JPH02260666A - アモルファス太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルファス太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPH02260666A JPH02260666A JP1083281A JP8328189A JPH02260666A JP H02260666 A JPH02260666 A JP H02260666A JP 1083281 A JP1083281 A JP 1083281A JP 8328189 A JP8328189 A JP 8328189A JP H02260666 A JPH02260666 A JP H02260666A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- film
- manufacturing
- amorphous
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高変喚効率のアモルファス太陽電池の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
第２図（ａ）は従来の成膜方法によるアモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ−３ｉＧｅ ： Ｈ） ）ＩＩ成
膜直後のＳｔとＧｅへの水素の結合状態を示す電子エネ
ルギー損失分光（ＥＥＬＳ）スペクトル図である。
コンゲルマニウム（ａ−３ｉＧｅ ： Ｈ） ）ＩＩ成
膜直後のＳｔとＧｅへの水素の結合状態を示す電子エネ
ルギー損失分光（ＥＥＬＳ）スペクトル図である。
ＥＥＬＳ （電子エネルギー損失分光）の原理、解釈等
は例えばＪ、Ａ、 シェーファー等 フィジカル レヴ
ユ−（Ｊ、Ａ、 ５ｃｈａｅｆｅｒ ｅｔ、ａｌ： Ｐ
ｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｂ５３（１９８６）２９９９）に
記載されている。次に簡単に第２図（ａ）の解釈につい
て説明する。
は例えばＪ、Ａ、 シェーファー等 フィジカル レヴ
ユ−（Ｊ、Ａ、 ５ｃｈａｅｆｅｒ ｅｔ、ａｌ： Ｐ
ｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｂ５３（１９８６）２９９９）に
記載されている。次に簡単に第２図（ａ）の解釈につい
て説明する。
７はＥＥＬＳスペクトルのストレッチングモード部分で
あり、８はＧｅ−Ｈ＋ 、２．３．９はＳｉｏＨ，・Ｚ
＋３である。
あり、８はＧｅ−Ｈ＋ 、２．３．９はＳｉｏＨ，・Ｚ
＋３である。
このａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜は、従来のプラズマＣＶＤ装置
で成膜されたもので、組成比は、Ｓｉが１に対しＧｅが
１である。第２図（ａ）の７のＥＥＬＳスペクトルを８
と９のようにガウス関数でピーク分離すると、表面の水
素がＳｉに結合しているのか、Ｇｅに結合しているのか
が分かる。第２図（ａ）では８より９がかなり大きく、
これによりＳｉとＧｅが表面で同量あるにもかかわらず
、水素はほとんどＳｉに結合している。一方のＧｅの水
素量が少ないことはＧｅにタンクリンクボンド（ｄａｎ
ｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ ）が多く、良質膜が得られない
ということである。
で成膜されたもので、組成比は、Ｓｉが１に対しＧｅが
１である。第２図（ａ）の７のＥＥＬＳスペクトルを８
と９のようにガウス関数でピーク分離すると、表面の水
素がＳｉに結合しているのか、Ｇｅに結合しているのか
が分かる。第２図（ａ）では８より９がかなり大きく、
これによりＳｉとＧｅが表面で同量あるにもかかわらず
、水素はほとんどＳｉに結合している。一方のＧｅの水
素量が少ないことはＧｅにタンクリンクボンド（ｄａｎ
ｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ ）が多く、良質膜が得られない
ということである。
このように従来のａ −３ｔＧｅ ： ＨＴｐｉ！成膜
直後の表面にはＧｅに着いている水素が少なく、水素で
ターミネートされていないＧｅの結合はタンクリンクボ
ンドとなっていた。
直後の表面にはＧｅに着いている水素が少なく、水素で
ターミネートされていないＧｅの結合はタンクリンクボ
ンドとなっていた。
第１図はアモルファス太陽電池のデバイス構造を示す。
太陽光ｌが該デバイスに入射すると、透明電極２を通り
抜け、６００〜７００ ｎｍの波長の光は、２層３ａ、
ａ−３ｉ ：Ｈ（アモルファスシリコン）の１層３ｂ
、ｎ層３ｃで構成されたａ−３ｉ（アモルファスシリコ
ン）セル３で吸収される。６００〜７００ ｎｍより長
い波長の光は、ａ−３ｔセル３では吸収されず、さらに
９層４ａ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈの１層４ｂ、ｎ層４ｃで構
成されたａ−３ｉＧｅ（アモルファスシリコンゲルマニ
ウム）セル４で吸収される。光電変換−された電気信号
は透明電極２と基板（導電性）５から取り出される。
抜け、６００〜７００ ｎｍの波長の光は、２層３ａ、
ａ−３ｉ ：Ｈ（アモルファスシリコン）の１層３ｂ
、ｎ層３ｃで構成されたａ−３ｉ（アモルファスシリコ
ン）セル３で吸収される。６００〜７００ ｎｍより長
い波長の光は、ａ−３ｔセル３では吸収されず、さらに
９層４ａ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈの１層４ｂ、ｎ層４ｃで構
成されたａ−３ｉＧｅ（アモルファスシリコンゲルマニ
ウム）セル４で吸収される。光電変換−された電気信号
は透明電極２と基板（導電性）５から取り出される。
次いで従来の成膜方法について説明する。従来の成膜方
法は基板５にプラズマＣＶＤ法でｎ層（ｎ−ｔｙｐｅ）
４ｃを成膜し、次いでａ−３ｉＧｅ：Ｈ４ｂを成膜し、
次いでａ−８ｉＧｅ：Ｈのｐ膜（ｐ−ｔｙｐｅ）４を成
膜する。
法は基板５にプラズマＣＶＤ法でｎ層（ｎ−ｔｙｐｅ）
４ｃを成膜し、次いでａ−３ｉＧｅ：Ｈ４ｂを成膜し、
次いでａ−８ｉＧｅ：Ｈのｐ膜（ｐ−ｔｙｐｅ）４を成
膜する。
従来のアモルファス太陽電池の製造方法は以上のように
してａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を成膜しているので、水素はＧ
ｅに結合し難く、良質膜を得ることはできなかった。
してａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を成膜しているので、水素はＧ
ｅに結合し難く、良質膜を得ることはできなかった。
また、従来のａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜方法は順にｎ層
、ｉ層、２層と成膜していたが、第２図（ａ）は、従来
の成膜方法では、４ｂと４ａＴｈｐ／ｉ界面６の部分で
Ｇｅに着いている水素の量が少ないことを示している。
、ｉ層、２層と成膜していたが、第２図（ａ）は、従来
の成膜方法では、４ｂと４ａＴｈｐ／ｉ界面６の部分で
Ｇｅに着いている水素の量が少ないことを示している。
第３図はｐ／ｉ界面６の部分を原子１個ずつに拡大した
図である。ｐ／ｉ界面でＧｅに付いている水素量が少な
いことは第３図のタンクリンクボンド１１がＧｅに発生
することを示している。ダングリングホント１１はバン
ドギャップ内に再結合中心を作るため、デバイス特性を
悪化させるなどの問題点があった。
図である。ｐ／ｉ界面でＧｅに付いている水素量が少な
いことは第３図のタンクリンクボンド１１がＧｅに発生
することを示している。ダングリングホント１１はバン
ドギャップ内に再結合中心を作るため、デバイス特性を
悪化させるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、タンクリンクボンドをなくし、良質なａ−
３ｉＣｚｅ：Ｈ膜を成膜できることによって、高効率な
アモルファス太陽電池を製造することのできる方法を得
ることを目的とする。
れたもので、タンクリンクボンドをなくし、良質なａ−
３ｉＣｚｅ：Ｈ膜を成膜できることによって、高効率な
アモルファス太陽電池を製造することのできる方法を得
ることを目的とする。
この発明の第１の発明に係るアモルファス太陽電池の製
造方法は、原料ガスをＡｒガスで希釈することにより、
良質なａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を得るようにしたものである
。
造方法は、原料ガスをＡｒガスで希釈することにより、
良質なａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を得るようにしたものである
。
また、この発明の第２の発明に係るアモルファス太陽電
池の製造方法は、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を数人づつ断続的
に成膜し、その成膜と成膜の間で、Ａｒプラズマまたは
Ａ ｒ ”″スパッタをかけることにより、良質なａ−
５ｉＧａ、：Ｈ膜を得るようにしたものである。
池の製造方法は、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を数人づつ断続的
に成膜し、その成膜と成膜の間で、Ａｒプラズマまたは
Ａ ｒ ”″スパッタをかけることにより、良質なａ−
５ｉＧａ、：Ｈ膜を得るようにしたものである。
また、この発明の第３の発明にかかるアモルファス太陽
電池の製造方法は、ａ−３ｉＣｅ：Ｈを成膜後、Ａｒプ
ラズマまたはＡｒ”スパッタをかけ、その後水素ガスを
タングステンフィラメントの加熱により分解し、原子状
の水素にして露出させ、これによりＧｅのダングリング
ホントをターミネートしてＧｅに付いている水素の量を
、従来のものよりも多くさせ、その後ドーピング層を成
膜するようにしたものである。
電池の製造方法は、ａ−３ｉＣｅ：Ｈを成膜後、Ａｒプ
ラズマまたはＡｒ”スパッタをかけ、その後水素ガスを
タングステンフィラメントの加熱により分解し、原子状
の水素にして露出させ、これによりＧｅのダングリング
ホントをターミネートしてＧｅに付いている水素の量を
、従来のものよりも多くさせ、その後ドーピング層を成
膜するようにしたものである。
この発明においては、原料ガスとともに用いるアルゴン
（Ａ ｒ ）ガスは、ａ−ＳｉＧｅ：ＨにおいてＧｅに
多くの水素を結合させる。
（Ａ ｒ ）ガスは、ａ−ＳｉＧｅ：ＨにおいてＧｅに
多くの水素を結合させる。
また、この発明においては、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜
と成膜の間でかけるＡｒプラズマまたはＡｒ”スパッタ
は、ａ−３ｉＧｅ：ＨにおいてＧｅに多くの水素を結合
させる。
と成膜の間でかけるＡｒプラズマまたはＡｒ”スパッタ
は、ａ−３ｉＧｅ：ＨにおいてＧｅに多くの水素を結合
させる。
また、この発明においては、ａ−３ｉＧｅ：Ｈを成膜後
、ＡｒプラズマまたはＡｒ”スパッタを行ない、原子状
水素の雰囲気に露出させその後ドーピング層を成膜する
ことにより、Ｇｅのタンクリンクボンドが水素でターミ
ネートされ、タンクリンクボンドの少ないｐ／ｉ界面が
できる。
、ＡｒプラズマまたはＡｒ”スパッタを行ない、原子状
水素の雰囲気に露出させその後ドーピング層を成膜する
ことにより、Ｇｅのタンクリンクボンドが水素でターミ
ネートされ、タンクリンクボンドの少ないｐ／ｉ界面が
できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第２図（ト））は第２の発明の一実施例の製造方法によ
るａ−３ｉＣ；ｅ：ＨのＥＥＬＳスペクトルを示し、図
において、７はＥＥＬＳスペクトル、８はＥＥＬＳスペ
クトル７をガウス関数で分離した時のＧｅに結合してい
る水素を表す。即ちＧｅ−ＨｌＧｅ−Ｈ２、ｄｅ−Ｈ，
ｌ （略してＧｅ−Ｈ，）であり、２０００ｃｍ−’付
近にピークを持つ。同様にして、９はＥＥＬＳスペクト
ル７をガウス関数で分離した時のＳｉに結合している水
素を表す。即ちＳ ｉ−Ｈ，Ｓ １−Ｈｚ 、Ｓ １−
Ｈ３（略して５ｉ−Ｈ，）であり、２１００ｃｍ−’に
ピークをもつ。
るａ−３ｉＣ；ｅ：ＨのＥＥＬＳスペクトルを示し、図
において、７はＥＥＬＳスペクトル、８はＥＥＬＳスペ
クトル７をガウス関数で分離した時のＧｅに結合してい
る水素を表す。即ちＧｅ−ＨｌＧｅ−Ｈ２、ｄｅ−Ｈ，
ｌ （略してＧｅ−Ｈ，）であり、２０００ｃｍ−’付
近にピークを持つ。同様にして、９はＥＥＬＳスペクト
ル７をガウス関数で分離した時のＳｉに結合している水
素を表す。即ちＳ ｉ−Ｈ，Ｓ １−Ｈｚ 、Ｓ １−
Ｈ３（略して５ｉ−Ｈ，）であり、２１００ｃｍ−’に
ピークをもつ。
次にこのスペクトルについて説明する。７はＳｉとＧｅ
が同量で混ざり合っているａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜のＥＥＬ
Ｓスペクトルである。第２図（ｂ）のスペクトルは第２
図（ａ）の従来のａ−３ｉＧｅ：ＨをＡｒ”スパッタし
、その後原子状水素を吸着させたもののＥＥＬＳスペク
トルである。８はＧｅ・Ｈ，，９は５ｉ−Ｈｘである。
が同量で混ざり合っているａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜のＥＥＬ
Ｓスペクトルである。第２図（ｂ）のスペクトルは第２
図（ａ）の従来のａ−３ｉＧｅ：ＨをＡｒ”スパッタし
、その後原子状水素を吸着させたもののＥＥＬＳスペク
トルである。８はＧｅ・Ｈ，，９は５ｉ−Ｈｘである。
これから８と９のピーク面積がほぼ等しいため、水素は
ＳｉとＧｅに同量結合していることが分かる。これによ
りａ−３ｉＣｅ：Ｈ表面をＡｒで処理したものは、Ｇｅ
にも水素がよく結合し、良質膜が得られることがわかる
。従ってａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を数人（１〜２原子層）成
膜し、ＳｉとＧｅがはじきとばされない程度にＡｒ”ス
パッタし、また成膜するというサイクルを繰り返せば、
良質膜が得られることとなる。
ＳｉとＧｅに同量結合していることが分かる。これによ
りａ−３ｉＣｅ：Ｈ表面をＡｒで処理したものは、Ｇｅ
にも水素がよく結合し、良質膜が得られることがわかる
。従ってａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜を数人（１〜２原子層）成
膜し、ＳｉとＧｅがはじきとばされない程度にＡｒ”ス
パッタし、また成膜するというサイクルを繰り返せば、
良質膜が得られることとなる。
なお、上記実施例ではａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜と成膜
の間に、Ａｔ”スパッタを行う場合について説明したが
、この成膜と成膜の間に行う処理は、Ａｒ”スパッタで
はなく高周波によるＡｒプラズマでもよく、全く同様の
効果が得られる。
の間に、Ａｔ”スパッタを行う場合について説明したが
、この成膜と成膜の間に行う処理は、Ａｒ”スパッタで
はなく高周波によるＡｒプラズマでもよく、全く同様の
効果が得られる。
また、上記実施例ではａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜と成膜
の間に、Ａｒ”スパッタを行う場合について説明したが
、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜のための原料ガ、Ｚ、 （
Ｓ ｉ Ｈ４、Ｇ ｅ Ｈ４、Ｈ２）自体にＡｒガスを
希釈ガスとして加えるようにしてもよく、これが第１の
発明であり、上記と同様の効果が得られる。
の間に、Ａｒ”スパッタを行う場合について説明したが
、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜の成膜のための原料ガ、Ｚ、 （
Ｓ ｉ Ｈ４、Ｇ ｅ Ｈ４、Ｈ２）自体にＡｒガスを
希釈ガスとして加えるようにしてもよく、これが第１の
発明であり、上記と同様の効果が得られる。
つきに第３の発明について説明する。
第１図は、上述のように、ａ−３ｉＧｅ：Ｈを用いたア
モルファス太陽電池の代表的な構成図であり、かつ末弟
３の発明の一実施例の構成図である。
モルファス太陽電池の代表的な構成図であり、かつ末弟
３の発明の一実施例の構成図である。
太陽光１は、透明電極２を通過し、６００〜７００ｎｍ
の波長の光は２層３ａ、ａ−３ｉ：Ｈの１層３ｂ、ｎ層
３ｃで構成された、ａ−３ｉセル３で吸収される。ａ−
３ｉセル３で吸収されなかった６００〜７００ ｎｍよ
り長い波長の光は２層４ａ、ａ−３ｉ：Ｈの１層４ｂ、
ｎ層４ｃで構成されたａ−３ｉＧｅセル４で吸収される
。このようにａ−３ｉＧｅセルを用いた積層型アモルフ
ァス太陽電池は広範囲の波長を有効利用するので、高変
換効率となる。
の波長の光は２層３ａ、ａ−３ｉ：Ｈの１層３ｂ、ｎ層
３ｃで構成された、ａ−３ｉセル３で吸収される。ａ−
３ｉセル３で吸収されなかった６００〜７００ ｎｍよ
り長い波長の光は２層４ａ、ａ−３ｉ：Ｈの１層４ｂ、
ｎ層４ｃで構成されたａ−３ｉＧｅセル４で吸収される
。このようにａ−３ｉＧｅセルを用いた積層型アモルフ
ァス太陽電池は広範囲の波長を有効利用するので、高変
換効率となる。
末弟３の発明の一実施例の製造方法によるａＳｉＧｅ：
ＨのＥＥＬＳスペクトルは上記第２図（ハ）と同じであ
り、以下、末弟３の発明の実施例の成膜方法について説
明する。
ＨのＥＥＬＳスペクトルは上記第２図（ハ）と同じであ
り、以下、末弟３の発明の実施例の成膜方法について説
明する。
基板（例えばステンレス）５にプラズマＣＶＤ装置でｎ
型層４Ｃを成膜する。続いてプラズマＣＶＤでａ−５ｉ
Ｇｅ：Ｈのｉｊ！１４ ｂを成膜する。
型層４Ｃを成膜する。続いてプラズマＣＶＤでａ−５ｉ
Ｇｅ：Ｈのｉｊ！１４ ｂを成膜する。
該１層４ｂを成膜後、Ａｒ”イオンやＡｒプラズマで表
面を叩く、その後、タングステンフィラメント加熱分解
法または、マイクロ波分解法または水素プラズマによっ
て原子状水素を作製し、１層４ｂの表面に露出すると、
ＳｉにもＧｅにも水素が結合し、タンクリンクボンド１
１がターミネートさ゛れる（１２）、上記の処理を行っ
た後ｐ型層４ａを成膜すれば、第４図のようにｐ／ｉ界
面６でタンクリンクボンドの少ないセルを成膜すること
ができる。
面を叩く、その後、タングステンフィラメント加熱分解
法または、マイクロ波分解法または水素プラズマによっ
て原子状水素を作製し、１層４ｂの表面に露出すると、
ＳｉにもＧｅにも水素が結合し、タンクリンクボンド１
１がターミネートさ゛れる（１２）、上記の処理を行っ
た後ｐ型層４ａを成膜すれば、第４図のようにｐ／ｉ界
面６でタンクリンクボンドの少ないセルを成膜すること
ができる。
なお、上記実施例では、３ａ、４ａをｐ層、３ｃ、４ｃ
をｎ層としたが、逆にして３ｃ、４ｃを２層、３ａ、４
ａをｎ層としてもよい。
をｎ層としたが、逆にして３ｃ、４ｃを２層、３ａ、４
ａをｎ層としてもよい。
また、上記実施例では、導電性基板５上に成膜するタイ
プについて説明したが、これはガラス基板タイプのアモ
ルファス太陽電池であってもよい。
プについて説明したが、これはガラス基板タイプのアモ
ルファス太陽電池であってもよい。
また、上記実施例では、２層の積層型のセル３゜４を有
する場合について説明したが、ａ−３ｉＧｅ：Ｈセル４
−層だけの場合でもよい。
する場合について説明したが、ａ−３ｉＧｅ：Ｈセル４
−層だけの場合でもよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によればａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜表面
に、成膜と成膜の間にＡｒ“スパッタまたはＡｒプラズ
マをかける、あるいは原料ガスにＡｒガスを希釈ガスと
して加えることによりＡｒ処理を施すようにしたので、
良質のａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜ができ、高効率のアモルファ
ス太陽電池が得られる効果がある。
に、成膜と成膜の間にＡｒ“スパッタまたはＡｒプラズ
マをかける、あるいは原料ガスにＡｒガスを希釈ガスと
して加えることによりＡｒ処理を施すようにしたので、
良質のａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜ができ、高効率のアモルファ
ス太陽電池が得られる効果がある。
また、この発明によれば、ｐ／ｉ界面にＡｒ衝１１（Ａ
ｒ”スパッタまたはＡｒプラズマ）と水素露出を施すこ
とによりＧｅのタンクリンクボンドをターミネートする
ようにしたので、ｐ／ｉ界面でのキャリアの再結合が少
なくなり、高光電変換効率のアモルファス太陽電池を作
製することができる効果がある。
ｒ”スパッタまたはＡｒプラズマ）と水素露出を施すこ
とによりＧｅのタンクリンクボンドをターミネートする
ようにしたので、ｐ／ｉ界面でのキャリアの再結合が少
なくなり、高光電変換効率のアモルファス太陽電池を作
製することができる効果がある。
第１図は従来および本発明の一実施例によるアモルファ
ス太陽電池の断面側面図、第２図（ａ）は従来のａ−３
ｉＧｅ：Ｈ膜表面のＥＥＬＳスペクトル図、第２図ら）
はこの発明の一実施例によるａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜表面の
ＥＥＬＳスペクトル図、第３図は従来のｐ／ｉ界面のモ
デル図、第４図はこの発明の一実施例によるｐ／ｉ界面
のモデル図である。 １は太陽光、２は透明電極、３はａ−３ｉセル、３ａは
ｐ層、３ｂはａ−３ｉＧｅ：Ｈのｉ層、３Ｃはｎ層、４
はａ−３ｉセル、４ａはｐ層、４ｂはａ−３ｉＧｅ：Ｈ
のｉ層、４ｃはｎ層、５は基板、６はｐ／ｉ界面、７は
ＥＥＬＳスペクトル、８はＧｅ−Ｈｘ、９は５ｔ−Ｈ，
，１０は水素、１１はタンクリンクボンド、１２は水素
ターミネートされたボンドである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ス太陽電池の断面側面図、第２図（ａ）は従来のａ−３
ｉＧｅ：Ｈ膜表面のＥＥＬＳスペクトル図、第２図ら）
はこの発明の一実施例によるａ−３ｉＧｅ：Ｈ膜表面の
ＥＥＬＳスペクトル図、第３図は従来のｐ／ｉ界面のモ
デル図、第４図はこの発明の一実施例によるｐ／ｉ界面
のモデル図である。 １は太陽光、２は透明電極、３はａ−３ｉセル、３ａは
ｐ層、３ｂはａ−３ｉＧｅ：Ｈのｉ層、３Ｃはｎ層、４
はａ−３ｉセル、４ａはｐ層、４ｂはａ−３ｉＧｅ：Ｈ
のｉ層、４ｃはｎ層、５は基板、６はｐ／ｉ界面、７は
ＥＥＬＳスペクトル、８はＧｅ−Ｈｘ、９は５ｔ−Ｈ，
，１０は水素、１１はタンクリンクボンド、１２は水素
ターミネートされたボンドである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）アモルファスシリコンゲルマニウム膜を構成材料
の１つとして使用しているアモルファス太陽電池の製造
方法において、 そのアモルファスシリコンゲルマニウム膜成膜時に、原
料ガスとともに、アルゴン（Ａｒ）ガスを希釈ガスとし
て用いたことを特徴とするアモルファス太陽電池の製造
方法。 - （２）アモルファスシリコンゲルマニウム膜を構成材料
の１つとして使用しているアモルファス太陽電池の製造
方法において、 アモルファスシリコンゲルマニウム膜を数Åづつ断続的
に成膜し、その成膜と成膜の間で、該膜表面にＡｒプラ
ズマまたはＡｒ＾＋スパッタをかけることを特徴とする
アモルファス太陽電池の製造方法。 - （３）アモルファスシリコンゲルマニウム膜を構成材料
の１つとして使用しているアモルファス太陽電池の製造
方法において、 活性層を成膜した後、表面にＡｒプラズマまたはＡｒ＾
＋スパッタをかけ、その後原子状水素の雰囲気に露出さ
せて水素を吸着させてタンクリンクボンドをターミネー
トし、続いてドーピング層を成膜することを特徴とする
アモルファス太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083281A JPH07105517B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | アモルファス太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083281A JPH07105517B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | アモルファス太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260666A true JPH02260666A (ja) | 1990-10-23 |
| JPH07105517B2 JPH07105517B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=13797988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083281A Expired - Lifetime JPH07105517B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | アモルファス太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105517B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
| JP2003068663A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶膜の製造方法 |
| WO2004064166A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | 光電変換素子、光電変換装置、及び鉄シリサイド膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333874A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Central Glass Co Ltd | フツ素系シリコンゲルマニウム薄膜の製造法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083281A patent/JPH07105517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333874A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Central Glass Co Ltd | フツ素系シリコンゲルマニウム薄膜の製造法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
| JP2003068663A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶膜の製造方法 |
| WO2004064166A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | 光電変換素子、光電変換装置、及び鉄シリサイド膜 |
| US7352044B2 (en) | 2003-01-16 | 2008-04-01 | Tdk Corporation | Photoelectric transducer, photoelectric transducer apparatus, and iron silicide film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105517B2 (ja) | 1995-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11354820A (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
| US5556794A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having low sodium concentration | |
| Kumagai et al. | Bayesian optimization of hydrogen plasma treatment in silicon quantum dot multilayer and application to solar cells | |
| JPH02260666A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPH0364973A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS5864070A (ja) | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 | |
| JPH03101274A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPH03222376A (ja) | ダイヤモンド半導体発光素子 | |
| JPH10214986A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JPH05175529A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池 | |
| JPH06181330A (ja) | 非晶質半導体太陽電池とその製造方法 | |
| JPS5935016A (ja) | 含水素シリコン層の製造方法 | |
| JPS63274184A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| JPH03200374A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH04192373A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS59101879A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH03284882A (ja) | 半導体薄膜およびその製造方法 | |
| Kumagai et al. | Discover Nano | |
| JPS6284571A (ja) | 多層構造型アモルフアス太陽電池 | |
| JPS62128572A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2004296926A (ja) | 半導体薄膜およびそれを用いた光電変換素子 | |
| JP2978050B2 (ja) | 非晶質合金半導体の製造方法 | |
| JPS63152177A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS6095977A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0456170A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071113 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113 Year of fee payment: 14 |