JPH02257544A

JPH02257544A - 電子線発生装置及び該電子線発生装置を用いた画像形成装置

Info

Publication number: JPH02257544A
Application number: JP1076610A
Authority: JP
Inventors: Hidetoshi Suzuki; 英俊鱸; Kiyoshi Takimoto; 瀧本　清; Haruto Ono; 治人小野; Tetsuya Kaneko; 哲也金子; Ichiro Nomura; 一郎野村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-03-30
Filing date: 1989-03-30
Publication date: 1990-10-18
Anticipated expiration: 2013-08-20
Also published as: JP2789210B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、ＭＩＭ型電子放出素子を多数配列したマルチ
電子線発生装置及び該マルチ電子線発生装置を用いた画
像形成装置（例えば平板形ＣＲＴ）に関する。

［従来の技術］従来、平板状デイスプレィ装置としては、種々のタイプ
のものが提案されているが、その代表的なものとしては
ルミネッセンス方式、プラズマ方式、及び液晶方式等を
用いた平板状デイスプレィ装置がある。

しかし、上記方式を例えば、カラーテレビジョン等の様
な高速走査で画素密度の高い画像の要求されるデイスプ
レィ装置に用いようとした場合には、その発光効率に限
度があり又、大画面用としても実用的ではない。この為
テレビジョン用等には従来、真空中で電子源より放出さ
れた電子を、高電圧で加速して蛍光体に衝突発光させて
、画像を再現させる電子線加速型の平板状デイスプレィ
装置が有力候補の一つとなっている。

この電子線加速型の平板状デイスプレィ装置に於ては、
例えば、画素に電子源が一対一で対応しているマルチ電
子源構造とすることが考えられており、この場合の電子
線源としては例えば、ＭＩＭ型電子放出素子が知られて
いる。

第１３図はＭＩＭ型電子放出素子の一般的な構成を示す
模式図である。

ＭＩＭ型電子放出素子は、同図に示すように、金属Ｍｌ
上に薄い絶縁層１を介して薄い金属Ｍ２が積層形成され
た構造を有している。そして、金属Ｍ２の仕事関数φｍ
より大きな電圧Ｖを金属Ｍｌ及びＭ２に印加することに
よって、絶縁層をトンネルした電子のうち真空準位より
大きなエネルギーを有するものが金属Ｍ２表面から放出
される。

第１４図は、従来のＭＩＭ型電子放出素子の概略的断面
図である。同図に示すように、電子放出部Ｗでは、金属
Ｍ２が薄く形成されている。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、これらのＭＩＭ型電子放出素子を画像形
成装置に応用する場合、一般には、基板上に多数の素子
（以下ＭＩＭ型電子放出素子を素子と略す）を配列形成
し、各素子間を薄膜もしくは厚膜の電極で電気的に配線
し、マルチ電子ビーム源として用いていたが、配線抵抗
で生じる電圧降下の為に、各素子毎に印加される電圧が
ばらついてしまうという現象が生じる。その結果、各放
出素子から放出される電子ビームの電流量にばらつきが
生じ、形成される画像に濃度むらが起きるという問題が
発生していた。

第１５図及び第１６図はこの問題をより詳しく説明する
為の図で、両図とも（ａ）は電子放出素子と配線抵抗及
び電源を含む等価回路図であり、（ｂ）は各電子放出素
子の正極と負極の電位を示す図、また（ｃ）は各素子の
正負極間に印加される電圧を示す図である。第１５図（
ａ）は、並列接続されたＮ個の電子放出素子ＤＩ、〜Ｄ
、と電源ＶＥとを接続した回路を示すもので、電源の正
極と素子り、の正極を、また電源の負極と素子ＤＮの負
極を接続したものである。また、各素子を並列に結ぶ共
通配線は、図に示すように隣接する素子間でｒの抵抗成
分を有するものとする。（画像形成装置では、電子ビー
ムのターゲットとなる画素は、通常、等ピッチで配列さ
れている。従って、電子放出素子も空間的に等間隔をも
って配列されており、これらを結ぶ配線は幅や膜厚が製
造上ばらつかない限り、素子間で等しい抵抗値を有する
。）また、全ての電子放出素子り、〜Ｄ０は、はぼ等しい抵
抗値Ｒｄを各々有するものとする。

前記第１５図（ａ）の回路図に於て、各素子の正極及び
負極の電位を示したのが同図　（ｂ）である。図の横軸
は、Ｄ、〜Ｄ、の素子番号を示し、縦軸は電位を示す。

・印は各素子の正極電位を、■印は負極電位を表わして
おり、電位分布の傾向を見易くする為、便宜的に・印（
■印）を実線で結んでいる。

本図から明らかなように、配線抵抗ｒによる電圧降下は
一様に起こるわけではなく、正極側の場合は素子Ｄ１に
近い程急峻であり、逆に負極側では素子ＤＮに近い程急
峻になっている。これは、正極側では、Ｄ、に近い程配
線抵抗ｒを流れる電流が太き（、また、負極側では、逆
にＤＨに近い程大きな電流が流れる為である。

これから、各素子の正負極間に印加される電圧をプロッ
トしたのが同図　（Ｃ）である。図の横軸はり、−Ｄ、
の素子番号を、横軸は印加電圧を各々示し、同図　（ｂ
）と同様、傾向を見易くする為に便宜的に■を実線で結
んでいる。

本図から明らかなように、同図　（ａ）のような回路の
場合には、両端の素子（Ｄ、及びり、）に近い程大きな
電圧が印加され、中央部付近の素子では印加電圧が小さ
くなる。従って、各電子放出素子から放出される電子ビ
ームは、両端の素子程ビーム電流が大きくなり、画像形
成装置に応用した場合極めて不都合であった。（例えば
、両端に近い部分の画像は濃度が濃く、中央部付近の濃
度は淡（なってしまう。）一方、第１６図に示すのは、並列接続された素子列の片
側（本図では素子Ｄｔ側）に、電源の正負極を接続した
場合である。この様な回路の場合には、同図　（ｂ）に
示すように、正極側、負極側ともＤＩに近い程配線抵抗
ｒによる電圧降下が太き（なる。

従って、各素子に印加される電圧は、同図（ｃ）に示す
ように、Ｄｌに近い程大きなものとなり、画像形成装置
として応用するには極めて不都合であった。

以上、二つの例で示したような素子毎の印加電圧のばら
つきの程度は、並列接続される素子の総数Ｎ、素子抵抗
Ｒｄと配線抵抗ｒの比（＝　Ｒｄ／ｒ）　、あるいは電
源の接続位置により異なるが、一般には、Ｎが大きい程
、Ｒｄ／ｒが小さい程ばらつきは顕著となり、また前記
第１５図よりも第１６図の接続方法のほうが、素子に印
加される電圧のばらつきが大きい。

例えば、第１５図の接続法で素子抵抗Ｒｄ＝ｌｋΩ、ｒ
＝ｌＯｍΩの場合、Ｎ　＝　１００であれば、印加電圧
の最も大きな素子と最も小さな素子を比較すると、Ｖ　
ｗａｘ：Ｖ　、、１１＝　１０２：１００程度テアルが
、Ｎ　＝　１０００テあれば、Ｖ、、ｘ：Ｖ、、ｎ＝４
７２：１００と、ばらつきの割合は太き（なる。

また、Ｎ　＝　１０００．Ｒｄ　＝　１　ｋΩ、ｒ＝１
ｍΩの場合には、Ｖａａｘ：Ｖｍｌ。＝　１２７：１０
０程度テアルカ、ｒ　＝　１０ｍΩの場合には、Ｖ□、
：Ｖ、１．　＝４７２：１００程度というようにばらつ
きの程度は太き（なる。

以上説明したように、特性の等しい電子放出素子を複数
個並列に接続した場合には、配線抵抗により生ずる電圧
降下の為、各素子に実効的に印加される電圧は素子毎に
ばらついてしまい、電子ビームの放出量が不均一となり
、画像形成装置として応用する場合に不都合であった。

特に、画素数の多い（すなわちＮの大きい）大容量表示
装置を実現しようとする場合には、上記ばらつきの割合
は顕著となり、画像の濃度むらが大きな問題となってい
た。

［課題を解決するための手段及び作用］本発明によれば
複数のＭＩＭ型電子放出素子を並列に配線して、マルチ
電子ブーム源を形成する際、素子毎に駆動電圧がばらつ
くことを予め考慮し、素子の電子放出特性を適宜変えて
配列形成してお（ことにより、どの素子からも等しい電
子ビーム量が得られるようにしたものである。

かかる電子放出特性を変える第１の方法として、電子放
出部の面積を素子ごとに適宜変えて形成することを考案
した。

また、これとは別に第２の方法として、各ＭＩＭ型電子
放出素子の上側金属電極の厚さを適宜変えることを考案
した。

また第３の方法として、電子放出部に用いる材料を適宜
変えることを考案した。

上記、第１〜第３の方法は、独立に用いてもよいし、場
合によっては、組み合わせることも可能である。

前記方法により実現される電子放出特性の異なる素子を
、本発明では以下に述べるように配列して、電気的に並
列に電圧を印加する。

すなわち、並列接続した素子列に、前記第１５図の様な
方法で給電する場合には、列の両端の素子に比べ、中央
の素子の方が印加される電圧が小さくなるので、比較的
小さな印加電圧でも必要なビーム電流が得られる素子を
中央に配置する。

また、前記第１６図の様な方法で給電する場合には、給
電側から遠い素子程印加される電圧が小さくなるので、
比較的小さな印加電圧でも必要なビーム電流が得られる
素子を給電側から遠い位置に配置する。

以上の方法により、並列接続された多数のＭＩＭ型電子
放出素子から放出される電子ビーム量を、ばらつきのな
い均一なものとすることを可能にしたものである。

［実施例］以下に、実施例を用いて本発明を具体的に詳述する。

衷１１１１第１図〜第４図は、本発明の第１の実施例を説明するも
のであり、先ず第１図は、本発明適用の電子線発生装置
の一部を示す斜視図である。

本図に於て、・１は絶縁性基板（例えば、ガラス板）で
、その上に複数のＭＩＭ型電子放出素子と導電路２ａ、
２ｂ（電気配線）が形成されている。

かかる導電路２ａ、　２ｂは、例えばＡｕ、　Ｃｕ、　
ＡＩ、　Ｎｉ、　Ａｇ等の金属より成り、２ａは素子の
上側金属電極に正電圧を印加するためのもので、一方、
２ｂは素子の下側金属電極に負電圧を印加するためのも
のである。

また、３は素子の下側金属電極、４は中間絶縁層、５は
上側金属電極である。

上側金属電極５の一部に設けられた円形領域６は、従来
技術の項で説明したように金属の厚さを薄くしてあり、
この部分が電子放出部となる。

第１図には、ＭＩＭ型電子放出素子が４素子のみ示され
ているが、本発明はより多数の素子列に対しても有効で
、本実施例も実際には、図示外のし方向に約２００素子
が形成されている。

さらに、本実施例の場合、素子列を駆動する際には前記
第１５図のように、正電圧と負電圧を各々素子列の相対
する端から供給するものとする。

また、本発明の特徴とする電圧降下による電子ビーム放
出量のばらつきへの対応策としては、電子放出部６の面
積を素子毎に適宜変えることで、電子放出特性を調整し
ている。

このことを説明する為に、前記第１図に示す素子列の中
心（各電子放出部６の中心）を通り、基板１と垂直な面
における断面図を第２図に示す。

本図に於て、下部金属電極３及び中間絶縁層４の形状は
、どの素子も等しく形成されているが、上部金属電極５
の薄肉部分（厚さ一定）、すなわち電子放出部６の面積
は、素子毎に異なる大きさを成している。つまり、本実
施例では、電子放出部６が円形である為、断面図に現わ
れるｄ＋、ｄａ、ｄｓｄ４は、各素子の電子放出部の直
径を表わし、素子毎に適宜異なる大きさを有している。

（尚、ＭＩＭ型電子放出素子の電子放出部は円形でな（
てもよく、むろん本発明の適用は、他の形に対しても可
能である。）次に、本発明の詳細な説明する為、電子放出部６の面積
が異なる場合の電子放出特性の相違を第３図に例示する
。図中、横軸は電子放出素子に印加する電圧で、縦軸は
素子から出力されるビーム電流を示す。例えば、電子放
出部の面積がＳｌの素子と８２の素子（但し、Ｓｌ＞　
Ｓ２とする）に、電圧を印加していくと、図に示すよう
に、電子放出特性は異なったものとなる。

従って、電圧がｖ１シか印加されないことが想定される
場所には、予め放出部面積がＳｌの素子を形成し、同時
に、電圧がｖ２だけ印加されることが想定される場所に
は、放出部面積が８２の素子を形成すれば、これらの素
子からは等しい大きさのビーム電流が得られることにな
る。

そこで、前記第１図の素子列に於ては、第４図のグラフ
に示すように、各素子の電子放出部面積を変えておくこ
とにより、どの素子からも等しいビーム電流を得ること
ができる０図中、横軸は前記第１５図（ｃ）と同様各番
号に対応する素子を表わし、また、縦軸−は各素子の電
子放出部の面積を表わしている。

本実施例に於ては、素子印加電圧は第１５図　（ｃ）に
示したように、両端の素子に比べて中央の素子の方が小
さくなることから、これを補正する為に第４図に示した
ように、両端の素子に比べて中央の素子の方が電子放出
部の面積を広く設けである。

一方、第１６図のような給電方法で駆動される場合には
、第５図に示すように、電源側に近い素子（０，側）は
ど電子放出部面積を小さくすれば、各素子から等しいビ
ーム電流を得ることができる。

衷五ｕ糺１次に第２の実施例として、上部金属電極５の凹部（電子
放出部６）の厚さを適宜変えることにより、素子毎に電
子放出特性を調整し出力ビーム電流を均一化した例を挙
げる。

第６図〜第８図は、本実施例を説明する為の図である。

先ず、第６図にＭＩＭ型電子放出素子の断面図を示すが
、本実施例に於ては、複数の素子を配列する際、下側金
属電極３や中間絶縁層４の面積、厚さ、及び電子放出部
６の面積を等しくし、かつ、上側金属電極５の電子放出
部６の厚さｔのみを適宜変えるものである。

そこで、ｔを変えた場合の電子放出特性の違いを第７図
に例示する。１　＋　＜　１　＊とした時、素子印加電
圧の増加に伴い、はぼ等しい電圧で電子放出が開始され
たが、その後さらに電圧を増加させると厚さｔ、の素子
の方がｔ２の素子に比べて出力ビーム電流は大幅に増加
した。

従って、前記第１実施例から類推されるように、素子印
加電圧のばらつきにあわせて予め適当な厚さｔの素子を
配列することにより、出力ビーム電流の大きさを揃える
ことが可能となる。

第８図及び第９図に示すのは、各々前記第１５図と第１
６図の給電方法を行なう場合に、厚さｔの異なる素子の
配列パターンを示した図であり、図中、横軸は素子番号
を、縦軸は厚さｔを表わしている。

尚、本実施形態の場合、厚さｔをあまり大きくすると十
分な出力ビーム電流が得られな（なり、逆にあまり小さ
くすると、耐久性が不十分になる為、一般に、１００人
≦ｔ≦５００人の範囲で選択するのが望ましい。

また、Ｎ個の素子各々全ての厚さｔを変えなくとも、数
個〜数ｌＯ個を１グループとして、グループ毎に変える
ことによっても、ある程度ばらつきは低減でき、さらに
製造工程の簡単化という利点がある。

衷１ｄ九旦次に、本発明の第３の実施例について説明する。

本実施例では、前記第１．第２実施例と異なり、各素子
の形状や大きさは同一で、上側金属電極５に適宜異なっ
た金属材料を用いることにより電子放出特性を変えるも
のである。

この場合用いられる材料は、例えば、Ａｕ、　Ａｇ。

Ｃｕ、　Ｗ　、ＡＩ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ等の金属、Ｍｏ
／Ｔｈ、　Ｗ／Ｔｈ、　Ｔａ／Ｔｈ等の合金、あるいは
金属のホウ化物、もしくは炭化物、もしくは酸化物等も
含まれる。

本実施形態においては、素子列の中で上側金属電極５と
して、印加電圧の小さな素子には仕事関数の小さな材料
を用い、印加電圧の大きな素子には比較的仕事関数の大
きな材料を用いる。このように、上側金属電極５に用い
る材料を適宜、選択して変える事により、各素子から放
出される出力ビーム電流のばらつきを低減することが可
能である。

以上、本発明の実施例を３形態説明したが、本発明の基
本思想は、並列接続された複数のＭＩＭ型電子放出素子
いおいて、配線抵抗で生ずる電圧降下に起因した素子印
加電圧のばらつきに応じて、予め素子の電子放出特性を
適宜、調整することにより、各素子から放出される電子
ビームを均一にする点にある。従って、この基本思想に
沿うものであれば、上記以外の方法であってもよいし、
また上記の３つの方法を組み合わせて行ってもよい。

次に第１θ図〜第１２図において、本発明を適用した平
板型画像形成装置の一実施形態を説明する。

第１Ｏ図は、表示パネルの構造を示す為の一部切欠きの
斜視図、第１１図は、パネルを駆動するブロック回路を
示す図、第１２図は、パネル各部の駆動タイミングを示
すタイムチャートである。

以下、本装置の動作を順を追って説明する。

第１Ｏ図は表示パネルの構造を示しており、図中、ＶＣ
はガラス製の真空容器で、その一部であるＦＰは表示面
側のフェースプレートを示している。

フェースプレートＦＰの内面には、例えばＩＴＯを材料
とする透明電極が形成され、さらにその内側には、赤、
緑、青の蛍光体がモザイク状に塗り分けられ、ＣＲＴの
分野では公知のメタルバック処理が施されている。（透
明電極、蛍光体、メタルバックは図示せず。）また、前
記透明電極は、加速電圧を印加する為に端子ＥＶを通じ
て、真空容器外と電気的に接続されている。

また、Ｓは前記真空容器ＶＣの底面に固定されたガラス
基板で、その上面には本発明のＭＩＭ型電子放出素子が
Ｎ個×ｐ列にわたり配列形成されている。該電子放出群
は、列毎に電気的に並列接続されており、各列の正極側
配線（負極側配線）は、端子Ｄｐ＋−ＤｐＲ（端子Ｄｍ
ｌ−Ｄｍ＃）によって真空容器外と電気的に接続されて
いる。すなわち、本装置では、前述第１５図の給電方法
による素子列が２列にわたり基板Ｓ上に形成されている
。（１列あたりの素子数はＮ個である。）また、各放出
素子の電子放出部は、言うまでもな（前記実施例に示し
たように、適宜電子放連特性を調整しである。

また、基板ＳとフェースプレートＦＰの中間には、スト
ライブ状のグリッド電極ＧＲが設けられている、グリッ
ド電極ＧＲは、前記素子列と直交してＮ本設けられてお
り、各電極には、電子ビームな透過する為の空孔Ｇｈが
設けられている。空孔Ｇｈは、第１Ｏ図に示すように各
電子放出素子に対応して１個づつ設けてもよいし、ある
いは微小な孔をメツシュ状に多数設けてもよい。

各グリッド電極は端子Ｇ、〜Ｇ、によって、真空容器外
と電気的に接続されている。

本表示パネルでは、４個の電子放出素子列と、Ｎ個のグ
リッド電極列により、ＸＹマトリクスが構成されている
。電子放出列を一列づつ順次駆動（走査）するのと同期
してグリッド電極列に画像１９４２分の変調信号を同時
に印加することにより、各電子ビームの蛍光体への照射
を制御し、画像を１ラインづつ表示してい（ものである
。

第１１図に示すのは、前記第１θ図の表示パネルを駆動
する為の電気回路をブロックとして示したもので、図中
７は第１Ｏ図で示した表示パネル、８は素子列駆動回路
、９は変調グリッド駆動回路、　１０は高電圧電源であ
る。表示パネル７の電極端子ＥＶは、高電圧電源ｌＯか
らｌ０ＫＶ程度の加速電圧を供給される。また、電子放
出素子列の負極側配線端子（Ｄｍｌ−ＤＩＩＩＩりは、
グランドレベル（０■）に接地され、正極側の配線端子
（Ｄｐ＋〜Ｄｐβ）は素子列駆動回路８と接続されてい
る。また、グリッド電極は、端子ＧＩ−ＧＮを通じて変
調グリッド駆動回路９と接続されている。

素子列駆動回路８及び、変調グリッド駆動回路９からは
、第１２図の駆動タイムチャートに示すタイミングで信
号電圧が出力される。第１２図中　（ａ）〜（ｄ）は、
素子列駆動回路８から表示パネル７のＤｐ＋、ＤＩ）ｉ
、Ｏｐ８．及びＤｐｉ）端子に印加される信号を示すが
、図から分かる通り、Ｄｐ＋、Ｄｐｉ、Ｄｐａ、・・・
（Ｄｐ４〜Ｄｐ（ｉｌ−１）は図中路）　Ｄｐｉ’　（
７）順に、順次、振幅Ｖ。

［Ｖ］の駆動パルスが印加される。これと同期して変調
グリッド駆動回路９からは、端子Ｇ、〜ＧＨに対し同図
　（ｅ）に示すタイミングで変調信号（Ｖ、（ＯＮ）ま
たはＶ。（ＯＦＦ））が印加される。各端子に対してＶ
。

（ＯＮ）、　Ｖ、（ＯＦＦ）レベルのどちらが印加され
るかは、表示画像のパターンにより決まるものである。

例えばＮ＝２００　、　ｆｌ＝２００のパネルに於て、
本発明を適用する以前には、全面発光させた場合、画面
の中心部と両端部に於て２０％近い輝度むらが観測され
たが、本発明を適用した結果、同一の表示条件のもとで
、輝度むらを従来の’／２０以下に低減でき表示画像の
品位を著しく向上させることができた。

［発明の効果］以上説明したように、本発明では、複数のＭＩＭ型電子
放出素子を並列接続してマルチビーム用の電子線発生装
置を形成する際、配線部の抵抗で生ずる電圧降下に起因
した素子印加電圧のば、らっきに応じて、予め素子の電
子放出特性を適宜調整することにより、各素子から放出
される電子ビームを均一化することが可能となった。

これにより、例えば、平板形ＣＲＴを実現する際、従来
問題となっていた画像の輝度むらを解消することが可能
となり、薄形で大面積の大容量表示装置の実用性能を大
幅に向上することができた。

本発明の適用は、実施例で示したような平板形画像形成
装置以外に、ＭＩＭ型電子放出素子を多数個並列接続し
た電子源部を有する画像形成装置の殆どに適用可能で、
電子ビーム描画装置や画像記録装置の分野にも極めて有
効なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例である電子線発生装置
の一部斜視図、第２図は、本発明の第１の実施例である電子線発生装置
の一部断面図、第３図は、放出部面積の異なるＭＩＭ型電子放出素子の
出力特性を示すグラフ、第４図、第５図は、並列接続したＮ個の素子の電子放出
部面積を示すグラフ、第６図は、本発明の第２の実施例を説明する為のＭＩＭ
型電子放出素子の断面図、第７図は、電子放出部の上側金属の厚さが異なる素子の
出力特性を示すグラフ、第８図、第９図は、並列接続したＮ個の素子の上側金属
の厚さを示すグラフ、第１０図は、本発明適用の画像形成装置の一部切欠斜視
図、第１１図は、本発明適用の画像形成装置の駆動ブロック
回路図、第１２図は、本発明適用の画像形成装置の各部の動作タ
イミングを示す駆動タイムチャート、第１３図、第１４
図は、　ＭＩＭ型電子放出素子を説明する為の断面図、第１５図、第１６図は、複数のＭＩＭ型電子放出素子を
並列接続する際従来生じていた問題を説明する為の図で
ある。１−絶縁性基板２ａ、　２ｂ−導電路３−下側金属電極４−中間絶縁層５−上側金属電極６−電子放出部７−表示パネル８−素子列駆動回路９−変調グリッド駆動回路ｌ〇−高電圧電源

Claims

【特許請求の範囲】

（１）複数のＭＩＭ型電子放出素子を電気的に並列に接
続した電子線発生源において、配線部の抵抗で生ずる電
圧降下に起因した素子印加電圧のばらつきを予め考慮し
、各素子の印加電圧に対する出力ビーム電流特性を適宜
異なるよう調整し、配列したＭＩＭ型電子放出素子を特
徴とする電子線発生装置。
（２）前記印加電圧に対する出力ビーム電流特性を調整
する手段が、前記ＭＩＭ型電子放出素子の電子放出部の
面積を適宜変えることを特徴とする請求項１記載の電子
線発生装置。
（３）前記印加電圧に対する出力ビーム電流特性を調整
する手段が、前記ＭＩＭ型電子放出素子の電子放出部で
ある上側金属電極の厚さを適宜変えることを特徴とする
請求項１記載の電子線発生装置。
（４）前記印加電圧に対する出力ビーム電流特性を調整
する手段が、前記ＭＩＭ型電子放出素子の電子放出部で
ある上側金属電極の材料を適宜変えることを特徴とする
請求項１記載の電子線発生装置。
（５）電気的に複数並列接続されたＭＩＭ型電子放出素
子の列の一端から正電圧を、他の一端から負電圧を印加
し得るよう給電手段が設けられ、かつ、ＭＩＭ型電子放
出素子の電子放出部の面積が列の両端に位置する素子よ
りも、列の中央に位置する素子の方が大きくなっている
ことを特徴とする請求項２記載の電子線発生装置。
（６）電気的に複数並列接続されたＭＩＭ型電子放出素
子の列の一端に素子を駆動する為の正電圧と負電圧を給
電する手段が設けられ、かつ、ＭＩＭ型電子放出素子の
電子放出部の面積が前記給電手段が設けられた一端に近
い素子よりも、遠い素子の方が大きくなっていることを
特徴とする請求項２記載の電子線発生装置。
（７）電気的に複数並列接続されたＭＩＭ型電子放出素
子の列の一端から正電圧を、他の一端から負電圧を印加
し得るよう給電手段が設けられ、かつ、ＭＩＭ型電子放
出素子の電子放出部となる上側金属電極の厚さが列の両
端に位置する素子よりも、列の中央に位置する素子の方
が小さくなっていることを特徴とする請求項３記載の電
子線発生装置。
（８）電気的に複数並列接続されたＭＩＭ型電子放出素
子の列の一端に素子を駆動する為の正電圧と負電圧を給
電する手段が設けられ、かつ、ＭＩＭ型電子放出素子の
電子放出部となる上側金属電極の厚さが前記給電手段が
設けられた一端に近い素子よりも、遠い素子の方が小さ
くなっていることを特徴とする請求項３記載の電子線発
生装置。
（９）電気的に複数並列接続されたＭＩＭ型電子放出素
子の列の一端から正電圧を、他の一端から負電圧を印加
し得るよう給電手段が設けられ、かつ、ＭＩＭ型電子放
出素子の電子放出部となる上側金属電極に用いる材料は
、列の両端に位置する素子よりも、列の中央に位置する
素子の方が仕事関数の小さな材料から成ることを特徴と
する請求項４記載の電子線発生装置。
（１０）電気的に複数並列接続されたＭＩＭ型電子放出
素子の列の一端に素子を駆動する為の正電圧と負電圧を
給電する手段が設けられ、かつ、ＭＩＭ型電子放出素子
の電子放出部となる上側金属電極に用いる材料は、前記
給電手段が設けられた一端に近い素子よりも、遠い素子
の方が仕事関数の小さな材料から成ることを特徴とする
請求項４記載の電子線発生装置。
（１１）電子源として請求項１記載の電子線発生装置を
有し、かつ、各電子放出部から放出される電子線（電子
ビーム）を変調する為の変調手段と、電子ビームの照射
により画像を形成するターゲットとを具備したことを特
徴とする画像形成装置。