JPH02260914A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH02260914A JPH02260914A JP8186289A JP8186289A JPH02260914A JP H02260914 A JPH02260914 A JP H02260914A JP 8186289 A JP8186289 A JP 8186289A JP 8186289 A JP8186289 A JP 8186289A JP H02260914 A JPH02260914 A JP H02260914A
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は積分動作をする半導体集積回路に関するもので
ある。
ある。
第２図はバッファアンプを備えて積分回路を構成してい
る半導体集積回路の回路図である。エミッタ接地の定電
流バイパス用スイッチングトランジスタ４のベースにス
イッチング用のパルス信号ＳＳＷ、が入力されており、
そのコレクタは定電流電′ａ３とダイオード６のアノー
ドとの接続点と接続されている。ダイオード６のカソー
ドは、入力端子１１と、リセット時間設定用拡散抵抗７
を介してエミッタ接地のリセット用スイッチングトラン
ジスタ８のコレクタと、入力保護用拡散抵抗２を介して
インピーダンス変換用バッファアンプ１の正入力端子子
とに接続されている。入力端子１１は積分用コンデンサ
１０を介して接地されている。
る半導体集積回路の回路図である。エミッタ接地の定電
流バイパス用スイッチングトランジスタ４のベースにス
イッチング用のパルス信号ＳＳＷ、が入力されており、
そのコレクタは定電流電′ａ３とダイオード６のアノー
ドとの接続点と接続されている。ダイオード６のカソー
ドは、入力端子１１と、リセット時間設定用拡散抵抗７
を介してエミッタ接地のリセット用スイッチングトラン
ジスタ８のコレクタと、入力保護用拡散抵抗２を介して
インピーダンス変換用バッファアンプ１の正入力端子子
とに接続されている。入力端子１１は積分用コンデンサ
１０を介して接地されている。
前記スイッチングトランジスタ８のベースにはスイッチ
ング信号５ＳＷ２が入力される。前記バッファアンプ１
の出力側はその負入力端子−と出力端子１２とに接続さ
れている。
ング信号５ＳＷ２が入力される。前記バッファアンプ１
の出力側はその負入力端子−と出力端子１２とに接続さ
れている。
次にこの半導体集積回路の動作を第３図とともに説明す
る。定電流電源３の電源電圧をＶ ｃｃとし、ダイオー
ド６の両端間電位を■、とすると、スイッチングトラン
ジスタ８がオフしているときに、スイッチングトランジ
スタ４がオンからオフに転じると、定電流電源３からダ
イオード６を通って積分用コンデンサ１０に定電流Ｉ３
が流れてコンデンサ１０が充電される。それにより、入
力端子１１の電位■、が、Ｖ、、−Ｖ、に達するまで上
昇する。その充電時間はｔｚ −ｔ、になる。その後、
スイッチングトランジスタ４がオンしても入力端子１１
の電位Ｖ １１はＶＣｃ−Ｖ、のまま一定電位を保持し
、スイッチングトランジスタ８がオンすると拡散抵抗７
を通ってコンデンサ１０が放電する。そしてコンデンサ
１０と拡散抵抗７との時定数で定まる時間で入力端子１
１の電位Ｖ １１がリセットされる。また出力端子１２
の電位■１□は入力端子の電位■１□と等しくなる。
る。定電流電源３の電源電圧をＶ ｃｃとし、ダイオー
ド６の両端間電位を■、とすると、スイッチングトラン
ジスタ８がオフしているときに、スイッチングトランジ
スタ４がオンからオフに転じると、定電流電源３からダ
イオード６を通って積分用コンデンサ１０に定電流Ｉ３
が流れてコンデンサ１０が充電される。それにより、入
力端子１１の電位■、が、Ｖ、、−Ｖ、に達するまで上
昇する。その充電時間はｔｚ −ｔ、になる。その後、
スイッチングトランジスタ４がオンしても入力端子１１
の電位Ｖ １１はＶＣｃ−Ｖ、のまま一定電位を保持し
、スイッチングトランジスタ８がオンすると拡散抵抗７
を通ってコンデンサ１０が放電する。そしてコンデンサ
１０と拡散抵抗７との時定数で定まる時間で入力端子１
１の電位Ｖ １１がリセットされる。また出力端子１２
の電位■１□は入力端子の電位■１□と等しくなる。
ところで、従来の半導体集積回路は、高温状態になった
場合には、拡散抵抗２．７からリーク電流が接地側へ流
れることになる。そのため第４図に示すようにコンデン
サ１０の充電時間が長くなり、しかも入力端子１１の電
位は、低温状態のときの電位ＶＣ，−Ｖ、より低いＶｏ
となって高温状態になると入力端子１１に高い電位が得
られず積分動作が不確実になる虞れがあるという問題が
ある。
場合には、拡散抵抗２．７からリーク電流が接地側へ流
れることになる。そのため第４図に示すようにコンデン
サ１０の充電時間が長くなり、しかも入力端子１１の電
位は、低温状態のときの電位ＶＣ，−Ｖ、より低いＶｏ
となって高温状態になると入力端子１１に高い電位が得
られず積分動作が不確実になる虞れがあるという問題が
ある。
本発明は斯かる問題に鑑み、コンデンサの充電電位が、
拡散抵抗のリーク電流によって変化することかない半導
体集積回路を提供することを目的とする。
拡散抵抗のリーク電流によって変化することかない半導
体集積回路を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体集積回路は、充放電するコンデンサ
の充電電流を補償する他の拡散抵抗を付加する。
の充電電流を補償する他の拡散抵抗を付加する。
コンデンサは充放電する。コンデンサの充電電位は拡散
抵抗のリーク電流が生じると低下する。
抵抗のリーク電流が生じると低下する。
拡散抵抗及び付加した他の拡散抵抗にリーク電流が生じ
る。付加した拡散抵抗のリーク電流によりコンデンサの
充電電流を補償する。
る。付加した拡散抵抗のリーク電流によりコンデンサの
充電電流を補償する。
以下本発明をその実施例を示す図面によって詳述する。
第１図は本発明に係る半導体集積回路の要部を示す回路
図である。エミッタ接地の定電流バイパス用スイッチン
グトランジスタ４のベースにスイッチング用のパルス信
号ＳＳＷ 、が入力されており、そのコレクタは定電流
電源３とダイオード６のアノードとの接続点と接続され
ている。ダイオード６のカソードは、入力端子１１と、
リセット時間設定用拡散抵抗７を介してエミッタ接地の
リセット用スイッチングトランジスタ８のコレクタと、
入力保護用拡散抵抗２を介してインピーダンス変換用バ
ッファアンプ１の正入力端子子とに接続されている。入
力端子１１は積分用コンデンサ１０を介して接地されて
いる。前記スイッチングトランジスタ８のベースにはス
イッチング用のパルス信号５ＳＷｚが入力される。前記
バッファアンプ１の出力側はその負入力端子−及び出力
端子１２と接続されている。２個のＰＮＰ トランジ
スタ１４．１５は夫々のベース同士及びコレクタ同士を
共通接続してカレントミラー回路口を構成しており、ト
ランジスタ１４のコレクタはバッファアンプ１の正入力
端子子と接続されている。トランジスタ１５のコレクタ
とベースとは共通接続されており、その共通接続点には
、一端が解放されている拡散抵抗１３の他端が接続され
ている。この拡散抵抗１３は前記拡散抵抗２，７の各面
積の和の面積を有している。前記トランジスタ１４．１
５のエミッタは一端を電源Ｅと接続された抵抗１７の他
端と、該抵抗１７と直列接続されているコレクタ接地の
ＰＮＰトランジスタ１６のエミッタとの接続点と接続さ
れている。そしてトランジスタ１６のベースは接続端子
１２と接続されている。このトランジスタ１６と抵抗１
７とはエミッタフォロワを構成しており、トランジスタ
１４と１５とがアーリー効果の影響をうけないように、
トランジスタ１４のコレクタ、ベース間電位を０にする
ようになっている。なおトランジスタ１６のベース電流
はバッファアンプ１の出力インピーダンスが低いので、
出力端子１２の電位に影響を与えることがない。
図である。エミッタ接地の定電流バイパス用スイッチン
グトランジスタ４のベースにスイッチング用のパルス信
号ＳＳＷ 、が入力されており、そのコレクタは定電流
電源３とダイオード６のアノードとの接続点と接続され
ている。ダイオード６のカソードは、入力端子１１と、
リセット時間設定用拡散抵抗７を介してエミッタ接地の
リセット用スイッチングトランジスタ８のコレクタと、
入力保護用拡散抵抗２を介してインピーダンス変換用バ
ッファアンプ１の正入力端子子とに接続されている。入
力端子１１は積分用コンデンサ１０を介して接地されて
いる。前記スイッチングトランジスタ８のベースにはス
イッチング用のパルス信号５ＳＷｚが入力される。前記
バッファアンプ１の出力側はその負入力端子−及び出力
端子１２と接続されている。２個のＰＮＰ トランジ
スタ１４．１５は夫々のベース同士及びコレクタ同士を
共通接続してカレントミラー回路口を構成しており、ト
ランジスタ１４のコレクタはバッファアンプ１の正入力
端子子と接続されている。トランジスタ１５のコレクタ
とベースとは共通接続されており、その共通接続点には
、一端が解放されている拡散抵抗１３の他端が接続され
ている。この拡散抵抗１３は前記拡散抵抗２，７の各面
積の和の面積を有している。前記トランジスタ１４．１
５のエミッタは一端を電源Ｅと接続された抵抗１７の他
端と、該抵抗１７と直列接続されているコレクタ接地の
ＰＮＰトランジスタ１６のエミッタとの接続点と接続さ
れている。そしてトランジスタ１６のベースは接続端子
１２と接続されている。このトランジスタ１６と抵抗１
７とはエミッタフォロワを構成しており、トランジスタ
１４と１５とがアーリー効果の影響をうけないように、
トランジスタ１４のコレクタ、ベース間電位を０にする
ようになっている。なおトランジスタ１６のベース電流
はバッファアンプ１の出力インピーダンスが低いので、
出力端子１２の電位に影響を与えることがない。
次にこのように構成した半導体集積回路の動作を第３図
及び第４図とともに説明する。いま、定電流電源３の電
源電圧をＶＣＣとし、ダイオード６の両端間電位をＶＦ
とすると、スイッチングトランジスタ８がオフしている
ときにスイッチングトランジスタ４がオンからオフに転
じると積分用コンデンサ１０には定電流電ｒＡ３からダ
イオード６を通って定電流Ｉ３が流れる。それにより第
３図に示す如く入力端子１１の電位Ｖｚ （コンデンサ
１０の充電電位）がＶＣＣＶＦに達して飽和するまで上
昇し、その充電時間は１２−１．になる。その後スイッ
チングトランジスタ４がオンしても入力端子１１の電位
ＶＩＩはＶｃｃ−Ｖ、のまま電位を保持し続ける。
及び第４図とともに説明する。いま、定電流電源３の電
源電圧をＶＣＣとし、ダイオード６の両端間電位をＶＦ
とすると、スイッチングトランジスタ８がオフしている
ときにスイッチングトランジスタ４がオンからオフに転
じると積分用コンデンサ１０には定電流電ｒＡ３からダ
イオード６を通って定電流Ｉ３が流れる。それにより第
３図に示す如く入力端子１１の電位Ｖｚ （コンデンサ
１０の充電電位）がＶＣＣＶＦに達して飽和するまで上
昇し、その充電時間は１２−１．になる。その後スイッ
チングトランジスタ４がオンしても入力端子１１の電位
ＶＩＩはＶｃｃ−Ｖ、のまま電位を保持し続ける。
そこでスイッチングトランジスタ８がオンすると拡散抵
抗７を通ってコンデンサ１０が放電する。そしてコンデ
ンサ１０と拡散抵抗７との時定数で定まる時間で入力端
子１１の電位Ｖ１１がリセットされる。
抗７を通ってコンデンサ１０が放電する。そしてコンデ
ンサ１０と拡散抵抗７との時定数で定まる時間で入力端
子１１の電位Ｖ１１がリセットされる。
また出力端子１２の電位ＶＩ□は入力端子１１の電位Ｖ
１１と同電位になる。
１１と同電位になる。
ところで、半導体集積回路が高温状態になると、拡散抵
抗２，７からリーク電流が接地側へ流れることになり、
コンデンサ１０を充電する定電流Ｉ、が減少する。この
とき、同様に一端を解放させである拡散抵抗１３にもリ
ーク電流が生じる。この拡散抵抗１３のリーク電流は他
の拡散抵抗２，７から流れるリーク電流の和の電流に等
しくなる。
抗２，７からリーク電流が接地側へ流れることになり、
コンデンサ１０を充電する定電流Ｉ、が減少する。この
とき、同様に一端を解放させである拡散抵抗１３にもリ
ーク電流が生じる。この拡散抵抗１３のリーク電流は他
の拡散抵抗２，７から流れるリーク電流の和の電流に等
しくなる。
そして、拡散抵抗１３のリーク電流によりカレントミラ
ー回路のＣＭのトランジスタ１５には、電源Ｅからその
リーク電流と同電流の電流Ｉｌが流れて、その電流Ｉｔ
に相応する電流Ｉ２がトランジスタ１４を流れる。その
電流■２によりコンデンサ１０に、減少した充電電流を
供給することになり、定電流■３を補償することになる
。
ー回路のＣＭのトランジスタ１５には、電源Ｅからその
リーク電流と同電流の電流Ｉｌが流れて、その電流Ｉｔ
に相応する電流Ｉ２がトランジスタ１４を流れる。その
電流■２によりコンデンサ１０に、減少した充電電流を
供給することになり、定電流■３を補償することになる
。
そのため拡散抵抗２．７のリーク電流が生じても入力端
子１１の電位が低下せず、入力端子１１（出力端子１２
）の電位Ｖｚ（Ｖ＋□）を常にＶ−ｃ Ｖｒに保持す
ることになる。またコンデンサ１０の充電時間が長くな
ることもない。そして、この半導体集積回路は常に安定
した積分動作をすることになる。
子１１の電位が低下せず、入力端子１１（出力端子１２
）の電位Ｖｚ（Ｖ＋□）を常にＶ−ｃ Ｖｒに保持す
ることになる。またコンデンサ１０の充電時間が長くな
ることもない。そして、この半導体集積回路は常に安定
した積分動作をすることになる。
なお、この半導体集積回路では、ＰＮＰ トランジス
タ１６を設けたことにより、トランジスタ８がオフのと
きには拡散抵抗２，７及び拡散抵抗１３に同電位を与え
得る。そして拡散抵抗２，７及び拡散抵抗１３のリーク
電流の大きさは、夫々の電位に依存（電位が高い方がリ
ーク電流が大）するために、同電位にある拡散抵抗２．
７の各リーク電流の和の電流と、拡散抵抗１３のリーク
電流とが等しくなる。それによりリーク電流によって減
少したコンデンサ１０の充電電流を、その減少分に等し
い拡散抵抗１３のリーク電流によって、より適正に補償
することになる。
タ１６を設けたことにより、トランジスタ８がオフのと
きには拡散抵抗２，７及び拡散抵抗１３に同電位を与え
得る。そして拡散抵抗２，７及び拡散抵抗１３のリーク
電流の大きさは、夫々の電位に依存（電位が高い方がリ
ーク電流が大）するために、同電位にある拡散抵抗２．
７の各リーク電流の和の電流と、拡散抵抗１３のリーク
電流とが等しくなる。それによりリーク電流によって減
少したコンデンサ１０の充電電流を、その減少分に等し
い拡散抵抗１３のリーク電流によって、より適正に補償
することになる。
また、トランジスタ８がオフであって、入力端子１１の
電位Ｖ １１が例えばｌｖであるとすると、拡散抵抗２
，７は夫々の電位が１■となる。つまり拡散抵抗１３の
電位をＶ Ｉ ｆｆとした場合には次式によって拡散抵
抗２，７の夫々の電位が１ｖになることが判る。
電位Ｖ １１が例えばｌｖであるとすると、拡散抵抗２
，７は夫々の電位が１■となる。つまり拡散抵抗１３の
電位をＶ Ｉ ｆｆとした場合には次式によって拡散抵
抗２，７の夫々の電位が１ｖになることが判る。
Ｖ＋３＝Ｖ＋＋＋Ｖｃｉ （トランジスタ１４）Ｖｌ！
ＩＥ（）ランジスタ１５） ＝■１゜ ＝ｔｖ 但し、ＶＣ［はコレクタ、エミッタ間電位■１はベース
、エミッタ間電位 〔発明の効果〕 以上詳述したように本発明によれば、コンデンサの充放
電により積分動作する半導体集積回路が高温状態になっ
て、コンデンサと接続されている拡散抵抗のリーク電流
が生じても、付加した他の拡散抵抗から同様に生じるリ
ーク電流によりコンデンサの充電電流が補償されるから
、コンデンサの充電電位、つまり人、出力端子の電位の
低下がなく、またその充電時間が長くなることがない。
ＩＥ（）ランジスタ１５） ＝■１゜ ＝ｔｖ 但し、ＶＣ［はコレクタ、エミッタ間電位■１はベース
、エミッタ間電位 〔発明の効果〕 以上詳述したように本発明によれば、コンデンサの充放
電により積分動作する半導体集積回路が高温状態になっ
て、コンデンサと接続されている拡散抵抗のリーク電流
が生じても、付加した他の拡散抵抗から同様に生じるリ
ーク電流によりコンデンサの充電電流が補償されるから
、コンデンサの充電電位、つまり人、出力端子の電位の
低下がなく、またその充電時間が長くなることがない。
そのため温度変化の影響をうけず常に安定した積分動作
を行わせ得る半導体集積回路を提供できる優れた効果を
奏する。
を行わせ得る半導体集積回路を提供できる優れた効果を
奏する。
第１図は本発明に係る半導体集積回路の要部を示す回路
図、第２図は従来の半導体集積回路の要部を示す回路図
、第３図及び第４図はその回路動作の説明図である。 １・・・バッファアンプ ２・・・拡散抵抗３・・・定
電流電源 ４・・・定電流バイパス用スイッチングトランジスタ７
・・・拡散抵抗 ８・・・リセット用スイッチングトランジスタ１０・・
・積分用コンデンサ １１・・・入力端子１２・・・出
力端子 １３・・・拡散抵抗ｌ５・・・ＰＮＰ トランジスタ １６・・・ＰＮＰ トランジスタ ＣＭ・・・カレントミラー回路 なお、 図中、 同一符号は同一、 又は相当部分を 示す。 １０：コンデンサ １３：拡散抵抗 ＣＭ：カレントミラー回路 図 弔 図
図、第２図は従来の半導体集積回路の要部を示す回路図
、第３図及び第４図はその回路動作の説明図である。 １・・・バッファアンプ ２・・・拡散抵抗３・・・定
電流電源 ４・・・定電流バイパス用スイッチングトランジスタ７
・・・拡散抵抗 ８・・・リセット用スイッチングトランジスタ１０・・
・積分用コンデンサ １１・・・入力端子１２・・・出
力端子 １３・・・拡散抵抗ｌ５・・・ＰＮＰ トランジスタ １６・・・ＰＮＰ トランジスタ ＣＭ・・・カレントミラー回路 なお、 図中、 同一符号は同一、 又は相当部分を 示す。 １０：コンデンサ １３：拡散抵抗 ＣＭ：カレントミラー回路 図 弔 図
Claims (1)
- （１）拡散抵抗と接続されているコンデンサを充放電さ
せて積分動作する半導体集積回路において、 前記コンデンサの充電電流を補償すべく他 の拡散抵抗を付加してあることを特徴とする半導体集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186289A JPH02260914A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186289A JPH02260914A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260914A true JPH02260914A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13758290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8186289A Pending JPH02260914A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060907A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置ならびにそれを備えた電源および演算処理装置 |
| WO2009110289A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Ricoh Company, Ltd. | Current mode control type switching regulator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954315A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Rohm Co Ltd | ワンシヨツト回路 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8186289A patent/JPH02260914A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954315A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Rohm Co Ltd | ワンシヨツト回路 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060907A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置ならびにそれを備えた電源および演算処理装置 |
| US7965128B2 (en) | 2007-11-08 | 2011-06-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, and power source and processor provided with the same |
| JP5355414B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-11-27 | ローム株式会社 | 半導体装置ならびにそれを備えた電源および演算処理装置 |
| WO2009110289A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Ricoh Company, Ltd. | Current mode control type switching regulator |
| JP2009219179A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Ricoh Co Ltd | 電流モード制御型スイッチングレギュレータ |
| US8154267B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-04-10 | Ricoh Company, Ltd. | Current mode control type switching regulator |
| KR101131262B1 (ko) * | 2008-03-07 | 2012-04-12 | 가부시키가이샤 리코 | 전류 모드 제어형 스위칭 레귤레이터 |
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