JPH07220992A - Ｘ線露光用マスク及びその製造に用いるｘ線露光用マスクブランク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】Ｘ線吸収体パターンとＸ線透過支持膜との間の
密着性を向上させ、良好な超微細パターンのＸ線マスク
を提供する。 【構成】基材１４上に、軽元素の物質からなるＸ線透過
支持膜１３と、クロム、すず、白金のうちいずれか一つ
を構成元素とする密着強化層１７と、重金属からなるＸ
線吸収体層１６を、順次、気相成長法により形成してな
るＸ線露光用マスクであって、前記密着強化層が酸素、
窒素及び炭素のうち、少なくとも一つを５〜３０％含
み、かつ、密着強化層の膜厚ｔが、０＜ｔ≦１００ｎｍ
であることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ，Ｕ
ＬＳＩ等に代表される半導体集積回路をはじめ、極めて
微細なパターンを形成する際に必要とされる複製用原画
において、特に、Ｘ線リソグラフィー等で用いられる、
いわゆるＸ線露光用マスク（以下、Ｘ線マスクと記す）
及びＸ線露光用マスクブランク（以下、Ｘ線マスクブラ
ンクと記す）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、Ｘ線露光用マスク（以下、Ｘ線
マスクと記す）は、Ｘ線吸収体パターン、Ｘ線吸収体パ
ターンを支持するＸ線透過支持膜、Ｘ線透過支持膜を外
周側で支持する支持基材とからなる。また、Ｘ線マスク
ブランクとは、Ｘ線吸収体パターンを加工する前の状態
で、Ｘ線吸収体層、Ｘ線透過支持膜、支持基材とからな
る。また、支持基材の裏面に台座を貼合せてあるものも
ある（図示はせず）。

【０００３】Ｘ線吸収体パターンは、Ｘ線を吸収しやす
い重金属である金、タングステン、タンタル等からな
り、０．２から１．０μｍ程度の厚さで微細パターンと
して形成されている。

【０００４】また、Ｘ線透過支持膜は、Ｘ線を透過させ
やすい軽元素からなるケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素
あるいはダイヤモンド状薄膜等からなり、０．５乃至
２．０μｍ程度の厚さでいわゆるメンブレンの状態に形
成されている。

【０００５】そして、支持基材は一般にケイ素が用いら
れることが多い。また、台座には、４乃至５ｍｍ厚のパ
イレックスガラス、石英ガラス及び炭化シリコンなどの
セラミック等が用いられる。

【０００６】以下、Ｘ線マスクの一般的な製造方法の一
例を説明する。

【０００７】まず、図１４に示すように、支持基材（３
４）の表面にＸ線透過支持膜（３３）を、裏面には保護
膜（３５）を減圧ＣＶＤ法などを用いて成膜する。さら
に、前記Ｘ線透過支持膜（３３）上にスパッタリング法
などを用いて、Ｘ線吸収体層（３６）を成膜してＸ線露
光用マスクブランク（３０ａ）（以下、Ｘ線マスクブラ
ンクと記す）を完成させる。

【０００８】次に、前記保護層（３５）を、Ｘ線マスク
の開口部のエッチングマスクとして用いるために、フォ
トリソグラフィー法などを用いてパターニングを施し
て、さらに、前記Ｘ線吸収体層（３６）に所望のパター
ニングを施すためのレジスト層（図示はしない）を塗布
する。

【０００９】続いて、前記レジスト層に、フォトリソグ
ラフィー法あるいは電子線露光法などを用いて所望のレ
ジストパターンをパターニングする。

【００１０】さらに、前記レジストパターンをエッチン
グマスクとして、反応性イオンエッチング法等により前
記Ｘ線吸収体層（３６）をパターニングし、所望のＸ線
吸収体パターン（３１）を得る。

【００１１】最後に、前記レジストパターンを剥離し、
開口部を設けるべく前記保護層（３５）をエッチングマ
スクとして、前記支持基材（３４）にエッチング（一般
にバックエッチングと称す）を施して、図１３に示すよ
うな、Ｘ線マスク（３０）が得られる。

【００１２】このＸ線マスク（３０）は、線幅０．２５
μｍ以下といった微細な半導体集積回路パターンが実現
可能な手法である「Ｘ線リソグラフィー」に使用される
マスクであり、等倍露光で行われているためマスクにお
いても線幅０．２５μｍ以下のパターンが要求されてい
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線マスクではＸ線吸収体パターン（３１）とＸ線透過
支持膜（３３）との間の密着力の不足により、製造中、
特に反応性イオンエッチングの途中において、線幅０．
２μｍ以下といった微細なパターンが蛇行し、隣接する
パターンと重なってしまい、所望のパターンが得られな
いといった問題が生じていた。そもそも、Ｘ線吸収体層
（３６）の応力がごく小さい値であれば、多少密着力が
弱い場合においても微細パターンが、蛇行し隣接するパ
ターンと重なってしまうといった問題は起こらない。し
かし、気相成長法で生成される薄膜の応力をごく小さい
値で制御するのは非常に困難であり、Ｘ線マスクの収率
を落とす原因となっていた。

【００１４】本発明の目的とするところは、すなわち、
Ｘ線吸収体パターンとＸ線透過支持膜との間の密着性を
向上させ、良好な超微細パターンのＸ線マスクを提供す
ることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記の問題点を解決する
ために本発明が提供する手段とは、すなわち、Ｘ線吸収
体パターン（１６ａ）とＸ線透過支持膜（１３）との間
に密着強化層（１７）を設けたことを特徴とするＸ線マ
スク（２０）である。

【００１６】前記吸収体パターン（１６ａ）が、タンタ
ル又はタングステンのうちいずれか一つからなることを
特徴とするＸ線マスクである。

【００１７】前記密着強化層（１７）が、クロム、す
ず、白金のうち何れか一つを主な構成元素とすることを
特徴とするＸ線マスクである。

【００１８】前記密着強化層（１７）の膜厚ｔが、０＜
ｔ≦１００ｎｍであることを特徴とするＸ線マスクであ
る。

【００１９】前記密着強化層（１７）に、酸素、窒素及
び炭素のうち少なくとも一つを５〜３０％含むことを特
徴とするＸ線マスクである。

【００２０】基材上に、軽元素の物質からなるＸ線透過
支持膜（１３）と、クロム、すず、白金のうちいずれか
一つを構成元素とする密着強化層（１７）と、重金属か
らなるＸ線吸収体層（１６）を、順次、気相成長法によ
り形成してなるＸ線マスクブランクであって、前記密着
強化層が酸素、窒素及び炭素のうち、少なくとも一つを
５〜３０％含み、かつ、密着強化層の膜厚ｔが、０＜ｔ
≦１００ｎｍであることを特徴とするＸ線マスクを製造
するためのＸ線マスクブランク（１０ａ）である。

【００２１】

【作用】本発明に係わるＸ線マスク（２０）及びＸ線マ
スクブランク（１０ａ）によると、Ｘ線吸収体パターン
（１６ａ）とＸ線透過支持膜（１３）との間に、Ｘ線吸
収体パターンやＸ線透過支持膜に比して、極めて薄い密
着強化層（１７）を設けることによって、反応性イオン
エッチング中におけるＸ線吸収体パターン（１６ａ）の
蛇行を抑止し、良好なＸ線吸収体パターンの形成が可能
となる。

【００２２】また、クロム及び白金は、常温から２００
℃の範囲において熱膨張係数がＸ線吸収体として用いる
タンタルまたはタングステンに近い値を有しており（東
京天文台編纂・理科年表、丸善（株）昭和６３年刊を参
照）、反応性イオンエッチング中において、熱応力によ
るパターンの歪みなどが生じにくい。

【００２３】さらに、Ｘ線透過支持膜（１３）には、一
般に、窒化ケイ素、炭化ケイ素等といった軽元素からな
る物質が用いられており、密着強化層（１７）に軽元素
である酸素、窒素、炭素のうち少なくとも一つを５乃至
３０％含ませることによりＸ線透過支持膜（１３）との
密着性が向上する。

【００２４】また、密着強化層（１７）に酸素、窒素、
炭素のうち少なくとも一つを５乃至３０％含ませること
により、密着強化層自身の応力の制御が容易となる上、
アライメントに必要となる可視光透過率が向上するた
め、非パターン部分の密着強化層（１７）を、エッチン
グによって必ずしも完全に除去する必要が無くなる。

【００２５】

【実施例】以下に、本発明に係わるＸ線マスク及び該Ｘ
線マスクの製造に用いるＸ線マスクブランクについて、
図に基づき詳細に説明する。

【００２６】まず、Ｘ線マスク（２０）は、シリコンウ
ェハーなどの支持基材（１４）の表面にＸ線透過支持膜
（１３）と、裏面には保護膜（１５）を、減圧ＣＶＤ法
などの公知の薄膜形成法を用いて成膜する。しかる後、
密着強化層（１７）をスパッタリング法などの薄膜形成
法を用いて成膜し、さらに、前記密着強化層（１７）の
上に、スパッタリング法などの薄膜形成法を用いて、Ｘ
線吸収体層（１６）を成膜してＸ線マスクブランク（１
０ａ）を完成させる（図５Ａを参照）。

【００２７】次に、Ｘ線マスクの作成は、図５（Ｂ）乃
至図５（Ｄ）に示すように、前記Ｘ線マスクブランク
（１０ａ）裏面の保護層（１５）を、Ｘ線マスクの開口
部のエッチングマスクとして用いるために、フォトリソ
グラフィー法などを用いてパターニングを施す。また、
前記Ｘ線吸収体層（１６）に所望のパターニングを施す
ためのレジスト層（１８）を塗布する。

【００２８】続いて、前記レジスト層（１８）に、フォ
トリソグラフィー法あるいは電子線露光法などを用いて
所望のレジストパターン（１９）をパターニングする。

【００２９】さらに、前記レジストパターン（１９）を
エッチングマスクとして、反応性イオンエッチング法に
より前記Ｘ線吸収体層（１６）及び前記密着強化層（１
７）を同時にエッチングし、Ｘ線吸収体パターン（１６
ａ）及び密着強化層パターン（１７ａ）を得る。

【００３０】最後に、前記レジストパターンを剥離し、
開口部を設けるべく前記保護層（１５）をエッチングマ
スクとして、前記支持基材（１４）にバックエッチング
を施し、Ｘ線マスク（２０）が得られる（図１を参
照）。

【００３１】本発明のＸ線マスクの製造に用いるＸ線マ
スクブランク（１０ａ）は、シリコンウェハーなどの支
持基材（１４）の表面に、Ｘ線を透過させやすいケイ
素、窒化ケイ素、炭化ケイ素などの薄膜からなるＸ線透
過支持膜（１３）と、裏面には保護膜（１５）を、減圧
ＣＶＤ法などの公知の薄膜形成法を用いて成膜する。し
かる後、クロム、すず、白金のうちいずれか一つを構成
元素とする密着強化層（１７）をスパッタリング法など
の薄膜形成法を用いて成膜し、さらに、前記密着強化層
（１７）の上にスパッタリング法などの薄膜形成法を用
いて、タンタル、タングステンのうちいずれか一つから
なるＸ線吸収体層（１６）を成膜して、Ｘ線マスクブラ
ンク（１０ａ）を完成させる（図６を参照）。

【００３２】以下に本発明のＸ線マスク及びその製造に
用いるＸ線マスクブランクの具体的実施例を説明する。

【００３３】＜実施例１＞図１のＸ線マスク（２０）
は、３インチ径で厚さが１ｍｍ厚のシリコンの支持基材
（１４）上に、厚さ２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）
を減圧ＣＶＤ法にて成膜する。この窒化シリコン膜は支
持基材の表面側はＸ線透過支持膜（１３）、裏面側を保
護膜（１５）として用いる。そして、窒化シリコン膜上
に、密着強化層（１７）として、アルゴンガス及び窒素
ガスを用いた反応性スパッタリングにより１０ｎｍ厚の
窒化クロム膜を成膜する。さらに、窒化クロム膜上に、
Ｘ線吸収体層（１６）としてスパッタリング法を用いて
タンタル膜を７００ｎｍ成膜することにより、Ｘ線マス
クブランク（１０ａ）とする。

【００３４】次に、前記支持基材（１４）に開口部を設
けるために、フォトリソグラフィ法を用いて裏面の窒化
シリコン膜をパターニングする。また、表面には電子線
描画用レジストＺＥＰ−５２０（日本ゼオン（株）製）
を５００ｎｍ厚に塗布する。

【００３５】続いて、電子線描画機により、０．２μ
ｍ、０．１７５μｍ及び０．１５μｍのラインアンドス
ペースのパターンを描画し、現像することによりレジス
トパターンを得る。

【００３６】さらに、このレジストパターンをエッチン
グマスクとして、反応性イオンエッチングにおいて、塩
素流量４０ｓｃｃ／ｍｉｎ、酸素流量１０ｓｃｃ／ｍｉ
ｎ、全ガス圧６Ｐａ、高周波出力２００Ｗの条件で、前
記Ｘ線吸収体層（１６）及び密着強化層（１７）に同時
にエッチングを施し、所望のＸ線吸収体パターン（１６
ａ）及び密着強化層パターン（１７ａ）を得る。

【００３７】最後に、レジストパターンを剥離し、開口
部を設けるために支持基材（１４）の裏面の保護膜（１
５）をエッチングマスクとして、３０％、９０℃の水酸
化カリウム水溶液によりバックエッチングを施してＸ線
マスク（２０）を得た。

【００３８】このようにして作製した本発明のＸ線マス
クでは、Ｘ線吸収体のエッチング途中などに生じる、
０．２μｍ以下の微細パターンに蛇行・重なり等が生ず
ることがなく、所望のパターンを有するＸ線マスクが得
られた。

【００３９】＜実施例２＞３インチ径、厚さが１ｍｍ厚
のシリコンの支持基材（１４）上に、厚さ２μｍの窒化
シリコン（ＳｉＮｘ）を減圧ＣＶＤ法にて成膜する。こ
の窒化シリコン膜は、支持基材の表面側をＸ線透過支持
膜（１３）として、裏面側を保護膜（１５）として用い
る。この窒化シリコン膜上に、密着強化層（１７）とし
て、アルゴンガスと酸素ガスを用いた反応性スパッタリ
ングにより３０ｎｍ厚の酸化すず膜を成膜する。さら
に、酸化すず膜上に、Ｘ線吸収体層（１６）としてスパ
ッタリング法を用いてタンタル膜を７００ｎｍ成膜する
ことにより、Ｘ線マスクブランク（１０ａ）とする。

【００４０】次に、前記支持基材（１４）に開口部を設
けるために、フォトリソグラフィ法を用いて裏面の窒化
シリコン膜をパターニングする。また、主面には電子線
描画用レジストＺＥＰ−５２０（日本ゼオン（株）製）
を５００ｎｍ厚に塗布する。

【００４１】続いて、電子線描画機により、０．２μ
ｍ、０．１７５μｍ及び０．１５μｍのラインアンドス
ペースのパターンを描画し、現像することによりレジス
トパターンを得る。

【００４２】さらに、このレジストパターンをエッチン
グマスクとして、反応性イオンエッチングにおいて、塩
素流量３５ｓｃｃ／ｍｉｎ、酸素流量１５ｓｃｃ／ｍｉ
ｎ、全ガス圧６Ｐａ、高周波出力１５０Ｗの条件で、前
記Ｘ線吸収体層（１６）にエッチングを施し、所望のＸ
線吸収体パターン（１６ａ）を得る。

【００４３】最後に、レジストパターンを剥離し、開口
部を設けるために支持基材の裏面の保護膜をエッチング
マスクとして、３０％、９０℃の水酸化カリウム水溶液
によりバックエッチングを施してＸ線マスク（２０ａ）
を得た。

【００４４】このようにして作成した本発明のＸ線マス
クでは、Ｘ線吸収体のエッチング途中などに生じる、
０．２μｍ以下の微細パターンに蛇行・重なり等が生じ
ず、所望のパターンを有するＸ線マスクが得られた。ま
た、酸化すず膜は可視光透過性が高いため除去する必要
が無く、さらに、導電性を有しているため、電子線顕微
鏡等による検査に適したＸ線マスクとなった。

【００４５】＜実施例３＞実施例３は、図３に示すよう
に、実施例１で得られたＸ線マスクの裏面の保護層（１
５）に、エポキシ系又はアクリル系接着剤を塗布し、予
め、開孔されたガラス台座（１０）（パイレックスガラ
ス、石英ガラス、セラミックなど、以下ガラス台座と記
す）を貼着したものである。このガラス台座（１０）
は、Ｘ線マスクの補強を主な目的として貼り付けたもの
である。

【００４６】＜実施例４＞実施例４は、実施例２で得ら
れたＸ線マスクの裏面の保護層（１５）に、エポキシ系
又はアクリル系接着剤を塗布し、予め、開孔されたガラ
ス台座（１０）を貼着したものである。このガラス台座
（１０）は、Ｘ線マスクの補強を主な目的として貼り付
けたものである。

【００４７】＜実施例５＞実施例５は、図６に示すよう
に、Ｘ線マスクの製造に用いるＸ線マスクブランクの一
例を示すものである。３インチ径で厚さが１ｍｍ厚のシ
リコンの支持基材（１４）上に、厚さ２μｍの窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）を減圧ＣＶＤ法にて成膜する。この窒
化シリコン膜は支持基材の表面側はＸ線透過支持膜（１
３）、裏面側を保護膜（１５）として用いる。そして、
窒化シリコン膜上に、密着強化層（１７）として、アル
ゴンガス及び窒素ガスを用いた反応性スパッタリングに
より１０ｎｍ厚の窒化クロム膜を成膜する。さらに、窒
化クロム膜上に、Ｘ線吸収体層（１６）としてスパッタ
リング法を用いてタンタル膜を７００ｎｍ成膜すること
により、Ｘ線マスクブランク（１０ａ）を得た。

【００４８】＜実施例６＞実施例６は、図７に示すよう
にＸ線マスクブランクの一例を示すもので、実施例５で
得られたＸ線マスクブランクの支持基材（１４）に開口
部をもうけるために、フォトリソグラフィ法を用いて裏
面の窒化シリコン膜をパターニングしたＸ線マスクブラ
ンク（１０ｂ）である。

【００４９】＜実施例７＞実施例７は、図８に示すよう
にＸ線マスクブランクの一例を示すもので、支持基材
（１４）の裏面に、予め開孔された補強用のガラス台座
（１０）を貼着してＸ線マスクブランク（１０ｃ）を得
た。

【００５０】＜実施例８＞実施例８は、図９に示すよう
にＸ線マスクブランクの一例を示すもので、実施例６で
得られたＸ線マスクブランク（１０ｂ）の支持基材（１
４）の裏面に開口部を設けるために、支持基材の裏面の
保護膜をエッチングマスクとして、３０％、９０℃の水
酸化カリウム水溶液によりバックエッチングを施してＸ
線マスクブランク（１０ｄ）を得た。

【００５１】＜実施例９＞実施例９は、図１０に示すよ
うにＸ線マスクブランクの一例を示すもので、実施例８
で得られたＸ線マスクブランク（１０ｄ）の裏面に、予
め開孔された補強用のガラス台座（１０）を貼着してＸ
線マスクブランク（１０ｅ）を得た。

【００５２】＜実施例１０＞実施例１０は、図１１に示
すようにＸ線マスクブランクの一例を示すもので、シリ
コンウェハーなどの支持基材がおよそ２０％ほど残るよ
うに裏面からバックエッチング、すなわちハーフバック
エッチングを施したものである。このハーフバックエッ
チングは、パターンの位置精度をより一層向上させるた
めのものである。その他は実施例６と同様に行ってＸ線
マスクブランク（１０ｆ）を得た。

【００５３】＜実施例１１＞実施例１１は、図１２に示
すようにＸ線マスクブランクの一例を示すもので、実施
例１０で得られたＸ線マスクブランク（１０ｆ）に、予
め開孔された補強用のガラス台座（１０）を貼着してＸ
線マスクブランク（１０ｇ）を得た。

【００５４】

【発明の効果】本発明に係わるＸ線マスク及びＸ線マス
クブランクによると、Ｘ線吸収体パターンとＸ線透過支
持膜との間に、Ｘ線吸収体パターンやＸ線透過支持膜に
比して極めて薄い密着強化層を設けることによって、反
応性イオンエッチング中におけるＸ線吸収体パターンの
蛇行を抑止し、良好なＸ線吸収体パターンの形成が可能
となる。

【００５５】すなわち、密着強化層としてクロム又は白
金は主な構成元素とすることで、常温から２００℃の範
囲において熱膨張係数がＸ線吸収体として用いるタンタ
ルまたはタングステンに近い値を有しており（東京天文
台編纂・理科年表、丸善（株）昭和６３年刊を参照）、
反応性イオンエッチング中において、熱応力によるパタ
ーンの歪みなどが生じにくくなる。

【００５６】さらに、Ｘ線透過支持膜には、一般に、窒
化ケイ素、炭化ケイ素等といった軽元素からなる物質が
用いられており、密着強化層に軽元素である酸素、窒
素、炭素のうち少なくとも一つを５乃至３０％含ませる
ことによりＸ線透過支持膜との密着性が向上する。

【００５７】また、密着強化層に酸素、窒素、炭素のう
ち少なくとも一つを５乃至３０％含ませることにより密
着強化層自身の応力の制御が容易となる上、アライメン
トに必要となる可視光透過率が向上するため、非パター
ン部分の密着強化層を、エッチングによって必ずしも完
全に除去する必要が無くなる。

【００５８】以上の構成から、本発明に係わるＸ線マス
クブランクを用い、Ｘ線マスクの作成を行えば、Ｘ線マ
スクとしての致命的ともいえる０．２μｍ以下のＸ線吸
収体パターンの蛇行、重なり等の問題を防ぐことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるＸ線マスクの断面図
である。

【図２】本発明の他の実施例におけるＸ線マスクの断面
図である。

【図３】本発明の他の実施例におけるＸ線マスクの断面
図である。

【図４】本発明の他の実施例におけるＸ線マスクの断面
図である。

【図５】本発明に係わるＸ線マスクの製造方法（Ａ）〜
（Ｄ）を工程順に示す断面説明図である。

【図６】本発明の一実施例におけるＸ線マスクブランク
の断面図である。

【図７】本発明に他の実施例におけるＸ線マスクブラン
クの断面図である。

【図８】本発明に他の実施例におけるＸ線マスクブラン
クの断面図である。

【図９】本発明に他の実施例におけるＸ線マスクブラン
クの断面図である。

【図１０】本発明に他の実施例におけるＸ線マスクブラ
ンクの断面図である。

【図１１】本発明に他の実施例におけるＸ線マスクブラ
ンクの断面図である。

【図１２】本発明に他の実施例におけるＸ線マスクブラ
ンクの断面図である。

【図１３】従来のＸ線マスクの一例を示す断面図であ
る。

【図１４】従来のＸ線マスクブランクの一例を示す断面
図である。

【符号の説明】

１０…ガラス台座。、１０ａ， １０ｂ，１０ｃ，１０
ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，３０ａ…Ｘ線マスクブラ
ンク、２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，３０…Ｘ線マス
ク、１３…Ｘ線透過支持膜、１４…支持基材、１４ａ…
ハーフバックエッチングを施した支持基材、１５…保護
膜、１６…Ｘ線吸収体層、１７…密着強化層、１６ａ…
Ｘ線吸収体パターン、１７ａ…密着強化層パターン、１
８…レジスト層、１９…レジストパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 正二 東京都台東区台東一丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基材上に、軽元素の物質からなるＸ線透過
   支持膜と、重金属からなるＸ線吸収体パターンを形成し
   てなるＸ線露光用マスクにおいて、Ｘ線透過支持膜と、
   Ｘ線吸収体パターンの層間に、密着強化層を設けたこと
   を特徴とするＸ線露光用マスク。
2. 【請求項２】前記Ｘ線吸収体パターンが、タンタル、タ
   ングステンのうち何れか一つからなることを特徴とする
   Ｘ線露光用マスク。
3. 【請求項３】前記密着強化層が、クロム、すず、白金の
   うち何れか一つを主な構成元素とすることを特徴とする
   請求項１乃至２記載のＸ線露光用マスク。
4. 【請求項４】前記密着強化層の膜厚ｔが、０＜ｔ≦１０
   ０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３記載のＸ
   線露光用マスク。
5. 【請求項５】前記密着強化層が、酸素、窒素及び炭素の
   うち、少なくとも一つを５〜３０％含むことを特徴とす
   る請求項１乃至４記載のＸ線露光用マスク。
6. 【請求項６】基材上に、軽元素の物質からなるＸ線透過
   支持膜と、クロム、すず、白金のうちいずれか一つを構
   成元素とする密着強化層と、重金属からなるＸ線吸収体
   層を、順次、気相成長法により形成してなるＸ線露光用
   マスクブランクであって、前記密着強化層が酸素、窒素
   及び炭素のうち、少なくとも一つを５〜３０％含み、か
   つ、密着強化層の膜厚ｔが、０＜ｔ≦１００ｎｍである
   ことを特徴とするＸ線露光用マスクを製造するためのＸ
   線露光用マスクブランク。