JPH02260666A - Manufacture of amorphous solar cell - Google Patents
Manufacture of amorphous solar cellInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高変喚効率のアモルファス太陽電池の製造方
法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] This invention relates to a method for manufacturing an amorphous solar cell with high conversion efficiency.
第２図（ａ）は従来の成膜方法によるアモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ−３ｉＧｅ ： Ｈ） ）ＩＩ成
膜直後のＳｔとＧｅへの水素の結合状態を示す電子エネ
ルギー損失分光（ＥＥＬＳ）スペクトル図である。Figure 2 (a) is an electron energy loss spectroscopy (EELS) spectrum diagram showing the bonding state of hydrogen to St and Ge immediately after amorphous silicon germanium (a-3iGe: H) II film formation by the conventional film formation method. be.
ＥＥＬＳ （電子エネルギー損失分光）の原理、解釈等
は例えばＪ、Ａ、 シェーファー等 フィジカル レヴ
ユ−（Ｊ、Ａ、 ５ｃｈａｅｆｅｒ ｅｔ、ａｌ： Ｐ
ｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｂ５３（１９８６）２９９９）に
記載されている。次に簡単に第２図（ａ）の解釈につい
て説明する。The principles and interpretation of EELS (electron energy loss spectroscopy) are described in, for example, J. A. Chaefer et al. Physical Review (J. A. Chaefer et al.: P
hys, Rev, B53 (1986) 2999). Next, the interpretation of FIG. 2(a) will be briefly explained.
７はＥＥＬＳスペクトルのストレッチングモード部分で
あり、８はＧｅ−Ｈ＋ 、２．３．９はＳｉｏＨ，・Ｚ
＋３である。7 is the stretching mode part of the EELS spectrum, 8 is Ge-H+, 2.3.9 is SioH, ・Z
It is +3.
このａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜は、従来のプラズマＣＶＤ装置
で成膜されたもので、組成比は、Ｓｉが１に対しＧｅが
１である。第２図（ａ）の７のＥＥＬＳスペクトルを８
と９のようにガウス関数でピーク分離すると、表面の水
素がＳｉに結合しているのか、Ｇｅに結合しているのか
が分かる。第２図（ａ）では８より９がかなり大きく、
これによりＳｉとＧｅが表面で同量あるにもかかわらず
、水素はほとんどＳｉに結合している。一方のＧｅの水
素量が少ないことはＧｅにタンクリンクボンド（ｄａｎ
ｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ ）が多く、良質膜が得られない
ということである。This a-3iGe:H film was formed using a conventional plasma CVD apparatus, and the composition ratio was 1 part Si to 1 part Ge. The EELS spectrum of 7 in Figure 2(a) is
By separating the peaks using a Gaussian function as shown in 9 and 9, it can be determined whether the hydrogen on the surface is bonded to Si or Ge. In Figure 2(a), 9 is much larger than 8,
As a result, although Si and Ge are present in the same amount on the surface, most of the hydrogen is bonded to Si. On the other hand, the small amount of hydrogen in Ge means that Ge has a tank link bond (dan).
This means that a good quality film cannot be obtained due to the large amount of glittering bonds.
このように従来のａ −３ｔＧｅ ： ＨＴｐｉ！成膜
直後の表面にはＧｅに着いている水素が少なく、水素で
ターミネートされていないＧｅの結合はタンクリンクボ
ンドとなっていた。In this way, conventional a-3tGe: HTpi! There was little hydrogen attached to Ge on the surface immediately after the film was formed, and the Ge bonds that were not terminated with hydrogen were tank link bonds.
第１図はアモルファス太陽電池のデバイス構造を示す。FIG. 1 shows the device structure of an amorphous solar cell.
太陽光ｌが該デバイスに入射すると、透明電極２を通り
抜け、６００〜７００ ｎｍの波長の光は、２層３ａ、
ａ−３ｉ ：Ｈ（アモルファスシリコン）の１層３ｂ
、ｎ層３ｃで構成されたａ−３ｉ（アモルファスシリコ
ン）セル３で吸収される。６００〜７００ ｎｍより長
い波長の光は、ａ−３ｔセル３では吸収されず、さらに
９層４ａ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈの１層４ｂ、ｎ層４ｃで構
成されたａ−３ｉＧｅ（アモルファスシリコンゲルマニ
ウム）セル４で吸収される。光電変換−された電気信号
は透明電極２と基板（導電性）５から取り出される。When sunlight l enters the device, it passes through the transparent electrode 2, and the light with a wavelength of 600-700 nm passes through the two layers 3a,
a-3i: 1 layer 3b of H (amorphous silicon)
, and is absorbed by an a-3i (amorphous silicon) cell 3 composed of an n-layer 3c. Light with a wavelength longer than 600 to 700 nm is not absorbed by the a-3T cell 3, and the a-3iGe (amorphous silicon germanium ) is absorbed in cell 4. The photoelectrically converted electric signal is extracted from the transparent electrode 2 and the substrate (conductive) 5.
次いで従来の成膜方法について説明する。従来の成膜方
法は基板５にプラズマＣＶＤ法でｎ層（ｎ−ｔｙｐｅ）
４ｃを成膜し、次いでａ−３ｉＧｅ：Ｈ４ｂを成膜し、
次いでａ−８ｉＧｅ：Ｈのｐ膜（ｐ−ｔｙｐｅ）４を成
膜する。Next, a conventional film forming method will be explained. The conventional film forming method is to form an n-layer (n-type) on the substrate 5 using the plasma CVD method.
4c, then a-3iGe:H4b,
Next, a p-type film (p-type) 4 of a-8iGe:H is formed.
従来のアモルファス太陽電池の製造方法は以上のように
してａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を成膜しているので、水素はＧ
ｅに結合し難く、良質膜を得ることはできなかった。In the conventional manufacturing method of amorphous solar cells, an a-3iGe:H film is formed as described above, so hydrogen is
It was difficult to bind to e, and it was not possible to obtain a good quality membrane.
また、従来のａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜方法は順にｎ層
、ｉ層、２層と成膜していたが、第２図（ａ）は、従来
の成膜方法では、４ｂと４ａＴｈｐ／ｉ界面６の部分で
Ｇｅに着いている水素の量が少ないことを示している。Furthermore, in the conventional method of forming a-3iGe:H film, the n-layer, i-layer, and 2-layer were formed in this order. This shows that the amount of hydrogen attached to Ge at the /i interface 6 is small.
第３図はｐ／ｉ界面６の部分を原子１個ずつに拡大した
図である。ｐ／ｉ界面でＧｅに付いている水素量が少な
いことは第３図のタンクリンクボンド１１がＧｅに発生
することを示している。ダングリングホント１１はバン
ドギャップ内に再結合中心を作るため、デバイス特性を
悪化させるなどの問題点があった。FIG. 3 is an enlarged view of the p/i interface 6, one atom at a time. The small amount of hydrogen attached to Ge at the p/i interface indicates that the tank link bond 11 in FIG. 3 is generated on Ge. Dangling Hont 11 creates recombination centers within the bandgap, resulting in problems such as deterioration of device characteristics.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、タンクリンクボンドをなくし、良質なａ−
３ｉＣｚｅ：Ｈ膜を成膜できることによって、高効率な
アモルファス太陽電池を製造することのできる方法を得
ることを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it eliminates the tank link bond and creates a high-quality a-
An object of the present invention is to obtain a method that can produce a highly efficient amorphous solar cell by forming a 3iCze:H film.
この発明の第１の発明に係るアモルファス太陽電池の製
造方法は、原料ガスをＡｒガスで希釈することにより、
良質なａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を得るようにしたものである
。The method for manufacturing an amorphous solar cell according to the first aspect of the present invention includes diluting a raw material gas with Ar gas.
This is to obtain a high quality a-3iGe:H film.
また、この発明の第２の発明に係るアモルファス太陽電
池の製造方法は、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を数人づつ断続的
に成膜し、その成膜と成膜の間で、Ａｒプラズマまたは
Ａ ｒ ”″スパッタをかけることにより、良質なａ−
５ｉＧａ、：Ｈ膜を得るようにしたものである。In addition, in the method for manufacturing an amorphous solar cell according to the second aspect of the present invention, an a-3iGe:H film is deposited intermittently by several people at a time, and between the depositions, Ar plasma or A By applying r ``'' sputtering, high quality a-
5iGa, :H film was obtained.
また、この発明の第３の発明にかかるアモルファス太陽
電池の製造方法は、ａ−３ｉＣｅ：Ｈを成膜後、Ａｒプ
ラズマまたはＡｒ”スパッタをかけ、その後水素ガスを
タングステンフィラメントの加熱により分解し、原子状
の水素にして露出させ、これによりＧｅのダングリング
ホントをターミネートしてＧｅに付いている水素の量を
、従来のものよりも多くさせ、その後ドーピング層を成
膜するようにしたものである。In addition, the method for manufacturing an amorphous solar cell according to the third aspect of the present invention includes, after forming a-3iCe:H, applying Ar plasma or Ar'' sputtering, and then decomposing hydrogen gas by heating a tungsten filament. Hydrogen is exposed in the form of atoms, thereby terminating the dangling bonds of Ge and increasing the amount of hydrogen attached to Ge compared to conventional methods, after which a doping layer is formed. be.
この発明においては、原料ガスとともに用いるアルゴン
（Ａ ｒ ）ガスは、ａ−ＳｉＧｅ：ＨにおいてＧｅに
多くの水素を結合させる。In this invention, argon (Ar) gas used together with the raw material gas bonds many hydrogens to Ge in a-SiGe:H.
また、この発明においては、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜
と成膜の間でかけるＡｒプラズマまたはＡｒ”スパッタ
は、ａ−３ｉＧｅ：ＨにおいてＧｅに多くの水素を結合
させる。Further, in the present invention, Ar plasma or Ar'' sputtering applied between the depositions of the a-3iGe:H films causes a large amount of hydrogen to be bonded to Ge in the a-3iGe:H.
また、この発明においては、ａ−３ｉＧｅ：Ｈを成膜後
、ＡｒプラズマまたはＡｒ”スパッタを行ない、原子状
水素の雰囲気に露出させその後ドーピング層を成膜する
ことにより、Ｇｅのタンクリンクボンドが水素でターミ
ネートされ、タンクリンクボンドの少ないｐ／ｉ界面が
できる。In addition, in this invention, after forming a-3iGe:H, Ar plasma or Ar'' sputtering is performed, exposure to an atomic hydrogen atmosphere, and then a doping layer is formed, thereby forming a Ge tank link bond. Terminated with hydrogen, creating a p/i interface with few tank link bonds.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第２図（ト））は第２の発明の一実施例の製造方法によ
るａ−３ｉＣ；ｅ：ＨのＥＥＬＳスペクトルを示し、図
において、７はＥＥＬＳスペクトル、８はＥＥＬＳスペ
クトル７をガウス関数で分離した時のＧｅに結合してい
る水素を表す。即ちＧｅ−ＨｌＧｅ−Ｈ２、ｄｅ−Ｈ，
ｌ （略してＧｅ−Ｈ，）であり、２０００ｃｍ−’付
近にピークを持つ。同様にして、９はＥＥＬＳスペクト
ル７をガウス関数で分離した時のＳｉに結合している水
素を表す。即ちＳ ｉ−Ｈ，Ｓ １−Ｈｚ 、Ｓ １−
Ｈ３（略して５ｉ−Ｈ，）であり、２１００ｃｍ−’に
ピークをもつ。FIG. 2(g)) shows the EELS spectrum of a-3iC;e:H obtained by the manufacturing method according to the embodiment of the second invention. Represents hydrogen bonded to Ge when separated. That is, Ge-HlGe-H2, de-H,
1 (abbreviated as Ge-H), and has a peak around 2000 cm-'. Similarly, 9 represents hydrogen bonded to Si when the EELS spectrum 7 is separated using a Gaussian function. That is, S i-H, S 1-Hz, S 1-
H3 (abbreviated as 5i-H), and has a peak at 2100 cm-'.
次にこのスペクトルについて説明する。７はＳｉとＧｅ
が同量で混ざり合っているａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜のＥＥＬ
Ｓスペクトルである。第２図（ｂ）のスペクトルは第２
図（ａ）の従来のａ−３ｉＧｅ：ＨをＡｒ”スパッタし
、その後原子状水素を吸着させたもののＥＥＬＳスペク
トルである。８はＧｅ・Ｈ，，９は５ｉ−Ｈｘである。Next, this spectrum will be explained. 7 is Si and Ge
EEL of a-3iGe:H film with equal amounts of
This is an S spectrum. The spectrum in Figure 2(b) is the second
This is an EELS spectrum of the conventional a-3iGe:H in Figure (a) sputtered with Ar'' and then adsorbed with atomic hydrogen. 8 is Ge.H, and 9 is 5i-Hx.
これから８と９のピーク面積がほぼ等しいため、水素は
ＳｉとＧｅに同量結合していることが分かる。これによ
りａ−３ｉＣｅ：Ｈ表面をＡｒで処理したものは、Ｇｅ
にも水素がよく結合し、良質膜が得られることがわかる
。従ってａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を数人（１〜２原子層）成
膜し、ＳｉとＧｅがはじきとばされない程度にＡｒ”ス
パッタし、また成膜するというサイクルを繰り返せば、
良質膜が得られることとなる。Since the peak areas of 8 and 9 are almost equal, it can be seen that the same amount of hydrogen is bonded to Si and Ge. As a result, the a-3iCe:H surface treated with Ar has Ge
It can be seen that hydrogen is well bonded to the film and a high-quality film can be obtained. Therefore, if you repeat the cycle of depositing several a-3iGe:H films (1 to 2 atomic layers), sputtering with Ar'' to an extent that Si and Ge are not repelled, and depositing again,
A good quality membrane will be obtained.
なお、上記実施例ではａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜と成膜
の間に、Ａｔ”スパッタを行う場合について説明したが
、この成膜と成膜の間に行う処理は、Ａｒ”スパッタで
はなく高周波によるＡｒプラズマでもよく、全く同様の
効果が得られる。In addition, in the above embodiment, the case where At'' sputtering is performed between the depositions of the a-3iGe:H film is explained, but the process performed between the depositions is different from Ar'' sputtering. Alternatively, Ar plasma using high frequency may be used, and exactly the same effect can be obtained.
また、上記実施例ではａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜と成膜
の間に、Ａｒ”スパッタを行う場合について説明したが
、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜のための原料ガ、Ｚ、 （
Ｓ ｉ Ｈ４、Ｇ ｅ Ｈ４、Ｈ２）自体にＡｒガスを
希釈ガスとして加えるようにしてもよく、これが第１の
発明であり、上記と同様の効果が得られる。Furthermore, in the above embodiment, the case where Ar'' sputtering is performed between the formation of the a-3iGe:H film is explained, but the raw materials for the formation of the a-3iGe:H film, Z, (
Ar gas may be added as a diluent gas to S i H4, G e H4, H2) itself, and this is the first invention, and the same effect as above can be obtained.
つきに第３の発明について説明する。Finally, the third invention will be explained.
第１図は、上述のように、ａ−３ｉＧｅ：Ｈを用いたア
モルファス太陽電池の代表的な構成図であり、かつ末弟
３の発明の一実施例の構成図である。As mentioned above, FIG. 1 is a typical block diagram of an amorphous solar cell using a-3iGe:H, and is also a block diagram of an embodiment of the invention of the youngest brother 3.
太陽光１は、透明電極２を通過し、６００〜７００ｎｍ
の波長の光は２層３ａ、ａ−３ｉ：Ｈの１層３ｂ、ｎ層
３ｃで構成された、ａ−３ｉセル３で吸収される。ａ−
３ｉセル３で吸収されなかった６００〜７００ ｎｍよ
り長い波長の光は２層４ａ、ａ−３ｉ：Ｈの１層４ｂ、
ｎ層４ｃで構成されたａ−３ｉＧｅセル４で吸収される
。このようにａ−３ｉＧｅセルを用いた積層型アモルフ
ァス太陽電池は広範囲の波長を有効利用するので、高変
換効率となる。Sunlight 1 passes through the transparent electrode 2 and has a wavelength of 600 to 700 nm.
Light with a wavelength of is absorbed by the a-3i cell 3, which is composed of two layers 3a, one layer 3b of a-3i:H, and an n-layer 3c. a-
The light with a wavelength longer than 600 to 700 nm that was not absorbed by the 3i cell 3 is absorbed by two layers 4a, one layer 4b of a-3i:H,
It is absorbed by the a-3iGe cell 4 composed of the n-layer 4c. In this way, the stacked amorphous solar cell using the a-3iGe cell effectively utilizes a wide range of wavelengths, resulting in high conversion efficiency.
末弟３の発明の一実施例の製造方法によるａＳｉＧｅ：
ＨのＥＥＬＳスペクトルは上記第２図（ハ）と同じであ
り、以下、末弟３の発明の実施例の成膜方法について説
明する。aSiGe produced by the manufacturing method of an embodiment of the invention of youngest brother 3:
The EELS spectrum of H is the same as that shown in FIG. 2 (c) above, and the film forming method of the embodiment of the invention of youngest brother 3 will be described below.
基板（例えばステンレス）５にプラズマＣＶＤ装置でｎ
型層４Ｃを成膜する。続いてプラズマＣＶＤでａ−５ｉ
Ｇｅ：Ｈのｉｊ！１４ ｂを成膜する。A substrate (for example, stainless steel) 5 is coated with a plasma CVD device.
A mold layer 4C is formed. Next, a-5i was created using plasma CVD.
Ge:H's ij! 14b is deposited.
該１層４ｂを成膜後、Ａｒ”イオンやＡｒプラズマで表
面を叩く、その後、タングステンフィラメント加熱分解
法または、マイクロ波分解法または水素プラズマによっ
て原子状水素を作製し、１層４ｂの表面に露出すると、
ＳｉにもＧｅにも水素が結合し、タンクリンクボンド１
１がターミネートさ゛れる（１２）、上記の処理を行っ
た後ｐ型層４ａを成膜すれば、第４図のようにｐ／ｉ界
面６でタンクリンクボンドの少ないセルを成膜すること
ができる。After forming the first layer 4b, the surface is hit with Ar'' ions or Ar plasma, and then atomic hydrogen is created by tungsten filament thermal decomposition method, microwave decomposition method, or hydrogen plasma, and the surface of the first layer 4b is When exposed,
Hydrogen is bonded to both Si and Ge, and tank link bond 1
1 is terminated (12). If the p-type layer 4a is formed after the above treatment, it is possible to form a cell with fewer tank link bonds at the p/i interface 6 as shown in FIG. can.
なお、上記実施例では、３ａ、４ａをｐ層、３ｃ、４ｃ
をｎ層としたが、逆にして３ｃ、４ｃを２層、３ａ、４
ａをｎ層としてもよい。In addition, in the above embodiment, 3a and 4a are p layers, 3c and 4c
was made into an n layer, but it was reversed and 3c and 4c were made into two layers, and 3a and 4
A may be an n layer.
また、上記実施例では、導電性基板５上に成膜するタイ
プについて説明したが、これはガラス基板タイプのアモ
ルファス太陽電池であってもよい。Further, in the above embodiment, a type in which a film is formed on the conductive substrate 5 has been described, but this may be an amorphous solar cell of a glass substrate type.
また、上記実施例では、２層の積層型のセル３゜４を有
する場合について説明したが、ａ−３ｉＧｅ：Ｈセル４
−層だけの場合でもよい。In addition, in the above embodiment, a case was explained in which a two-layer stacked cell 3°4 was provided, but an a-3iGe:H cell 4
- It may be only a layer.
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によればａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜表面
に、成膜と成膜の間にＡｒ“スパッタまたはＡｒプラズ
マをかける、あるいは原料ガスにＡｒガスを希釈ガスと
して加えることによりＡｒ処理を施すようにしたので、
良質のａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜ができ、高効率のアモルファ
ス太陽電池が得られる効果がある。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, Ar sputtering or Ar plasma is applied to the a-3iGe:H film surface between film formations, or Ar gas is used as a diluent gas for the source gas. Since we applied Ar treatment by adding
A high-quality a-3iGe:H film can be formed, and a highly efficient amorphous solar cell can be obtained.
また、この発明によれば、ｐ／ｉ界面にＡｒ衝１１（Ａ
ｒ”スパッタまたはＡｒプラズマ）と水素露出を施すこ
とによりＧｅのタンクリンクボンドをターミネートする
ようにしたので、ｐ／ｉ界面でのキャリアの再結合が少
なくなり、高光電変換効率のアモルファス太陽電池を作
製することができる効果がある。Further, according to the present invention, an Ar bomb 11 (A
Since the Ge tank link bond is terminated by hydrogen exposure (sputtering or Ar plasma), carrier recombination at the p/i interface is reduced, resulting in an amorphous solar cell with high photoelectric conversion efficiency. There are effects that can be created.
第１図は従来および本発明の一実施例によるアモルファ
ス太陽電池の断面側面図、第２図（ａ）は従来のａ−３
ｉＧｅ：Ｈ膜表面のＥＥＬＳスペクトル図、第２図ら）
はこの発明の一実施例によるａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜表面の
ＥＥＬＳスペクトル図、第３図は従来のｐ／ｉ界面のモ
デル図、第４図はこの発明の一実施例によるｐ／ｉ界面
のモデル図である。
１は太陽光、２は透明電極、３はａ−３ｉセル、３ａは
ｐ層、３ｂはａ−３ｉＧｅ：Ｈのｉ層、３Ｃはｎ層、４
はａ−３ｉセル、４ａはｐ層、４ｂはａ−３ｉＧｅ：Ｈ
のｉ層、４ｃはｎ層、５は基板、６はｐ／ｉ界面、７は
ＥＥＬＳスペクトル、８はＧｅ−Ｈｘ、９は５ｔ−Ｈ，
，１０は水素、１１はタンクリンクボンド、１２は水素
ターミネートされたボンドである。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a cross-sectional side view of a conventional amorphous solar cell and an embodiment of the present invention, and FIG. 2(a) is a conventional a-3
EELS spectrum diagram of iGe:H film surface, Fig. 2 et al.)
is an EELS spectrum diagram of the a-3iGe:H film surface according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a model diagram of a conventional p/i interface, and FIG. 4 is a diagram of a p/i interface according to an embodiment of the present invention. It is a model diagram. 1 is sunlight, 2 is a transparent electrode, 3 is an a-3i cell, 3a is a p layer, 3b is an a-3iGe:H i layer, 3C is an n layer, 4
is a-3i cell, 4a is p layer, 4b is a-3iGe:H
, 4c is the n-layer, 5 is the substrate, 6 is the p/i interface, 7 is the EELS spectrum, 8 is Ge-Hx, 9 is 5t-H,
, 10 is hydrogen, 11 is a tank link bond, and 12 is a hydrogen-terminated bond. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (3)
の１つとして使用しているアモルファス太陽電池の製造
方法において、 そのアモルファスシリコンゲルマニウム膜成膜時に、原
料ガスとともに、アルゴン（Ａｒ）ガスを希釈ガスとし
て用いたことを特徴とするアモルファス太陽電池の製造
方法。(1) In a method for manufacturing an amorphous solar cell that uses an amorphous silicon germanium film as one of the constituent materials, argon (Ar) gas is used as a diluent gas along with the raw material gas when forming the amorphous silicon germanium film. A method for manufacturing an amorphous solar cell, characterized by:
の１つとして使用しているアモルファス太陽電池の製造
方法において、 アモルファスシリコンゲルマニウム膜を数Åづつ断続的
に成膜し、その成膜と成膜の間で、該膜表面にＡｒプラ
ズマまたはＡｒ＾＋スパッタをかけることを特徴とする
アモルファス太陽電池の製造方法。(2) In a method for manufacturing an amorphous solar cell that uses an amorphous silicon germanium film as one of the constituent materials, an amorphous silicon germanium film is deposited intermittently at a thickness of several Å, and between each A method for manufacturing an amorphous solar cell, which comprises applying Ar plasma or Ar^+ sputtering to the surface of the film.
の１つとして使用しているアモルファス太陽電池の製造
方法において、 活性層を成膜した後、表面にＡｒプラズマまたはＡｒ＾
＋スパッタをかけ、その後原子状水素の雰囲気に露出さ
せて水素を吸着させてタンクリンクボンドをターミネー
トし、続いてドーピング層を成膜することを特徴とする
アモルファス太陽電池の製造方法。(3) In a method for manufacturing an amorphous solar cell using an amorphous silicon germanium film as one of the constituent materials, after forming an active layer, Ar plasma or Ar^ is applied to the surface.
A method for manufacturing an amorphous solar cell characterized by applying + sputtering, then exposing to an atmosphere of atomic hydrogen to adsorb hydrogen to terminate a tank link bond, and subsequently forming a doped layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083281A JPH07105517B2 (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Method for manufacturing amorphous solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083281A JPH07105517B2 (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Method for manufacturing amorphous solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260666A true JPH02260666A (en) | 1990-10-23 |
| JPH07105517B2 JPH07105517B2 (en) | 1995-11-13 |
Family
ID=13797988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083281A Expired - Lifetime JPH07105517B2 (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Method for manufacturing amorphous solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105517B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
| JP2003068663A (en) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor crystal film |
| WO2004064166A1 (en) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | Photoelectric converter, photoelectric conversion device and iron silicide film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333874A (en) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Central Glass Co Ltd | Manufacturing method of fluorine-based silicon germanium thin film |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083281A patent/JPH07105517B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333874A (en) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Central Glass Co Ltd | Manufacturing method of fluorine-based silicon germanium thin film |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
| JP2003068663A (en) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor crystal film |
| WO2004064166A1 (en) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | Photoelectric converter, photoelectric conversion device and iron silicide film |
| US7352044B2 (en) | 2003-01-16 | 2008-04-01 | Tdk Corporation | Photoelectric transducer, photoelectric transducer apparatus, and iron silicide film |
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|---|---|
| JPH07105517B2 (en) | 1995-11-13 |
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