこの状態７Ｈのときの温度から更に低下し
て、Ｔ１□、」以下になると、第１層のＲＥスピンと７
Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　↓↑→↓
↑　）。その結果、６の磁化が出現する（状態８＋＋）
。

そして、やがて媒体の温度は状態８ＩＩのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きい （式１５の３参照）ので第１層の磁化は↑Ｈｂによって
反転されることなく、 状態８Ｍが保 持される。

２Ｍｓ＋ｔ＋ こうして、 「逆Ａ向き」 ａのマーク形成が完了 する。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ２）に属する媒体磁２を例にとり、本発明
のオーバーライド原理について詳細に説明する。

この媒体磁２は、次式１６： ％式％ 及び式１６の２　：　Ｔ　ｇａｓｓ、　１　＜　Ｔ　ｃ
＋の関係を有する。Ｔ、□１は、Ｔ、よりも高くとも、
等しくとも、低くともよいが、説明を間単にする目的か
ら、以下の説明ではｓ　Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃａｍｐ、　
＊とする。以上の関係をグラフで示すと、次の如くなる
。

保磁力 Ｔ＠・ｍｐ、＊’　　　　　ＴＲ 室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、
式１７である。この媒体磁２は式１７を満足する。　式
１７： ％式％ このとき、旧ｎ１．の条件式は、式２ｏで示される。

旧ｎ１．が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより互いに影響を受ける。

それでも第１層、第２層の各磁化が反転せずに保持され
る条件は、式！８〜１９で示される。この媒体弘２は式
１８〜１９を満足する。

２Ｍｍ＋ｉ＋ ２Ｍ＊ｔｔ雪 室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに次式２０：％式％ を満足するＨｉｎ＋、により例えば「Ａ向き」′ｒｒ（
↑↓）に揃えられる。このとき、第１層は前の記録状態
のままで残る（状態１ａ又はｌｂ）。

〔「逆Ａ向き１ マーク〕 〔 ｃＡ向きｊ マーク〕 この状態１ａ、Ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、媒体がディスク状の場合、１回転前に記録された
ばかりのマーク（特に有するＨｂと反対向きの磁化を有
する状態１ａのマーク）がＨｂによって反転してはなら
ない条件は、次式２０の２：％式％ で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式を満足
させる必要がある。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの
条件は、式２０の２で示される。

さて、状態１ａ、１ｂのマークは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

一低温サイクル 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
Ｌに上昇する。そうすると、 ２Ｍｓ＋ｔ＋ の関係となり、状態１ａが状態２Ｌに遷移する。

他方、状態１ｂは、そのままの状態を保つため、同じ状
態２Ｌになる。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

しかし、状態２Ｌは媒体温度が更に低下しても変化がな
い。その結果、第１層には、「Ａ向き」合のマークが形
成される。

□高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されると、ず媒体温度
は低ａ　Ｔ　ｔに上昇する。その結果、温サイクルの状
態２Ｌと同じ状態２ｍとなる。

先 低 高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度はＴ
Ｌより上昇する。媒体温度が第２層のＴ、。□１より少
し高い温度になったとき、ＲＥ。

ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係
が逆転する（↑↓−↑よ）。そのため、第２層の磁化が
反転し、「逆Ａ向き」６の磁化になる。

この状態が状態３Ｎである。

しかし、 この温度ではＨｃ！がまだ大きいので、ＴＲ（ｂによっ
て第２層の磁化が反転されることはない。さらに温度が
上昇し、ＴＣＩになると、第１層の磁化は消失する（状
態４．Ｉ）。

さらに温度が上昇し、Ｔ）Ｉになると、第２層の温度は
キュリー点Ｔｅ１ｌこ近くなり、ＨＣＩが小さくなるの
で、第２層の磁化が↑Ｈｂによって反転する（状態５ｍ
）。

この状態５ＩＩにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度が低下してｒａｔより少し下がると、第１層
に磁化が出現する。そのとき第２層からの界面磁壁エネ
ルギーがＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）
を揃えるように働く。そのため第１層には↓↑っまり６
の磁化が出現する。この状態が状態８１である。

そして、更に温度が低下して媒体の温度がＴ１゜、１以
下になると、第２層のＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変
わらないが、強度の大小関係が逆転する（↓Ｔ→↓↑）
。その結果、第２層全体の磁化は反転して市から「逆Ａ
向き」８になる（状態７Ｎ）。

そして、やがて媒体の温度は状態７Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きい（式
２０の３参照）ので第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転
されることなく、状態？、が保持される。

σＷ 式２０の３　：　Ｈｂ　＜　Ｈｃ＋＋ ２Ｍｓ＋ｔ＋ こうして、 ｒ逆Ａ向きノ ａのマーク形成が完了 する。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する媒体弘８を例にとり、本発明
のオーバーライド原理について詳細に説明する。

この媒体ＮＣＬ８は、次式４６： ％式％ 及び式４６の２　：　Ｔｇ＊ｍｐ、＊　　＜Ｔｃ＋の関
係を有する。Ｔ、。□１は、ＴＬよりも高くとも、等し
くともミ低（ともよいが、説明を簡単にする目的から、
以下の説明では、Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　＊。□１とする。以
上の関係をグラフで示すと、次の如くなる。なお、細線
は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグラフを示す
。

保磁力 室温Ｔ真で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７
である。この媒体磁８は室温で式４７を満足する。式４
７： このとき、旧ｎ１．の条件式は、式５０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。

それでも第１層、第２層の各磁化が反転せずに保持され
る条件は、式４８〜４９で示される。この媒体血８は式
４８〜４９を満足する。

σＷ 式４８：　　Ｈｃ＋＞ ２Ｍｓ＋ｔ＋ 式４９：　　Ｈｃｓ＞ ２Ｍ、、ｉ！ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに次式５０：％式％ を満足するＨｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」合（↑↓
）に揃えられる。このとき、第１層は前の記録状態のま
まで残る（状態１ａ又はｌｂ）。

（「Ａ向き」 マーク〕 〔「逆Ａ向き」 マーク〕 この状態１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、媒体がディスク状の場合、１回転前に記録された
ばかりのマーク（特に有するＨｂと反対向きの磁化を有
する状態１ｂのマーク）がＨｂによって反転してはなら
ない条件は、次式５０の２：％式％ で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式を満足
させる必要がある。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの
条件は、式５０の２で示される。

さて、状態１ａ、ｌ’ｂのマークは、いよいよレーザー
ビームのスポット領域に到達する。レーザービームの強
度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベル゛の２種
がある。

□　低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
Ｌに上昇する。そうすると、下記条件式：％式％ が満足され、状態１ａが状態２Ｌに遷移する。他方、状
態１ｂはそのままの状態を保つため、同じ状態２１にな
る。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状態２Ｌは、媒体温度が室温まで下がってもＨＣＩが十
分に大きい（式５０の２参照）ので、保持される。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のマークが形成され
る。

高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されて、先ず媒体温度
は低温ＴＬに上昇する。その結果、低温サイクルの状態
２Ｌと同じ状態２Ｍとなる。

高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体態度が第２層のＴ、。□１より少し高
い温度になったとき、ＲＥ。

ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係
が逆転する（↑↓→↑二）。そのため、第２層の磁化が
反転し、「逆Ａ向き」８の磁化になる。

この状態が状態３□である。

しかし、この温度ではＨｃ！がまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、Ｔｅｌになると、第１層の磁化は消失す
る（状態４＋＋）。

さらに温度が上昇し、Ｔ、４になると、第２層の温度は
キュリー点Ｔ’ｃｔに近くなり、Ｈｃ！が小さくなるの
で、第２層の磁化が↑Ｈｂによって反転する（状態５日
）。

この状態５Ｍにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第１層にも磁化が
出現する。この場合、第２層の磁化（↓ｆ）が界面磁壁
エネルギーにより第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピン
同士（↓）、ＴＭスピン同士（７）を揃える力が働く。

その結果、第１層には↓↑ｌ）の磁化が出現する。この
状態が状態６１１である。

媒体温度が更に低下してＴ、。□１より少し下がると、
ＲＥスピン（↓）及びＴＭスピン（↑）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転する（↓↑　呻↓↑　）。

その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」６とな
る。この状態が状態７ＩＩである。

やがて媒体の温度は状態７．Ｉのときの温度から室温ま
で低下する。

こうして、 第１層に 「Ａ向き」 合のマークが形 成される。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

〔実施例　　　　クラス１〕 ３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
ターゲットとしてＴｂＦｅＣｏ合金、ＤｙＴｂＦｅＣ。

合金の２個を置く。そして、厚さ　１．２ｍｍ、直径２
００ｍｍのガラス基板を該装置のチャンバー内にセット
する。

該装置のチャンバー内を一旦７　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
、以下の真空度に排気した後、Ａｒガスを５　ｘ　１０
−”Ｔｏｒｒ。

導入する。そして、堆積（ｄｅｐｏｓＨｌｏｎ）速度的
２大／秒で、スパッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＴｂＦｅＣｏ合金を用いて、基
板上に、厚さ５００人のＴｂ＊＠、５ＰｅｔｏＣＯ＊、
ｔ　　（注：添字の数字は原子％；以以下上）の垂直磁
化膜からなる第１層（記録層）を形成する。

続いて、真空状態を保持したまま、ターゲットをＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ合金に取り替え、同様にスパッタリングを行
ない、第１層の上に厚さ１７００人のＤＹ＋＊ＴｂｗＦ
Ｉ！ｏｃＯｓｏの垂直磁化膜からなる第２層（記録補助
層）を形成する。

こうして、クラスｌ　（Ｐタイプ・第１象限・タイプｌ
）属する２層光磁気記録媒体Ｎ１１ｍが製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。Ｍ３
ＳＨｅ、σ、の値は、いずれも２５℃での値である。

第 表 〔比較例　　　　クラス８〕 実施例と同様にして下記第３表に示すクラス８（Ａタイ
プ・第■象限・タイプ２）に属する２層光磁気記録媒体
磁８を製造する。

第３表で、Ｍｓ％Ｈｃ、σ、の値は、いずれも２５℃で
の値である。

第３表 〔試験例１〕 実施例の媒体及び比較例の媒体について、線速度ｖ＝５
．６５ｍ／秒で回転させておき、そこへ記録磁界Ｈｂを
１０００ｅずつ増加させながら各Ｈｂにおいて、■予め
高温サイクルで形成（記録）された「マーク長０．７５
μｍのマーク」を低温サイクルで完全に消去するのに必
要な最低レーザービーム強度及び■完全に消去した後、
高温サイクルでマークを形成するのに必要な最低レーザ
ービーム強度をそれぞれ測定した。

この結果を第５図に示す。第５図で、■は前者を示し、
■は後者を示す。第５図でから明らかなように、実施例
の媒体（実線のグラフ）は、■と■のグラフが交差する
ことがなく、従って、Ｈｂを１２０００　ｅ以上とする
ことができ、マージンが広い。

それに対して、比較例の媒体（破線のグラフ）は、■と
■のグラフがＨｂ　＝　５０００ｅで交差しており、Ｈ
ｂを５０００６未満としなければならず、マージンが狭
い。

〔試験例２〕 （１）実施例の媒体及び比較例の媒体について、予め高
温サイクルで「マーク長０．７５μｍのマーク」を所定
トラック上に間欠的に形成（記録）した。

（２）次に各媒体について、線速度ｖ＝５．６５ｍ／秒
で回転させておき、記録磁界Ｈｂ　＝　３０００ｅの印
加条件下で強度１ｍｗのレーザービームを前記「マーク
」上に照射した。

（３）　　各媒体について、トラックを変えながら、各
トラックごとに、前述の（１）「マーク」形成（記録）
とレーザービーム強度をＯ，１ｍＷずつ増加させながら
（２）照射を繰り返した。

（４）　　その上で各「マーク」について再生用レーザ
ービームを照射してＣ／Ｎ比を測定した。

（５）　　この結果を第６図に示す。第６図で、実施例
の媒体（実線のグラフ）は、レーザービーム強度が低い
場合、Ｃ／Ｎ比は、４７ｄＢで一定であるが、成る値Ｐ
ｒ５＝２．２　ｍＷより急に低下を始め、Ｐｃｅ＝３．
２ｍＷで完全にゼロとなる。つまり、完全に消去される
ビーム強度Ｐｃｅと、再生時に消去が始まってしまうビ
ーム強度Ｐｒｓとの差（Ｐｃｅ−ＰｒＳ）が１．０　ｍ
Ｗある。

それに対して、比較例の媒体（破線のグラフ）は、ビー
ム強度が低い場合、Ｃ７Ｎ比は、同じ＜４７ｄＢで一定
であるが、成る値Ｐｒ５＝２．０　ｍＷより急に低下を
始め、Ｐｃｅ＝３．２　ｍＷで完全にゼロとなる。つま
り、（Ｐｃｅ−Ｐｒｓ）が１．２ｍＷある。

このことから、実施例の媒体の方が再生時にビーム強度
を高くしてもマーク（記録）が消去される危険が少なく
、そのため、Ｃ／Ｎ比が高くなることが理解されよう。

実際、安全を見込んで余裕をとると、この場合、１〜１
．５　ｍＷで再生することが好ましいが、そうすると、
本実施例で０．２ｍＷの余裕がでることは、１〜２割程
度再生時のレーザービーム強度を増加させてもよいこと
になり、その結果、Ｃ／Ｎ比が約２ｄＢ向上することが
期待される。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、■記録磁界Ｈｂのマージ
ンが広く、それだけ記録媒体の組成設計が自由になり、
また、■再生時に強度の高いレーザービームを使用する
ことができ、それだけ高いＣ／Ｎ比が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライド可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、基本発明にかかるオーバーライド可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 第５図及び第６図は、グラフである。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ　　　レーザービーム Ｌｐ・・−・・・・・直線偏光 Ｂ、・・・・・・−「Ａ向き」磁化を有するビットＢｏ
・−・・・・・・「逆Ａ向き」磁化を有するビットド・
−・−・・・・・・記録層（第１層）２・・・・・・・
・・・・−記録補助層（第２層）Ｓ・・・・・・・・・
・・・基板 ２０・・−・・−・・オーバーライド可能な光磁気記録
媒体２１・・・−・・・・記録媒体を回転させる回転手
段２２・・・・・・・・初期補助磁界旧ｎ１．印加手段
２３・−一一一一・・レーザービーム光源２４・・・・
・・−記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」磁
化を有するビットの何れか一方を形成するのに適当な温
度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとの間で
パルス状に変調する変調手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直
   磁気異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造
   を有し、 層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
   き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、 第２層の磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界Ｈｉ
   ｎｉ．により「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」に揃えられ、 （１）高レベルのレーザービームが照射された時は、記
   録磁界Ｈｂにより第２層に所定の向きの磁化が作られ、
   この第２層の磁化の作用によって第１層に「逆Ａ向き」
   磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマークが形成され
   、 （２）低レベルのレーザービームが照射された時は、Ｈ
   ｉｎｉ．により所定の向きにさせられた第２層の磁化の
   作用によって第１層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き
   」磁化〕を有するマークが形成され、かつ、下記１条件
   、 Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿２を満
   足し、かつ室温で下記４条件； Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜Ｈ＿Ｄ＿１■Ｈ＿Ｄ＿２｜
   Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿１ Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿２ Ｈ＿ｃ＿２＋Ｈ＿Ｄ＿２＜｜Ｈｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１
   ±Ｈ＿Ｄ＿１を満足するオーバーライト可能な光磁気記
   録媒体において、 第２層が補償温度を有し、かつ、 第１層のキュリー点Ｔ＿ｃ＿１が第２層の補償温度Ｔ＿
   ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２より高いことを特徴とするオー
   バーライト可能な光磁気記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｈ＿Ｄ＿１：第１層が受ける結合磁界 Ｈ＿Ｄ＿２：第２層が受ける結合磁界 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ２　請求項第１項記載のオーバーライト可能な光磁気記
   録媒体において、 第１層と第２層とは、いずれも遷移金属−重希土類合金
   組成から選択したものであることを特徴とする光磁気記
   録媒体。 ３　請求項第２項記載のオーバーライト可能な光磁気記
   録媒体において、 第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補
   償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層が重希
   土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度を有す
   る遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条件式； （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜
   Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿２を満足し、そして室温
   で次の各条件式； （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）（３）Ｈ
   ＿ｃ＿１＞（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１）（４）Ｈ＿
   ｃ＿２＞（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）（５）Ｈ＿ｃ
   ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）＜｜Ｈｉｎｉ｜
   ＜Ｈ＿ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）を満足
   する光磁気記録媒体。ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度Ｔ＿ｃ
   ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度Ｔ＿ｃ＿１：
   第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ４　請求項第２項記載のオーバーライト可能な光磁気記
   録媒体に於いて、 第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補
   償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２層が重
   希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度を有
   する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条件式
   ； （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２を満足し、そして室温で次の各条件式； （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１）（３）Ｈ
   ＿ｃ＿１＞（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１）（４）Ｈ＿
   ｃ＿２＞（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）（５）Ｈｃ＿
   ２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）＜｜Ｈｉｎｉ｜＜
   Ｈ＿ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１）を満足す
   る光磁気記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度Ｔ＿ｃ
   ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ５　請求項第２項記載のオーバーライト可能な光磁気記
   録媒体於いて、 第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補
   償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２層が重
   希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度を有
   する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条件式
   ； （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２を満足し、そして室温で次の各条件式； （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ
   ＿１ｔ＿１）−（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）｜（３
   ）Ｈ＿ｃ＿１＞（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１）（４）
   Ｈ＿ｃ＿２＞（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）（５）Ｈ
   ＿ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２）＜｜Ｈｉｎ
   ｉ｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１）を
   満足する光磁気記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度Ｔ＿ｃ
   ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界