JPH022610A - 光電子転写装置および光電子転写方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 光電子転写装置及び光電子転写方法の改良、特に、光電
子転写マスクとウェーハとの間に、スリ７）が設けられ
ている光電子転写装置の改良に関し、 光電子転写マスクとウェーハとに、各パターン毎にマー
クを設け、このマークを使用して光電子転写マスクとウ
ェーハとの位置合わせを行うのみで、パターンの各領域
の転写条件と補正条件とを演算し、パターンの各領域を
連続して光電子転写することのできる光電子転写装置と
、この光電子転写装置を使用してなす光電子転写方法と
を提供することを目的とし、 光源と、該光源の光を受けて電子を放出するパターンを
有する露光パターン領域とその両側に設けられた第１、
第２の整合パターンとを有する光電子転写マスク２と、
前記放出電子を受けて露光され対応する第１．第２の整
合パターンを有するウェーハを支持するウェーハ支持台
と、該ウェーハと前記光電子転写マスクとの間に配置さ
れ前記電子が通過可能なスリットを有するスリット付電
極板と、該光電子転写マスク及び該ウェーハ支持台と該
スリット付１ｉ極板との相対位置を変える駆動手段Ｍと
、前記光電子転写マスク上の前記第１、第２の整合パタ
ーンと該ウェーハ上の対応する第１、第２の整合パター
ンとの相対位置を検知し該第１の整合パターンにおける
第１の露光条件と該第２の整合パターンにおける第２の
ｎ光条件とを演算し、該光電子転写マスク及び該うエー
ハ支持台と該スリット付電極板との相対位置を変えなが
ら前記スリットに対応する領域を露光する時、当該露光
される領域と該第１、第２の整合パターンとの相対距離
及び第１、第２の露光条件から当該露光される領域の露
光条件を求める演算手段と、該演算手段の出力にもとづ
いて前記電子に補正を与える手段とを存することを特徴
とする光電子転写装置と、これを使用してなす光電子転
写方法とをもって構成される。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、光電子転写装置とこの光電子転写装置を使用
してなす光電子転写方法との改良に関し、特に光電子転
写マスクとウェーハとの間にスリットが設けられている
光電子転写装置とこの光電子転写装置を使用してなす光
電子転写方法との改良に関する。

〔従来の技術］ 第５図参照 光電子転写技術は、マスク像を光電子ビームをもってウ
ェーハ上に転写する技術であり、その原理を図を参照し
て説明する。収束コイル５の作る平行磁場Ｈ（図の上下
方向）の中に、磁場Ｈと直角に、光電子転写マスク２と
電子線感光剤８１が塗布されているウェーハ８とが平行
に向かい合って配置され、電源４によって、光電子転写
マスク２が負電位となり、ウェーハ８が正電位となるよ
うに、電圧が印加される。光電子転写マスク２は、石英
板等の透明基板ｚｌ上にクローム等の紫外線吸収体２２
からなる転写すべきパターンが形成され、その上に、紫
外線の照射によって電子を放出するヨー化セシウム、恨
、白金等の光電子放出材料からなる膜２３が被着されて
いる。透明基板２１上に、光ビーム発生手段１の発生す
る紫外線を照射すると、パターンの無い領域から、すな
わち、紫外線吸収体２２の形成されていない領域に被着
されている光電子放出材料からなる膜２３から、電子２
４が放出される。光電子転写マスク２の１点から出た電
子２４は、電源４によって発生される電場と収束コイル
５によって発生される磁場Ｈとによって、螺旋を描いて
ウェーハ８に向かって進み、ウェーハ８上の１点に集束
し、光電子転写マスク２のパターンがウェーハ８上に正
確に転写される。

第４図参照 図は従来技術に係る光電子転写装置の構成図である。１
は紫外線ランプと光集束系とからなる光ビーム発生手段
であり、２は光ビーム発生手段１の発生する光ビームに
対して移動可能に配置された光電子転写マスクであり、
３はスリット付電極板であり、４はスリット付電極板３
と光電子転写マスク２との間に電位差を与える電位差印
加手段であり、５は光電子転写マスク２に直交する方向
に磁界Ｈを発生する磁界発生手段であり、６はウェーハ
８を支持し、スリット付電極板３と平行に移動可能なウ
ェーハ支持台であり、７は転写されるパターンの、ゲイ
ン、オフセット、ローテーション、台形変形等を補正す
る電界・磁界制御手段であり０．９は磁界、電界及び光
電子転写マスク２とスリット付電極板３との距離を調整
する集束系制御手段であり、１０はウェーハ８に設けら
れたマークからの反射電子を読み取るマーク位置読み取
り手段である。

この光電子転写装置が開発される以前は、スリット付電
極板３が設けられておらず、光電子転写マスク２とウェ
ーハ支持台６との間に電位差を与える電位差印加手段４
によって電位差が与えられ、これによって発生する電界
と、磁界発生手段５によって発生する磁界とによって、
光照射により光電子転写マスク２から放出される電子が
加速偏向され、ウェーハ支持台６に支持されたウェーハ
８上に集束し、ウェーハ８上に塗布されているレジスト
膜を露光し、所望のパターンを転写していた。

ところが、光電子転写マスク２とウェーハ８との間に印
加される高電圧によって、両者間に火花放電が発生し、
ウェーハ８上に塗布されているレジストが飛散して光電
子転写マスク２を汚染する等の問題が発生した。そこで
、前記のように、光電子転写マスク２とウェーハ８との
間にスリット付電極板３を設け、光電子転写マスク２と
スリット付電極板３との間に電位差を与える電位差印加
手段４によって電位差を与えて電界を発生し、この電界
と磁界発生手段５によって発生する磁界とによって、光
電子転写マスクから放出される電子を加速偏向し、スリ
ット付電極１３のスリット部において一旦集束させ、そ
の電子をさらに磁界の作用によってウェーハ８上に集束
させて露光する光電子転写装置が開発された。

〔発明が解決しようとする課題〕

ウェーハ８上にパターンを転写する場合に、従来は、光
電子転写マスクのパターン周囲に設けられたマークと、
これに対応してウェーハに設けられたマークとを位置合
わせして、転写条件を演算し、この転写条件をもって、
パターン全体を一括露光転写していた。しかし、スリッ
ト付電極板を有する光電子転写装置を使用する場合には
、−度に露光転写できる範囲が、スリットの面積に、例
えば幅１閣長さ３０ｍに、制限され、パターン全体を−
括露光転写することはできない。

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、スリ
ット付ｉｉｉ板を有する光電子転写装置においても、従
来の方法と同様に、光電子転写マスクとウェーハとに、
各パターン毎にマークを設け、このマークを使用してマ
スクとウェーハとの位置合わせを行うのみで、パターン
各領域の転写条件と補正条件とを演算し、パターン各領
域を連続して光電子転写することのできる光電子転写装
置と、この光電子転写装置を使用してなす光電子転写方
法とを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、下記の構成を存する光電子転写装置と光
電子転写方法とによって達成される。

本発明に係る光電子転写装置は、光源（１）と、咳光ｇ
、　（１）の光を受けて電子を放出するパターンを有す
る露光パターン領域と、その両側に設けられた第１、第
２の整合パターンとを有する光電子転写マスク（２）と
、前記放出電子を受けて露光され、対応する第１、第２
の整合パターンを存するウェーハ（８）を支持するウェ
ーハ支持台（６）と、酸ウェーハ（８）と前記光電子転
写マスク（２）との間に配置され、前記電子が通過可能
なスリットを存するスリット付電極板（３）と、該光電
子転写マスク（２）及び該ウェーハ支持台（６）と該ス
リット付電極板（３）との相対位置を変える駆動手段（
Ｍ）と、前記光電子転写マスク（２）上の前記第１、第
２の整合パターンと、該ウェーハ（８）上の対応する第
１、第２の整合パターンとの相対位置を検知し、該第１
の整合パターンにおける第１の露光条件と該第２の整合
パターンにおける第２の露光条件とを演算し、該光電子
転写マスク（２）及び咳ウェーハ支持台（６）と該スリ
ット付電極板（３）との相対位置を変えながら前記スリ
ットに対応する領域を露光する時、当該露光される領域
と該第１、第２の整合パターンとの相対距離及び第１、
第２の露光条件から当該露光される？■域の露光条件を
求める演算手段（１３）と、該演算手段（１３）の出力
にもとづいて前記電子に補正を与える電界・磁界制御手
段（７）とを存することを特徴とする光電子転写装置で
ある。

本発明に係る光電子転写方法は、光源（１）と、該光源
（１）の光を受けて電子を放出するパターンを有する露
光パターン領域と、その両側に設けられた第１、第２の
整合パターンとを有する光電子転写マスク（２）と、前
記放出電子を受けて露光され対応する第１、第２の整合
パターンを有するウェーハ（８）を支持するウェーハ支
持台（６）と、酸ウェーハ（８）と前記光電子転写マス
ク（２）との間に配置され、前記電子が通過可能なスリ
ットを有するスリット付電極板（３）と、該光電子転写
マスク（２）及び該ウェーハ支持台（６）と該スリット
付電極板（３）との相対位置を変える駆動手段（Ｍ）と
を有する光電子転写装置を用い、該光電子転写マスク（
２）上の第１、第２の整合パターンと、該ウェーハ（８
）上の対応する第１、第２の整合パターンとの相対位置
を検知する工程と、該相対位置に基づいて該第１、第２
の整合パターンにおける第１、第２の露光条件をそれぞ
れ求める工程と、該駆動手段（Ｍ）によりスリット位置
を移動しながら露光するに際し、該第１、第２の露光条
件から該スリット位置に対応する露光領域の位置に基づ
いて得られる露光条件により、前記電子をウェーハに照
射する工程とを有することを特徴とする光電子転写方法
である。

上記の光電子転写方法において、前記第１、第２の露光
条件がＴ、　、Ｔ、の場合に、前記スリット位置に対応
する露光領域の露光条件ＴをＴ＝（１−χ）ＴＩ　＋χ
Ｔ２ （但し、第１、第２の整合パターン間の距離を１とし、
露光領域の位置が第２の整合パターンからχの距離とす
る。） とすることが、有利である。

［作用］ 第３ａ図、第３ｂ図参照 光電子転写マスク２に設けられたパターンＰＭの移動方
向（図に矢印をもって示す）の前方で、しかも、スリッ
ト付電極板３のスリットＳと平行する線上に、マークＡ
、Ｂを設け、同様に、パターンＰＭの移動方向（図に矢
印をもって示す）の後方にマークＣ，Ｄを設け、これら
のマーク位置をマスクマーク位置記憶手段１］（第１図
、第２図参照）に記憶する。第３ａ図に示すとおり、マ
ークＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄに対応してウェーハ８上のＮ番目の
パターンにマークａＮ　ｓ　　ｂＮ　％ｃ、、、ｄＮを
設け、光電子転写マスク２とウェーハ支持台６に支持さ
れたウェーハ８とを、図に二つの矢印をもって示すよう
に、同一方向に移動し、光電子転写マスク２上のマーク
Ａ、、Ｂとウェーハ８上のマークａ、＋、ｂ、、とスリ
ット付電極板３のスリットＳとが重なったところで、マ
ーク位置読み取り手段１０（第１図、第２図参照）を使
用して、ウェーハ８上のマークａＮ、ｂＮの位置を読み
取り、その情報をウェーハマーク位置記憶手段１２（第
１図、第２図参照）に記憶する。さらに、第３ｂ図に示
すとおり、光電子転写マスク２とウェーハ８とを、図に
二つの矢印をもって示すように、同一方向に移動して、
同様にウェーハ８上のマークＣＭ、ｄＮの位置を読み取
り、ウェーハマーク位置記憶手段１２（第１図、第２図
参照）に記ｆ、Ｑする。

露光するにあたり、あらかじめマスクマーク位置が記憶
されているマスクマーク位置記憶手段１］（第１図、第
２図参照）とウェーハマーク位置記憶手段１２（第１図
、第２図参照）とに記憶された情報にもとづいて、演算
手段１３（第１図、第２図参照）において、マークａＮ
ｓｂＨとマークＣＭ、ｄＮとにおける転写条件と補正条
件とを演算し、さらに、マークａＮｘｂＮを結ぶライン
とマークＣＨＳｄＨを結ぶラインとに挾まれた線域に対
応する転写条件と補正条件とを補間法を使用して演算し
、転写条件を集束系制御手段９（第１図、第２図参照）
に、補正条件を電界・磁界制御手段７（第１図、第２図
参照）に入力する。光電子転写マスク２とウェーハ８と
を同一方向（図中矢印）に移動しながらスリットを介し
て露光すれば、前記の集束系制御手段９（第１図、第２
図参照）によって転写条件が、また、電界・磁界制御手
段７（第１図、第２図参照）によって補正条件が、露光
されるパターンの各領域に対応して連続的に制御され、
パターンＰＭの全範囲にわたって適正な露光転写がなさ
れる。ウェーハ８上に多数のパターンを露光転写する場
合には、各パターンについて上記工程を操り返してもよ
いが、初めにすべてのパターンのマーク位置を検出して
ウェーハマーク位置記憶手段１２（第１図、第２図参照
）に記憶しておき、露光するにあたり、転写する全領域
の転写条件と補正条件とを、演算手段１３（第１図、第
２図参照）をもって演算し、その出力をもって集束系制
御手段９（第１図、第２図参照）と電界・磁界制御手段
７（第１図、第２図参照）とを制御することによって、
すべてのパターンを連続して露光転写することができる
。

［実施例］ 以下、図面を参照しつ＼、本発明の二つの実施例に係る
光電子転写装置と、これを使用してなす光電子転写方法
について説明する。

】」：医 第１図参照 １は紫外線ランプと光集束系とからなる光ビーム発生手
段であり、２は光ビーム発生手段ｌの発生する光ビーム
に対して移動可能に配置された光電子転写マスクであり
、透明基板上にクローム等の光吸収体からなるパターン
が形成され、その上にヨー化セシウム、銀、白金等の光
電子放出材からなる膜が形成され、光が照射されると、
光吸収体のない領域の光電子放出材から光電子を放出す
る光電子転写マスクである。３はスリット付電極板であ
り、４はスリット付電極板３と光電子転写マスク２との
間に電位差を与える手段であり、５は光電子転写マスク
２に直交する方向に磁界を発生する磁界発生手段であり
、６はウェーハ８を支持し、スリット付電極板３と平行
に移動可能なウェーハ支持台であり、７は転写されるパ
ターンの、ゲイン、オフセット、ローテーション、台形
変形等を補正する電界・磁界制御手段であり、９は磁界
、電界および光電子転写マスク２とスリット付電極板３
との距離を調整する集束系制御手段であり、１０はウェ
ーハ８に設けられたマークからの反射電子を読み取るマ
ーク位置読み取り手段である。１４は真空ポンプ系に接
続された真空容器であって、真空容器内の圧力は１０−
　’Ｔｏｒｒ程度に保持される。また、１５はウェーハ
支持台６及びマスク２をスリット付１ｉ極板３に対して
移動させるモータＭを制御する制御部である。

第６ａ図、第６ｂ回参照 第６ａ図は、光電子転写マスク２に付する、本発明の要
旨に係るマークの位置を示す図であり、第６ｂ図は、上
記の光電子転写マスク２を使用して露光されるウェーハ
上に、上記のマークと対応して付されるマークの位置を
示す図である。

図において、光電子転写マスク２には、各パターン毎に
その移動方向（図に矢印をもって示す）の前方に、例え
ば二つのマークＡ、Ｂが設けられ、移動方向（図に矢印
をもって示す）の後方に、同様に、マークＣ，Ｄが設け
られる。これらのマークは、この領域に光が照射される
と、これらの領域に対応して電子が放出される。マーク
Ａ、ＢとマークＣ，Ｄとは、図に示すようにマスク移動
方向と直角をなす方向に相互に位置をずらせて設けられ
る。ウェーハ８上にも、光電子転写マスク２のマークＡ
、、Ｂ、ＣＳＤに対応してマークａ、ｂ、ｃ、ｄを設け
る。ステップアンドリピート方式によりウェーハ上に形
成されるＮ−１番目のパターンに対してはマークａ、、
−１％　ｔｌＮ−１％　ＣＭ−１、ｄＮ−１を設け、Ｎ
番目のパターンに対してはマークａＮ％　ｂＮ　％　Ｃ
Ｍ　、ｄＮを設け、Ｎ＋１番目のパターンに対してはａ
ｗ＋＋　、ｂｓ＊＋　％　Ｃ＋＋＋＋、ｄＮ＊＋を設け
る。Ｎ−１番目のパターンのマークｃ８−３とＮ番目の
パターンのマークａＮとが重ならないように、また、Ｎ
−１番目のパターンのマークｄＮ−１とＮ番目のパター
ンのマークｂｗとが重ならないように、マークａＨ，ｂ
、ｌとマークＣＭ−＋　、ｄ）１−１　とは図に示すよ
うにマスク移動方向（図に矢印をもって示す）と直角を
なす方向に相互に位置をずらして形成する必要がある。

このため、これと対応する光電子転写マスク２のマーク
Ａ、ＢとＣ，Ｄとは、図に示すようにずらせて形成する
必要があるわけである。

第３ａ図、第３ｂ図再参照 光電子転写マスク２のマークＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの位置情報
はマスクマーク位置記憶手段１］（第１図、第２図参照
）に記憶される。光電子転写マスク２とウェーハ８とを
同一方向ｃ図に２つの矢印をもって示す）に同一速度を
もって移動し、マークＡ、ＢとスリットＳとマークａ、
、、ｂ、、とが重なったところで、マーク位置読み取り
手段１０（第１図、第２図参照）をもってウェーハ８上
のマークａＨｚｂＨの位置が読み取られ、ウェーハマー
ク位置記憶手段１２（第１図、第２図参照）に記憶され
る。光電子転写マスク２とウェーハ８とを、さらに移動
し、同様にウェーハ８上のマークＣ８、ｄｍの位置もウ
ェーハマーク位置記憶手段１２（第１図、第２図参照）
に記憶される。マスクマーク位置記憶手段１］（第１図
、第２図参照）とウェーハマーク位置記憶手段１２（第
１図、第２図参照）との情報にもとづいて、演算手段１
３（第１図、第２図参照）をもって、ウェーハ８のマー
クａ８、ｂｎ、ｃｓ、ｄＭにおける電界、磁界等の転写
条件と、ゲインとオフセットとローテーションと台形変
形とを補正する補正条件とを演算し、さらに、マークａ
ＮｓｂＮを結ぶラインとマークＣ８、ｄ８を結ぶライン
とに挾まれた領域における転写条件と補正条件とを補間
法を使用して演算する。

具体的には、マスクのマークＡ、Ｂがウェーハのマーク
ａ、、、ｂ、、に転写されるための転写条件をＴ　＋　
（χ、）とし、マークＣ，ＤがウェーハのマークＣＮ５
ｄＨに転写されるための転写条件をＴ　ｚ　（χＮ）と
すると、スリットに対応するｎ光領域の位置がマークＣ
Ｎ、ｄ、４から距離χ（マークａ、、、ｔ＋、とマーク
ＣＨｓ　ｄ　Ｎの距離を１とする）の点における露光条
件Ｔは、 Ｔ−（１−χ）Ｔ１（χＮ）＋χＴ、（χ、）から求め
られる。これらの転写条件を集束系制御手段９（第１図
、第２図参照）に、また、補正条件を電界・磁界制御手
段７（第１図、第２図参照）に、それぞれ、人力する。

パターンを露光するにあたり、光電子転写マスク２とウ
ェーハ８とを同一方向に同一速度をもって移動させなが
ら光ビームを照射すれば、前記集束系制御手段９（第１
図、第２図参照）によって転写条件が、また、電界・磁
界制御手段７（第１図、第２図参照）によって補正条件
が、パターンの各領域に対応して自動的に制御され、パ
ターンの全範囲が適正に露光転写される。

複数個のパターンを露光転写する場合は、上記工程を各
パターンについて繰り返してもよいが、初めにすべての
ウェーハパターンのマーク位置を検出してウェーハマー
ク位置記憶手段１２（第１図、第２図参照）に記憶し、
露光するにあたり、露光するすべての領域に対応する転
写条件と補正条件とを前記のように演算手段１３（第１
図、第２回参照）において演算し、転写条件を集束系制
御手段９（第１図、第２図参照）に、また、補正条件は
電界・磁界制御手段７（第１図、第２図参照）に入力す
ることによって、すべてのパターンを連続して露光する
こともできる。

さらに、全ての領域に対応する転写条件と補正条件とに
ついての露光条件を求めておいて、スリット位置を移動
させながら、その露光条件にもとづいて露光してもよい
。

ｍ殊 第２図参照 磁界発生手段５に永久磁石を使用して真空槽１４の上下
に配置し、露光する光を光電子転写マスク２の表面に照
射する構造とし、その他の構造は第１例と同一とする。

第２例においては、光がウェーハ８に直接入射される可
能性が少なく、したがって、ウェーハ８が光によって不
所望に露光される可能性が少いと云う特徴を有する。こ
の構成の光電子転写装置を使用してなす光電子転写方法
は、第１例の場合と同様である。

［発明の効果］ 本発明に係る光電子転写装置は、光電子転写装置をもっ
て露光されるウェーハと光電子転写マスクとに、各パタ
ーン毎にその移動方向の前後にマークを設け、光電子転
写マスクのマーク位置情報をマスクマーク位置記憶手段
に記憶し、ウェーハのマーク位置を、露光に先立ちマー
ク位置読み取り手段をもって読み取ってウェーハマーク
位置記憶手段に記憶し、光電子転写するにあたり、前記
マスクマーク位置記憶手段とウェーハマーク位置記憶手
段とに記憶されている位置情報にもとづいて、補間法を
使用して各パターンの各領域に対応する転写条件および
ゲインとオフセントとローテーシヨンと台形変形とを補
正する補正条件とを演算し、演算された転写条件をもっ
て集束系制御手段を、また、補正条件をもって電界・磁
界制御手段を、それぞれ制御しながら露光することとさ
れているので、この光電子転写装置を使用してなす光電
子転写方法によれば、上記のマークを使用してマスクと
ウェーハとの位置合わせを行うのみで、パターン各領域
の転写条件と補正条件とを演算し、パターン各領域を連
続して、しかも、適正に露光転写することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１実施例に係る光電子転写装置の
構成図である。 第２図は、本発明の第２実施例に係る光電子転写装置の
構成図である。 第３ａ図、第３ｂ図は、ウェーハのマーク位置合わせを
説明する説明図である。 第４図は、従来技術に係る光電子転写装置の構成図であ
る。 第５図は、光電子転写露光法の概念図である。 第６ａ図、第６ｂ図は、光電子転写マスクとウェーハと
の上に付されるマークの位置を示す図である。 １・・・光ビーム発生手段、 ２・・・光電子転写マスク、 ３　・　・ ４　・　・ ５　・　・ ６　・　・ ７　・　・ ８　・　・ ９　・　・ １０・　・ １］・　・ １２・　・ １３・　・ １４・　・ １５・　・ ２１・　・ ２２・　・ ２３・　・ ２４・　・ ８１・　・ ・スリット付電極板、 ・電位差印加手段、 ・磁界を発生する手段、 ・ウェーハ支持台、 ・電界・磁界制御手段、 中ウェーハ、 ・集束系制御手段、 ・マーク位置読み取り手段、 ・マスクマーク位置記憶手段、 ・ウェーハマーク位置記憶手段、 ・演算手段、 ・真空槽、 ・制？１］部、 ・透明基板、 ・紫外線吸収対、 ・光電子放出材よりなる膜、 ・電子流、 ・電子線感光剤。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］光源（１）と、 該光源（１）の光を受けて電子を放出するパターンを有
   する露光パターン領域と、その両側に設けられた第１、
   第２の整合パターンとを有する光電子転写マスク（２）
   と、 前記放出電子を受けて露光され、対応する第１、第２の
   整合パターンを有するウェーハ（８）を支持するウェー
   ハ支持台（６）と、 該ウェーハ（８）と前記光電子転写マスク（２）との間
   に配置され、前記電子が通過可能なスリットを有するス
   リット付電極板（３）と、 該光電子転写マスク（２）及び該ウェーハ支持台（６）
   と該スリット付電極板（３）との相対位置を変える駆動
   手段（Ｍ）と、 前記光電子転写マスク（２）上の前記第１、第２の整合
   パターンと、該ウェーハ（８）上の対応する第１、第２
   の整合パターンとの相対位置を検知し、該第１の整合パ
   ターンにおける第１の露光条件と該第２の整合パターン
   における第２の露光条件とを演算し、該光電子転写マス
   ク（２）及び該ウェーハ支持台（６）と該スリット付電
   極板（３）との相対位置を変えながら前記スリットに対
   応する領域を露光する時、当該露光される領域と該第１
   、第２の整合パターンとの相対距離及び第１、第２の露
   光条件から当該露光される領域の露光条件を求める演算
   手段（１３）と、 該演算手段（１３）の出力にもとづいて前記電子に補正
   を与える電界・磁界制御手段（７）とを有することを特
   徴とする光電子転写装置。 ［２］光源（１）と、 該光源（１）の光を受けて電子を放出するパターンを有
   する露光パターン領域と、その両側に設けられた第１、
   第２の整合パターンとを有する光電子転写マスク（２）
   と、 前記放出電子を受けて露光され、対応する第１、第２の
   整合パターンを有するウェーハ（８）を支持するウェー
   ハ支持台（６）と、 該ウェーハ（８）と前記光電子転写マスク（２）との間
   に配置され、前記電子が通過可能なスリットを有するス
   リット付電極板（３）と、 該光電子転写マスク（２）及び該ウェーハ支持台（６）
   と該スリット付電極板（３）との相対位置を変える駆動
   手段（Ｍ）と を有する光電子転写装置を用い、 該光電子転写マスク（２）上の第１、第２の整合パター
   ンと、該ウェーハ（８）上の対応する第１、第２の整合
   パターンとの相対位置を検知する工程と、 該相対位置にもとづいて該第１、第２の整合パターンに
   おける第１、第２の露光条件をそれぞれ求める工程と、 該駆動手段（Ｍ）によりスリット位置を移動しながら露
   光するに際し、該第１、第２の露光条件から該スリット
   位置に対応する露光領域の位置にもとづいて得られる露
   光条件により、前記電子をウェーハに照射する工程 とを有することを特徴とする光電子転写方法。 ［３］前記第１、第２の露光条件がＴ＿１、Ｔ＿２の場
   合に、前記スリット位置に対応する露光領域の露光条件
   Ｔを Ｔ＝（１−χ）Ｔ＿１＋χＴ＿２ （但し、第１、第２の整合パターン間の距離を１とし、
   露光領域の位置が第２の整合パターンからχの距離とす
   る。） とすることを特徴とする請求項２記載の光電子転写方法
   。