JPH02260518A - アライメントパターン - Google Patents
アライメントパターンInfo
- Publication number
- JPH02260518A JPH02260518A JP1080649A JP8064989A JPH02260518A JP H02260518 A JPH02260518 A JP H02260518A JP 1080649 A JP1080649 A JP 1080649A JP 8064989 A JP8064989 A JP 8064989A JP H02260518 A JPH02260518 A JP H02260518A
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- JP
- Japan
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- pattern
- patterns
- alignment
- shaped
- alignment pattern
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- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- CLOMYZFHNHFSIQ-UHFFFAOYSA-N clonixin Chemical compound CC1=C(Cl)C=CC=C1NC1=NC=CC=C1C(O)=O CLOMYZFHNHFSIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置を製造する際に用いるアライメント
パターンに関する。
パターンに関する。
−ｍに半導体装置をフォトリソグラフィ技術で製造する
際には、下地基板にアライメントパターンを形成してお
くと共に、フォトレジスト側にもアライメントパターン
を形成し、これらのアライメントパターンを組合わせる
ことにより、両者間での位置合わせ状態を確認している
。
際には、下地基板にアライメントパターンを形成してお
くと共に、フォトレジスト側にもアライメントパターン
を形成し、これらのアライメントパターンを組合わせる
ことにより、両者間での位置合わせ状態を確認している
。
従来、この種のアライメントパターンとしては、例えば
第３図に示すように、下地基板に大きな正方形のパター
ン１１を、またフォトレジストにこの正方形パターン１
１内に入る複数個の小さな正方形のパターン１２を夫々
設けたものがある。このアライメントパターンでは、下
地基板パターン１１内におけ゛るフォ°トレジストパタ
ーン１２の偏り等により位置合わせ状態が判定できる。
第３図に示すように、下地基板に大きな正方形のパター
ン１１を、またフォトレジストにこの正方形パターン１
１内に入る複数個の小さな正方形のパターン１２を夫々
設けたものがある。このアライメントパターンでは、下
地基板パターン１１内におけ゛るフォ°トレジストパタ
ーン１２の偏り等により位置合わせ状態が判定できる。
また、第４図に示すように、下地基板とフォトレジスト
に夫々ピッチ寸法の異なる目盛パターン２１．２２を夫
々設けたものもある。このアライメントパターンは、各
目盛パターン２１．２２でノギス目盛を構成し、両目盤
パターン２１．２２の一致、不一致目盛を判定すること
で、両者の位置ずれ量を直読することができる。
に夫々ピッチ寸法の異なる目盛パターン２１．２２を夫
々設けたものもある。このアライメントパターンは、各
目盛パターン２１．２２でノギス目盛を構成し、両目盤
パターン２１．２２の一致、不一致目盛を判定すること
で、両者の位置ずれ量を直読することができる。
上述した従来のアライメントパターンは、いずれもＸ方
向のずれとＹ方向のずれが別々に表されるため、重ね合
わせの良、不良の判定を一目で行うことが難しいという
問題がある。また、下地基板パターンとフォトレジスト
パターンのエツジの間隔で重ね合わせのずれ量を読み取
るために、膜成長等により下地基板パターンが不鮮明に
なったときには、良、不良の判定が困難になるという問
題もある。
向のずれとＹ方向のずれが別々に表されるため、重ね合
わせの良、不良の判定を一目で行うことが難しいという
問題がある。また、下地基板パターンとフォトレジスト
パターンのエツジの間隔で重ね合わせのずれ量を読み取
るために、膜成長等により下地基板パターンが不鮮明に
なったときには、良、不良の判定が困難になるという問
題もある。
本発明は重ね合わせの良、不良を簡単に判定することが
可能なアライメントパターンを提供することを目的とす
る。
可能なアライメントパターンを提供することを目的とす
る。
本発明のアライメントパターンは、一方のアライメント
パターンを円環状とし、他方のアライメントパターンを
該円環状パターンの外径より小さく内径よりも大きな径
寸法の円形としている。
パターンを円環状とし、他方のアライメントパターンを
該円環状パターンの外径より小さく内径よりも大きな径
寸法の円形としている。
〔作用〕
上述した構成では、両アライメントパターンの同心円状
態を観察することで位置ずれ方向を判定でき、かつ両パ
ターンの縁部の交差状態を観察することで位置ずれ量が
判定できる。
態を観察することで位置ずれ方向を判定でき、かつ両パ
ターンの縁部の交差状態を観察することで位置ずれ量が
判定できる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、同図（ａ）は下地基
板パターン、同図（ｂ）はフォトレジストパターンの各
平面図である。即ち、下地基板パターン１は円環状をし
ており、その内径半径Ｒ１と外径半径Ｒ２の差ΔＲ（Δ
Ｒ−Ｒ２−Ｒ１）を重ね合わせにおける位置ずれの許容
値となるように形成している。また、フォトレジストパ
ターン２は円形をしており、その半径Ｒ３は、前記下地
基板パターン１の外径よりも小さく、かつ内径よりも大
きい関係、即ちＲ１＜Ｒ３＜Ｒ２となるように設定して
いる。
板パターン、同図（ｂ）はフォトレジストパターンの各
平面図である。即ち、下地基板パターン１は円環状をし
ており、その内径半径Ｒ１と外径半径Ｒ２の差ΔＲ（Δ
Ｒ−Ｒ２−Ｒ１）を重ね合わせにおける位置ずれの許容
値となるように形成している。また、フォトレジストパ
ターン２は円形をしており、その半径Ｒ３は、前記下地
基板パターン１の外径よりも小さく、かつ内径よりも大
きい関係、即ちＲ１＜Ｒ３＜Ｒ２となるように設定して
いる。
このようなアライメントパターン１．２を用いて位置合
わせを行うと、両者の重ね合わせのずれ量が零の時には
、第２図（ａ）のように、２つのパターン１，２は同心
円となる。
わせを行うと、両者の重ね合わせのずれ量が零の時には
、第２図（ａ）のように、２つのパターン１，２は同心
円となる。
両者間に若干の位置ずれが生じたときには、第２図（ｂ
）のように両パターン１．２は同心円状態ではなくなる
。しかしながら、この場合でもフォトレジストパターン
２の外径縁が下地基板パターン１に重なっている場合に
は、ずれ量は許容範囲内にある。
）のように両パターン１．２は同心円状態ではなくなる
。しかしながら、この場合でもフォトレジストパターン
２の外径縁が下地基板パターン１に重なっている場合に
は、ずれ量は許容範囲内にある。
そして、両パターンが更にずれると、第２図（Ｃ）のよ
うに、フォトレジストパターン２の外径縁が下地基板パ
ターン１の内径縁よりも内側にずれて両縁が交差する。
うに、フォトレジストパターン２の外径縁が下地基板パ
ターン１の内径縁よりも内側にずれて両縁が交差する。
この状態では両者の位置ずれ量が許容範囲を越えて、不
良状態となる。この場合、両パターン１．２の交差箇所
を確認すれば、そのずれ方向を容易に判定することがで
き、下地基板パターン１が不鮮明な場合でも従来に比較
して容易に判定を行うことができる。
良状態となる。この場合、両パターン１．２の交差箇所
を確認すれば、そのずれ方向を容易に判定することがで
き、下地基板パターン１が不鮮明な場合でも従来に比較
して容易に判定を行うことができる。
更に、位置ずれが大きい場合には、第２図（ｄ）のよう
になる。
になる。
なお、本発明のアライメントパターンは、コンタクトア
ライナ−等により、フォトマスクを下地基板に対して位
置決めする場合にも同様に適用できる。この場合には、
フォトマスクを円形パターンとし、円環状に形成した下
地基板パターンに対して同様の位置合わせを行えばよい
。
ライナ−等により、フォトマスクを下地基板に対して位
置決めする場合にも同様に適用できる。この場合には、
フォトマスクを円形パターンとし、円環状に形成した下
地基板パターンに対して同様の位置合わせを行えばよい
。
また、場合によっては下地基板パターンを円形とし、フ
ォトレジスト或いはフォトマスクパターンを円環状とし
てもよい。
ォトレジスト或いはフォトマスクパターンを円環状とし
てもよい。
以上説明したように本発明は、一方のアライメントパタ
ーンを円環状とし、他方のアライメントパターンを該円
環状パターンの外径より小さく内径よりも大きな径寸法
の円形としているので、両パターンの同心円状態を観察
することで位置ずれ方向を判定でき、かつ両パターンの
縁部の交差状態を観察することで位置ずれ量が判定でき
、一方のパターンが不鮮明な場合でも容易に位置ずれ状
態の判定が可能となる。
ーンを円環状とし、他方のアライメントパターンを該円
環状パターンの外径より小さく内径よりも大きな径寸法
の円形としているので、両パターンの同心円状態を観察
することで位置ずれ方向を判定でき、かつ両パターンの
縁部の交差状態を観察することで位置ずれ量が判定でき
、一方のパターンが不鮮明な場合でも容易に位置ずれ状
態の判定が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示し、同図（ａ）は下地基
板パターンの平面図、同図（ｂ）はフォトレジストパタ
ーンの平面図、第２図（ａ）乃至（ｄ）は夫々第１図の
アライメントパターンを用いた位置合わせ状態を示す平
面図、第３図及び第４図は夫々異なる従来のアライメン
トパターンの平面図である。 １・・・下地基板パターン、２・・・フォトレジストパ
ターン（フォトマスクパターン）、１１．２１・・・下
地基板パターン、１２．２２・・・フォトレジストパタ
ーン。 第１ （ａ） （ｂ）
板パターンの平面図、同図（ｂ）はフォトレジストパタ
ーンの平面図、第２図（ａ）乃至（ｄ）は夫々第１図の
アライメントパターンを用いた位置合わせ状態を示す平
面図、第３図及び第４図は夫々異なる従来のアライメン
トパターンの平面図である。 １・・・下地基板パターン、２・・・フォトレジストパ
ターン（フォトマスクパターン）、１１．２１・・・下
地基板パターン、１２．２２・・・フォトレジストパタ
ーン。 第１ （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- １、下地基板に設けたアライメントパターンと、この上
に形成するフォトレジスト側のアライメントパターンと
を重ね合わせて両者の位置合わせを判定するためのアラ
イメントパターンにおいて、一方のアライメントパター
ンを円環状とし、他方のアライメントパターンを該円環
状パターンの外径より小さく内径よりも大きな径寸法の
円形としたことを特徴とするアライメントパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080649A JP2776546B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | アライメントパターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080649A JP2776546B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | アライメントパターン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260518A true JPH02260518A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2776546B2 JP2776546B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=13724213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080649A Expired - Lifetime JP2776546B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | アライメントパターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776546B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
| JP2003107756A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Nec Toppan Circuit Solutions Toyama Inc | 自動露光機および位置合わせ方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5491058A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6165743U (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-06 | ||
| JPS61177725A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1080649A patent/JP2776546B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5491058A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6165743U (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-06 | ||
| JPS61177725A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
| JP2003107756A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Nec Toppan Circuit Solutions Toyama Inc | 自動露光機および位置合わせ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2776546B2 (ja) | 1998-07-16 |
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