JPH0226026A - シリコン基板の表面処理方法及びその装置 - Google Patents
シリコン基板の表面処理方法及びその装置Info
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- JPH0226026A JPH0226026A JP17632888A JP17632888A JPH0226026A JP H0226026 A JPH0226026 A JP H0226026A JP 17632888 A JP17632888 A JP 17632888A JP 17632888 A JP17632888 A JP 17632888A JP H0226026 A JPH0226026 A JP H0226026A
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- silicon substrate
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコン基板を保管するにあたり、シリコン
基板の表面処理を行う方法及びその装置に関する。
基板の表面処理を行う方法及びその装置に関する。
（従来の技術）
従来、シリコン基板を保管するにあたり、シリコン基板
を過酸化水素水、アンモニア水、水の混合液で洗浄し、
シリコン基板表面の汚れを洗い落とした後、■密閉容器
中にシリカゲル等の乾燥剤と一緒にシリコン基板を保管
し、或いは、■密閉容器中に窒素、アルゴン等の不活性
ガスを注入して保管していた。
を過酸化水素水、アンモニア水、水の混合液で洗浄し、
シリコン基板表面の汚れを洗い落とした後、■密閉容器
中にシリカゲル等の乾燥剤と一緒にシリコン基板を保管
し、或いは、■密閉容器中に窒素、アルゴン等の不活性
ガスを注入して保管していた。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記方法に依れば、シリコン基板の表面が親水
性のため、シリコン基板の表面が、大気雰囲気、不活性
ガス雰囲気下に存在する水分、酸素、二酸化炭素等と経
時的に化学変化を起こし、シリコン基板の表面に汚れを
生じるという問題があった。
性のため、シリコン基板の表面が、大気雰囲気、不活性
ガス雰囲気下に存在する水分、酸素、二酸化炭素等と経
時的に化学変化を起こし、シリコン基板の表面に汚れを
生じるという問題があった。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、
洗浄したシリコン基板の表面を水蒸気で濡らした後、フ
ッ化水素酸ガスを供給して前記シリコン基板表面の自然
酸化膜を除去すると共に、該シリコン基板の表面にフッ
素の撥水性原子膜を形成することを特徴とするシリコン
基板の表面処理方法と、シリコン基板を収納する処理槽
本体内の上部にガス供給ノズルを設け、該ノズルには、
外部より水蒸気供給管、フッ化水素酸ガス供給管及び窒
素ガス供給管をそれぞれ開閉バルブを途中に介装して連
結し、更に前記処理槽本体に、ポンプと開閉バルブを途
中に介装した排気管を設けたシリコン基板の表面処理装
置を提供するものである。
洗浄したシリコン基板の表面を水蒸気で濡らした後、フ
ッ化水素酸ガスを供給して前記シリコン基板表面の自然
酸化膜を除去すると共に、該シリコン基板の表面にフッ
素の撥水性原子膜を形成することを特徴とするシリコン
基板の表面処理方法と、シリコン基板を収納する処理槽
本体内の上部にガス供給ノズルを設け、該ノズルには、
外部より水蒸気供給管、フッ化水素酸ガス供給管及び窒
素ガス供給管をそれぞれ開閉バルブを途中に介装して連
結し、更に前記処理槽本体に、ポンプと開閉バルブを途
中に介装した排気管を設けたシリコン基板の表面処理装
置を提供するものである。
（作 用）
上記本発明方法及びその装置に依れば、事前にシリコン
基板の表面を水蒸気で濡らすことにより、事後の反応を
均一化することができる。そして、フッ化水素酸ガスに
よって、シリコン基板表面の自然酸化膜が除去されると
同時に、該表面にフッ素の原子膜が形成され、該原子膜
が撥水性であるゆえに、保管時においてシリコン基板へ
の水分の付着が非常に少なくなり、保管雰囲気中の水分
に溶は込んでいる酸素や二酸化炭素等によって生じる経
時的化学変化、更にほこの化学変化に起因する汚れの発
生が防止できる。また、上記本発明は、フッ化水素酸ガ
スと水蒸気による化学反応であるため、シリコン基板へ
の汚れの付着や金属汚染が少ない。
基板の表面を水蒸気で濡らすことにより、事後の反応を
均一化することができる。そして、フッ化水素酸ガスに
よって、シリコン基板表面の自然酸化膜が除去されると
同時に、該表面にフッ素の原子膜が形成され、該原子膜
が撥水性であるゆえに、保管時においてシリコン基板へ
の水分の付着が非常に少なくなり、保管雰囲気中の水分
に溶は込んでいる酸素や二酸化炭素等によって生じる経
時的化学変化、更にほこの化学変化に起因する汚れの発
生が防止できる。また、上記本発明は、フッ化水素酸ガ
スと水蒸気による化学反応であるため、シリコン基板へ
の汚れの付着や金属汚染が少ない。
（実施例）
以下、本発明を例示図面に基いて説明する。
第１図は本発明方法を実施する装置例の断面図であって
、シリコン基板１を収納する処理槽本体２内の上部にガ
ス供給ノズル３を設け、該ノズル３には、外部より水蒸
気供給管４．フッ化水素酸ガス供給管５及び窒素ガス供
給管６をそれぞれ開閉バルブ７．８．９を途中に介装し
て連結し、更に前記処理槽本体２に、ポンプＰと開閉バ
ルブ１１を途中に介装した排気管１０を設けて構成して
いる。
、シリコン基板１を収納する処理槽本体２内の上部にガ
ス供給ノズル３を設け、該ノズル３には、外部より水蒸
気供給管４．フッ化水素酸ガス供給管５及び窒素ガス供
給管６をそれぞれ開閉バルブ７．８．９を途中に介装し
て連結し、更に前記処理槽本体２に、ポンプＰと開閉バ
ルブ１１を途中に介装した排気管１０を設けて構成して
いる。
そして、本発明に係る表面処理方法は、シリコン基板加
工の最終工程として、シリコン基板１をＮＨ，ＯＨ：
Ｈ２０□：水−１：３：１０、温度８０°Ｃの溶液で、
１０分間洗浄し、洗ったシリコン基板１を処理槽本体２
内に置く。
工の最終工程として、シリコン基板１をＮＨ，ＯＨ：
Ｈ２０□：水−１：３：１０、温度８０°Ｃの溶液で、
１０分間洗浄し、洗ったシリコン基板１を処理槽本体２
内に置く。
かくして、排気管１０のバルブ１１を開け、ポンプＰに
より処理槽本体２内の空気を排出する。そして、バルブ
１１を閉じ、次に水蒸気供給管４のバルブ７を開け、処
理槽本体２内に水蒸気を導入し、シリコン基板１を少し
湿らせる。次に水蒸気供給管４のバルブ７を閉じ、フッ
化水素酸ガス供給管５のバルブ８を開け、フッ化水素酸
ガス（ＨＦガス）を処理槽本体２内に導入し、シリコン
基板１上の酸化膜を除去する。そして、次にフッ化水素
酸ガス供給管５のバルブ８を閉じ、排気管１０のバルブ
１１と窒素ガス供給管６のバルブ９を開け、処理槽本体
２内のフッ化水素酸ガスを窒素と置換する。このガスの
置換により、フッ化水素酸ガスによる反応が停止する。
より処理槽本体２内の空気を排出する。そして、バルブ
１１を閉じ、次に水蒸気供給管４のバルブ７を開け、処
理槽本体２内に水蒸気を導入し、シリコン基板１を少し
湿らせる。次に水蒸気供給管４のバルブ７を閉じ、フッ
化水素酸ガス供給管５のバルブ８を開け、フッ化水素酸
ガス（ＨＦガス）を処理槽本体２内に導入し、シリコン
基板１上の酸化膜を除去する。そして、次にフッ化水素
酸ガス供給管５のバルブ８を閉じ、排気管１０のバルブ
１１と窒素ガス供給管６のバルブ９を開け、処理槽本体
２内のフッ化水素酸ガスを窒素と置換する。このガスの
置換により、フッ化水素酸ガスによる反応が停止する。
上記の如く処理したシリコン基板１を、０℃の状態で２
時間、そして、３５°Ｃの状態で２時間、共に温度１０
０％の状態で交互に繰り返し置いて保管したときの、シ
リコン基板１表面の経時的化学変化による汚れの発生率
を調べたところ、第２図の実線で示す如きグラフが得ら
れた。これを従来の保管状態（−点鎖線で示す）と比較
すると、汚れの発生率が殆どないことが分る。
時間、そして、３５°Ｃの状態で２時間、共に温度１０
０％の状態で交互に繰り返し置いて保管したときの、シ
リコン基板１表面の経時的化学変化による汚れの発生率
を調べたところ、第２図の実線で示す如きグラフが得ら
れた。これを従来の保管状態（−点鎖線で示す）と比較
すると、汚れの発生率が殆どないことが分る。
（発明の効果）
以上説明したよ５うに、本発明に依れば、シリコン基板
の保管中に発生する経時的化学変化による汚れの発生を
防止でき、気体を用いた処理であるゆえに金属汚染も少
なく、これによりライフタイムが向上する等の効果を奏
するものである。
の保管中に発生する経時的化学変化による汚れの発生を
防止でき、気体を用いた処理であるゆえに金属汚染も少
なく、これによりライフタイムが向上する等の効果を奏
するものである。
第１図は本発明に使用する装置例の縦断面図、第２図は
従来法との比較において本発明の効果を示すグラフであ
る。 １・・・シリコン基板 ２・・・処理槽本体３・・
・ガス供給ノズル ４・・・水蒸気供給管５・・・フ
ッ化水素酸ガス供給管
従来法との比較において本発明の効果を示すグラフであ
る。 １・・・シリコン基板 ２・・・処理槽本体３・・
・ガス供給ノズル ４・・・水蒸気供給管５・・・フ
ッ化水素酸ガス供給管
Claims (2)
- （１）洗浄したシリコン基板の表面を水蒸気で濡らした
後、フッ化水素酸ガスを供給して前記シリコン基板表面
の自然酸化膜を除去すると共に、該シリコン基板の表面
にフッ素の撥水性原子膜を形成することを特徴とするシ
リコン基板の表面処理方法。 - （２）シリコン基板を収納する処理槽本体内の上部にガ
ス供給ノズルを設け、該ノズルには、外部より水蒸気供
給管、フッ化水素酸ガス供給管及び窒素ガス供給管をそ
れぞれ開閉バルブを途中に介装して連結し、更に前記処
理槽本体に、ポンプと開閉バルブを途中に介装した排気
管を設けたことを特徴とするシリコン基板の表面処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17632888A JPH0226026A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリコン基板の表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17632888A JPH0226026A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリコン基板の表面処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226026A true JPH0226026A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16011668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17632888A Pending JPH0226026A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリコン基板の表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
| JP2013143466A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2013149934A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-08-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17632888A patent/JPH0226026A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
| JP2013149934A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-08-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2013143466A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
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