JPH01268123A - 光電子転写装置 - Google Patents
光電子転写装置Info
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- JPH01268123A JPH01268123A JP63097759A JP9775988A JPH01268123A JP H01268123 A JPH01268123 A JP H01268123A JP 63097759 A JP63097759 A JP 63097759A JP 9775988 A JP9775988 A JP 9775988A JP H01268123 A JPH01268123 A JP H01268123A
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- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- stage
- alignment marks
- mark
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光電子転写装置に関し、
・ウェハ上位置合せマークとマスク上位置合せマークと
を精度よく位置合せすることができ、スループットを向
上させることができる光電子転写装置を提供することを
目的とし、 マスク上の転写パターン領域の周囲に配置した少なくと
も2個以上のマスク上位置合せマーク部から順次放出さ
れた電子ビームによって、ウェハ露光面とほぼ同一平面
上に有り、ステージとともに移動する単一のマーク位置
あるいは相互の位置関係が確定した少なくとも2個以上
のマーク位置を検出することにより、マスク上位置合せ
マーク部のステージ上の固有座標に対する位置を測定し
、かつマスク上位置合せマーク部から放出された電子ビ
ームによって、少なくとも2個以上のウェハ」二位置合
せマークを順次検出し、ウェハ上位置合せマーク部のス
テージ上の固有座標に対する位置を測定する位置検出手
段を設Lj、マスク上位置合せマークの位置とウェハ」
二位置合せマークの位置を補正して一致させる制御手段
を設けて構成する。
を精度よく位置合せすることができ、スループットを向
上させることができる光電子転写装置を提供することを
目的とし、 マスク上の転写パターン領域の周囲に配置した少なくと
も2個以上のマスク上位置合せマーク部から順次放出さ
れた電子ビームによって、ウェハ露光面とほぼ同一平面
上に有り、ステージとともに移動する単一のマーク位置
あるいは相互の位置関係が確定した少なくとも2個以上
のマーク位置を検出することにより、マスク上位置合せ
マーク部のステージ上の固有座標に対する位置を測定し
、かつマスク上位置合せマーク部から放出された電子ビ
ームによって、少なくとも2個以上のウェハ」二位置合
せマークを順次検出し、ウェハ上位置合せマーク部のス
テージ上の固有座標に対する位置を測定する位置検出手
段を設Lj、マスク上位置合せマークの位置とウェハ」
二位置合せマークの位置を補正して一致させる制御手段
を設けて構成する。
本発明は、光電子転写装置に係り、詳しくは、特にスル
ープットの向上を回ることができる光電子転写装置に関
する。
ープットの向上を回ることができる光電子転写装置に関
する。
近年、集積回路の高密度化に伴い、長年微細パターン技
術の主流をなしてきたボトリソグラフィにかわり、電子
ビームやX線を用いる新しいりソグラフィ技術が進歩し
てきた。その中の一つの技術として電子転写技術がある
。これば、試料(ウェハ)に対して平行に配置したマス
クからパターン形状に応して放出された電子ビームを用
いて所望のパターンをウェハに転写する技術である。
術の主流をなしてきたボトリソグラフィにかわり、電子
ビームやX線を用いる新しいりソグラフィ技術が進歩し
てきた。その中の一つの技術として電子転写技術がある
。これば、試料(ウェハ)に対して平行に配置したマス
クからパターン形状に応して放出された電子ビームを用
いて所望のパターンをウェハに転写する技術である。
〔従来の技術〕
第3図は従来の光電子転写装置q−例の構成を示す装置
概略図、第4図は従来例の光電マスク部の詳細を示す図
、第5図は従来例の位置合せ方法を説明するだめの図で
ある。
概略図、第4図は従来例の光電マスク部の詳細を示す図
、第5図は従来例の位置合せ方法を説明するだめの図で
ある。
これらの図において、1は真空槽、2ば真空ポンプ、3
ばウェハ、4はステージ機構、5は光電マスク、5aは
マスク基板、5bは例えば金属からなる紫外線吸収材の
パターン、5cは光電子放出材料の膜、6は前記光電マ
スク5を保持する保持機構、7は極板、8は光源、9は
シャッタ機構、10ば窓、11ばコイル、12ば電源、
13a、13b、13C113dはウェハ上位置合せマ
ーク、1.4 a 、 14. b、14c、14dは
マスク上位置合せマーク、15は所望のパターン転写位
置、16は転写パターンである。
ばウェハ、4はステージ機構、5は光電マスク、5aは
マスク基板、5bは例えば金属からなる紫外線吸収材の
パターン、5cは光電子放出材料の膜、6は前記光電マ
スク5を保持する保持機構、7は極板、8は光源、9は
シャッタ機構、10ば窓、11ばコイル、12ば電源、
13a、13b、13C113dはウェハ上位置合せマ
ーク、1.4 a 、 14. b、14c、14dは
マスク上位置合せマーク、15は所望のパターン転写位
置、16は転写パターンである。
次に、その動作原理について説明する。
ウェハ3は転写室を形成する真空槽1内の露光位置を移
動させるステージ機構4に保持されており、ウェハ3と
平行に対向した位置にば光電マスク5及び光電マスク5
を保持する保持機構6が設りられている。光電マスク5
には電源12より高電圧が印加てきるようになっており
、またコイル11により光電マスク5、ウェハ3方向に
磁場が印加できるようになっている。光電マスク5、ウ
ェハ3間に配置されている極板7ば反射電子信号検出器
も兼ねている。光電マスク5は第4図に示す如く、光(
紫外線)を通過するマスク基板5a上に紫外線吸収材の
パターン5b及び紫外線の照射を受iJて光電子を放出
する光電子放出材料の膜5cからなっていて、紫外線吸
収材のパターン5bにさえぎられるごとなく光電子放出
材料の膜5cに到達した部分(紫外線吸収材のない部分
)から光電子を放出する。−・方、真空槽1内の光電マ
スク5の背面に設置された窓10の外には光′a8とシ
ャッタ機構9が配置されている。光源8の発する紫外線
で光電マスク5を照射すると、紫外線吸収材のパターン
5bに応じた光電子が放出され、この光電子が光電マス
ク5、ウェハ3間に印加された電場・磁場で加速・集束
され、ウェハ3面で集束し、ウェハ3面に塗布された感
光性電子線レジメ1− (図示せず)を感光し、ウェハ
3面上に所望のパターンを転写できるようになっている
。
動させるステージ機構4に保持されており、ウェハ3と
平行に対向した位置にば光電マスク5及び光電マスク5
を保持する保持機構6が設りられている。光電マスク5
には電源12より高電圧が印加てきるようになっており
、またコイル11により光電マスク5、ウェハ3方向に
磁場が印加できるようになっている。光電マスク5、ウ
ェハ3間に配置されている極板7ば反射電子信号検出器
も兼ねている。光電マスク5は第4図に示す如く、光(
紫外線)を通過するマスク基板5a上に紫外線吸収材の
パターン5b及び紫外線の照射を受iJて光電子を放出
する光電子放出材料の膜5cからなっていて、紫外線吸
収材のパターン5bにさえぎられるごとなく光電子放出
材料の膜5cに到達した部分(紫外線吸収材のない部分
)から光電子を放出する。−・方、真空槽1内の光電マ
スク5の背面に設置された窓10の外には光′a8とシ
ャッタ機構9が配置されている。光源8の発する紫外線
で光電マスク5を照射すると、紫外線吸収材のパターン
5bに応じた光電子が放出され、この光電子が光電マス
ク5、ウェハ3間に印加された電場・磁場で加速・集束
され、ウェハ3面で集束し、ウェハ3面に塗布された感
光性電子線レジメ1− (図示せず)を感光し、ウェハ
3面上に所望のパターンを転写できるようになっている
。
このような光電子転写装置ば、光電マスク5、ウェハ3
間を高精度に位置合わせ出来る能力を備えていなりれば
ならない。具体的には、第5図に示すように、ウェハ3
」二の予め決められた所望のパターン転写装置15に光
電マスク5上の転写パターン16を精度良くパターン転
写しなげればならない、。図示例は例えば4点ずつで構
成されているマスク上位置合せマーク14a、14b、
14c、1,1.dとウェハ上位置合セ′マーク13a
、13b、13c、13dを全てを合わせてからパター
ン転写する場合である。
間を高精度に位置合わせ出来る能力を備えていなりれば
ならない。具体的には、第5図に示すように、ウェハ3
」二の予め決められた所望のパターン転写装置15に光
電マスク5上の転写パターン16を精度良くパターン転
写しなげればならない、。図示例は例えば4点ずつで構
成されているマスク上位置合せマーク14a、14b、
14c、1,1.dとウェハ上位置合セ′マーク13a
、13b、13c、13dを全てを合わせてからパター
ン転写する場合である。
〔発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような従来の光電子転写装置にあっ
ては、第5図に示すようなウェハ3上の予め決められた
所望のパターン転写位置]5に光電マスク5上の転写パ
ターン16を精度よくパターン転写するには、ウェハ上
位置合せ−7−り13a、13b、13c、13dとマ
スク上位置合せマーク14a、14b、L4c、14d
とを精度よく位置合わせ(ここでは0.1μ以下の精度
が要求されている)してからパターン転写を行わなけれ
ばならず、スループットが悪いという問題点があった。
ては、第5図に示すようなウェハ3上の予め決められた
所望のパターン転写位置]5に光電マスク5上の転写パ
ターン16を精度よくパターン転写するには、ウェハ上
位置合せ−7−り13a、13b、13c、13dとマ
スク上位置合せマーク14a、14b、L4c、14d
とを精度よく位置合わせ(ここでは0.1μ以下の精度
が要求されている)してからパターン転写を行わなけれ
ばならず、スループットが悪いという問題点があった。
具体的には、ウェハ上位置合せマーク13a、13b、
13c、13dとマスク上位置合せマーク14a、14
b、14C114dとを0.1μ以下の精度で位置合わ
せするには、ホールダ等で機械的にセットするだけでは
うエバ上位置合せマーク13a、13b、13c、13
dとマスク上位置合せマーク14a、14b、14C1
14dが位置ずれを生じ易く、精度良く位置合わせする
のは微調整が必要で非常に困難であった。また、パター
ン転写はウェハ上に部分的に行われるうえ、パターン転
写の工程の間にエツチングや堆積等の工程が入るため、
パターン転写するたびごとに常にウェハ上位置合せマー
ク13a、13b、13c、13dとマスク上位置合せ
マーク14a、14b、14c、14dとを0.1μ以
下の精度で位置合わせしなければならなかった。
13c、13dとマスク上位置合せマーク14a、14
b、14C114dとを0.1μ以下の精度で位置合わ
せするには、ホールダ等で機械的にセットするだけでは
うエバ上位置合せマーク13a、13b、13c、13
dとマスク上位置合せマーク14a、14b、14C1
14dが位置ずれを生じ易く、精度良く位置合わせする
のは微調整が必要で非常に困難であった。また、パター
ン転写はウェハ上に部分的に行われるうえ、パターン転
写の工程の間にエツチングや堆積等の工程が入るため、
パターン転写するたびごとに常にウェハ上位置合せマー
ク13a、13b、13c、13dとマスク上位置合せ
マーク14a、14b、14c、14dとを0.1μ以
下の精度で位置合わせしなければならなかった。
そこで本発明は、ウェハ上位置合せマークとマスク上位
置合せマークとを精度良く位置合せすることができ、ス
ループッ1〜を向上させることができる光電子転写装置
を提供することを目的としている。
置合せマークとを精度良く位置合せすることができ、ス
ループッ1〜を向上させることができる光電子転写装置
を提供することを目的としている。
本発明による光電子転写装置は上記目的達成のため、マ
スク上の転写パターン領域の周囲に配置した少なくとも
2個以上のマスク上位置合せマーク部から順次放出され
た電子ビームによって、ウェハ露光面とほぼ同一平面上
に有り、ステージとともに移動する単一のマーク位置あ
るいは相互の位置関係が確定した少なくとも2個以上の
マーク位置を検出することにより、マスク上位置合せマ
ーク部のステージ上の固有座標に対する位置を測定し、
かつマスク上位置合せマーク部から放出された電子ビー
ムによって、少なくとも2個以上のウェハ上位置合せマ
ークを順次検出し、ウェハ上位置合せマーク部のステー
ジ上の固有座標に対する位置を測定する位置検出手段を
設け1、マスク上位置合せマークの位置とウェハ上位置
合せマークの位置を補正して一致させる制御手段を設け
てている。
スク上の転写パターン領域の周囲に配置した少なくとも
2個以上のマスク上位置合せマーク部から順次放出され
た電子ビームによって、ウェハ露光面とほぼ同一平面上
に有り、ステージとともに移動する単一のマーク位置あ
るいは相互の位置関係が確定した少なくとも2個以上の
マーク位置を検出することにより、マスク上位置合せマ
ーク部のステージ上の固有座標に対する位置を測定し、
かつマスク上位置合せマーク部から放出された電子ビー
ムによって、少なくとも2個以上のウェハ上位置合せマ
ークを順次検出し、ウェハ上位置合せマーク部のステー
ジ上の固有座標に対する位置を測定する位置検出手段を
設け1、マスク上位置合せマークの位置とウェハ上位置
合せマークの位置を補正して一致させる制御手段を設け
てている。
本発明では、マスク上の転写パターン領域の周囲に配置
された少なくとも2個以上のマスク上位置合わせマーク
部から順次放出された電子ビームによって、ウェハ露光
面をほぼ同一平面上に有り、ステージとともに移動する
単一のマーク位置あるいは相互の位置関係が確定した少
なくとも2個以上のマーク位置が検出されることにより
、マスク上位置合せマーク部のステージ上の固有座標に
対する位置が測定される。次いで、マスク上位置合せマ
ーク部から放出された電子ビームによって、少な(とも
2個以上のウェハ上位置合せマークが順次検出され、ウ
ェハ上位置合せマーク部のステージ上の固有座標に対す
る位置が測定される。そして、マスク上位置合せマーク
の位置とウェハ上位置合せマークの位置が補正されて一
致するようになる。
された少なくとも2個以上のマスク上位置合わせマーク
部から順次放出された電子ビームによって、ウェハ露光
面をほぼ同一平面上に有り、ステージとともに移動する
単一のマーク位置あるいは相互の位置関係が確定した少
なくとも2個以上のマーク位置が検出されることにより
、マスク上位置合せマーク部のステージ上の固有座標に
対する位置が測定される。次いで、マスク上位置合せマ
ーク部から放出された電子ビームによって、少な(とも
2個以上のウェハ上位置合せマークが順次検出され、ウ
ェハ上位置合せマーク部のステージ上の固有座標に対す
る位置が測定される。そして、マスク上位置合せマーク
の位置とウェハ上位置合せマークの位置が補正されて一
致するようになる。
したがって、マスク上位置合せマークとウェハ上位置合
せマークの位置ずれが生じにくくなり、精度よく位置合
せが行われるようになる。
せマークの位置ずれが生じにくくなり、精度よく位置合
せが行われるようになる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
・第1図は本発明に係る光電子転写装置の一実施例の構
成を説明するだめの概略図、第2図(a)、(b)は一
実施例の位置合せ方法を説明するための図である。
成を説明するだめの概略図、第2図(a)、(b)は一
実施例の位置合せ方法を説明するための図である。
これらの図において、第3図〜第5図と同一符号は同一
または相当部を示し、21はレーザ測長器(本発明に係
る位置検出手段に該当する)、22は制御部(本発明に
係る制御手段に該当する)、23はステージ、a、b、
c、dはマスク上位置合せマーク、α、β、γ、δはウ
ェハ上位置合せマークである。なお、レーザ渭1長器2
1はステージ23のある決まったところの位置(固有座
標)を非常に高精度に読むことができる。
または相当部を示し、21はレーザ測長器(本発明に係
る位置検出手段に該当する)、22は制御部(本発明に
係る制御手段に該当する)、23はステージ、a、b、
c、dはマスク上位置合せマーク、α、β、γ、δはウ
ェハ上位置合せマークである。なお、レーザ渭1長器2
1はステージ23のある決まったところの位置(固有座
標)を非常に高精度に読むことができる。
次に、第1図及び第2図(a)、(b)を用いてマスク
上位置合せマークa、 b、 c、 d、 とウ
ェハ上位置合せマークα、β、γ、δの位置合せ方法に
ついて具体的に説明する。
上位置合せマークa、 b、 c、 d、 とウ
ェハ上位置合せマークα、β、γ、δの位置合せ方法に
ついて具体的に説明する。
まず、ウェハ3や光電マスク5のセット状態によっては
変わらない装置固有の座標系を設定するようにする。マ
スク上位置合せマークa、b、c。
変わらない装置固有の座標系を設定するようにする。マ
スク上位置合せマークa、b、c。
dの位置とウェハ上位置合せマークα、β、T。
δの位置を、この装置固有の座標系上の座標点(あるい
は、この装置固有の座標系への投影点)として測定し、
両者の位置を同一の座標系上で比較して位置合せを行う
。この座標系として、ステージ23に固定されるレーザ
測長器21で規定される座標系をとる。
は、この装置固有の座標系への投影点)として測定し、
両者の位置を同一の座標系上で比較して位置合せを行う
。この座標系として、ステージ23に固定されるレーザ
測長器21で規定される座標系をとる。
具体的には、第2図(a)に示すように、レーザ光(図
示せず)を光電マスク5に選択的に照射し、光電マスク
5上の転写パターン16の周囲に配置されたマスク」二
位置合せマークa、b、c、dから順次放出された電子
ビームによって、ウェハ3露光面とほぼ同一平面上にあ
る、単一マークAを、ステージ23を■→■→■→■と
いうように移動させながら検出し、そのときのステージ
位置を、レーザー測長器21により検出することにより
、マスク上位置合せマークa、b、c、dのステージ2
3上の固有座標に対する位置を測定する。なお、光電マ
スクは5は動かないようにホールダ等で固定されている
。
示せず)を光電マスク5に選択的に照射し、光電マスク
5上の転写パターン16の周囲に配置されたマスク」二
位置合せマークa、b、c、dから順次放出された電子
ビームによって、ウェハ3露光面とほぼ同一平面上にあ
る、単一マークAを、ステージ23を■→■→■→■と
いうように移動させながら検出し、そのときのステージ
位置を、レーザー測長器21により検出することにより
、マスク上位置合せマークa、b、c、dのステージ2
3上の固有座標に対する位置を測定する。なお、光電マ
スクは5は動かないようにホールダ等で固定されている
。
次に、電場、磁場の条件を変えた場合について上記と同
様な測定を行い、ゲインや転写像の歪のデータを座標点
(投影点)の変化で測定する。
様な測定を行い、ゲインや転写像の歪のデータを座標点
(投影点)の変化で測定する。
次に、第2図(b)に示すように、レーザ光を照射し、
光電マスク5上のマスク上位置合せマークaから放出さ
れる電子ビームによってウェハ上位置合せマークα、β
、γ、δを順次検出し、その時のレーザ測長器21の読
みから、ウェハ上位置合せマークα、β、γ、δのステ
ージ23上の固有座標に対する位置を測定する。そして
、以上の結果をもとに、ステージ座標系上でマスク上位
置合せマークa、 b、 c、 dの位置と、ウ
ェハ上位置合せマークα、β、γ、δの位置を制御部2
2で比較し、両者の位置を補正して一致させるようにス
テージ23を駆動させ、さらに電場、磁場の条件を合わ
せて位置合わせを行う。
光電マスク5上のマスク上位置合せマークaから放出さ
れる電子ビームによってウェハ上位置合せマークα、β
、γ、δを順次検出し、その時のレーザ測長器21の読
みから、ウェハ上位置合せマークα、β、γ、δのステ
ージ23上の固有座標に対する位置を測定する。そして
、以上の結果をもとに、ステージ座標系上でマスク上位
置合せマークa、 b、 c、 dの位置と、ウ
ェハ上位置合せマークα、β、γ、δの位置を制御部2
2で比較し、両者の位置を補正して一致させるようにス
テージ23を駆動させ、さらに電場、磁場の条件を合わ
せて位置合わせを行う。
すなわち、上記実施例では、マスク上位置合せマークa
、b、c、dの位置とウェハ上位置合せマークα、β、
γ、δの位置を同じステージ23上の固有座標で測定し
ており、制御部22によりそれぞれの位置を補正して一
致するようにステージ23、及び電場、磁場の条件を制
御しているため、ウェハ3上の予め決められた所望のパ
ターン転写位置15に光電マスク5上の転写パターン1
6を精度よくパターン転写することができる。また、マ
スク上位置合せマークa、b、c、dの位置とウェハ上
位置合せマークα、β、T、δの位置がステージ23」
二の固有座標で判っているので(1回測定すれば判る)
、パターン転写する際、両者の位置を合わすのに従来の
ような微調整(別工程が間に入る際)をする必要がなく
なり、スループットを大幅に向上させることができる。
、b、c、dの位置とウェハ上位置合せマークα、β、
γ、δの位置を同じステージ23上の固有座標で測定し
ており、制御部22によりそれぞれの位置を補正して一
致するようにステージ23、及び電場、磁場の条件を制
御しているため、ウェハ3上の予め決められた所望のパ
ターン転写位置15に光電マスク5上の転写パターン1
6を精度よくパターン転写することができる。また、マ
スク上位置合せマークa、b、c、dの位置とウェハ上
位置合せマークα、β、T、δの位置がステージ23」
二の固有座標で判っているので(1回測定すれば判る)
、パターン転写する際、両者の位置を合わすのに従来の
ような微調整(別工程が間に入る際)をする必要がなく
なり、スループットを大幅に向上させることができる。
なお、上記実施例ではマスク上位置合せマークa、b、
c、dとウェハ上位置合せマークα、β。
c、dとウェハ上位置合せマークα、β。
T、δを各4点ずつで構成する場合について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、マスク上位
置合せマークとウェハ上位置合せマークはそれぞれ少な
くとも2点以上で構成されていればよい。
、本発明はこれに限定されるものではなく、マスク上位
置合せマークとウェハ上位置合せマークはそれぞれ少な
くとも2点以上で構成されていればよい。
上記実施例は、ウェハ上単一のマークAの位置をレーザ
測長器21により検出することにより、マスク上位置合
せマークa、b、c、dのステージ23上の固有座標に
対する位置を測定する場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、相互の位置関係が確
定した少なくとも2個以上のウェハ」ニマーク位置を検
出することにより、マスク上位置合せマークの位置を測
定する場合であってもよい。具体的には例えば位置関係
が確定しているX、Yで例えばマスク上位置合せマーク
a、bを、Xに対してa、Yに対してbを」二重実施例
と同様に電子ビームによってレーザ測長器21で検出す
ればマスク上位置合せマークa。
測長器21により検出することにより、マスク上位置合
せマークa、b、c、dのステージ23上の固有座標に
対する位置を測定する場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、相互の位置関係が確
定した少なくとも2個以上のウェハ」ニマーク位置を検
出することにより、マスク上位置合せマークの位置を測
定する場合であってもよい。具体的には例えば位置関係
が確定しているX、Yで例えばマスク上位置合せマーク
a、bを、Xに対してa、Yに対してbを」二重実施例
と同様に電子ビームによってレーザ測長器21で検出す
ればマスク上位置合せマークa。
bのステージ23上の固有座標を精度良く測定すること
ができる。
ができる。
本発明によれば、ウェハ上マークとマスク上マークとを
精度良く位置合せすることができ、スループットを向上
させることができるという効果がある。
精度良く位置合せすることができ、スループットを向上
させることができるという効果がある。
第1図は本発明に係る光電子転写装置の一実施例の構成
を説明する概略図、 第2図は一実施例の位置合わせ方法を説明する図、 第3図は従来の光電子転写装置の一例の構成を示す装置
概略図、 第4図は従来例の光電マスク部の詳細を示す図、第5図
は従来例の位置合わせ方法を説明する図である。 3・・・・・・ウェハ、 5・・・・・・光電マスク、 15・・・・・・所望のパターン転写位置、16・・・
・・・転写パターン、 21・・・・・・レーザ測長器、 22・・・・・・制御部、 a、b、c、d・・・・・・マスク上位置合せマーク、
α、β、γ、δ・・・・・・ウェハ上位置合せマーク。 (a) lR (b) /6
を説明する概略図、 第2図は一実施例の位置合わせ方法を説明する図、 第3図は従来の光電子転写装置の一例の構成を示す装置
概略図、 第4図は従来例の光電マスク部の詳細を示す図、第5図
は従来例の位置合わせ方法を説明する図である。 3・・・・・・ウェハ、 5・・・・・・光電マスク、 15・・・・・・所望のパターン転写位置、16・・・
・・・転写パターン、 21・・・・・・レーザ測長器、 22・・・・・・制御部、 a、b、c、d・・・・・・マスク上位置合せマーク、
α、β、γ、δ・・・・・・ウェハ上位置合せマーク。 (a) lR (b) /6
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスク上の転写パターン領域の周囲に配置した少なく
とも2個以上のマスク上位置合せマーク部から順次放出
された電子ビームによって、ウェハ露光面とほぼ同一平
面上に有り、ステージとともに移動する単一のマーク位
置あるいは相互の位置関係が確定した少なくとも2個以
上のマーク位置を検出することにより、マスク上位置合
せマーク部のステージ上の固有座標に対する位置を測定
し、かつ マスク上位置合せマーク部から放出された電子ビームに
よって、少なくとも2個以上のウェハ上位置合せマーク
を順次検出し、ウェハ上位置合せマーク部のステージ上
の固有座標に対する位置を測定する位置検出手段を設け
、 マスク上位置合せマークの位置とウェハ上位置合せマー
クの位置を補正して一致させる制御手段を設けたことを
特徴とする光電子転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097759A JPH01268123A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 光電子転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097759A JPH01268123A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 光電子転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268123A true JPH01268123A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14200805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097759A Pending JPH01268123A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 光電子転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268123A (ja) |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097759A patent/JPH01268123A/ja active Pending
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