JPH02260445A - Icパッケージ - Google Patents

Icパッケージ

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JPH02260445A
JPH02260445A JP1080330A JP8033089A JPH02260445A JP H02260445 A JPH02260445 A JP H02260445A JP 1080330 A JP1080330 A JP 1080330A JP 8033089 A JP8033089 A JP 8033089A JP H02260445 A JPH02260445 A JP H02260445A
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JP
Japan
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support film
insulating support
chip
lead frame
package
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Pending
Application number
JP1080330A
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English (en)
Inventor
Yoshifumi Kitayama
北山 喜文
Shunichi Yabusaki
薮崎 俊一
Tokuhito Hamane
浜根 徳人
Yukio Maeda
幸男 前田
Yutaka Makino
豊 牧野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ICパッケージに関し、詳しくは、合成樹
脂やセラミック等から・、なるパッケージ材にICチッ
プを封入して、ICチップの保護および取り扱い性の向
上環を図るICパッケージに関するものである。
〔従来の技術〕
ICパッケージの基本的構造は、ICチップの各端子が
リードフレームに接続された状態で、合成樹脂やセラミ
ック等からなるパッケージ材に封入され、バフケージ材
の外部にはリードフレームの一部である外部リードもし
くは端子ピンのみが突出し、これら外部リードもしくは
端子ビンが外部回路に接続するようになっていると言う
ものである。
外部回路を形成した配線板のスルーホールにICパッケ
ージの端子ビンをいちいち挿入してハンダ等で接続する
よりも、ICパッケージの外部リードを直接外部回路に
熱圧着等でボンディング接続するほうが、端子間のピッ
チを狭く設定でき、外部回路との接続作業も確実かつ簡
単になるので、ICチップの高集積化に伴う端子数の増
加に充分に対応できる。このようなことから、ICパッ
ケージの高密度化もしくは小型化を図るためには、前記
ピン構造よりもリード構造のものが好ましいものと言え
る。
しかし、上記のようなリード構造のICパッケージの場
合、ICパッケージから実画している外部リードが薄い
箔状のものであるため、ICパッケージの取り扱い中や
外部回路との接続作業中に、外部リードが変形したり破
損したりするという問題がある。外部リードを外部回路
に接続する作業を、ICパッケージの自動組立装置等で
行う場合には、外部リードが変形したりピッチ間隔が変
わったりしていると、接続不良や端子間の短絡等を起こ
す原因となる。ICパッケージの高密度化もしくは小型
化が進むほど、外部リードのピッチ間隔が狭くなり、外
部リードの幅が狭く厚みも薄くなるので、上記のような
、外部リードの変形や破損が起き易くなり、それに伴う
性能不良も増加する。
上記のような問題を解消するため、多数の外部リードを
、ポリイミド樹脂等からなる絶縁性支持フィルムに一体
接合しておくことによって保護し、外部リードの変形や
破損を防止することが考えられた。
第5図および第6図は、このような絶縁性支持フィルム
を用いたICパッケージの構造例を示している。合成樹
脂等からなる角型状のパッケージ材40の内部で、IC
チップ10が薄い銅箔等からなるリードフレーム20の
中央に載置され、ICチップ10の各端子は、それぞれ
、ボンディングワイヤ30でリードフレーム20の内部
リード21に接続されている。リードフレーム20の各
内部リード21は、それぞれ、外周側の外部リード22
につながっている。外部リード22は、細長い短冊状、
すなわち、いわゆるリード状をなし、多数の外部リード
22が一定のピッチ間隔で隣接した状態で、バフケージ
材40の対向する2辺から外部に突出している。このよ
うなICパッケージの基本的構造は、前記従来のものと
同様である。図示したICパッケージの特徴は、各辺の
外部リード22の表面に、外部リード22全体を覆うよ
うにして、ポリイミド樹脂等からなる絶縁性支持フィル
ム50が一体接合されていることである。
このような絶縁性支持フィルム50による外部リード2
2の保護によって、外部り−゛ド22の変形や破損を防
止することができるので、外部リード22同士のピッチ
間隔を一層狭く設定することが可能になり、ICパッケ
ージの高密度化および小型化をより進めることが出来る
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記した従来のICバフケージの場合、リー
ドフレーム20および絶縁性支持フィ・ルム50を封入
しているバフケージ材40が絶縁性支持フィルムの表裏
両面にわたって厚く設けられているため、ICパッケー
ジ全体の厚みが分厚くなっているという欠点がある。す
なわち、従来のリードフレーム20のみのICパッケー
ジに比べて、絶縁性支持フィルム50の厚み分だけ、I
Cパッケージが分厚くなっているのである。前記したよ
うに、ICパッケージの高密度化および小型化が強く要
求されている現伏では、ICバフケージの厚みが増える
ということは、極めて重大な問題であり、改善が要望さ
れていた。また、絶縁性支持フィルム50を用いない従
来のtCパッケージも、ICチップ10等を確実に保護
するために、パッケージ材40の厚みがかなり分厚くな
っており、ICパッケージの薄型化を図ることが要望さ
れている。
そこで、この発明の課題は、ICパッケージ全体の厚み
を薄くすることのできるICパッケージを提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決する、この発明にかかるICパッケージ
のうち、請求項1記載の発明は、パッケージ材の内部に
ICチップ、および、ICチップを搭載するリードフレ
ームが封入され、リードフレームのうち外部回路と接続
する外部リードがパッケージ材の外部に突出し、リード
フレームに対し外部回路との接続面の反対側の面に絶縁
性支持フィルムが接合されてなるICパッケージにおい
て、ICチップがリードフレームに対し、外部回路との
接続面と同じ側の面に搭載され、絶縁性支持フィルムの
、パッケージ材との当接面に接合強化処理が施され、パ
ッケージ材が絶縁性支持フィルムおよびリードフレーム
に対し、I’Cチップの搭載面側のみに設けられている
ようにしている。
ICパッケージ全体の基本的構造は、従来の通常のIC
バッケζ−ジと同様のものである。リードフレームの外
部リードは、ICパッケージの側辺のうち、任意の辺に
突出していればよ(、角型のICパッケージの場合、対
向する2辺に外部リードが突出しているもの、あるいは
、4辺全てに外部リードが突出しているもの等がある。
リードフレームの材質や形状は、通常のICパッケージ
と同様に、銅やニッケル等の各種導体金属からなるもの
で実施される。リードフレームの作製は、通常のICパ
ッケージにおけるリードフレームの製造方法と同様の手
段で製造される。
絶縁性支持フィルムは、従来の配線回路技術においてフ
ィルム基板等として利用されている各種の絶縁性合成樹
脂フィルムが使用できる。絶縁性支持フィルムは、リー
ドフレーム、特に外部リードを機械的に良好に保護でき
るように、機械的強度が高いことが好ましく、外部リー
ドを屈曲加工する場合には、絶縁支持フィルムも屈曲可
能な可撓性を有するものが好ましい。また、外部回路と
の接続作業時に加熱される場合には、耐熱性のあるもの
が好ましい。さらに、この発明の場合は、絶縁性支持フ
ィルムにリードフレームやICチップを封入保護する機
能も果たさせるので、耐湿性等の保護性能の良好なもの
が好ましい。具体的には、例えば、ポリイミド樹脂フィ
ルムが好ましい材料として挙げられる。
絶縁性支持フィルムとリードフレームの接合方法や、リ
ードフレームに対するICチップの搭載方法は、通常の
ICパッケージと同様であるが、この発明では、リード
フレームに対するICチップの搭載面と、絶縁性支持フ
ィルムの接合面とが反対側になるようにする。リードフ
レームは、絶縁性支持フィルムとの接合面の反対面を外
部回路と接続するので、外部回路との接続面とICチッ
プの搭載面が同じ側になる。
パッケージ材は、エポキシ樹脂など通常のICパッケー
ジ用の合成樹脂等を用い、トランスファー成形等の通常
の手段でICチップ等を封入する。このとき、パッケー
ジ材が、絶縁性支持フィルムおよびリードフレームに対
し、ICチップの搭載面側のみに設けられるようにする
。絶縁性支持フィルムは、パッケージ材の片側全面に接
合された状態になる。
絶縁性支持フィルムのうち、パッケージ材との当接面に
施す接合強化処理は、パッケージ材を成形接合したとき
に、パッケージ材と絶縁性支持フィルムとの接合性もし
くは密着性を強化できるような処理であればよく、具体
的には、プラズマ処理や化学的エツチング、研磨等の処
理方法が適用できる。
請求項2記載の発明は、パッケージ材の内部にICチッ
プ、および、ICチップを搭載するリードフレームが封
入され、リードフレームのうち外部回路と接続する外部
リードがパッケージ材の外部に突出し、リードフレーム
に対し外部回路との接続面の反対側の面に絶縁性支持フ
ィルムが接合されてなるICパッケージにおいて、IC
チップがリードフレームに対し7、外部回路との接続面
と同じ側の面に搭載され、絶縁性支持フィルムにはIC
チップの搭載部分とその近傍部分に貫通孔か形成されて
、パッケージ材が、前記絶縁性支持フィルムの貫通孔を
絶縁性支持フィルムの反対側表面までは埋めるようにし
て、絶縁性支持フィルムおよびリードフレームに則し、
ICチップの搭載面側のみに設けられているようにして
いる。
ICチップやパッケージ材、リードフレ・−ム、絶縁性
支持フィルム等の基本的な構成は、it記した請求項1
記載の発明と同様である。
絶縁性支持フィルムに設ける貫通孔は、パッケージ材を
成形する際に、パッケージ材となる樹脂材料が絶縁性支
持フィルムの反対面側まで流入できるように、ICチッ
プの搭載部分とその近傍部分に形成されており、具体的
な形状や大きさは自由に設定できる。
パッケージ材を、絶縁性支持フィルムの貫通孔から反対
側表面までを埋めるように設ける方法は限定されないが
、例えば、ICチップが搭載されたリードフレームおよ
び絶縁性支持フィルムを成形装置に配置して、パッケー
ジ材を、リードフレームおよび絶縁性支持フィルムのI
Cチップ搭載面側から、貫通孔および反対面側までを覆
うように成形した後、絶縁性支持フィルムの前記反対面
側に突出した部分のパッケージ材を、絶縁性支持フ、i
ルムの表面まで削りとればよい。
、I′1−  用〕 請求項1記載の発明によれば、パッケージ材が、絶縁性
支持フィルムおよびリードフレームのIC搭載面側のみ
に設けられているので、パッケージ材すなわちICパッ
ケージ全体の厚みが、従来の半分近くに薄くなる。IC
チップおよびリードフレームの裏側にはパッケージ材が
無いが、絶縁性支持フィルムで覆われているので、IC
チップおよびリードフレームの保護作用および封入作用
は充分に果たすことができる。絶縁性支持フィルムに対
し、パッケージ材との当接面に接合強化処理を施してい
るので、絶縁性支持フィルムとパッケージ材との接合性
もしくは密着性が向上する。
請求項2記載の発明によれば、まず、パッケージ材の厚
みが薄くなるとともに、パッケージ材の無い、ICチッ
プおよびリードフレームの裏側が絶縁性支持フィルムで
良好に保護されるのは、前記請求項1記載の発明と同様
の作用である。さらに、この発明では、パッケージ材が
、絶縁性支持フィルムの貫通孔から絶縁性支持フィルム
の反対側表面までを埋めていることによって、パッケー
ジ材でICチップ、および、ICチップと内部リードと
の接続個所を完全に封入しておくことができるとともに
、パッケージ材と絶縁性支持フィルムとの一体接合性が
向上し、パッケージ材と絶縁性支持フィルムの当接面が
剥がれたり隙間が生じたりし難くなる。
〔実 施 例〕
ついで、この発明を、実施例を示す図面を参照しながら
、以下に詳しく説明する。なお、ICパッケージの基本
的構造については、前記した従来例とほぼ同様であるの
で、共通する部分については同じ符号を付けている。
第1図および第2図は、ICパッケージの構造を示して
おり、ICチップ10がリードフレーム20の中央にボ
ンディングされて搭載されているとともに、ICチップ
10の各端子がボンディングワイヤ30でリードフレー
ム20の内部リード21に接続されている。ICチップ
10と内部リード21の接続は、ボンディングワイヤ3
0を用いず、ICチップ10の端子を直接、内部リード
21にボンディング接続する構造であってもよい、リー
ドフレーA20の外周側には、各内部り−ド21につな
がる外部リード22が設けられている。外部リード22
は、細長い、いわゆるリード状をなす多数の外部リード
22が一定のピッチ間隔をあけて並設されている。
リードフレーム20は、ポリイミド樹脂等からなる絶縁
性支持フィルム50に一体接合されている。絶縁性支持
フィルム50は、各内部リード21および外部リード2
2の間を含めてリードフレーム20の全体を覆っている
。絶縁性支持フィルム50とリードフレーム20を一体
接合する手段としでは、所定パターンを有するリードフ
レーム20と絶縁性支持フィルム50を接着してもよい
し、絶縁性支持フィルム50の上に、めっき法等の通常
の回路形成手段でリードフレーム20をパターン形成し
てもよい。絶縁性支持フィルム50とリードフレーム2
0の具体例として、厚み125μのポリイミド樹脂から
なる絶縁性支持フィルム50と、厚み35nの銅層から
なるリードフレーム20で実施される。
絶縁性支持フィルム50のうち、ICチップ10の搭載
面側には、プラズマ処理等の接合強化処理を施した処理
面52が設けられている。接合強化処理は、絶縁性支持
フィルム50とリードフレーム20が接合された後で処
理を行ってもよいが、リードフレーム20を接合する前
に、&i!lli性支持フィルム50単独の状態で、絶
縁性支持フィルム50の全面に処理を施すほうが処理が
簡単である。この場合、リードフレーム20を接合した
状態では、接合強化処理面52は、リードフレーム20
の無い部分のみで露出することになる。
リードフレーム20および絶縁性支持フィルム50に搭
載されたICチップ10は、パッケージ材40に封入さ
れている。パッケージ材40は角型状をなし、リードフ
レーム20および絶縁性支持フィルム50の片面で、I
Cチップ10およびボンディングワイヤ30を経て、リ
ードフレーム20の内部リード21までを封入しており
、外部リード22のみがパッケージ材40の外部に突出
している。パッケージ材40は、エポキシ樹脂等の通常
のパッケージ用合成樹脂等からなり、第2図に示すよう
に、対向する2辺から外側に外部リード22が突出して
いる。外部リード22は、パッケージ材40の外部で斜
め下向きに屈曲され、さらに先端を水平に戻すように屈
曲されている。
この先端の水平部分を外部回路に当接して接続するよう
になっている。但し、外部リード22が水平に突出して
いるだけのものであっても構わないパッケージ材40に
よるICチップ10の封入は、絶縁性支持フィルム50
およびリードフレーム20に搭載接続されたICチップ
10を、通常のトランスファー成形装置等に装着し、成
形型のキャビィティが絶縁性支持フィルム50のICチ
ップlO搭載面側のみに構成されるような状態で、成形
樹脂の導入を行えば、ICチップ10搭載面側のみにパ
ッケージ材40を設けることができる。
なお、図示した実施例では、絶縁性支持フィルム50の
うち、外部リード22の先端近くには、矩形状の欠除部
51が形成・されている。欠除部51は、多数の外部リ
ード22の全てを横断するように形成されてあり、外部
リード22の先端近くが一定の長さで、絶縁性支持フィ
ルム50の上面に露出するようになっている。この欠除
部51は、外部リード22を外部回路にボンディング接
続する際に、第1図に示すような、ボンディング工具T
の先端が入り込むためのものである。ボンディング工具
Tは外部リード22と外部回路を熱圧着により接続する
ので、絶縁性支持フィルム50に欠除部51を設け、ボ
ンディング工具Tが直接外部リード22に当接できるよ
うにじておくことによって、外部リード22と外部回路
との熱圧着による接続作業が良好に行え、接続信頼性が
高くなる。外部リード22と外部回路の熱圧着によるボ
ンディング接続を良好に行うには、リードフレーム20
の接続面に導電性接着フィルムを積層しておいたり、外
部リード22の先端もしくは外部回路の接続個所に接合
用、バンプを形成しておく等、通常のボンディング接続
法において採用されている各種の手段が適用可能である
また、上記のような絶縁性支持フィルム50の欠除部5
1には、もう一つの作用がある。すなわち、外部リード
22を外部回路と正確に位置合わせする際に、欠除部5
1に露出する外部リード22の一部を、適宜センサ等で
位置検出することができるのである。これは、外部リー
ド22が完全に絶縁性支持フィルム50で覆われている
と、外部リード22の正確な位置検出が出来ず、外部回
路との位置ズレが生じて、接続不良や短絡等を起こす問
題があるが、欠除部51があれば、このような問題が解
消できることになる。
欠除部5】は、先に説明した、ボンディング工具Tの挿
入を目的とする場合には、ボンディング接続個所にボン
ディング工具Tの形状に対応して形成しておく必要があ
るが、後で説明した、外部リード22の位置検出のみを
目的とする場合には、多数の外部リード22のうち、少
なくとも1本の外部リード22の一部が露出するように
しておけばよく、欠除部51の形状や形成位置は自由に
変更できる。
つぎに、第3図は別の実施例を示しており、基本的には
前記実施例と共通するので、前記実施例と異なる点につ
いて説明する。
ICチップ10をリードフレーム20の内部リード21
に接続する手段として、前記実施例のようなボンディン
グワイヤ30を用いず、バンブ31を介して、ICチッ
プ10を内部リード21に直接に接続している。この構
造であれば、ICチップ10の厚み方向に突出するボン
ディングワイヤ30に比べて、ICチップlOを覆うパ
ッケージ材40の厚みを薄くすることかでき、ICパッ
ケージの厚み削減に一層効果的である。
絶縁性支持フィルム50のうち、ICチップ10を搭載
する中央部分に貫通孔53が形成されている。この貫通
孔53は、ICチップ10の搭載個所を中心にして、内
部リード21の先端のバンブ31によるICチップ10
との接続個所よりも少し外側までにわたって設けられて
いる。そして、パッケージ材40が、絶縁性支持フィル
ム50のICチップ10搭載面側から、貫通孔53の内
部まで埋め込まれて、絶縁性支持フィルム50の反対側
の面と同一面になるように設けられている。したがって
、絶縁性支持フィルム50の貫通孔53の部分では、I
Cチップ10、および、ICチップ10と内部リード2
1との接続個所の全体を、パッケージ材40で密封保護
していることになる。
このように、絶縁性支持フィルム50の貫通孔53にパ
ッケージ材40が埋め込まれていると、一種のアンカー
効果によって、パッケージ材40と絶縁性支持フィルム
50の一体接合性が高まる。したがって、絶縁性支持フ
ィルム50に接合強化処理を施した接合強化処理層52
を形成しておかなくても、バフケージ材40と絶縁性支
持フィルム50の接合性を充分に良好にできる。また、
接合強化処理層52と併用すれば、−層のこと接合性を
高めることができる。
第4図は、上記のように、絶縁性支持フィルム50の貫
通孔53がバフケージ材40で埋められたICパッケー
ジを製造するための具体的方法を示している。
絶縁性支持フィルム50とリードフレーム20を接合し
、リードフレーム20にバンブ31を用いてICチップ
lOを搭載接続するのは、通常のICパッケージと全く
同様である。この状態のものを、パッケージ材40の成
形装置にセットしてバフケージ材40の成形を行う。第
4図は、パッケージ材40の成形が終了した状態を示し
ており、絶縁性支持フィルム50に対して、パッケージ
材40が、ICチップ10の搭載面側から貫通孔53を
経て反対面側まで成形されている。この状態では、前記
した第5図の従来例と同じように分厚いものである。
このパッケージ材40に対して、ICチップ10のない
絶縁性支持フィルム50例の面を研磨する等してパッケ
ージ材40を削り、絶縁性支持フィルム50の表面を露
出させれば、第3図に示すようなICバフケージが製造
できる。この方法は、パッケージ材40の成形時に、樹
脂材料が、リードフレーム20やICチップ10の裏側
から絶縁性支持フィルム50の貫通孔50の内部全体に
良好に流れ込む点で好ましい方法である。但し、成形装
置のキャビティの構造を変更すれば、第3図に示すパッ
ケージ材40の形状を成形のみで形成することも可能で
ある。
〔発明の効果〕
以上に説明した、この発明にかかるICパッケージのう
ち、請求項1記載の発明によれば、パッケージ材が絶縁
性支持フィルムおよびリードフレームのICチップ搭載
面側のみに設けられているので、ICチップの両面を分
厚くパッケージ材で覆う従来のICパッケージに比べ、
はぼ半分の厚みになり、ICパッケージの厚みを非常に
薄くでき、小型化および高密度化に太き(貢献すること
ができる。ICチップの裏面を保護するパッケージ材が
無くても、絶縁性支持フィルムで充分にICチップを保
護することができるので、パッケージ材が薄くなったに
も関わらず、ICチップの保護性や密封性は良好である
さらに、絶縁性支持フィルムに対し、パッケージ材との
接合面に接合強化処理を施していることによって、絶縁
性支持フィルムとパッケージ材との接合性を向上できる
。これは、本来、絶縁性支持フィルムとパッケージ材と
は別材料からなるので、互いの接合性は必ずしも完全で
はないため、絶縁性支持フィルムを用いたICパッケー
ジでは、絶縁性支持フィルムとパッケージ材の接合面が
剥がれたり隙間が生じたりし易く、ICチップやICチ
ップとリードフレームとの接続個所に対する耐湿保護等
が充分に果たせないという問題があった。特に、この発
明のように、絶縁性支持フィルムの片面のみにパッケー
ジ材が設けられている場合には、前記。したような剥が
れや隙間が発生し易い。そこで、絶縁性支持フィルムに
接合強化処理を施しておくことによって、パッケージ材
との接合性を向上させ、ICチップ等に対する保護性能
を一層高めることができるのである。
請求項2記載の発明によれば、まず、絶縁性支持フィル
ムのICチップ搭載面側のみにパッケージ材を設けてお
くことによる効果は、前記請求項1記載の発明の場合と
同様である。それに加え、絶縁性支持フィルムに貫通孔
を設け、パッケージ材で、この貫通孔の内部から絶縁性
支持フィルムの表面までを埋めるようにしていることに
よってICチップ、および、ICチップとリードフレー
ムとの接続個所、を完全にパッケージ材に封入しておく
ことができるとともに、貫通孔を埋めるパッケージ材が
一種のアンカー効果を発揮して、パッケージ材と絶縁性
支持フィルムとの一体接合性を高めることができる。し
たがって、ICチップ等の密封保護を一層確実にして、
ICパッケージの品質性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかる実施例の断面図、第2図は中
心線から左側は底面、右側は平面を示す半底面平面図、
第3図は別の実施例の断面図、第第1図 10・・・ICチップ 20・・・リードフレーム 2
2・・・外部リード 40・・・パッケージ材 50・
・・絶縁性支持フィルム 52・・・接合強化処理面 
53・・・貫通孔 代理人の氏名弁理士 粟 野 重孝ほか1名f2−・ 棲61叙イと)≧7H,6 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 パッケージ材の内部にICチップ、および、ICチ
    ップを搭載するリードフレームが封入され、リードフレ
    ームのうち外部回路と接続する外部リードがパッケージ
    材の外部に突出し、リードフレームに対し外部回路との
    接続面の反対側の面に絶縁性支持フィルムが接合されて
    なるICパッケージにおいて、ICチップがリードフレ
    ームに対し、外部回路との接続面と同じ側の面に搭載さ
    れ、絶縁性支持フィルムの、パッケージ材との当接面に
    接合強化処理が施され、パッケージ材が絶縁性支持フィ
    ルムおよびリードフレームに対し、ICチップの搭載面
    側のみに設けられていることを特徴とするICパッケー
    ジ。 2 パッケージ材の内部にICチップ、および、ICチ
    ップを搭載するリードフレームが封入され、リードフレ
    ームのうち外部回路と接続する外部リードがパッケージ
    材の外部に突出し、リードフレームに対し外部回路との
    接続面の反対側の面に絶縁性支持フィルムが接合されて
    なるICパッケージにおいて、ICチップがリードフレ
    ームに対し、外部回路との接続面と同じ側の面に搭載さ
    れ、絶縁性支持フィルムにはICチップの搭載部分とそ
    の近傍部分に貫通孔が形成されて、パッケージ材が、前
    記絶縁性支持フィルムの貫通孔を絶縁性支持フィルムの
    反対側表面までは埋めるようにして、絶縁性支持フィル
    ムおよびリードフレームに対し、ICチップの搭載面側
    のみに設けられていることを特徴とするICパッケージ
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6509637B1 (en) * 2002-03-08 2003-01-21 Amkor Technology, Inc. Low profile mounting of thick integrated circuit packages within low-profile circuit modules

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57148360A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Seiko Keiyo Kogyo Kk Semiconductor device
JPS6048252B2 (ja) * 1979-07-20 1985-10-26 新東工業株式会社 減圧造型鋳型におけるフイルム屑の回収除去装置
JPS61141532A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 積層フイルムの製造方法
JPS61242051A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Matsushita Electronics Corp 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6048252B2 (ja) * 1979-07-20 1985-10-26 新東工業株式会社 減圧造型鋳型におけるフイルム屑の回収除去装置
JPS57148360A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Seiko Keiyo Kogyo Kk Semiconductor device
JPS61141532A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 積層フイルムの製造方法
JPS61242051A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Matsushita Electronics Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6509637B1 (en) * 2002-03-08 2003-01-21 Amkor Technology, Inc. Low profile mounting of thick integrated circuit packages within low-profile circuit modules

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