JPS63105437A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
- Publication number
- JPS63105437A JPS63105437A JP24948486A JP24948486A JPS63105437A JP S63105437 A JPS63105437 A JP S63105437A JP 24948486 A JP24948486 A JP 24948486A JP 24948486 A JP24948486 A JP 24948486A JP S63105437 A JPS63105437 A JP S63105437A
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- Japan
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- electron beam
- image forming
- axis
- elements
- semiconductor element
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、表示装置や記録装置として使用される画像形
成袋ａ５関し、特に、電子ビーム発生用半導体素子を用
いた画像形成装置に関する。
成袋ａ５関し、特に、電子ビーム発生用半導体素子を用
いた画像形成装置に関する。
本発明に用い得る電子ビーム発生用半導体素子としては
、例えば特公昭５４−３０２７４号公報や特開昭５４−
１１１２７２号（米国特許４２５９６７８号）公報、特
開昭５６−１５５２９号（米国特許４３０３９３０号）
公報、特開昭５７−３８５２８号公報等に開示されてい
て、本発明はこれらの技術又はその類似技術を好適に用
いたものである。
、例えば特公昭５４−３０２７４号公報や特開昭５４−
１１１２７２号（米国特許４２５９６７８号）公報、特
開昭５６−１５５２９号（米国特許４３０３９３０号）
公報、特開昭５７−３８５２８号公報等に開示されてい
て、本発明はこれらの技術又はその類似技術を好適に用
いたものである。
［開示の概要］
本明細書及び図面は、表示装置や記録装置として使用さ
れる画像形成装置において、電子ビーム発生用半導体素
子を格子状に配列したカソードを電子源として用い、半
導体素子と変調電極の駆動ラインとを１列毎に駆動する
ことにより、２次元に配列した複数の電子ビーム源から
所望の画素を選択し、クロストークのない任意の画像を
形成する技術を開示するものである。
れる画像形成装置において、電子ビーム発生用半導体素
子を格子状に配列したカソードを電子源として用い、半
導体素子と変調電極の駆動ラインとを１列毎に駆動する
ことにより、２次元に配列した複数の電子ビーム源から
所望の画素を選択し、クロストークのない任意の画像を
形成する技術を開示するものである。
［従来の技術］
現在、画像形成装置の電子源として最も一般的に使用さ
れているのは熱カソードであるが、前記公知例の電子ビ
ーム発生用半導体素子は、熱カソードに比較して室温動
作が可能で、ファインピッチに多数の素子を実装できる
などの長所があって、これを表示装置や記録装置等に応
用しようとする画像形成装置の提案が様々になされてい
る。
れているのは熱カソードであるが、前記公知例の電子ビ
ーム発生用半導体素子は、熱カソードに比較して室温動
作が可能で、ファインピッチに多数の素子を実装できる
などの長所があって、これを表示装置や記録装置等に応
用しようとする画像形成装置の提案が様々になされてい
る。
例えば、前記特開昭５４−１１１２７２号公報で開示さ
れたものは、ｐ−ｎ接合を有する電子ビーム発生用半導
体素子を格子状に配列し、ＣＲＴディスプレイの電子源
に応用している。これは、前記半導体素子に逆バイアス
を印加するもので、第２図に概略回路構成を示すように
、半導体素子２１に逆バイアスを印加するＸ軸電極２２
及びＹ軸電極２３を格子状に構成し、両軸を適宜選択す
ることにより、格子状の交点に配置された半導体素子の
うち所望の素子を動作させるものである。
れたものは、ｐ−ｎ接合を有する電子ビーム発生用半導
体素子を格子状に配列し、ＣＲＴディスプレイの電子源
に応用している。これは、前記半導体素子に逆バイアス
を印加するもので、第２図に概略回路構成を示すように
、半導体素子２１に逆バイアスを印加するＸ軸電極２２
及びＹ軸電極２３を格子状に構成し、両軸を適宜選択す
ることにより、格子状の交点に配置された半導体素子の
うち所望の素子を動作させるものである。
［発明が解決しようとする問題点］
このような一般的に使用されているＸ−Ｙマトリックス
駆動方式を電子ビーム発生用半導体素子に適用すると、
半導体素子間の電気的結合のため、クロストークが生じ
、半導体素子上で任意の点を選択することが難しくなる
という欠点があった。
駆動方式を電子ビーム発生用半導体素子に適用すると、
半導体素子間の電気的結合のため、クロストークが生じ
、半導体素子上で任意の点を選択することが難しくなる
という欠点があった。
また、これを解決するためには、液晶ディスプレイ等で
用いられているトランジスタやＨＩＭ素子を半導体素子
に直列に配設する必要があるが、これを達成するには製
法上かなり難しい問題に直面すると考えられている。
用いられているトランジスタやＨＩＭ素子を半導体素子
に直列に配設する必要があるが、これを達成するには製
法上かなり難しい問題に直面すると考えられている。
上記は、ＣＲＴディスプレイの電子源についての説明で
あるが、電子ビーム発生用半導体素子を格子状に配列し
、Ｘ−Ｙマトリックス駆動により所望の素子を駆動する
画像形成装置の電子源であれば、一般的に同様な問題が
生じると予想される。
あるが、電子ビーム発生用半導体素子を格子状に配列し
、Ｘ−Ｙマトリックス駆動により所望の素子を駆動する
画像形成装置の電子源であれば、一般的に同様な問題が
生じると予想される。
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、ク
ロストークのない任意の画像を得ることができ、大容量
で高輝度なディスプレイにも好適な画像形成装置を提供
することを目的とする。
ロストークのない任意の画像を得ることができ、大容量
で高輝度なディスプレイにも好適な画像形成装置を提供
することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明において、上記の問題点を解決するために創案さ
れた画像形成装置は、格子状に配列された複数の電子ビ
ーム発生用半導体素子と、発生した電子を選択かつ変調
するための変調電極と、電子ビームを衝突させることに
より画像を形成する画像形成部材とで成る画像形成装置
であって、Ｘ及びＹの２軸に構成されたアドレスの、Ｘ
軸アドレスの一列毎に電子ビーム発生用半導体素子を駆
動し、同じくＹ輛アドレスの一列毎に変調電極を駆動す
ることにより、電子ビームを選択して画像形成する画像
形成装置とするものであり、Ｘ輛アドレスの一列とＹ＠
アドレスの一列との交差部が一画素を形成し、電子ビー
ム発生用半導体素子が、ｐ−ｎ接合を有する半導体に逆
方向の電圧を印加するか順方向の電圧を印加すると電子
ビームを発生するカソード素子であって、変調電極が電
子ビーム発生用半導体素子上に一体に、もしくは半導体
素子と別個に形成されていることを特徴とするものであ
る。
れた画像形成装置は、格子状に配列された複数の電子ビ
ーム発生用半導体素子と、発生した電子を選択かつ変調
するための変調電極と、電子ビームを衝突させることに
より画像を形成する画像形成部材とで成る画像形成装置
であって、Ｘ及びＹの２軸に構成されたアドレスの、Ｘ
軸アドレスの一列毎に電子ビーム発生用半導体素子を駆
動し、同じくＹ輛アドレスの一列毎に変調電極を駆動す
ることにより、電子ビームを選択して画像形成する画像
形成装置とするものであり、Ｘ輛アドレスの一列とＹ＠
アドレスの一列との交差部が一画素を形成し、電子ビー
ム発生用半導体素子が、ｐ−ｎ接合を有する半導体に逆
方向の電圧を印加するか順方向の電圧を印加すると電子
ビームを発生するカソード素子であって、変調電極が電
子ビーム発生用半導体素子上に一体に、もしくは半導体
素子と別個に形成されていることを特徴とするものであ
る。
［作 用］
本発明では、基本的にはＸ及びＹの２軸マトリックスに
より画素を構成するのであるが、２軸のアドレスを１上
面上で、例えば半導体素子だけに与えるのでなく、電子
ビーム発生用半導体素子を使用することを利用して、一
方のアドレスは電子の発生源である半導体素子を駆動し
、もう一方のアドレスは発生した電子を引き出す変調電
極に与えて、機能上で分離することによりクロス）−り
を防止したものである。但し、上記の半導体素子と変調
電極とは、必ずしも物理的に分離する必要はなく、別個
に形成してもよく、一体に形成してもよい。また、半導
体素子も電子ビームを発するものであれば、例えば電圧
をｐ−ｎ接合に対して順方向に印加するものでも良いし
、逆方向に印加するものであっても良い。
より画素を構成するのであるが、２軸のアドレスを１上
面上で、例えば半導体素子だけに与えるのでなく、電子
ビーム発生用半導体素子を使用することを利用して、一
方のアドレスは電子の発生源である半導体素子を駆動し
、もう一方のアドレスは発生した電子を引き出す変調電
極に与えて、機能上で分離することによりクロス）−り
を防止したものである。但し、上記の半導体素子と変調
電極とは、必ずしも物理的に分離する必要はなく、別個
に形成してもよく、一体に形成してもよい。また、半導
体素子も電子ビームを発するものであれば、例えば電圧
をｐ−ｎ接合に対して順方向に印加するものでも良いし
、逆方向に印加するものであっても良い。
［実施例コ
第１図は、本発明の一実施例である蛍光表示装置を示す
部分斜視図である。第１図において、１は本発明の主体
である電子ビーム発生用半導体素子、２はその半導体素
子１をライン毎に駆動するためのＸ軸駆動素子、３はそ
の半導体素子１から発生した電子ビームを上方へ引き出
して加速するためのＹ軸電極、４はそのＹ＠電極３を駆
動するＹ軸駆動素子、５はＹ軸電極３を支持する固定部
材、６は前記電子ビーム発生用半導体素子１の支持板、
７はそれらのバックプレート、８はフェースプレート、
９はフェースプレート８の内側表面に設けられた透明電
極、ｌＯはその透明電極９上に設けられた蛍光体膜であ
る。
部分斜視図である。第１図において、１は本発明の主体
である電子ビーム発生用半導体素子、２はその半導体素
子１をライン毎に駆動するためのＸ軸駆動素子、３はそ
の半導体素子１から発生した電子ビームを上方へ引き出
して加速するためのＹ軸電極、４はそのＹ＠電極３を駆
動するＹ軸駆動素子、５はＹ軸電極３を支持する固定部
材、６は前記電子ビーム発生用半導体素子１の支持板、
７はそれらのバックプレート、８はフェースプレート、
９はフェースプレート８の内側表面に設けられた透明電
極、ｌＯはその透明電極９上に設けられた蛍光体膜であ
る。
本実施例の電子ビーム発生用半導体素子１は、前記特開
昭５６−１５５２９号公報で開示されたｐ−ｎ接合を有
する半導体に逆方向電圧を印加すると電子ビームを発生
する素子であって、これらの半導体素子ｌは２端子素子
なので、図に示されるように、一方の端子を全て共通に
駆動し、もう一方の端子をライン毎に駆動するように結
線する。Ｙ １ｔｔｈ電極３は５０〜４００メツシユ（
メツシュは１インチ当りのライン数）のメツシュ状電極
である。
昭５６−１５５２９号公報で開示されたｐ−ｎ接合を有
する半導体に逆方向電圧を印加すると電子ビームを発生
する素子であって、これらの半導体素子ｌは２端子素子
なので、図に示されるように、一方の端子を全て共通に
駆動し、もう一方の端子をライン毎に駆動するように結
線する。Ｙ １ｔｔｈ電極３は５０〜４００メツシユ（
メツシュは１インチ当りのライン数）のメツシュ状電極
である。
ここで、Ｘ軸駆動素子２により半導体素子ｌをライン毎
に時分割駆動し、該半導体素子ｌを順次動作させること
により電子ビームを発生させる。
に時分割駆動し、該半導体素子ｌを順次動作させること
により電子ビームを発生させる。
次に、Ｙ軸駆動素子４によりＹ軸電極３に電圧を印加し
、発生した電子ビームを上方へ引き出し加速する。印加
電圧は５〜２００ｖ、好ましくはｌＯ〜１００ｖ、更に
好ましくは３０〜５０Ｖが適当である。
、発生した電子ビームを上方へ引き出し加速する。印加
電圧は５〜２００ｖ、好ましくはｌＯ〜１００ｖ、更に
好ましくは３０〜５０Ｖが適当である。
電子ビームを引き出さない個所は、−５０〜２ｖの電圧
を印加すればよい。
を印加すればよい。
上記の方式で、格子状に配列した半導体素子１かも発生
した電子ビームのうち所望の電子ビームを選択し、透明
電極９に１０〜２００Ｖの電圧を印加することにより、
選択した電子ビームを前記蛍光体膜１０に衝突させて可
視化する。
した電子ビームのうち所望の電子ビームを選択し、透明
電極９に１０〜２００Ｖの電圧を印加することにより、
選択した電子ビームを前記蛍光体膜１０に衝突させて可
視化する。
本実施例においては、Ｘ軸方向に１００個、Ｘ軸方向に
１００個のマトリックス、計１００００個の前記半導体
素子１を配列し、上記の如く動作させたところ、所望の
半導体素子ｌを選択（アドレス）でき、その結果として
、大容量かつ高輝度の表示特性がクロストークなしに得
られた。
１００個のマトリックス、計１００００個の前記半導体
素子１を配列し、上記の如く動作させたところ、所望の
半導体素子ｌを選択（アドレス）でき、その結果として
、大容量かつ高輝度の表示特性がクロストークなしに得
られた。
本発明による画像形成装置においては、上記第１図にお
ける実施例の半導体素子１？、ｐ−ｎ接合を有する半導
体素子に順方向電圧を印加して電子ビームを発生する素
子など、他の冷陰極型固体電子ビーム発生素子を使用し
ても、同様な効果を得ることができる。
ける実施例の半導体素子１？、ｐ−ｎ接合を有する半導
体素子に順方向電圧を印加して電子ビームを発生する素
子など、他の冷陰極型固体電子ビーム発生素子を使用し
ても、同様な効果を得ることができる。
また、第１図の実施例に示した蛍光表示装置の 他にも
、冷陰極型固体電子ビームを格子状に設けたフラットＣ
ＲＴディスプレイ装置、電子線を利用した記録表示装置
、電子ビーム半導体焼き付は装置などの画像形成装置に
おいても、同様な効果が期待できる。
、冷陰極型固体電子ビームを格子状に設けたフラットＣ
ＲＴディスプレイ装置、電子線を利用した記録表示装置
、電子ビーム半導体焼き付は装置などの画像形成装置に
おいても、同様な効果が期待できる。
更に、第１図の実施例における電子引き出し用電極は、
メツシュ電極に限定されるものではなく、電子発生用半
導体素子から発生した電子ビームを引き出し、加速する
電極であれば、どのようなものでもよく、また、電子引
き出し用電極は半導体素子と別個に設ける必要もなく１
例えば特開昭５６−１５５２９号公報で開示されている
様に、半導体素子上に一体に設けても同様な効果が得ら
れる。
メツシュ電極に限定されるものではなく、電子発生用半
導体素子から発生した電子ビームを引き出し、加速する
電極であれば、どのようなものでもよく、また、電子引
き出し用電極は半導体素子と別個に設ける必要もなく１
例えば特開昭５６−１５５２９号公報で開示されている
様に、半導体素子上に一体に設けても同様な効果が得ら
れる。
［発明の効果］
以上説明した様に、本発明によれば、電子ビーム発生用
半導体素子を格子状に多数配列したカソードを電子源と
して用い、その半導体素子を１ライン毎に駆動して電子
ビームを発生させ、このラインと直交する方向に配設さ
れた変調電極を駆動することにより、発生した電子ビー
ムを引き出して加速する方式を実現でき、２次元に配列
された多数の電子ビーム源から所望の画素を選択して任
意の画像を得ることが可能となり、大容量で高輝度なデ
ィスプレイに好適でクロストークのない画像形成装置を
得ることができる。
半導体素子を格子状に多数配列したカソードを電子源と
して用い、その半導体素子を１ライン毎に駆動して電子
ビームを発生させ、このラインと直交する方向に配設さ
れた変調電極を駆動することにより、発生した電子ビー
ムを引き出して加速する方式を実現でき、２次元に配列
された多数の電子ビーム源から所望の画素を選択して任
意の画像を得ることが可能となり、大容量で高輝度なデ
ィスプレイに好適でクロストークのない画像形成装置を
得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の部分斜視図、第２図は従来
例の概略回路図である。 １．２１：電子ビーム発生用半導体素子、２：ｘ軸駆動
素子、３：Ｙ軸電極。 ４：Ｙ軸駆動素子、５：固定部材、 ６：支持板、７：バックプレート、 ８：フェースプレート、９：透明電極、１０：蛍光体膜
。 ９透明電神 ホ令明寅たイ列の音３り景斗７見図 第１図
例の概略回路図である。 １．２１：電子ビーム発生用半導体素子、２：ｘ軸駆動
素子、３：Ｙ軸電極。 ４：Ｙ軸駆動素子、５：固定部材、 ６：支持板、７：バックプレート、 ８：フェースプレート、９：透明電極、１０：蛍光体膜
。 ９透明電神 ホ令明寅たイ列の音３り景斗７見図 第１図
Claims (6)
- （１）格子状に配列された複数の電子ビーム発生用半導
体素子と、発生した電子を選択かつ変調するための変調
電極と、電子ビームを衝突させることにより画像を形成
する画像形成部材とで成る画像形成装置において、Ｘ及
びＹの２軸に構成されたアドレスの、Ｘ軸アドレスの一
列毎に電子ビーム発生用半導体素子を駆動し、同じくＹ
軸アドレスの一列毎に変調電極を駆動し、同じくＹ軸ア
ドレスの一列毎に変調電極を駆動することにより、電子
ビームを選択して画像形成することを特徴とする画像形
成装置。 - （２）Ｘ軸アドレスの一列とＹ軸アドレスの一列との交
差部が一画素を形成することを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の画像形成装置。 - （３）電子ビーム発生用半導体素子が、ｐ−ｎ接合を有
する半導体に逆方向の電圧を印加すると電子ビームを発
生するカソード素子であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項に記載の画像形成装置。 - （４）電子ビーム発生用半導体素子が、ｐ−ｎ接合を有
する半導体に順方向の電圧を印加すると電子ビームを発
生するカソード素子であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項に記載の画像形成装置。 - （５）変調電極が電子ビーム発生用半導体素子上に一体
に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項〜第４項までのいずれか１項に記載の画像形成装置。 - （６）変調電極が電子ビーム発生用半導体素子と別個に
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
〜第４項までのいずれか１項に記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24948486A JPS63105437A (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24948486A JPS63105437A (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63105437A true JPS63105437A (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=17193655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24948486A Pending JPS63105437A (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63105437A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257544A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Canon Inc | 電子線発生装置及び該電子線発生装置を用いた画像形成装置 |
| JPH02297848A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Canon Inc | 電子発生装置及び画像形成装置の駆動方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888870A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
| JPS54111272A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-31 | Philips Nv | Electron current generating semiconductor* method of fabricating same and device for applying same |
| JPS61221783A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-10-02 | コミツサリア タ レネルギ− アトミ−ク | 表示装置 |
-
1986
- 1986-10-22 JP JP24948486A patent/JPS63105437A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888870A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
| JPS54111272A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-31 | Philips Nv | Electron current generating semiconductor* method of fabricating same and device for applying same |
| JPS61221783A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-10-02 | コミツサリア タ レネルギ− アトミ−ク | 表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257544A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Canon Inc | 電子線発生装置及び該電子線発生装置を用いた画像形成装置 |
| JPH02297848A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Canon Inc | 電子発生装置及び画像形成装置の駆動方法 |
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