JPH02260414A - Ｘ線露光マスク - Google Patents
Ｘ線露光マスクInfo
- Publication number
- JPH02260414A JPH02260414A JP1080618A JP8061889A JPH02260414A JP H02260414 A JPH02260414 A JP H02260414A JP 1080618 A JP1080618 A JP 1080618A JP 8061889 A JP8061889 A JP 8061889A JP H02260414 A JPH02260414 A JP H02260414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- absorber pattern
- membrane
- film
- ray absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
Ｘ線露光マスクの改良に関し、
精度良いＸ線吸収体パターンを配設させることを目的と
し、 第１のＸ線透過膜と、該第１のＸ線透過膜上に選択的に
形成された該第１のＸ線透過膜よりもＸ線吸収率の高い
Ｘ線吸収体パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを含む前
記第１のＸ線透過膜上に形成された第２のＸ線透過膜を
有し、前記Ｘ線吸収体パターンが前記第１および第２の
Ｘ線透過膜に埋め込まれている構成を有することを特徴
とする。
し、 第１のＸ線透過膜と、該第１のＸ線透過膜上に選択的に
形成された該第１のＸ線透過膜よりもＸ線吸収率の高い
Ｘ線吸収体パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを含む前
記第１のＸ線透過膜上に形成された第２のＸ線透過膜を
有し、前記Ｘ線吸収体パターンが前記第１および第２の
Ｘ線透過膜に埋め込まれている構成を有することを特徴
とする。
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線露光マスクの改良に関する。
Ｘ線露光法はサブミクロン級の微細パターンを一括転写
できるために、今後のりソグラフィ技術として開発努力
がなされているが、Ｘ線露光マスクのパターン精度は未
だ十分ではなく、その改善が望まれている。
できるために、今後のりソグラフィ技術として開発努力
がなされているが、Ｘ線露光マスクのパターン精度は未
だ十分ではなく、その改善が望まれている。
［従来の技術］
第４図は従来のＸ線露光マスクの断面図を示しており、
図中の記号１はメンブレン（ｍｅｎ＋ｂｒａｎｅ ；膜
）、２はＸ線吸収体パターン、３はシリコン（Ｓｉ）枠
、４はリング形状の支持枠で、メンブレンｌとしては窒
化硼素（ＢＮ）、 シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シ
リコン（Ｓｔ）などが用いられ、また、Ｘ線吸収体パタ
ーン２としてはタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）
、金（Ａｕ）等が用いられて、且つ、支持枠４として
はセラミックス、パイレックスなどが使用されている。
図中の記号１はメンブレン（ｍｅｎ＋ｂｒａｎｅ ；膜
）、２はＸ線吸収体パターン、３はシリコン（Ｓｉ）枠
、４はリング形状の支持枠で、メンブレンｌとしては窒
化硼素（ＢＮ）、 シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シ
リコン（Ｓｔ）などが用いられ、また、Ｘ線吸収体パタ
ーン２としてはタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）
、金（Ａｕ）等が用いられて、且つ、支持枠４として
はセラミックス、パイレックスなどが使用されている。
第５図（ａ）〜（ｅ）はそのような従来のＸ線露光マス
クの形成方法の工程順断面図を示しており、本例はタン
タルＸ線吸収体パターンを設けた例である。
クの形成方法の工程順断面図を示しており、本例はタン
タルＸ線吸収体パターンを設けた例である。
その概要を説明すると、
第５図（ａ）参照；まず、シリコン基板１３の表面に化
学気相成長（ＣＶＤ）法によってＳｔＣ膜１１（膜厚２
μｍ）を成長し、て、次に、支持枠４を接着する。
学気相成長（ＣＶＤ）法によってＳｔＣ膜１１（膜厚２
μｍ）を成長し、て、次に、支持枠４を接着する。
このＣＶＤ法によるＳｔＣ膜１１の形成方法は５ｉＨＣ
！、（トリクロールシラン）／Ｃ，ＩＩ（８（プロパン
）／Ｈ，（水素）を供給ガスとして温度１０００°Ｃ１
圧力２Ｔｏｒｒ程度で成長させる方法による。
！、（トリクロールシラン）／Ｃ，ＩＩ（８（プロパン
）／Ｈ，（水素）を供給ガスとして温度１０００°Ｃ１
圧力２Ｔｏｒｒ程度で成長させる方法による。
第５図■）参照；次いで、ＨＦ（弗酸）／ＨＮＯ。
（硝酸）の混合液を用いた通常のウェットエツチングに
よってシリコン基板１３をエツチング除去してシリコン
枠１３のみ残存させて、ＳｉＣメンブレンを設けたマス
クブランクを形成する。
よってシリコン基板１３をエツチング除去してシリコン
枠１３のみ残存させて、ＳｉＣメンブレンを設けたマス
クブランクを形成する。
第５図（Ｃ）参照；次いで、その全面に膜厚０．５〜１
μｍのタンタル膜１２をスパッタ法によって被着する。
μｍのタンタル膜１２をスパッタ法によって被着する。
第５図（ｄ）参照−次いで、その上にレジスト膜を塗布
し、それをパターンニングしてレジスト膜パターン５を
形成する。このパターンニングには電子ビーム（ＥＢ）
露光法を用いて微細に描画して露光し、それを現像して
微細パターンを形成する方法を用いる。
し、それをパターンニングしてレジスト膜パターン５を
形成する。このパターンニングには電子ビーム（ＥＢ）
露光法を用いて微細に描画して露光し、それを現像して
微細パターンを形成する方法を用いる。
第５図（ｅ）参照；次いで、Ｃ１２（塩素） ／Ｃｃｉ
。
。
（四塩化炭素）の混合ガスを反応ガスとしたりアクティ
ブイオンエツチング（ＲＩＥ）によってタンタルＷ！１
２をエツチングしてタンタルＸ線吸収体パターン１２を
形成する。
ブイオンエツチング（ＲＩＥ）によってタンタルＷ！１
２をエツチングしてタンタルＸ線吸収体パターン１２を
形成する。
上記がタンタルＸ線吸収体パターン（タンタルからなる
Ｘ線吸収体パターン）を設けたＸ線露光マスクの形成方
法の概要である。
Ｘ線吸収体パターン）を設けたＸ線露光マスクの形成方
法の概要である。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記のＸ線露光マスクの構造は、タンタル膜を
Ｘ線吸収体パターンにパターンニングする際、そのＸ線
吸収体パターンに引張りや反りなどの応力が発生して、
パターンが動き易く、上記のＸ線吸収体パターンに内蔵
した応力によってメンブレンに歪みが生じ、折角高精度
にパターンニングしたＸ線吸収体パターンが動いてパタ
ーン精度が低下するという問題がある。
Ｘ線吸収体パターンにパターンニングする際、そのＸ線
吸収体パターンに引張りや反りなどの応力が発生して、
パターンが動き易く、上記のＸ線吸収体パターンに内蔵
した応力によってメンブレンに歪みが生じ、折角高精度
にパターンニングしたＸ線吸収体パターンが動いてパタ
ーン精度が低下するという問題がある。
零発所はこのような問題点を軽減させ、精度良いＸ線吸
収体パターンを配設したＸ線露光マスクの構造を提案す
るものであるゆ 〔課題を解決するための手段〕 その課題は、第１のＸ線透過膜と、該第１のＸ線透過膜
上に選択的に形成された該第１のＸ線透過膜よりもＸ線
吸収率の高いＸ線吸収体パターンと、該Ｘ線吸収体パタ
ーンを含む前記第１のＸ線透過膜上に形成された第２の
Ｘ線透過膜を有し、前記Ｘ線吸収体パターンが前記第１
および第２のＸ線透過膜に埋め込まれている構成を有す
るＸ線露光マスクによって解決される。
収体パターンを配設したＸ線露光マスクの構造を提案す
るものであるゆ 〔課題を解決するための手段〕 その課題は、第１のＸ線透過膜と、該第１のＸ線透過膜
上に選択的に形成された該第１のＸ線透過膜よりもＸ線
吸収率の高いＸ線吸収体パターンと、該Ｘ線吸収体パタ
ーンを含む前記第１のＸ線透過膜上に形成された第２の
Ｘ線透過膜を有し、前記Ｘ線吸収体パターンが前記第１
および第２のＸ線透過膜に埋め込まれている構成を有す
るＸ線露光マスクによって解決される。
［作用］
即ち、本発明は、パターンニングしたＸ線吸収体パター
ンが動かないように、第１．第２のＸ線透過膜（メンブ
レン）中にＸ線吸収体パターンを埋没させた構成にする
。
ンが動かないように、第１．第２のＸ線透過膜（メンブ
レン）中にＸ線吸収体パターンを埋没させた構成にする
。
そのように、Ｘ線吸収体パターンをメンブレン中に埋没
させると、Ｘ線吸収体パターンとメンブレンとの応力が
均衡して、Ｘ線吸収体パターンが動き難くなる。また、
その形成方法もＸ線吸収体パターンが動かないように工
夫した工程順序にする。
させると、Ｘ線吸収体パターンとメンブレンとの応力が
均衡して、Ｘ線吸収体パターンが動き難くなる。また、
その形成方法もＸ線吸収体パターンが動かないように工
夫した工程順序にする。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）、 Ｃｂ）は本発明にかかるＸ線露光マス
クの断面図を示しており、同図（ａ）と同図（ｂ）とは
支持枠４の接着位置を逆にした構成で、記号１３はシリ
コン枠、１５は薄膜メンブレン（第１のＸ線透過膜）、
１６はＳｉＣメンブレン（第２のＸ線透過膜）。
クの断面図を示しており、同図（ａ）と同図（ｂ）とは
支持枠４の接着位置を逆にした構成で、記号１３はシリ
コン枠、１５は薄膜メンブレン（第１のＸ線透過膜）、
１６はＳｉＣメンブレン（第２のＸ線透過膜）。
２０はＸ線吸収体パターンである。
図のように、本発明にかかるＸ線露光マスクはＸ線吸収
体パターン２０をＳＩＣメンブレン１６に埋め込んであ
り、そのためにＸ線吸収体パターンとメンブレンとの応
力のバランスが採れてＸ線吸収体パターン２２が動き難
くなり、従って、高精度なＸ線吸収体パターンを設けた
ｘｍｎ光マスクが得られる。
体パターン２０をＳＩＣメンブレン１６に埋め込んであ
り、そのためにＸ線吸収体パターンとメンブレンとの応
力のバランスが採れてＸ線吸収体パターン２２が動き難
くなり、従って、高精度なＸ線吸収体パターンを設けた
ｘｍｎ光マスクが得られる。
次に、第２図（ａ）〜（ｆ）はこのような本発明にかか
るＸ線露光マスクの形成方法の工程順断面図を示してい
る。本工程は第１図（ａ）に示すＸ線露光マスクの形成
法であり、その概要を順を追って説明すると、 第２図（ａ）参照；まず、シリコン基板１３（厚さ５０
０μｍ）の表面にＣＶＤ法によってＳｉＣ薄膜１５ （
膜厚０．２μｍ程度）を成長する。ＳｉＣ薄膜１５の形
成方法は従来法と同じ＜５ｉ）ＩＣｈ （）リフロー
ルシラン）／Ｃ３Ｈａ（プロパン）／Ｈｚ （水素）
を供給ガスとして温度１０００℃、圧力２Ｔｏｒｒ程度
で成長させる方法を用いる。なお、ＳｉＣ薄膜１５の他
に、５ｉＮｘｆｉｌ膜、ＢＮｍ膜などのメンブレンとし
て使用できる薄膜を形成しても良い。
るＸ線露光マスクの形成方法の工程順断面図を示してい
る。本工程は第１図（ａ）に示すＸ線露光マスクの形成
法であり、その概要を順を追って説明すると、 第２図（ａ）参照；まず、シリコン基板１３（厚さ５０
０μｍ）の表面にＣＶＤ法によってＳｉＣ薄膜１５ （
膜厚０．２μｍ程度）を成長する。ＳｉＣ薄膜１５の形
成方法は従来法と同じ＜５ｉ）ＩＣｈ （）リフロー
ルシラン）／Ｃ３Ｈａ（プロパン）／Ｈｚ （水素）
を供給ガスとして温度１０００℃、圧力２Ｔｏｒｒ程度
で成長させる方法を用いる。なお、ＳｉＣ薄膜１５の他
に、５ｉＮｘｆｉｌ膜、ＢＮｍ膜などのメンブレンとし
て使用できる薄膜を形成しても良い。
第２図Ｃｂ）参照；次いで、全面にタンタル膜２２（膜
厚０．５〜１μｍ）をスパッタ法によって被着し、更に
、その上面にレジスト膜を塗布し、これを電子ビーム露
光法によってパターンニングしてレジスト膜パターン５
０を形成する。
厚０．５〜１μｍ）をスパッタ法によって被着し、更に
、その上面にレジスト膜を塗布し、これを電子ビーム露
光法によってパターンニングしてレジスト膜パターン５
０を形成する。
第２図（Ｃ）参照；次いで、レジスト膜パターン５０を
マスクにして、Ｃｔ、 （塩素）／ＣＣｌ４ （四
塩化炭素）の混合ガスによって露出したタンタル膜２２
をリアクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）によってエ
ツチングしてタンタルＸ線吸収体パターン２２を形成し
、その後にレジスト膜パターン５０を除去する。このよ
うに、シリコン基板１３を残存したままタンタルＸ線吸
収体パターン２２を形成すると、Ｘ線吸収体パターンに
引張りや反りなどの応力が発生しても、下地のシリコン
基板１３が強固であって、精度良くパターンニングされ
たＸ線吸収体パターンは動かずに、そのまま維持できる
。
マスクにして、Ｃｔ、 （塩素）／ＣＣｌ４ （四
塩化炭素）の混合ガスによって露出したタンタル膜２２
をリアクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）によってエ
ツチングしてタンタルＸ線吸収体パターン２２を形成し
、その後にレジスト膜パターン５０を除去する。このよ
うに、シリコン基板１３を残存したままタンタルＸ線吸
収体パターン２２を形成すると、Ｘ線吸収体パターンに
引張りや反りなどの応力が発生しても、下地のシリコン
基板１３が強固であって、精度良くパターンニングされ
たＸ線吸収体パターンは動かずに、そのまま維持できる
。
第２図（ｄ）参照；次いで、凸状のタンタルＸ線吸収体
パターン２２の上にｓｔｃ＊１６（膜厚２〜４μｍ）を
成長して、ＳｉＣ膜１膜中６中ターンを埋め込んだ構成
にする。なお、ＳｉＣ膜１６の形成方法は上記の第２図
（ａ）で説明した方法と同じである。
パターン２２の上にｓｔｃ＊１６（膜厚２〜４μｍ）を
成長して、ＳｉＣ膜１膜中６中ターンを埋め込んだ構成
にする。なお、ＳｉＣ膜１６の形成方法は上記の第２図
（ａ）で説明した方法と同じである。
第２図（ｅ）参照；次いで、支持枠４を接着する。
第２図（ｆ）参照：次いで、シリコン基板１３をエツチ
ング除去して完成する。このシリコン基板のエツチング
にはＨＦ（弗酸）／ＨＮＯｓ （硝酸）の混合液を用
いた通常のウェットエツチングを適用する。この時、シ
リコン基板はシリコン枠１３として支持枠４の近傍に残
存するのみになる。
ング除去して完成する。このシリコン基板のエツチング
にはＨＦ（弗酸）／ＨＮＯｓ （硝酸）の混合液を用
いた通常のウェットエツチングを適用する。この時、シ
リコン基板はシリコン枠１３として支持枠４の近傍に残
存するのみになる。
次に、第３図（ａ）、 （ｂ）は他のＸ線露光マスクの
形成方法の工程断面図を示しており、本工程は第１図（
ロ）に示すＸ線露光マスクの形成法である。即ち、この
形成方法は第２図によって説明した形成方法における第
２図（ｄ）工程まで終了した後、第３図（ａ）に示すよ
うに、形成方法（１）とは逆にＳｉＣ膜１６の成長面に
支持枠４を接着し、次いで、第３図（ｂ）に示すように
、上面のシリコン基板１３を除去して完成させる。なお
、シリコン基板１３のエツチング法は第２図（ｆ）で説
明した方法と同じである。
形成方法の工程断面図を示しており、本工程は第１図（
ロ）に示すＸ線露光マスクの形成法である。即ち、この
形成方法は第２図によって説明した形成方法における第
２図（ｄ）工程まで終了した後、第３図（ａ）に示すよ
うに、形成方法（１）とは逆にＳｉＣ膜１６の成長面に
支持枠４を接着し、次いで、第３図（ｂ）に示すように
、上面のシリコン基板１３を除去して完成させる。なお
、シリコン基板１３のエツチング法は第２図（ｆ）で説
明した方法と同じである。
上記のようにして形成したＸ線露光マスクはタンタルＸ
線吸収体パターンをＳｉＣメンブレン内に埋没させた構
造となるから、応力が均衡してＸ線吸収体パターンの移
動が抑止され、また、その形成方法においてもシリコン
基板を残存したままＸ線吸収体パターン−を形成するた
めにパターンニング精度が維持され、従って、精度の良
いＸ線吸収体パターンを配設したＸ線露光マスクが得ら
れるものである。
線吸収体パターンをＳｉＣメンブレン内に埋没させた構
造となるから、応力が均衡してＸ線吸収体パターンの移
動が抑止され、また、その形成方法においてもシリコン
基板を残存したままＸ線吸収体パターン−を形成するた
めにパターンニング精度が維持され、従って、精度の良
いＸ線吸収体パターンを配設したＸ線露光マスクが得ら
れるものである。
なお、上記例はタンタルＸ線吸収体パターンを設けるＸ
線露光マスクで説明したが、タングステンなど他のＸ線
吸収体パターンを設けるＸ線露光マスクにも適用できる
ことは言うまでもない。
線露光マスクで説明したが、タングステンなど他のＸ線
吸収体パターンを設けるＸ線露光マスクにも適用できる
ことは言うまでもない。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば高精度
なＸ線吸収体パターンを配設したＸ線露光マスクが得ら
れて、Ｘ線露光法の品質向上に大きく寄与するものであ
る。
なＸ線吸収体パターンを配設したＸ線露光マスクが得ら
れて、Ｘ線露光法の品質向上に大きく寄与するものであ
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるＸ線露光マス
クの断面図、 第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかるＸ線露光マスク
の形成方法の工程順断面図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかる他のＸ線露光
マスクの形成方法の工程断面図、 第４図は従来のＸ線露光マスクの断面図、第５図（ａ）
〜（ｅ）は従来のＸ線露光マスクの形成方法の工程順断
面図である。 図において、 ■はメンブレン、 ２．２０はＸ線吸収体パターン、 ３．１３はシリコン基板、またはシリコン枠、４は支持
枠、 ５．５０はレジスト膜パターン、 １１はＳｉＣメンブレン、またはＳｉＣ膜、１２、２２
はタンタル膜、またはタンタルＸ線吸収体パターン １５は薄膜メンブレン、または５ｉＣＦｊＥ膜、を示し
ている。 、２２ヲンヲルＸ維９１１ｔ番パダーン拳に明（二手Ｉ
Ｐ６Ｘ厩亀先マス７ｎ耐面の第１図 第４囚 ント虜Ｓ日ハにつ・す・６Ｘｎ、’ａ光マ又りめｍ ｋ
７ｉ ３！−のＬｋｌ・襖、ｗｉｔｈ第２図（乏の１
．） ？トメ６明Ｃ；なり・６Ｘ釆東１１克マス７つ形Ａｋ方
ｊ去ゎニオ１１貢雌咋面００第２図（その？）
クの断面図、 第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかるＸ線露光マスク
の形成方法の工程順断面図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかる他のＸ線露光
マスクの形成方法の工程断面図、 第４図は従来のＸ線露光マスクの断面図、第５図（ａ）
〜（ｅ）は従来のＸ線露光マスクの形成方法の工程順断
面図である。 図において、 ■はメンブレン、 ２．２０はＸ線吸収体パターン、 ３．１３はシリコン基板、またはシリコン枠、４は支持
枠、 ５．５０はレジスト膜パターン、 １１はＳｉＣメンブレン、またはＳｉＣ膜、１２、２２
はタンタル膜、またはタンタルＸ線吸収体パターン １５は薄膜メンブレン、または５ｉＣＦｊＥ膜、を示し
ている。 、２２ヲンヲルＸ維９１１ｔ番パダーン拳に明（二手Ｉ
Ｐ６Ｘ厩亀先マス７ｎ耐面の第１図 第４囚 ント虜Ｓ日ハにつ・す・６Ｘｎ、’ａ光マ又りめｍ ｋ
７ｉ ３！−のＬｋｌ・襖、ｗｉｔｈ第２図（乏の１
．） ？トメ６明Ｃ；なり・６Ｘ釆東１１克マス７つ形Ａｋ方
ｊ去ゎニオ１１貢雌咋面００第２図（その？）
Claims (1)
- 第１のＸ線透過膜と、該第１のＸ線透過膜上に選択的に
形成された該第１のＸ線透過膜よりもＸ線吸収率の高い
Ｘ線吸収体パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを含む前
記第１のＸ線透過膜上に形成された第２のＸ線透過膜を
有し、前記Ｘ線吸収体パターンが前記第１および第２の
Ｘ線透過膜に埋め込まれている構成を有することを特徴
とするＸ線露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080618A JPH02260414A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080618A JPH02260414A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Ｘ線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260414A true JPH02260414A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13723333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080618A Pending JPH02260414A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019015967A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ光学ユニットを有する計測システム |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080618A patent/JPH02260414A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019015967A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ光学ユニットを有する計測システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4608326A (en) | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows | |
| US4941942A (en) | Method of manufacturing a mask support of sic for x-ray lithography masks | |
| EP0020455B1 (en) | Arrangement with radiation window or mask structure | |
| US5291536A (en) | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method | |
| JPH04107810A (ja) | Ｘ線マスクとその製造方法 | |
| JPH0557729B2 (ja) | ||
| US4971851A (en) | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows | |
| US5082695A (en) | Method of fabricating an x-ray exposure mask | |
| JPH02260414A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| US6317480B1 (en) | Method of manufacturing X-ray mask and X-ray mask blank, and X-ray mask and X-ray mask blank manufactured thereby | |
| JPS6132425A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPH10161300A (ja) | Ｘ線マスクブランク、ｘ線マスク及びパターン転写方法 | |
| JPH0345526B2 (ja) | ||
| JP2000150364A (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JP3350235B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスク | |
| JP2000003844A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPH0461490B2 (ja) | ||
| JP3366270B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH02264420A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPS5882522A (ja) | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 | |
| JPH0562888A (ja) | Ｘ線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法 | |
| JPH01122120A (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| JPH0536590A (ja) | Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH07220992A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造に用いるｘ線露光用マスクブランク | |
| JPS5923104B2 (ja) | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 |