JPH02262186A - 記録要素を備えた光伝導―電場発光型単色表示装置 - Google Patents
記録要素を備えた光伝導―電場発光型単色表示装置Info
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- JPH02262186A JPH02262186A JP2028576A JP2857690A JPH02262186A JP H02262186 A JPH02262186 A JP H02262186A JP 2028576 A JP2028576 A JP 2028576A JP 2857690 A JP2857690 A JP 2857690A JP H02262186 A JPH02262186 A JP H02262186A
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/145—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen
- G09G2360/147—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen the originated light output being determined for each pixel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は複合イメージのアナログ表示又は英数字表示の
ために、光電子領域で使用できる記憶効゛果を有する電
場発光型単色表示装置に関する。
ために、光電子領域で使用できる記憶効゛果を有する電
場発光型単色表示装置に関する。
先ず、光伝導−電場発光型の記憶表示原理について簡単
に述べる。表示装置はその電気光学的特性（輝度−電圧
曲線）がヒステレシスを有する場合記憶効果をもつと言
われている。ヒステレシス曲線内の同一電圧に対して表
示装置はＯＮ及び叶Ｆの二つの安定状態をもつことがで
きる。交互励起によって、プラズマスクリーンはこのよ
うな双安定特性をもち、これが現在広く用いられている
。
に述べる。表示装置はその電気光学的特性（輝度−電圧
曲線）がヒステレシスを有する場合記憶効果をもつと言
われている。ヒステレシス曲線内の同一電圧に対して表
示装置はＯＮ及び叶Ｆの二つの安定状態をもつことがで
きる。交互励起によって、プラズマスクリーンはこのよ
うな双安定特性をもち、これが現在広く用いられている
。
記録効果表示装置を重要な利点を有する。固定イメージ
又は画像を表示するためには、スクリーンに、いわゆる
維持電圧を同時かつ連続的に印加することが必要である
。この維持電圧は正弦信号又は方形波でよいが、この信
号の波形及び周波数は複雑性、特に表示点の配列数とは
独立に選ぶことができる。このように、原則上、記憶効
果表示スクリーンの複雑性に対する制限はない。こうし
て、交互励起によりプラズマスクリーンは１２（１０Ｘ
１２（１０像点又は画素で商業上利用できる。
又は画像を表示するためには、スクリーンに、いわゆる
維持電圧を同時かつ連続的に印加することが必要である
。この維持電圧は正弦信号又は方形波でよいが、この信
号の波形及び周波数は複雑性、特に表示点の配列数とは
独立に選ぶことができる。このように、原則上、記憶効
果表示スクリーンの複雑性に対する制限はない。こうし
て、交互励起によりプラズマスクリーンは１２（１０Ｘ
１２（１０像点又は画素で商業上利用できる。
さらに、薄膜による表示技術、即ち、容量結合電場発光
（ＡＣＴＦＥＬ）が産業界で現在使用されている。この
手段はいわゆる固有の記憶効果を付与されるが、これが
電気光学的性能特性を相当に劣化させることになる。さ
らに興味ある方法は光伝導構造（ＰＣ）を電場発光構造
（ＥＬ）と直列に接続した後に、両構造体を光学的に結
合することである。
（ＡＣＴＦＥＬ）が産業界で現在使用されている。この
手段はいわゆる固有の記憶効果を付与されるが、これが
電気光学的性能特性を相当に劣化させることになる。さ
らに興味ある方法は光伝導構造（ＰＣ）を電場発光構造
（ＥＬ）と直列に接続した後に、両構造体を光学的に結
合することである。
こうして、ＰＣ−ＥＬ記憶効果と呼ばれ、かつ次の原理
に基づく外因性の記録効果を発生させることができる。
に基づく外因性の記録効果を発生させることができる。
この手段がＯＦＦ状態にある場合、光伝導材は極めて僅
かの導電性しかなく、それに印加された電圧の相当部分
を保持する。電圧■をＶｏｎまで増加させて電場発光構
造体の端子電圧が電場発光しきい値を超えるようにする
と、ＰＣ−ＥＬ手段はＯＮ状態に切換る。ついで、光伝
導材は電場発光構造体によって照射されて導電状態に移
行する。
かの導電性しかなく、それに印加された電圧の相当部分
を保持する。電圧■をＶｏｎまで増加させて電場発光構
造体の端子電圧が電場発光しきい値を超えるようにする
と、ＰＣ−ＥＬ手段はＯＮ状態に切換る。ついで、光伝
導材は電場発光構造体によって照射されて導電状態に移
行する。
前記構造体の端子電圧は低下し、その結果、電場発光構
造体に対する使用電圧が増加する。ＰＣ−ｔ！Ｌ手段を
ＯＦＦに切換えるには、総電圧■をＶｏｎより低いＶｏ
ｆｆまで下げるだけでよく、これによりヒステレシスを
もつ輝度−電圧特性を生ずる。
造体に対する使用電圧が増加する。ＰＣ−ｔ！Ｌ手段を
ＯＦＦに切換えるには、総電圧■をＶｏｎより低いＶｏ
ｆｆまで下げるだけでよく、これによりヒステレシスを
もつ輝度−電圧特性を生ずる。
このようなＰＣ−ＥＬ槽構造最近、フランス特許出願第
２５７４９７２号および同出願の発明者による光学結合
による外因性記憶手段をもつモノリシック薄膜光伝導−
ＡＣＬ構造〃と題する論説（電子装置のＩＥＥＥ処理誌
、Ｖｏｌ、 ＥＤ−３３、Ｎｏ、８ 、１９６８年８月
、 ｐｐ１１４９−１１５３）中に記載されている。
２５７４９７２号および同出願の発明者による光学結合
による外因性記憶手段をもつモノリシック薄膜光伝導−
ＡＣＬ構造〃と題する論説（電子装置のＩＥＥＥ処理誌
、Ｖｏｌ、 ＥＤ−３３、Ｎｏ、８ 、１９６８年８月
、 ｐｐ１１４９−１１５３）中に記載されている。
この構造は第１図に概略的に図示されており、これは電
極１２が蒸着されたガラス基板１０、第１誘電体総１４
、電場発光層１６、第２誘電体層１・８光伝導層２０、
第３誘電体層２１及び電極２２よりなる。電極１２及び
２２は直流電源２４に接続されている。この構造におい
て、ＰＣ，−ＥＬ層は厚さがはり１マイクロメータの薄
膜である。
極１２が蒸着されたガラス基板１０、第１誘電体総１４
、電場発光層１６、第２誘電体層１・８光伝導層２０、
第３誘電体層２１及び電極２２よりなる。電極１２及び
２２は直流電源２４に接続されている。この構造におい
て、ＰＣ，−ＥＬ層は厚さがはり１マイクロメータの薄
膜である。
この構造は補充的腐食段階を一切必要としないので容易
に作ることができる。さらに、暗中における薄膜光伝導
体の電流−電圧挙動は極めて非直線的で、かつ非再生的
である。このように、前記手段の電気的照明は常に容易
であり、ヒステレシスは僅かに励起周波数に依存するに
過ぎず、また個々の生産作業間でのヒステレシスマージ
ンの再生性が保証される。
に作ることができる。さらに、暗中における薄膜光伝導
体の電流−電圧挙動は極めて非直線的で、かつ非再生的
である。このように、前記手段の電気的照明は常に容易
であり、ヒステレシスは僅かに励起周波数に依存するに
過ぎず、また個々の生産作業間でのヒステレシスマージ
ンの再生性が保証される。
しかし乍ら、強い周囲照明下でＰＣ−ＥＬ表示装置を使
用すると、不幸にして、ＰＣ−ＥＬヒステレシスの重大
な劣化を来す。このように、強い外部電源による光伝導
層の照明は同層の端子電圧を降下させ、従って照射電圧
の降下を招来する。このため、通常は消滅している画素
の偶発的照明が起ることになる。
用すると、不幸にして、ＰＣ−ＥＬヒステレシスの重大
な劣化を来す。このように、強い外部電源による光伝導
層の照明は同層の端子電圧を降下させ、従って照射電圧
の降下を招来する。このため、通常は消滅している画素
の偶発的照明が起ることになる。
さらに、第１及び第２電場発光層間に挿入された光伝導
層を有するＰＣ−ＥＬ表示装置は公知である。
層を有するＰＣ−ＥＬ表示装置は公知である。
前記第１電場発光層は光伝導層の励起又は感光帯域の限
界内に発光帯域を有する。また第２電場発光層は前記限
界の外側に発光帯域を有し、これは原則として表示目的
に使用できる光スペクトラムの可視部分内にある。この
ような表示装置はフランス特許出願第２３３５９０２号
に記載されている。
界内に発光帯域を有する。また第２電場発光層は前記限
界の外側に発光帯域を有し、これは原則として表示目的
に使用できる光スペクトラムの可視部分内にある。この
ような表示装置はフランス特許出願第２３３５９０２号
に記載されている。
上記表示装置はより高い作業電圧を有する。さらにこれ
と既述した表示装置は比較的劣性のコントラストをもつ
。このため、特別の記憶点の電場発光の寄生反射により
隣接点の表示がかく乱される。
と既述した表示装置は比較的劣性のコントラストをもつ
。このため、特別の記憶点の電場発光の寄生反射により
隣接点の表示がかく乱される。
本発明は前記従来技術の欠点を除去できる電場発光記憶
効果型単色表示装置に関する。
効果型単色表示装置に関する。
本発明の表示装置は絶縁基板上に配置された単一の電場
発光層及び光伝導層との積層集合体よりなり、前記両層
の集合体が電場発光層の一定領域を励起するための電圧
源に接続された第１及び第２電極間に挿入されており、
かつ前記光伝導層が、その感光スペクトラムと周囲照明
の発光スペクトラムの重複領域が最少になるように構成
され、また前記電場発光層が、その感光スペクトラムと
発光スペクトラムの重複領域が最大となるように構成さ
れていることを特徴とする。
発光層及び光伝導層との積層集合体よりなり、前記両層
の集合体が電場発光層の一定領域を励起するための電圧
源に接続された第１及び第２電極間に挿入されており、
かつ前記光伝導層が、その感光スペクトラムと周囲照明
の発光スペクトラムの重複領域が最少になるように構成
され、また前記電場発光層が、その感光スペクトラムと
発光スペクトラムの重複領域が最大となるように構成さ
れていることを特徴とする。
電場発光層の発光スペクトラムと光伝導層の感光スペク
トラムの重複はＰＣ−ＥＬ表示装置の双安定性を保証す
る。
トラムの重複はＰＣ−ＥＬ表示装置の双安定性を保証す
る。
狭い発光範囲をもつ所与の照明型式を内部に有する表示
装置の使用（例えば、一定の研究所における単色ランプ
の使用）中に見られるように、周囲照明の発光スペクト
ラムがわかっている場合、光伝導層は周囲照明の発光ス
ペクトラムの外側に感光スペクトラムをもたなければな
らない。このことは周囲照明の発光スペクトラム中に含
まれる波長より短いか又は長い波長中にある感光スペク
トラムを持つ光伝導材料の使用を必要とする。
装置の使用（例えば、一定の研究所における単色ランプ
の使用）中に見られるように、周囲照明の発光スペクト
ラムがわかっている場合、光伝導層は周囲照明の発光ス
ペクトラムの外側に感光スペクトラムをもたなければな
らない。このことは周囲照明の発光スペクトラム中に含
まれる波長より短いか又は長い波長中にある感光スペク
トラムを持つ光伝導材料の使用を必要とする。
例えば、４５０〜７（１０ ｎｍの可視範囲に対応する
蛍光ランプの場合、飼いλ２で示され、光伝導材の感光
スペクトラムの中略が決定された高波長側の遮断波長が
４５０ｎｍ以下の紫外線中、即ち４５０ｎｍ以下である
光伝導層、又はλ１で示され、その層の感光スペクトラ
ムの中略で決定された短波長側の遮断波長が赤外線中、
即ち、７（１０ ｒｖ以上である光伝導層のうちの何れ
かが使用される。
蛍光ランプの場合、飼いλ２で示され、光伝導材の感光
スペクトラムの中略が決定された高波長側の遮断波長が
４５０ｎｍ以下の紫外線中、即ち４５０ｎｍ以下である
光伝導層、又はλ１で示され、その層の感光スペクトラ
ムの中略で決定された短波長側の遮断波長が赤外線中、
即ち、７（１０ ｒｖ以上である光伝導層のうちの何れ
かが使用される。
ＰＣ−ＥＬ表示装置の双安定性を保証するためには、電
場発光層の発光スペクトラムは表示を目的とした可視ス
ペクトラムと光伝導の感光スペクトラムの両スペクトラ
ムを含まなければならない。
場発光層の発光スペクトラムは表示を目的とした可視ス
ペクトラムと光伝導の感光スペクトラムの両スペクトラ
ムを含まなければならない。
電場発光材は広帯域発光スペクトラム又は数個の帯域を
もつ発光スペクトラムをもつことができ、これら帯域の
一つは可視スペクトラムで、他は使用光伝導材の関数と
して紫外線又は赤外線中にある。
もつ発光スペクトラムをもつことができ、これら帯域の
一つは可視スペクトラムで、他は使用光伝導材の関数と
して紫外線又は赤外線中にある。
その最高感光度が赤外線中にある光伝導材の一例として
ＣｄＳｅをあげることができる。また可視及び赤外線範
囲内の発光を伴う光伝導材の一例として高いＭｎ”（１
アトム％以上）含有量をもつＺｎＳ ：ＴＩＩ＋３＋又
はＺｎＳ：Ｍｎ”をあげることができる。
ＣｄＳｅをあげることができる。また可視及び赤外線範
囲内の発光を伴う光伝導材の一例として高いＭｎ”（１
アトム％以上）含有量をもつＺｎＳ ：ＴＩＩ＋３＋又
はＺｎＳ：Ｍｎ”をあげることができる。
紫外線中に感光スペクトラムをもつ光伝導材の一例とし
て、公式ａ−３ｉ＋−ｘＣｘ：Ｈ（但しＸ−約０．４）
で表わされる水化及び炭化非結晶シリコンをあげること
ができる。これは０．９９に等しい前記光伝導材の層の
蒸着に用いられるメタン−シランのガス状混合体中のメ
タン濃度Ｃに相当する。別言すれば、Ｃ＝ （ＣＨ４）
／ （ＣＨ４） ＋ （ＳｉＨ４）である。
て、公式ａ−３ｉ＋−ｘＣｘ：Ｈ（但しＸ−約０．４）
で表わされる水化及び炭化非結晶シリコンをあげること
ができる。これは０．９９に等しい前記光伝導材の層の
蒸着に用いられるメタン−シランのガス状混合体中のメ
タン濃度Ｃに相当する。別言すれば、Ｃ＝ （ＣＨ４）
／ （ＣＨ４） ＋ （ＳｉＨ４）である。
この材料は４５０［ｎＩＩ＋の高遮断波長λ２と。４＝
４２５ ｎｍで最高感光度をもつ。
４２５ ｎｍで最高感光度をもつ。
一９＝
最も頻繁に見られるケース（多分内部照明が外部照明と
関係している）として、周囲照明の発光スペクトラムが
よく知られていない場合、電場発光層と表示観察者との
間に光学フィルタを使用する。この光学的フィルタの機
能は周囲照明の発光スペクトラムの領域を閉塞又は消却
する一方、表示目的にとって最も有用な電場発光層の発
光スペクトラム部分を通過させることであり、この場合
、光伝導層の感光スペクトラムは前記領域に基本的に含
まれている。
関係している）として、周囲照明の発光スペクトラムが
よく知られていない場合、電場発光層と表示観察者との
間に光学フィルタを使用する。この光学的フィルタの機
能は周囲照明の発光スペクトラムの領域を閉塞又は消却
する一方、表示目的にとって最も有用な電場発光層の発
光スペクトラム部分を通過させることであり、この場合
、光伝導層の感光スペクトラムは前記領域に基本的に含
まれている。
電場発光層の発光スペクトラムの表示に最も有用な部分
は意図された使用と調和する発光色のみならず、十分高
度の発光を保持する部分である。
は意図された使用と調和する発光色のみならず、十分高
度の発光を保持する部分である。
光伝導層の感光スペクトラムが光学フィルタによって閉
塞される発光スペクトラムの領域中に完全又はある程度
完全に含まれるという事実は光伝導層への周囲の光の影
響、したがって非表示点の不都合な発光を除くことを可
能にする。
塞される発光スペクトラムの領域中に完全又はある程度
完全に含まれるという事実は光伝導層への周囲の光の影
響、したがって非表示点の不都合な発光を除くことを可
能にする。
こうして、表示用の非閉塞可視スペクトラム部分のみな
らず、ＰＣ−ＥＬ効果実用閉塞部分中の光伝導層の感光
スペクトラムの相当部分をもカバーするように比較的広
い発光スペクトラムをもつことができる。
らず、ＰＣ−ＥＬ効果実用閉塞部分中の光伝導層の感光
スペクトラムの相当部分をもカバーするように比較的広
い発光スペクトラムをもつことができる。
光学フィルタは帯域フィルタ、低域フィルタ又は高域フ
ィルタでもよい。電場発光材は広帯域スペクトラム又は
数個の帯域（少くとも二帯域）によって形成されるスペ
クトラムをもつことができ、そのうちの一つはフィルタ
の透過スペクトラム中にあり、他はフィルタのスペクト
ルの閉塞範囲内にある。
ィルタでもよい。電場発光材は広帯域スペクトラム又は
数個の帯域（少くとも二帯域）によって形成されるスペ
クトラムをもつことができ、そのうちの一つはフィルタ
の透過スペクトラム中にあり、他はフィルタのスペクト
ルの閉塞範囲内にある。
所与のスペクトラムう有する広帯域材料の一例は黄色及
びオレンジ色の比較的狭い発光帯域をもってＺｎＳ：Ｍ
ｎ”、赤色調をもつＣａＳ：Ｅｕ”、赤及びオレンジの
中間色調をもつＳｒＳ：Ｅｕ”、緑及びオレンジの中間
色調をもつＣａＳ：Ｃｅ”及び青及び緑の中間色調をも
つＳｒＳ：Ｃｅ３＋である。
びオレンジ色の比較的狭い発光帯域をもってＺｎＳ：Ｍ
ｎ”、赤色調をもつＣａＳ：Ｅｕ”、赤及びオレンジの
中間色調をもつＳｒＳ：Ｅｕ”、緑及びオレンジの中間
色調をもつＣａＳ：Ｃｅ”及び青及び緑の中間色調をも
つＳｒＳ：Ｃｅ３＋である。
発光スペクトラムが光学フィルタの関数として変化され
うる広帯域の電場発光材の一例及び使用光伝導材はＣａ
Ｓｒ＋−ｘＳ：Ｅｕ” （但しＸ−０〜１）、Ｘ＝１に
対する色調は赤及びＸ−０に対する色調は緑、及びＸ−
０に対する色調は青である。電場発光材の広発光帯域を
適応させるための同一マトリックスに二つの発光活性体
を混合させることも可能である。この場合、得られたス
ペクトラムは二つの活性体の基本的スペクトラムの結合
であり、例えば、ＳｒＳ：Ｅｕ”、Ｃｅ” 、 ＣａＳ
：Ｅｕ” 、 Ｃｅ”及びＳｒＳ：Ｃｅ３′″、 Ｐｒ
３＋があげられる。
うる広帯域の電場発光材の一例及び使用光伝導材はＣａ
Ｓｒ＋−ｘＳ：Ｅｕ” （但しＸ−０〜１）、Ｘ＝１に
対する色調は赤及びＸ−０に対する色調は緑、及びＸ−
０に対する色調は青である。電場発光材の広発光帯域を
適応させるための同一マトリックスに二つの発光活性体
を混合させることも可能である。この場合、得られたス
ペクトラムは二つの活性体の基本的スペクトラムの結合
であり、例えば、ＳｒＳ：Ｅｕ”、Ｃｅ” 、 ＣａＳ
：Ｅｕ” 、 Ｃｅ”及びＳｒＳ：Ｃｅ３′″、 Ｐｒ
３＋があげられる。
本発明に使用できる数個の狭帯域又はラインをもつ電場
発光材の例としても、赤色調のＺｎＳ：Ｓｍ”緑色調及
び緑−青色調のＺｎＳ：Ｔｂ”、青色調と赤外線（７８
０ｎｍ）に近い色調のＺｎＳ：Ｔｍ”″及び一つは赤他
は青−緑の二つの色調をもつ５ｒＳ４Ｐｒ”＋がある。
発光材の例としても、赤色調のＺｎＳ：Ｓｍ”緑色調及
び緑−青色調のＺｎＳ：Ｔｂ”、青色調と赤外線（７８
０ｎｍ）に近い色調のＺｎＳ：Ｔｍ”″及び一つは赤他
は青−緑の二つの色調をもつ５ｒＳ４Ｐｒ”＋がある。
またＺｎＸＳｒ、）（Ｓ：Ｔｂ”、Ｚｎ、Ｃａ、−）、
Ｓ：Ｔｂ３＋及び５ｒＸＣａ１．、）（Ｓ：Ｔｂ” （
但しＸ＝Ｏ〜１）などの合金を用いることもできる。
Ｓ：Ｔｂ３＋及び５ｒＸＣａ１．、）（Ｓ：Ｔｂ” （
但しＸ＝Ｏ〜１）などの合金を用いることもできる。
ＺｎＳ：Ｓｍ”、 Ｔｂ”＋など、同一マトリックス中
に数個の活性体を用いることによっである種の電場発生
材で発光スペクトラムを変えることができる。
に数個の活性体を用いることによっである種の電場発生
材で発光スペクトラムを変えることができる。
上述の電場発光材のスペクトラムの形態に関するより詳
細な情報については、田中その他著、“ＳｒＳに基づく
新しい燐薄膜を有する輝白色電場発光装置”、５１０−
８８ダイジエスト、ｐｐ−２９３−２９６、小林著“多
色薄膜電場発光研究の最近の発展”、抄録第１２３１号
、ｐｐ１７１２／３、“電気化学学会会議抄録”ｖｏｌ
、８７−２ 、１８−２３ 、１９８７年１０月及び田
中著゛アルカリ土頻硫化薄膜におけるカラー電場発光”
発光ジャーナル、４０及び４１巻、１９８８、ｐｐ２０
−２３をあげることができる。
細な情報については、田中その他著、“ＳｒＳに基づく
新しい燐薄膜を有する輝白色電場発光装置”、５１０−
８８ダイジエスト、ｐｐ−２９３−２９６、小林著“多
色薄膜電場発光研究の最近の発展”、抄録第１２３１号
、ｐｐ１７１２／３、“電気化学学会会議抄録”ｖｏｌ
、８７−２ 、１８−２３ 、１９８７年１０月及び田
中著゛アルカリ土頻硫化薄膜におけるカラー電場発光”
発光ジャーナル、４０及び４１巻、１９８８、ｐｐ２０
−２３をあげることができる。
本発明に使用することができ、かつ使用電場発光材の関
数として調整可能の感光スペクトラムをもつ光伝導材の
例として、ＣｄＳｘＳｅ＋−ｘ又はａ−５ｔ、−Ｘ：Ｈ
（但しＸ−０〜１）をあげることができる。また所与の
感光スペクトラムを有するＣｄＳ、ＣｄＳｅ又はａ−５
ｔ ：Ｈなどの光伝導材を用いることができる。
数として調整可能の感光スペクトラムをもつ光伝導材の
例として、ＣｄＳｘＳｅ＋−ｘ又はａ−５ｔ、−Ｘ：Ｈ
（但しＸ−０〜１）をあげることができる。また所与の
感光スペクトラムを有するＣｄＳ、ＣｄＳｅ又はａ−５
ｔ ：Ｈなどの光伝導材を用いることができる。
水化及び炭化非結晶シリコンの製造及び特性に関するよ
り詳細な情報に関しては、本発明者が提供したフランス
特許出願第２１０５７７７号をあげることができる。
り詳細な情報に関しては、本発明者が提供したフランス
特許出願第２１０５７７７号をあげることができる。
ＣｄＳｘＳｅ＋−ｘの感光スペクトラムに関する詳細に
ついては、ロバート等の“吹付熱分解によるＩＩ−Ｖ１
固溶液膜”、応用物理学ジャーナル、ｖｏｌ、４Ｂ、
Ｎｏ。
ついては、ロバート等の“吹付熱分解によるＩＩ−Ｖ１
固溶液膜”、応用物理学ジャーナル、ｖｏｌ、４Ｂ、
Ｎｏ。
７ 、１９７７ 、 ｐｐ３１６２−３１６４をあげる
ことができる。
ことができる。
またａ−３ｔ、ｘＣｘ：Ｈ（但し０≦０．５≦が好まし
い。
い。
光学フィルタは干渉フィルタでよい。これらのフィルタ
はランダムな遮断波長をもつ低域、高域及び帯域スペク
トラムを得ることを可能にする。
はランダムな遮断波長をもつ低域、高域及び帯域スペク
トラムを得ることを可能にする。
さらに、高度の化学的及び熱安定性のみならず、透過状
態から非透過状態への象、激なスペクトラム推移をもつ
。しかし乍ら、これらのフィルタはしばしば高くつく。
態から非透過状態への象、激なスペクトラム推移をもつ
。しかし乍ら、これらのフィルタはしばしば高くつく。
またできれば、着色ガラスや有機フィルタを使用するの
が好ましい。
が好ましい。
有機フィルタは重合体層又は着色剤や有機顔料を倉出ゼ
ラチン層、着色剤、真空蒸着有機着色剤又は顔料、ペリ
レン（赤）、フタロシアニン鉛（青）、フタロシアニン
銅（緑）、キナクリドン（深紅色）、イソインドリノン
（黄）及び電着顔料などの液晶多色スクリーン用に特に
用いられるものである。
ラチン層、着色剤、真空蒸着有機着色剤又は顔料、ペリ
レン（赤）、フタロシアニン鉛（青）、フタロシアニン
銅（緑）、キナクリドン（深紅色）、イソインドリノン
（黄）及び電着顔料などの液晶多色スクリーン用に特に
用いられるものである。
本発明によれば、表示用のすべての公知の電極装置を用
いることができる。特に、これら電極装置の一つは点電
極で、他は共通電極で構成することができる。これらの
電極は各々平行導電片で構成し、第１の電極の導電片が
第２の電極の導電片と交錯するようにすることが有利で
ある。
いることができる。特に、これら電極装置の一つは点電
極で、他は共通電極で構成することができる。これらの
電極は各々平行導電片で構成し、第１の電極の導電片が
第２の電極の導電片と交錯するようにすることが有利で
ある。
また、本発明の表示装置は反射又は透過状態で作動する
ことができる。使用作動型式の一機能として、−又は画
電極を透明にすることができる。
ことができる。使用作動型式の一機能として、−又は画
電極を透明にすることができる。
本発明のその他の特徴及び利点は添付第２図乃至８図及
び既述の第１図を参考としてつぎの非限定的例示的説明
から理解することができる。第２図は本発明の表示装置
の一実施例の概略図、第３図及び第４図は第２図の表示
装置のフィルタの透過スペクトラムのみならず、光伝導
及び電場発光層の感光及び発光スペクトラムの形状を示
し、また第５図乃至第８図は本発明の表示装置の変形を
示す。
び既述の第１図を参考としてつぎの非限定的例示的説明
から理解することができる。第２図は本発明の表示装置
の一実施例の概略図、第３図及び第４図は第２図の表示
装置のフィルタの透過スペクトラムのみならず、光伝導
及び電場発光層の感光及び発光スペクトラムの形状を示
し、また第５図乃至第８図は本発明の表示装置の変形を
示す。
第２図において、本発明の表示装置は一般に反射的であ
り、かつアルミニウムよりなる平行導電片３０で構成さ
れる第一電極を有する。これらの電極３０は、第２図に
示すように、単一の発光層３４によって構成される電場
発光構造を蔽う厚さ１マイクロメータの公式ａ−３ｉ＋
−ｘＣｘ：ｌｌ （但し０≦Ｘ≦１）で表わされる光伝
導層３２上に位置するか又は第１図又はフランス特許出
願第２５７４９７２号にに示すように、１又はそれ以上
の誘電体層に結合している。
り、かつアルミニウムよりなる平行導電片３０で構成さ
れる第一電極を有する。これらの電極３０は、第２図に
示すように、単一の発光層３４によって構成される電場
発光構造を蔽う厚さ１マイクロメータの公式ａ−３ｉ＋
−ｘＣｘ：ｌｌ （但し０≦Ｘ≦１）で表わされる光伝
導層３２上に位置するか又は第１図又はフランス特許出
願第２５７４９７２号にに示すように、１又はそれ以上
の誘電体層に結合している。
この電場発光材はさきに述べたもののうちの一つを用い
る。その厚みは０．５〜２マイクロメータ（一般に０．
７マイクロメータ）である。誘電体層１４．１８及び２
１はＳｉ：＋Ｌ 、５ｉＯｚ 、 ＳｉＯｘＮｙ及びＴ
ａ２Ｏから選ばれた材料のうちの一つで作られ、その厚
みは２（１０ ｎｍにすることができる。
る。その厚みは０．５〜２マイクロメータ（一般に０．
７マイクロメータ）である。誘電体層１４．１８及び２
１はＳｉ：＋Ｌ 、５ｉＯｚ 、 ＳｉＯｘＮｙ及びＴ
ａ２Ｏから選ばれた材料のうちの一つで作られ、その厚
みは２（１０ ｎｍにすることができる。
図面及び説明を簡単にするため、以下本明細書において
は単一の電場発光層３４についてのみ説明する。この層
の下部には、例えば透明ＩＴＯで作られた平行導電片で
構成された第２電極が電極３０に対し垂直に設けられる
。
は単一の電場発光層３４についてのみ説明する。この層
の下部には、例えば透明ＩＴＯで作られた平行導電片で
構成された第２電極が電極３０に対し垂直に設けられる
。
第２電疹３６は下面よフィルタ４０を備えた通常ガラス
絶縁基板３８に支持されている。表示装置の観察は表示
手段の表面、即ちフィルタ側、から行われる。同様に、
表示手段の照明は白色ランプ４１を用いてフィルタ側か
ら行う。本発明のフィルタ４０は電場発光による画素の
寄生反射４３の効果的濾過を行うので隣接画素とのかく
乱又は干渉を防ぐ。
絶縁基板３８に支持されている。表示装置の観察は表示
手段の表面、即ちフィルタ側、から行われる。同様に、
表示手段の照明は白色ランプ４１を用いてフィルタ側か
ら行う。本発明のフィルタ４０は電場発光による画素の
寄生反射４３の効果的濾過を行うので隣接画素とのかく
乱又は干渉を防ぐ。
本発明の表示装置は先行技術のそれと同じように機能し
、特に電極３６及び３０に接続された、振動周波数Ｉ
ＫＨｚ及び最高振幅１５０〜２９０ Ｖ （−般に２３
０Ｖ ）の交流電源２４を使用する。またＩＢＭ表示装
置を用いると、作動電圧は一般に３（１０ｖ、即ち、本
発明に使用するものより高い。
、特に電極３６及び３０に接続された、振動周波数Ｉ
ＫＨｚ及び最高振幅１５０〜２９０ Ｖ （−般に２３
０Ｖ ）の交流電源２４を使用する。またＩＢＭ表示装
置を用いると、作動電圧は一般に３（１０ｖ、即ち、本
発明に使用するものより高い。
第３ａ図は周囲光の発光スペクトラム４２及び可視スペ
クトラム４４を示す。第３ｂ図は光学フィルタＦの透過
スペクトラムを示す。曲線４６は高域フィルタの透過ス
ペクトラムに相当し、また曲線４７は帯域透過フィルタ
の透過スペクトラムに相当する。第３ｃ図は光伝導材（
ＰＣ）の感光スペクトラムを示し、第３ｄ図は広帯域電
場発光材（ＥＬ）の発光スペクトラムを示し、第３ｅｌ
ｆｆｌは数本のラインをもつ電場発光材の発光スペクト
ラムを示す。これらのスペクトラムは波長の関数として
の光強度■の変化を示すもので、この光強度Ｉは変任意
の単位として与えられる。かつナノメータ単位の波長を
もつ。
クトラム４４を示す。第３ｂ図は光学フィルタＦの透過
スペクトラムを示す。曲線４６は高域フィルタの透過ス
ペクトラムに相当し、また曲線４７は帯域透過フィルタ
の透過スペクトラムに相当する。第３ｃ図は光伝導材（
ＰＣ）の感光スペクトラムを示し、第３ｄ図は広帯域電
場発光材（ＥＬ）の発光スペクトラムを示し、第３ｅｌ
ｆｆｌは数本のラインをもつ電場発光材の発光スペクト
ラムを示す。これらのスペクトラムは波長の関数として
の光強度■の変化を示すもので、この光強度Ｉは変任意
の単位として与えられる。かつナノメータ単位の波長を
もつ。
本発明によれば、高域又は帯域フィルタ（第３ｂ図）は
周囲光がそれ以下で濾過され、それ以上で透過される遮
断波長λ。をもつ。この遮断波長λ。
周囲光がそれ以下で濾過され、それ以上で透過される遮
断波長λ。をもつ。この遮断波長λ。
は表示を目的とした場合フィルタの透過スペクトルが基
本的に可視スペクトラム４４内にあるということである
。実際には、λ。は周囲光の１７１０に相当する。
本的に可視スペクトラム４４内にあるということである
。実際には、λ。は周囲光の１７１０に相当する。
光伝導材（第３Ｃ図）は低遮断波長λ１及び高遮断波長
λ２をもち、これらの波長は感光スペクトラムの中略感
光度に対するもので、またλ。４は光伝導材の最大感光
波長に相当する。
λ２をもち、これらの波長は感光スペクトラムの中略感
光度に対するもので、またλ。４は光伝導材の最大感光
波長に相当する。
本発明によると、光伝導材の感光スペクトラムはフィル
タの透過スペクトラムの外側にあり、このことはλ２が
λ。以下であることを意味する。
タの透過スペクトラムの外側にあり、このことはλ２が
λ。以下であることを意味する。
このように、光伝導材は周囲光によって撹乱されること
はない。実際には、λ２はλ。に等しいか、又はλ。よ
り低い。
はない。実際には、λ２はλ。に等しいか、又はλ。よ
り低い。
ＥＬ−ＰＣ手段の双安定性を保証するために、電場発光
材の発光スペクトラムは光伝導材の感光スペクトラム中
にそのスペクトラムの一部をもち、また可視範囲内に他
の部分をもたなければならない。
材の発光スペクトラムは光伝導材の感光スペクトラム中
にそのスペクトラムの一部をもち、また可視範囲内に他
の部分をもたなければならない。
広帯域（第３ｄ図）の場合、発光スペクトラムの中略で
決定さた遮断波長λ４はλ、に近似し、また発光スペク
トラムの中略で決定されて電場発光材の上部遮断波長λ
５はλ。より高くなければならない。
決定さた遮断波長λ４はλ、に近似し、また発光スペク
トラムの中略で決定されて電場発光材の上部遮断波長λ
５はλ。より高くなければならない。
複数ラインもつ電場発光材（３ｅ図）に関しては、曲線
５２の中略で決定された最高波長ライン５２の中略で決
定された低遮断波長λ７が、その時７９以上であったλ
。及びλ５より高く選択される場合、曲線５０の中略に
とった最低波長ライン５０の上部遮断波長λ６は、λ４
〈λ６として、λ。以上に選択されるのが好ましい。
５２の中略で決定された最高波長ライン５２の中略で決
定された低遮断波長λ７が、その時７９以上であったλ
。及びλ５より高く選択される場合、曲線５０の中略に
とった最低波長ライン５０の上部遮断波長λ６は、λ４
〈λ６として、λ。以上に選択されるのが好ましい。
第４図は上部遮断波長λ３をもつ低域又は帯域フィルタ
を用いる場合、フィルタ光伝導材及び電場発光材に必要
な異る光強度スペクトラムを示す。
を用いる場合、フィルタ光伝導材及び電場発光材に必要
な異る光強度スペクトラムを示す。
第４図のスペクトラムの光強度はナノメータでの波長の
関数として任意の単位で示されている。
関数として任意の単位で示されている。
第４ａ図は周囲光の発光スペクトラムを示し、第４ｂ図
は光伝導材の感光スペクトラムを、第４Ｃ図は光伝導材
の感光スペクトラムを、また第４ｄ図及び第４ｅ図はそ
れぞれ広帯域電場発光材の発光スペクトラム及び複数ラ
インを有する発光スペクトラムを示す。また第４ｂ図の
曲線４８は低域フィルタに、そして曲線４９は帯域フィ
ルタに相当する。
は光伝導材の感光スペクトラムを、第４Ｃ図は光伝導材
の感光スペクトラムを、また第４ｄ図及び第４ｅ図はそ
れぞれ広帯域電場発光材の発光スペクトラム及び複数ラ
インを有する発光スペクトラムを示す。また第４ｂ図の
曲線４８は低域フィルタに、そして曲線４９は帯域フィ
ルタに相当する。
この場合、フィルタで閉塞されるのはλ３より高い波長
の周囲光であり、またフィルタで透過されるのはλ３よ
り低い波長光である。従って光伝導材（第４ｃ図）は７
８以上の感光スペクトラムをもたなければならず、特に
λ、はλ３と等しいか、又はそれ以上である。
の周囲光であり、またフィルタで透過されるのはλ３よ
り低い波長光である。従って光伝導材（第４ｃ図）は７
８以上の感光スペクトラムをもたなければならず、特に
λ、はλ３と等しいか、又はそれ以上である。
既述のとおり、広帯域電場発光材（第４ｄ図）の発光ス
ペクトラムはλ３以下の低遮断波長λ４及びλ、より高
い遮断波長λ５をもたなければならない。複数ライン（
第４Ｃ図）をもつ電場発光材の場合、第１発光帯域５４
に対する高遮断波長に相当するλ６はλ３以下であるこ
とが好ましく、また電場発光材の上部発光帯域５６の低
遮断波長に相当するλ、はλ３以上であることが好まし
い。
ペクトラムはλ３以下の低遮断波長λ４及びλ、より高
い遮断波長λ５をもたなければならない。複数ライン（
第４Ｃ図）をもつ電場発光材の場合、第１発光帯域５４
に対する高遮断波長に相当するλ６はλ３以下であるこ
とが好ましく、また電場発光材の上部発光帯域５６の低
遮断波長に相当するλ、はλ３以上であることが好まし
い。
本発明の表示装置を構成する異る層又は膜は第５図乃至
第８図かられかるように、異なる方法で配置することが
できる。唯一の要件はフィルタ４０を観察者と電場発光
層３４間に配置することである。
第８図かられかるように、異なる方法で配置することが
できる。唯一の要件はフィルタ４０を観察者と電場発光
層３４間に配置することである。
さらに、第５図に示すように、第２図と比べて、ガラス
基板３８の位置をフィルタ４０の位置と逆にし、又は第
６図に示すように、第２電極３６と電極発光構造体３４
間に光学フィルタ４０を配置することができる。この場
合、表示装置の前面から観察する。本実施例においては
、頂部から底部に亙って、光学フィルタ４０、透明電極
３６、電場発光構造体３４、光伝導層３２、反射電極３
０及び最後に、ガラス基板３８が設けられる。
基板３８の位置をフィルタ４０の位置と逆にし、又は第
６図に示すように、第２電極３６と電極発光構造体３４
間に光学フィルタ４０を配置することができる。この場
合、表示装置の前面から観察する。本実施例においては
、頂部から底部に亙って、光学フィルタ４０、透明電極
３６、電場発光構造体３４、光伝導層３２、反射電極３
０及び最後に、ガラス基板３８が設けられる。
前面から観察するためには、第８図に示す方法で、光学
フィルタ４０と電極３６の位置を逆にすることもできる
。
フィルタ４０と電極３６の位置を逆にすることもできる
。
本発明の表示装置の実施例を以下に説明する。
これらの実施例においては、電場発光材はａ−Ｓｉ＋−
ｘＣｘ：Ｈ（但しＯ≦Ｘ≦１）である。この材料は約０
．ＩＷ／ｃＪの低電力レベルでプラズマ化学蒸着（ＰＥ
ＣＶＤ）により蒸着される。このａ−５ｉｔ−ｘＣｘ：
Ｈの蒸着法に関する詳細５については、′非結晶水素化
シリコンへのカーボン混入の影響“と題するＭ、Ｐ、シ
ュミット等の論説（哲学雑誌Ｂ、１９８５．ｖｏ１．５
１゜Ｎｏ、６． ｐｐ５８１−５８９）を参照すること
ができる。
ｘＣｘ：Ｈ（但しＯ≦Ｘ≦１）である。この材料は約０
．ＩＷ／ｃＪの低電力レベルでプラズマ化学蒸着（ＰＥ
ＣＶＤ）により蒸着される。このａ−５ｉｔ−ｘＣｘ：
Ｈの蒸着法に関する詳細５については、′非結晶水素化
シリコンへのカーボン混入の影響“と題するＭ、Ｐ、シ
ュミット等の論説（哲学雑誌Ｂ、１９８５．ｖｏ１．５
１゜Ｎｏ、６． ｐｐ５８１−５８９）を参照すること
ができる。
この光伝導材はいくつかの利点を有する。特に光学的吸
収又は光学的禁止帯域の減少に相当する高波長側（即ち
、低エネルギー側）での感光度低下がある。λ （ｎｍ
） ＝１２４０／Ｅ（ｅＶ）であることが指摘されてい
る。
収又は光学的禁止帯域の減少に相当する高波長側（即ち
、低エネルギー側）での感光度低下がある。λ （ｎｍ
） ＝１２４０／Ｅ（ｅＶ）であることが指摘されてい
る。
この材料の光伝導性スペクトラムの特徴は吸収係数αが
１０４ＣＩ１１−０となるエネルギーＥｏ４（ｅｖ）で
あることである。このエネルギＥＯ４はカーボン含有量
Ｃ１即ち前記光伝導材の製造に用いられるメタン−シラ
ン混合物中のメタン含有量に作用させることによって８
周整できる。
１０４ＣＩ１１−０となるエネルギーＥｏ４（ｅｖ）で
あることである。このエネルギＥＯ４はカーボン含有量
Ｃ１即ち前記光伝導材の製造に用いられるメタン−シラ
ン混合物中のメタン含有量に作用させることによって８
周整できる。
短波長側（高エネルギーレベル）では、発光が光伝導層
のすべての第１層中に吸収されるので光伝導材の感光度
もまた低下する。また光伝導層の中心が励起発光に露出
されないので前記層の平面と直角の方向（横断電気励起
）の光伝導が防止される。
のすべての第１層中に吸収されるので光伝導材の感光度
もまた低下する。また光伝導層の中心が励起発光に露出
されないので前記層の平面と直角の方向（横断電気励起
）の光伝導が防止される。
１マイクロメータ厚の層に対する合成感光スペクトラム
はピーク値が広く、その中略の幅は約５０ナノメータで
、またその値はＥ０４で最大となる。
はピーク値が広く、その中略の幅は約５０ナノメータで
、またその値はＥ０４で最大となる。
高及び低レベル遮断しきい値、即ち、第３Ｃ図又は第４
Ｃ図においてλ１をλ２から分離する距離に相当する。
Ｃ図においてλ１をλ２から分離する距離に相当する。
実施例１乃至３
これらの実施例は高域又は帯域フィルタの使用に相当す
る第３図に関するものである。さらに、これら実施例は
広帯域電場発光材（図面３ｄ）に関する。
る第３図に関するものである。さらに、これら実施例は
広帯域電場発光材（図面３ｄ）に関する。
１）電場発光材料：黄色からオレンジ色の発光を添うＺ
ｎＳ：Ｍｎ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ：遮断波長λ。＝５８５ ｎｍ
光伝導材：波長λ２＝５８５ ｎｍ及びλ。ａ ＝ ５
６０ｎｍ近似（この波長は２．２ｅＶに近似するａＯ４
に相当し、その結果、約０．６のメタン濃度Ｃ及びχ＝
ｏ、ｉｏに相当。
ｎＳ：Ｍｎ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ：遮断波長λ。＝５８５ ｎｍ
光伝導材：波長λ２＝５８５ ｎｍ及びλ。ａ ＝ ５
６０ｎｍ近似（この波長は２．２ｅＶに近似するａＯ４
に相当し、その結果、約０．６のメタン濃度Ｃ及びχ＝
ｏ、ｉｏに相当。
スクリーンの発光はオレンジ色。
２）電場発光材：赤色からオレンジ色の発光を添うＳｒ
Ｓ：Ｈｕ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ；遮断波長λｏ ＝６（１０ｎ
ｍ光伝導材：λｔ ＝６（１０ｎｍ 、λｏａ＝ ５７
５ （Ｅｏ４＝２．１５ｅＶに相当）、Ｃ＝０．５０近
似、Ｘ＝０．０７ スクリーンの発光は赤色。
Ｓ：Ｈｕ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ；遮断波長λｏ ＝６（１０ｎ
ｍ光伝導材：λｔ ＝６（１０ｎｍ 、λｏａ＝ ５７
５ （Ｅｏ４＝２．１５ｅＶに相当）、Ｃ＝０．５０近
似、Ｘ＝０．０７ スクリーンの発光は赤色。
３）電場発光材：赤色発光を添うＣａＳ：Ｅｕ”０ＲＩ
ＥＬ干渉フィルタ：λｏ＝６３０ｎｍ 。
ＥＬ干渉フィルタ：λｏ＝６３０ｎｍ 。
光伝導材：λｏ ＝６３０ｎｍ 、λｏ４＝６（１０ｎ
ｍ、Ｅｏ４＝２．０７ｅＶＳＣ＝０．４０近似、Ｘ＝０
．０４ スクリーンの発光は暗赤色。
ｍ、Ｅｏ４＝２．０７ｅＶＳＣ＝０．４０近似、Ｘ＝０
．０４ スクリーンの発光は暗赤色。
実施例４乃至に
れらの実施例は複数のラインをもつ電場発光材（第３ｅ
図）と関連する高域フィルタ（第３ｂ図）に関する。
図）と関連する高域フィルタ（第３ｂ図）に関する。
４）電場発光材：赤色の１ライン及び緑−青色の１ライ
をもってＺｎＳ：Ｔｂ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ： λｏ ＝６（１０ｎｍ光伝
導材：λ２ ＝５３０ｎｍ 、λｏ４＝ ５０ＯｎＩｎ
。
をもってＺｎＳ：Ｔｂ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ： λｏ ＝６（１０ｎｍ光伝
導材：λ２ ＝５３０ｎｍ 、λｏ４＝ ５０ＯｎＩｎ
。
ＥＯ４＝２．４８ｅＶ、 Ｃ＝０．８、Ｘ＝０．２０
スクリーンの発光は緑色。
スクリーンの発光は緑色。
５）電場発光材：黄色→赤色発光のＺｎＳ：Ｓｍ”０Ｒ
ＩＩＩ！Ｌ干渉フィルタ：λｏ ＝ ６４０ｎｍ光伝導
材：λｔ ＝６４０ｎｍ 、λｏ４＝６１５ｎｍ 。
ＩＩＩ！Ｌ干渉フィルタ：λｏ ＝ ６４０ｎｍ光伝導
材：λｔ ＝６４０ｎｍ 、λｏ４＝６１５ｎｍ 。
Ｅｏａ ＝２．０２ｅＶ、 Ｃ＝０．３０近似、Ｘ
＝０．３０ スクリーンの発光は赤色。
＝０．３０ スクリーンの発光は赤色。
６）電場発光材：緑−青色の１ラインと赤色の１ライン
をもつｓｒｓ：Ｐｒ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ： λｏ ＝６（１０ｎｍ光伝
導材：λｔ −６（１０ｎｍ 、λｏ４＝５７５ｎｍ
。
をもつｓｒｓ：Ｐｒ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ： λｏ ＝６（１０ｎｍ光伝
導材：λｔ −６（１０ｎｍ 、λｏ４＝５７５ｎｍ
。
Ｅｏａ ””２．１５ｅＬ Ｃ＝０．５０ 近イ
以、Ｘ ＝０．０７ スクリーンの発光は赤色。
以、Ｘ ＝０．０７ スクリーンの発光は赤色。
実施例７乃至９
これらの実施例は低域又は帯域フィルタの使用に関する
もので、その透過スペクトラムは第４ｂ図に示す。さら
に、電場発光材は広帯域材で、そのスペクトラムは第４
ｄ図のそれと類似する。
もので、その透過スペクトラムは第４ｂ図に示す。さら
に、電場発光材は広帯域材で、そのスペクトラムは第４
ｄ図のそれと類似する。
７）電場発光材：黄色からオレンジ色の発光を伴うＺｎ
Ｓ：Ｍｎ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ：遮断波長λ３ ＝ ５８５ｎ
ｍ光伝導材：λ＋ ＝５８５ｎｍ 、λｏ４＝６１０ｎ
ｍ、Ｅ０４ ＝２．０３ｅＶ、 Ｃ＝０．３０近似、
Ｘ ＝０．０３ スクリーンの発光は黄色 ８）電場発光材：緑色から青色への発光を伴うＳｒＳ：
Ｃｅ”０ＲＩＢＬ干渉フィルタ：λｓ５−５（１０ｎ近
偵光伝導材：λ＋ ＝５（１０ｎｍ 、λ、、＝５２５
ｎ近イ以、ＥＯ４＝２．３６ｅＶ、 Ｃ＝０．７０近
似、Ｘ ＝Ｏ，！４ ９）電場発光材：緑色からオレンジ色への発光をもつＣ
ａＳ：Ｃｅ” 光伝導材：λ、−約５４０ｎｍ 、λ。４＝ ５６５ｎ
ｍ近似、ＥＯ４＝２．２０ｅＶ、 Ｃ＝０．６０、Ｘ
＝０．１０スクリーンの発光は青−緑色である。
Ｓ：Ｍｎ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ：遮断波長λ３ ＝ ５８５ｎ
ｍ光伝導材：λ＋ ＝５８５ｎｍ 、λｏ４＝６１０ｎ
ｍ、Ｅ０４ ＝２．０３ｅＶ、 Ｃ＝０．３０近似、
Ｘ ＝０．０３ スクリーンの発光は黄色 ８）電場発光材：緑色から青色への発光を伴うＳｒＳ：
Ｃｅ”０ＲＩＢＬ干渉フィルタ：λｓ５−５（１０ｎ近
偵光伝導材：λ＋ ＝５（１０ｎｍ 、λ、、＝５２５
ｎ近イ以、ＥＯ４＝２．３６ｅＶ、 Ｃ＝０．７０近
似、Ｘ ＝Ｏ，！４ ９）電場発光材：緑色からオレンジ色への発光をもつＣ
ａＳ：Ｃｅ” 光伝導材：λ、−約５４０ｎｍ 、λ。４＝ ５６５ｎ
ｍ近似、ＥＯ４＝２．２０ｅＶ、 Ｃ＝０．６０、Ｘ
＝０．１０スクリーンの発光は青−緑色である。
実施例１０及び１１
これらの実施例は複数ラインをもつスペクトラム゛（第
４ｃ図）を有する電場発光材と関連する低域干渉フィル
タ（第４ｂ図）に関する。
４ｃ図）を有する電場発光材と関連する低域干渉フィル
タ（第４ｂ図）に関する。
１０）電場発光：青色の１ライン及び青−緑色の１ライ
ンをもッＺｎＳ：Ｔｂ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ：λ３ ＝ ５７０ｎｍ光伝導
材：λ＋ ＝５７０ｎｍ 、λ。４＝ ５９５ｎｍ近似
、Ｅ０４ ＝＝２．０８ｅＶ、、Ｃ＝０．４０、Ｘ ＝
０．０４スクリーンの発光は緑色 １１）電場発光材：青−緑色の１ライン及び赤色の１ラ
インをもつＳｒＳ：Ｐｒ” その他は上記例１０と同じ。
ンをもッＺｎＳ：Ｔｂ” ０ＲＩＥＬ干渉フィルタ：λ３ ＝ ５７０ｎｍ光伝導
材：λ＋ ＝５７０ｎｍ 、λ。４＝ ５９５ｎｍ近似
、Ｅ０４ ＝＝２．０８ｅＶ、、Ｃ＝０．４０、Ｘ ＝
０．０４スクリーンの発光は緑色 １１）電場発光材：青−緑色の１ライン及び赤色の１ラ
インをもつＳｒＳ：Ｐｒ” その他は上記例１０と同じ。
上記実施例１乃至１０において、表示装置の配置は第２
図及び５図乃至８図に示すもののいずれであってもよい
。
図及び５図乃至８図に示すもののいずれであってもよい
。
第５図および第６図に示す実施例において、従来の重合
体又はゼラチンをベースとした光学フィルタは、つぎの
観点からさけなければならない。
体又はゼラチンをベースとした光学フィルタは、つぎの
観点からさけなければならない。
即ち、フィルタは表示装置の製造において、電場発光及
び光伝導材の前に、蒸着され、そのため１５０〜２（１
０″Ｃの制約的熱サイクルを受ける。
び光伝導材の前に、蒸着され、そのため１５０〜２（１
０″Ｃの制約的熱サイクルを受ける。
このようなフィルタは１（１０°Ｃ以下の温度に耐え得
るに過ぎない。
るに過ぎない。
第１図は記憶効果を有する表示装置に使用する公知の光
伝導−電場発光構造体の概略断面図、第２図は本発明の
表示構造の構造を示す断面図、第３ａ図は本発明の表示
装置における周囲光の発光スペクトラムと可視スペクト
ラムを示すグラフ、第３ｂ図はフィルタの光導電スペク
トラムを示すグラフ、第３ｃ図は同表示装置における光
伝導材の発光スペクトラムを示すグラフ、第３ｄ図は同
表示装置における広帯域電場発光材（ＥＬ）の発光スペ
クトラムを示すグラフ、第３ｅ図は同表示装置における
複数のラインをもつ電場発光材の発光スペクトラムを示
すグラフ、第４ａ図は本発明の表示装置における周囲光
の発光スペクトラムを示すグラフ、第４ｂ図は同装置に
おけるフィルタの光導電スペクトラムを示すグラフ、第
４ｃ図は同装置における光伝導材の感光スペクトラムを
示すグラフ、第４ｄ及び第４ｅ図はそれぞれ同装置にお
ける広帯域電場発光材の発光スペクトラム及び複数ライ
ンをもつ同スペクトラムを示すグラフ、第５図は本発明
の表示装置の異る層又は膜の１配列例を示す断面図、第
６図は電極と電場発光構造間に光学フィルタを配置した
本発明の表示装置の断面図、第７図は二つの電極の位置
を逆にした本発明の表示装置の断面図及び第８図は光学
フィルタと電極の位置を逆にした構成の本発明の表示装
置の断面図。 図中、 ３０−第２電極、３２ 光伝導層、３４−電場発光層、
３６−第１電場、３８−透明基板、４０光学フイルタ、
４２〜周四周囲光光スペクトラム、４４−可視スペクト
ラム、４６−高域フィル夕の透過スペクトラム、４７ 透過スペクトラム。 広帯域フィルタ゛の Ｌ工一
伝導−電場発光構造体の概略断面図、第２図は本発明の
表示構造の構造を示す断面図、第３ａ図は本発明の表示
装置における周囲光の発光スペクトラムと可視スペクト
ラムを示すグラフ、第３ｂ図はフィルタの光導電スペク
トラムを示すグラフ、第３ｃ図は同表示装置における光
伝導材の発光スペクトラムを示すグラフ、第３ｄ図は同
表示装置における広帯域電場発光材（ＥＬ）の発光スペ
クトラムを示すグラフ、第３ｅ図は同表示装置における
複数のラインをもつ電場発光材の発光スペクトラムを示
すグラフ、第４ａ図は本発明の表示装置における周囲光
の発光スペクトラムを示すグラフ、第４ｂ図は同装置に
おけるフィルタの光導電スペクトラムを示すグラフ、第
４ｃ図は同装置における光伝導材の感光スペクトラムを
示すグラフ、第４ｄ及び第４ｅ図はそれぞれ同装置にお
ける広帯域電場発光材の発光スペクトラム及び複数ライ
ンをもつ同スペクトラムを示すグラフ、第５図は本発明
の表示装置の異る層又は膜の１配列例を示す断面図、第
６図は電極と電場発光構造間に光学フィルタを配置した
本発明の表示装置の断面図、第７図は二つの電極の位置
を逆にした本発明の表示装置の断面図及び第８図は光学
フィルタと電極の位置を逆にした構成の本発明の表示装
置の断面図。 図中、 ３０−第２電極、３２ 光伝導層、３４−電場発光層、
３６−第１電場、３８−透明基板、４０光学フイルタ、
４２〜周四周囲光光スペクトラム、４４−可視スペクト
ラム、４６−高域フィル夕の透過スペクトラム、４７ 透過スペクトラム。 広帯域フィルタ゛の Ｌ工一
Claims (11)
- （１）絶縁基板上に積層された単一の電場発光層（１６
、３４）及び一個の光伝導層（２０、３２）よりなり、
前記両層の集合体が前記電場発光層の一定領域を励起す
る電源（２４）に接続された第１及び第２電極（３６及
び３０）間に挿入されている記憶効果を有する電場発光
型単色表示装置であって、前記光伝導層の感光スペクト
ラムと周囲照明の発光スペクトラムとの重複領域が最少
であり、また前記電場発光層（３４）が前記感光スペク
トラムと前記電場発光層の発光スペクトラムとの重複領
域が最少であるように形成されていることを特徴とする
表示装置。 - （２）光学フィルタ（４０）が電場発光層（３４）と表
示観察者間に位置し、表示のために最も有用な電場発光
層の発光スペクトラム部分を通過させる一方、周囲の照
明の発光スペクトラムの一領域を閉塞し、前記光伝導層
（３２）の感光スペクトラムが基本的に前記領域内に含
まれていることを特徴とする請求範囲第１項記載の表示
装置。 - （３）電場発光層（３４）が広帯域又は多帯域発光スペ
クトラムで構成されていることを特徴とする請求範囲第
１項記載の表示装置。 - （４）前記光学フィルタ（４０）が高域、低域又は帯域
フィルタであることを特徴とする請求範囲第１項記載の
表示装置。 - （５）電場発光層（１６）が誘電体層の第１及び第２積
層（１４）及び（１８）間に配置されていることを特徴
とする請求範囲第１項記載の表示装置。 - （６）誘電体層（２１）の第３積層が光伝導層（２０）
と二つの電極（３０、３６）のうちの一つとの間に配置
されていることを特徴とする請求範囲第１項記載の表示
装置。 - （７）光伝導層（３２）が公式ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ
ｘ：Ｈ（但し０≦Ｘ≦１）で表わされる水化及び炭化非
結晶シリコンであることを特徴とする請求範囲第１項記
載の表示装置。 - （８）電極（３０、３６）が各々平行導電片で構成され
、第１電極（３６）の導電片が第２電極（３０）の導電
片と交錯していることを特徴とする請求範囲第１項記載
の表示装置。 - （９）前記第１電極（３６）が透明で、かつ透明基板（
３８）と接触しており、また前記第２電極（３０）が反
射性であることを特徴とする請求範囲第１項記載の表示
装置。 - （１０）前記光伝導層は公式ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣｘ
：Ｈ（但し０≦Ｘ≦０．５）で表わされる水化及び炭化
非結晶シリコンよりなることを特徴とする表示装置。 - （１１）前記光伝導層が公式ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣｘ
：Ｈ（但し０≦Ｘ≦０．５）で表わされる水化及び炭化
非結晶シリコンよりなることを特徴とする請求範囲第２
項記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8901747 | 1989-02-10 | ||
| FR8901747A FR2643180B1 (fr) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | Dispositif d'affichage monochrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262186A true JPH02262186A (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=9378667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028576A Pending JPH02262186A (ja) | 1989-02-10 | 1990-02-09 | 記録要素を備えた光伝導―電場発光型単色表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5055739A (ja) |
| EP (1) | EP0382642A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02262186A (ja) |
| FR (1) | FR2643180B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2774351B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1998-07-09 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP3127025B2 (ja) * | 1991-11-22 | 2001-01-22 | 株式会社デンソー | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
| EP0594170B1 (en) * | 1992-10-22 | 1998-01-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | An optical information processing element and a light-to-light converting device |
| EP0691798A3 (en) * | 1994-07-05 | 1996-07-17 | Ford Motor Co | Fluorescent electroluminescent lamp |
| WO1997024907A1 (en) * | 1995-12-30 | 1997-07-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device for performing display operation in accordance with signal light and driving method therefor |
| GB9713074D0 (en) | 1997-06-21 | 1997-08-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrically-conducting colour filters for use in organic light-emitting displays |
| US7755577B2 (en) * | 2005-09-26 | 2010-07-13 | Kyocera Corporation | Electroluminescent device |
| FR2827991A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-01-31 | Thomson Licensing Sa | Panneau de visualisation d'images forme d'une matrice de cellules electroluminescentes a effet memoire |
| FR2833741A1 (fr) * | 2001-12-18 | 2003-06-20 | Thomson Licensing Sa | Panneau de visualisation d'images forme d'une matrice de cellules electroluminescentes a effet memoire shuntees |
| JP4131218B2 (ja) | 2003-09-17 | 2008-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル、及び表示装置 |
| FR2869143A1 (fr) * | 2004-04-16 | 2005-10-21 | Thomson Licensing Sa | Panneau electroluminescent bistable a trois reseaux d'electrodes |
| IL176673A0 (en) * | 2006-07-03 | 2007-07-04 | Fermon Israel | A variably displayable mobile device keyboard |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3566014A (en) * | 1967-04-12 | 1971-02-23 | Autotelic Ind Ltd | Electroluminescent display systems |
| GB1245595A (en) * | 1967-09-11 | 1971-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Energy-responsive luminescent device |
| US3648052A (en) * | 1969-01-22 | 1972-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Solid-state image-converting device |
| US3699374A (en) * | 1971-07-15 | 1972-10-17 | Hughes Aircraft Co | Light activated, high resolution, field sustained conductivity image storage and display device |
| FR2175571B1 (ja) * | 1972-03-14 | 1978-08-25 | Radiotechnique Compelec | |
| US4035774A (en) * | 1975-12-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | Bistable electroluminescent memory and display device |
| FR2574972B1 (fr) * | 1984-12-18 | 1987-03-27 | Thioulouse Pascal | Dispositif d'affichage a effet memoire comprenant des couches electroluminescente et photoconductrice superposees |
| FR2602897B1 (fr) * | 1986-08-18 | 1988-11-10 | Thioulouse Pascal | Afficheur electroluminescent a photoconducteur a faible taux de remplissage |
| FR2605777B1 (fr) * | 1986-10-23 | 1989-02-17 | France Etat | Dispositif d'affichage electroluminescent utilisant du silicium amorphe hydrogene et carbone |
-
1989
- 1989-02-10 FR FR8901747A patent/FR2643180B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-08 EP EP90400348A patent/EP0382642A1/fr not_active Ceased
- 1990-02-08 US US07/477,300 patent/US5055739A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-09 JP JP2028576A patent/JPH02262186A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5055739A (en) | 1991-10-08 |
| FR2643180B1 (fr) | 1991-05-10 |
| FR2643180A1 (fr) | 1990-08-17 |
| EP0382642A1 (fr) | 1990-08-16 |
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