JPH02260588A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH02260588A JPH02260588A JP8106689A JP8106689A JPH02260588A JP H02260588 A JPH02260588 A JP H02260588A JP 8106689 A JP8106689 A JP 8106689A JP 8106689 A JP8106689 A JP 8106689A JP H02260588 A JPH02260588 A JP H02260588A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、共振器端面の劣化を防止した半導体レーザに
間する。
間する。
従来技術によって製造された半導体レーザの主要断面図
を第 図に示す、（０１）ｎ型ＧａＡｓ基板に（０２）
ｎ型Ａ ｌ ｏ、 ４ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラ
ッド層、（０３）Ａｌ１．、＋ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓ活性層。
を第 図に示す、（０１）ｎ型ＧａＡｓ基板に（０２）
ｎ型Ａ ｌ ｏ、 ４ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓクラ
ッド層、（０３）Ａｌ１．、＋ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓ活性層。
（０６）Ｐ型Ａ ２ ｏ、 ａｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓｓ
Ａ Ｓ光ガイド層、（０７）ＰｇＭＡｊｌ！ｏ、ａ
Ｇａｏ、ｉ Ａｓクラッド層、（０５）Ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層を順次ＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長
する。（０６）Ｐ型Ａ ｌ ｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ、
ｓｓＡ ｓ光ガイド層を成長する際には、共振器端面近
傍以外の部分に光照射して、ＭＯＣＶＤ法のＡＩ２原料
であるＴＭＡの分解効率を促進し、へβ組成を増加させ
る。光照射により（０４）光照射層は、（０７）Ｐ型ク
ラッド層と同じ組成のＰ型Ａβ。ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｏ
ｓＡ Ｓ層となる。
Ａ Ｓ光ガイド層、（０７）ＰｇＭＡｊｌ！ｏ、ａ
Ｇａｏ、ｉ Ａｓクラッド層、（０５）Ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層を順次ＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長
する。（０６）Ｐ型Ａ ｌ ｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ、
ｓｓＡ ｓ光ガイド層を成長する際には、共振器端面近
傍以外の部分に光照射して、ＭＯＣＶＤ法のＡＩ２原料
であるＴＭＡの分解効率を促進し、へβ組成を増加させ
る。光照射により（０４）光照射層は、（０７）Ｐ型ク
ラッド層と同じ組成のＰ型Ａβ。ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｏ
ｓＡ Ｓ層となる。
ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長終了後、（０８
）Ｐ型電極、（０９）ｎ型電極を蒸着し、チップごとに
襞間して端面ＬＯＣ構造の半導体し−ザを得る。
）Ｐ型電極、（０９）ｎ型電極を蒸着し、チップごとに
襞間して端面ＬＯＣ構造の半導体し−ザを得る。
得られた半導体レーザは、共振器端面近傍でＬＯＣ構造
となるため、共振器端面での活性層の光密度が下がり端
面劣化が抑制されると共に、端面以外の領域では光密度
が下がらないため、全体をＬＯＧ構造としたときのよう
なしきい値電流の増加を抑制できる。したがって高出力
発振が可能となる。
となるため、共振器端面での活性層の光密度が下がり端
面劣化が抑制されると共に、端面以外の領域では光密度
が下がらないため、全体をＬＯＧ構造としたときのよう
なしきい値電流の増加を抑制できる。したがって高出力
発振が可能となる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、端面ＬＯＣ構造半導体レ
ーザな構成する化合物半導体薄膜層をＭＯＣＶＤ法で製
造した後、レーザチップに襞間する際、ウェハー中の光
ガイド層の場所が外観上判別できないため、あらかじめ
成長前の単結晶化合物半導体基板に目印となる溝をエツ
チングにより形成し、紫外光をそれに合わせて照射して
いるが、基板のエツチングに手間がかかる上、照射光が
紫外光であるため、マスク合せがしにくいという問題点
を有していた。そこで本発明はこのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは、ＭＯＣＶＤ法で
化合物半導体薄膜層を成長したあとで、ウェハー中の光
ガイド層の場所を簡単に判別できる半導体レーザ及びそ
の製造方法を提供するところにある。
ーザな構成する化合物半導体薄膜層をＭＯＣＶＤ法で製
造した後、レーザチップに襞間する際、ウェハー中の光
ガイド層の場所が外観上判別できないため、あらかじめ
成長前の単結晶化合物半導体基板に目印となる溝をエツ
チングにより形成し、紫外光をそれに合わせて照射して
いるが、基板のエツチングに手間がかかる上、照射光が
紫外光であるため、マスク合せがしにくいという問題点
を有していた。そこで本発明はこのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは、ＭＯＣＶＤ法で
化合物半導体薄膜層を成長したあとで、ウェハー中の光
ガイド層の場所を簡単に判別できる半導体レーザ及びそ
の製造方法を提供するところにある。
〔課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザ及びそ
の製造方法は、 （１）共振器端面近傍にのみ光ガイド層を有する端面Ｌ
ＯＣ構造を有し、前記光ガイド層のエピタキシャル成長
中に、共振器端面近傍以外の領域に光照射する工程によ
り製造される半導体レーザにおいて、前記共振器端面近
傍以外の領域の上部半導体層上にＩＩＩ族金属膜を有す
ることを特徴とする。
の製造方法は、 （１）共振器端面近傍にのみ光ガイド層を有する端面Ｌ
ＯＣ構造を有し、前記光ガイド層のエピタキシャル成長
中に、共振器端面近傍以外の領域に光照射する工程によ
り製造される半導体レーザにおいて、前記共振器端面近
傍以外の領域の上部半導体層上にＩＩＩ族金属膜を有す
ることを特徴とする。
（２）前記半導体レーザを構成する半導体層を有機金属
を原料とする成長法で成長後、前記ＩＩＩ族金属膜を光
照射しながら成長することを特徴とする。
を原料とする成長法で成長後、前記ＩＩＩ族金属膜を光
照射しながら成長することを特徴とする。
【実 施 例］
本発明の実施例における半導体レーザの主要断面図を第
１図に示す、（１０１）ｎ型ＧａＡｓ基板に、（１０２
）ｎ型Ａ ４２０．４１Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓクラ
ッド層、（１０３）Ａｊ２ｏ、＋５Ｇａｏ、５ｓＡＳ活
性層、（１０６）Ｐ型Ａ ｊ！ ｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ
、 ａａＡ Ｓ光ガイド層、（１０７）Ｐ型Ａｌｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層、（１０５）Ｐ型ＧａＡ
Ｓキャップ層を順次ＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル
成長する。
１図に示す、（１０１）ｎ型ＧａＡｓ基板に、（１０２
）ｎ型Ａ ４２０．４１Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓクラ
ッド層、（１０３）Ａｊ２ｏ、＋５Ｇａｏ、５ｓＡＳ活
性層、（１０６）Ｐ型Ａ ｊ！ ｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ
、 ａａＡ Ｓ光ガイド層、（１０７）Ｐ型Ａｌｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層、（１０５）Ｐ型ＧａＡ
Ｓキャップ層を順次ＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル
成長する。
（１０６）Ｐ型Ａ １２ ｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ、 ｓ
ｓＡ ｓ光ガイド層を成長する際には、共振器端面近傍
以外の部分に光照射して、ＭＯＣＶＤ法のＡｇ原料であ
るＴＭＡの分解効率を促進し、／１組成を増加させる。
ｓＡ ｓ光ガイド層を成長する際には、共振器端面近傍
以外の部分に光照射して、ＭＯＣＶＤ法のＡｇ原料であ
るＴＭＡの分解効率を促進し、／１組成を増加させる。
光照射により（１０４）光照射層は、（１０７）Ｐ型ク
ラッド層と同じ組成のＰ型Ａ２゜、ｓ Ｇａ ａ、 ｓ
Ａ ８層となる。半導体層を成長後、成長温度を２０
０℃に下げ、キャリアガスとＴＭＡのみを流し、共振器
端面近傍以外の部分に光照射する。ＴＭＡは２００℃で
はほとんど熱分解しないので、光照射部のみＴＭＡの光
分解により（１１０）Ａｇ層が堆積する。
ラッド層と同じ組成のＰ型Ａ２゜、ｓ Ｇａ ａ、 ｓ
Ａ ８層となる。半導体層を成長後、成長温度を２０
０℃に下げ、キャリアガスとＴＭＡのみを流し、共振器
端面近傍以外の部分に光照射する。ＴＭＡは２００℃で
はほとんど熱分解しないので、光照射部のみＴＭＡの光
分解により（１１０）Ａｇ層が堆積する。
第２図に本発明の実施例における半導体レーザの製造装
置の主要構成図を示す、（２０９）の原料ガス導入系か
ら（２１０）の反応管中に原料ガスを入れ（２１１）の
加熱された基板上に流して化合物半導体薄膜を成長する
。（１０６）光ガイド層及び（１ｔｏ）Ａ４２層の成長
中には、（２０１）のエキシマレーザからの紫外光を（
２０２）のシリンドリカルレンズで整形して（２０３）
のミラーで反射させ（２０４）、（２０５）の合成石英
レンズで平行ビームとしく２０６）のマスクを通しく２
０７）の縮小レンズで基板に焦点を結ばせて、半導体レ
ーザの共振器端面近傍以外の領域となる場所に光照射を
行う。
置の主要構成図を示す、（２０９）の原料ガス導入系か
ら（２１０）の反応管中に原料ガスを入れ（２１１）の
加熱された基板上に流して化合物半導体薄膜を成長する
。（１０６）光ガイド層及び（１ｔｏ）Ａ４２層の成長
中には、（２０１）のエキシマレーザからの紫外光を（
２０２）のシリンドリカルレンズで整形して（２０３）
のミラーで反射させ（２０４）、（２０５）の合成石英
レンズで平行ビームとしく２０６）のマスクを通しく２
０７）の縮小レンズで基板に焦点を結ばせて、半導体レ
ーザの共振器端面近傍以外の領域となる場所に光照射を
行う。
（１１０）ＡＪ２層の堆積後、熱ＣＶＤ法により（１１
１）ＳｉＯｓ層を形成し、共振器方向に平行なストライ
ブ状に（ｌｌ’１）ＳｉＯｓ層をエツチングし、さらに
その上部に（ｉｏｓ）ｐ型オーミック電極、（１０１）
ｎ型ＧａＡｓ基板側に（１０９）ｎ型オーミック電極を
蒸着形成する。
１）ＳｉＯｓ層を形成し、共振器方向に平行なストライ
ブ状に（ｌｌ’１）ＳｉＯｓ層をエツチングし、さらに
その上部に（ｉｏｓ）ｐ型オーミック電極、（１０１）
ｎ型ＧａＡｓ基板側に（１０９）ｎ型オーミック電極を
蒸着形成する。
第３図は襞間前の半導体レーザウェハーを示す図である
。（３１０）Ａｆｆ層上部以外の（３１２）ＩＩ厚の薄
い領域に沿って襞間を行ない共振器を形成して利得導波
型の端面ＬＯＣ構造半導体レーザを得る。得られた半導
体レーザは、共振器端面近傍のみ、活性層の光密度が下
がり、端面劣化が抑制されると共に、端面以外の領域で
は活性層の光密度が下がらず、全体をＬＯＧ構造とした
ときのようなしきい値電流の増加を抑制できるため高出
力発振が可能となる。
。（３１０）Ａｆｆ層上部以外の（３１２）ＩＩ厚の薄
い領域に沿って襞間を行ない共振器を形成して利得導波
型の端面ＬＯＣ構造半導体レーザを得る。得られた半導
体レーザは、共振器端面近傍のみ、活性層の光密度が下
がり、端面劣化が抑制されると共に、端面以外の領域で
は活性層の光密度が下がらず、全体をＬＯＧ構造とした
ときのようなしきい値電流の増加を抑制できるため高出
力発振が可能となる。
本実施例ではＩＩＩ族金属膜をＡ２としたが、有機金属
を原料とするＩＩＩ族金属であればＧａでもＩｎ等でも
もちろんかまわない、また埋め込み再成長を行う屈折率
導波型半導体レーザにおいても、リブ上部に膜厚段差が
生じるので、もちろん本発明は有効であり光ガイド層を
有する領域を外観で判別することができる。
を原料とするＩＩＩ族金属であればＧａでもＩｎ等でも
もちろんかまわない、また埋め込み再成長を行う屈折率
導波型半導体レーザにおいても、リブ上部に膜厚段差が
生じるので、もちろん本発明は有効であり光ガイド層を
有する領域を外観で判別することができる。
〔発明の効果１
以上述べたように本発明によれば、化合物半導体薄膜層
を成長後、ＬＯＧ領域以外の部分に光照射しながらＩＩ
Ｉ族金属膜を堆積させることにより、端面ＬＯＣ構造を
もつ半導体レーザのウェハーをエピタキシャル成長後、
レーザチップに襞間する際、Ｌ ＯＣｆｉｌ域の場所が
外観で判別できるため、成長前の基板に目印となる溝を
エツチングにより形成する工程や、前記の溝に合わせて
光を照射するためのアライメント工程が必要なくなるた
め。
を成長後、ＬＯＧ領域以外の部分に光照射しながらＩＩ
Ｉ族金属膜を堆積させることにより、端面ＬＯＣ構造を
もつ半導体レーザのウェハーをエピタキシャル成長後、
レーザチップに襞間する際、Ｌ ＯＣｆｉｌ域の場所が
外観で判別できるため、成長前の基板に目印となる溝を
エツチングにより形成する工程や、前記の溝に合わせて
光を照射するためのアライメント工程が必要なくなるた
め。
製造工程の大幅な短縮が可能となる。その結果。
歩留りも向上し、共振器端面の劣化が抑制された最大光
出力の大きい長寿命の半導体レーザを低い製造コストで
簡単に製造できるという効果を有する。
出力の大きい長寿命の半導体レーザを低い製造コストで
簡単に製造できるという効果を有する。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザの斜視図
。 第２図は本発明の実施例における半導体レーザの製造装
置の主要構成図。 第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例における襞間前
の半導体レーザのウェハの（ａ）上視図と（ｂ）主要断
面図。 第４図は従来の半導体レーザの主要断面図。 （１０１） 、 （１０５） 、 （１０８） 、 （１０９） 、 （１１１） 、 （２ｌ Ｏ （２ｌ ２ （３０１） 、 （４０１） ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 （３０５） 、 （４０５） ・・・Ｐ型ＧａＡｓキャップ層 （３０Ｂ）、 （４０８） ・・・Ｐ型電極 （３０９）、 （４０９） ・・・ｎ型電極 ・・・Ｓｉ０ｇ層 ・・・シリンドリカルレンズ ・・・ミラー ・・・合成石英凹レンズ ・・・合成石英凸レンズ ・・・高周波発振器 ・・・原料ガス導入系 ・・・反応管 ・・・排気系 ／ρコ Ａ’！Ａｌｏａ；ｈｏｓｔ％ｓ ７う訃・７
を／１０ Ａｆ！、ｆｉｌ 多う）刊
。 第２図は本発明の実施例における半導体レーザの製造装
置の主要構成図。 第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例における襞間前
の半導体レーザのウェハの（ａ）上視図と（ｂ）主要断
面図。 第４図は従来の半導体レーザの主要断面図。 （１０１） 、 （１０５） 、 （１０８） 、 （１０９） 、 （１１１） 、 （２ｌ Ｏ （２ｌ ２ （３０１） 、 （４０１） ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 （３０５） 、 （４０５） ・・・Ｐ型ＧａＡｓキャップ層 （３０Ｂ）、 （４０８） ・・・Ｐ型電極 （３０９）、 （４０９） ・・・ｎ型電極 ・・・Ｓｉ０ｇ層 ・・・シリンドリカルレンズ ・・・ミラー ・・・合成石英凹レンズ ・・・合成石英凸レンズ ・・・高周波発振器 ・・・原料ガス導入系 ・・・反応管 ・・・排気系 ／ρコ Ａ’！Ａｌｏａ；ｈｏｓｔ％ｓ ７う訃・７
を／１０ Ａｆ！、ｆｉｌ 多う）刊
Claims (2)
- （１）共振器端面近傍にのみ光ガイド層を有する端面Ｌ
ＯＣ構造を有し、前記光ガイド層のエピタキシャル成長
中に、共振器端面近傍以外の領域に光照射する工程によ
り製造される半導体レーザにおいて、前記共振器端面近
傍以外の領域の上部半導体層上にIII族金属膜を有する
ことを特徴とする半導体レーザ。 - （２）半導体レーザを構成する半導体層を有機金属を原
料とする成長法で成長後、III族金属績を光照射しなが
ら成長することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106689A JPH02260588A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106689A JPH02260588A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260588A true JPH02260588A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13736021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8106689A Pending JPH02260588A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6009112A (en) * | 1994-09-16 | 1999-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8106689A patent/JPH02260588A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6009112A (en) * | 1994-09-16 | 1999-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
| US6130108A (en) * | 1994-09-16 | 2000-10-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
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