JPH02263132A - 半導体圧力センサの零点調整回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　　　要〕 本発明は半導体圧力センサにおける歪みゲージで構成さ
れるブリッジ回路に対する零点調整用の抵抗器を、上記
歪みゲージと同一工程で作成することにより、零点調整
並びに温度補償を共に高い精度で実現できるようにした
ものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体圧力センサの零点調整回路に係り、特
に半導体圧力センサにおけるブリッジ回路の温度補償に
優れた半導体圧力センサの零点調整回路に関する。

〔従来の技術〕

圧力センサは、非常に広範囲で利用できるものであり、
その用途は各種工業における計測、理化学分野、医用分
野、自動車、自動機械、ロボット、油圧空圧機器など多
岐にわたっている。

上記圧力センサは、金属ダイアフラム等に直接歪みゲー
ジ（ストレン・ゲージ）を貼りイ」げた金属歪みゲージ
式圧力センサとシリコン単結晶をダイアフラムとして使
用し、その表面の一部に歪みゲージ（ストレン・ゲージ
）となる拡散抵抗層を形成させた歪み半導体圧力センサ
（拡散型半立体圧力センサ）に大別される。

上記金属歪みゲージ式圧力センサは、歪みゲージの接着
が非常に難しく、大量生産に不向きであるという欠点が
あり、高精度、高信頼性を有し、生産性に優れた半導体
圧力センサが自動車用をはじめ各分野で利用されるよう
になっている。

半導体圧力センサは、例えば拡散抵抗層をダイアフラム
の中央部と周辺部にそれぞれ２個配置し、ブリッジに接
続して使用する。上記拡散抵抗層から成る歪みゲージは
、圧力よりも温度変化により敏感であり、上記半導体圧
力センサにおいては零点調整と共に温度補償が不可欠に
なっている。

第４図及び第５図は、そのような零点調整及び温度補償
を為し得るよう構成された従来の半導体圧力センサの回
路構成図である。

第４図及び第５図に示すように従来、物理量変化に応じ
て抵抗変化する歪みゲージＧ、、Ｇ２゜Ｇ　３　、、　
Ｇ　４を４辺に配設して、所謂フルブリッジ回路を構成
する際に、初めから存在する４辺の歪みゲージＧ、、Ｇ
２．Ｇ３．Ｇ、の抵抗値のアンバランスによるブリッジ
出力を零点調整する方法として歪みゲージＧ＋　、Ｇ２
　、Ｇ３　、Ｇ４　と直列または並列に外付けの零点調
整用可変抵抗Ｒ１Ｒ２，Ｒ３を挿入する方法が採られて
きた。しかしながら、上述のような従来の方法は、零点
調整によりブリッジ出力を零に調整したとしても、零点
調整用可変抵抗器（ＲＩ、またはＲＩ　、Ｒ２。

Ｒ，）を挿入した箇所の抵抗温度係数も変えてしまい、
従って温度変化に伴う熱出力（温度変化に対して歪みゲ
ージＧ１’＋　Ｇ２　、Ｇ３．Ｇａの受ける熱応力によ
り生ずるブリッジ出力あるいは温度変化に対して各歪み
ゲージの温度特性のバラツキにより生ずるブリッジ出力
）を増大させる結果となり使用中に零点が移動してしま
うという重大な欠点を有している。

この為、例えば第６図に示すように歪みゲージＧ３．Ｇ
４にそれぞれ直列に外イ１けの抵抗器Ｒ４Ｒ５を接続し
、さらに歪みゲージ０３．Ｇ４に並列にそれぞれ外付け
の抵抗器Ｒｂ、Ｒ７を接続して零点調整のみならず温度
補償も行うようにしたものが知られている（特開昭５６
−１４０２３号参照）。

しかしながら、このように外付ＬＪの直列抵抗器Ｒ４，
Ｒ５及び並列抵抗器Ｒ６，Ｒ７を設けて零点調整及び温
度補償を行うようにしても、零点調整や零点温度特性を
測定した後ブリッジ出力が零となり、かつ零点温度特性
を補償しえるように前記直列抵抗器Ｒ，’、Ｒ，及び並
列抵抗器Ｒ，，Ｒ７の抵抗値を算出し、さらにその算出
結果に等しい抵抗値が得られるように前記抵抗器Ｒ，’
、Ｒ，。

Ｒ６，Ｒ？に対してトリミングを行う作業が必要であっ
た。

さらに、再度零点出力値及び零点温度特性を測定しブリ
ッジ出力が零とならないが、または温度補償特性が良好
でない場合には、再度前記直列抵抗器Ｒ４、Ｒｓもしく
は前記並列抵抗器Ｒ６，Ｒ７に対してトリミングを行い
、各抵抗器の抵抗値を微調整する。

通常上記のような操作を試行錯誤的に何度が繰り返する
ことにより、実用し得る零点出力及び温度補償を有する
半導体圧力センサが得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述したように、前記従来のブリッジ回路では実用し得
るものを得るまでに多大な時間と労力を要する煩雑な作
業を行う必要があり、そのため生産性が低く、コストダ
ウンが難しいという問題があった。

本発明の課題は、零点調整が容易で、がっ零点温度補償
を行い得る半導体圧力センサの零点調整回路を提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的を達成するため、本発明は半導体基板をエツチ
ングして構成された半導体ダイアフラ・ム上に複数の歪
みゲージから成るブリッジ回路全形成して成る半シ一体
圧力センリ゛の前記フリノジ回路出力の零点調整を行う
ための半導体圧力セン→ノ°の零点調整回路において、 前記零点調整回路は、前記半導体圧力センサの前記ブリ
ッジ回路の◇；１．；子に直列または並列に接続された
零点調整用の１−リミング可能な抵抗器を含む複数の抵
抗器から成り、該複数の抵抗器は前記ダイアフラムか形
成された半導体基板と同一の基板に形成された前記歪み
ケージと同一の線幅を有する拡散層から成ることを特徴
とする。

前記零点調整回路内の前記抵抗器は、例えば請求項２に
記載しであるように前記歪めゲージと同一の線幅を有す
る拡散層から成る所定の抵抗値を有する単位抵抗器を直
列もしくは並列に導電材を介して複数個接続して成る。

〔作　　　用〕

請求項１記載の本発明の半導体圧力センサの零点調整回
路では、複数の歪めゲージから成るブリッジ回路を形成
して成る半導体圧力センサの前記ブリッジ出力の零点調
整を行うための半堺体圧力−レン゛す″の零点調整回路
において、零点調整回路の各抵抗器は、ブリッジ回路を
構成する歪みゲージが形成される半導体基板と同一・の
基板に形成される拡散層であり、その拡散層の線幅は前
記歪みゲージと同一幅となっている。

従って、ブリッジ回路を構成する歪めゲージと、零点調
整回路の各抵抗器を同一工程で同時に形成することか可
能であり、しかもブリッジ回路を構成する歪みゲージの
線幅と零点調整回路の各抵抗器の線幅か同一であること
から、歪みケージの抵抗値及び零点調整回路の各抵抗器
の抵抗値の温度係数はほぼ同一となる。

このため、零点調整回路内のトリミング可能な抵抗器に
対してトリミングを行ってブリッジ回路の零点調整（オ
フセット電圧を零にする調整）を行うだけで、温度補償
用の抵抗器を別に設ジノなくても、零点温度特性のイ■
れた半導体圧力センサを得ることか可能となる。また、
ブリッジ回路と零点調整回路を同一チップ上に形成でき
るため、半導体製造工程によりウェハ上に大量のチップ
を高速に製造することか可能となる。

また、請求項２記載の半導体圧力センサの零点電圧調整
回路Ｑこおいては、その回路内の零点調整用のトリミン
グ可能な抵抗器を、前記歪みゲージと同一の線幅を有す
る拡散層から成る所定の抵抗値を有する単位抵抗器を、
直列または並列に導電部材を介して複数個接続すること
により構成しているので、上記Ｉ・リミング可能な抵抗
器の抵抗値をトリミングにより非常に高精度に設定する
ことが可能となり、ブリッジ出力の零点調整を非常に高
精度で行うことが可能となる。

〔実　　施　　例〕

以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

第１図は本発明を適用した−・実施例である半導体圧力
センサ１の回路構成図である。同図において、ブリッジ
回路本体は例えば数關角のｎ型シリコン基板上の中央部
をエツチングして形成されるダイアフラム上に、例えば
ホウ素（Ｂｏｒｏｎ）を選択拡１１シまたはイオン注入
するごとにより形成する。半導体圧力センサ１の歪みゲ
ージである拡散抵抗Ｒｎ、Ｒｎ、Ｒｅ、ＲＤ　　（以後
、拡散抵抗Ｒ１１，Ｒ＋＋、Ｒｃ、Ｒｎを歪みゲージＲ
Ａ、Ｒ１１ＲＣ，ＲＤと表現する）を４辺とする閉回路
で構成し、その相対向する歪みゲージＲＡと歪みケージ
ＲＣ間と歪みゲージＲＢと歪みゲージＲ９間の端子間（
同図において、端子Ｂと端子Ｃの間）に定電流源ｌを接
続し、さらに上記端子間に上記定電流源■と並列にトリ
ミングにより抵抗値の調整が可能な抵抗素子Ｒ２を零点
調整用抵抗として直列に接続して成る。尚、上記抵抗素
子Ｒ１，Ｒ２を、以後トリミング抵抗素子Ｒ，，Ｒ２と
表現する。また、他の相対向する端子のうちの一方の端
子りと前記抵抗素子Ｒ５と前記抵抗素子Ｒ２との接続部
位Ｆ間に抵抗素子Ｒ３と抵抗素子Ｒ６を直列接続してい
る。そして、他方の端子へと前記抵抗素子Ｒ３と前記抵
抗素子Ｒ４の接続部位Ｅの間から出力電圧■。Ｕ＋を得
るようにしている。

上記構成において、定電流源■を除くブリッジを構成す
る歪みゲージＲＡ、ＲＢ＋　　ＲＣＩ　ＲＤ及び零点調
整用の抵抗素子Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ：ｌ　、Ｒ４はいずれ
も単一のｎ型シリコン基板上にボウ素（Ｂ　ｏ　ｒ　ｏ
　ｎ）の選択拡＋１Ｊ１．またはイオン注入を行うこと
により集積して形成している。

さらに詳しく説明すると、ブリッジ回路を構成する歪み
ゲージＲＡ、Ｒａ　、Ｒｃ　、Ｒｏ及び零点調整用の抵
抗素子Ｒ＋　、Ｒｚ　、’Ｒ３，Ｒ４は、いずれも同一
の線幅ｄで形成されている。

また、トリミング抵抗素子Ｒ＋、Ｒｚは、第２図に示す
ように歪みゲージＲＡ、Ｒｅ　、Ｒｃ　、ＲＤと同一の
線幅ｄを有する複数のＰ型シリコンから成る単位拡散抵
抗１０を直列または並列にコンタクトホール２０を介し
て上記単位拡散抵抗１０と良好なオーミック接触が得ら
れるＡ＃−３ｔ、Ａβ等からなる電極部材３０で配線す
ることにより構成されている。尚、上記Ａｊ２−３ｉ、
Ａ７！等から成る電極部材３０は、スパッタ法または真
空薄着法等により形成する。

また、同図において並列接続された単位拡散抵抗１０−
１．１０−２と単一の単位拡散抵抗１０３の間に形成さ
れた電極部材３０の線幅のより細くなっている箇所は、
フユーズトリミングまたはレーザにより切断されるトリ
ミング部３３　（３３−１）であり、そのトリミング部
３３（３３１）の両端には、フユーズトリミング時にト
リミング部３３を焼断するためにプローブを介して電圧
を印加するための電極パッド３２が形成されている。

上記構成のトリミング抵抗素子Ｒ，，Ｒ２及び零点調整
用の抵抗素子Ｒ，，Ｒ４は、いずれも歪みゲージＲＡ、
Ｒｓ　、Ｒｃ　、Ｒｎと同一工程（ボロンの選択拡散ま
たはイオン注入）により形成される。ところで、同一工
程で選択拡散またはイオン注入により形成される拡散抵
抗の温度係数は線幅に依存することが確認されている。

従って、同一工程で形成され、しかも同一線幅を有する
歪みゲージＲＡ、ＲＢ　、Ｒｃ　、ＲＤ及び零点調整用
の抵抗素子Ｒ，，Ｒ２，Ｒ，，Ｒ，はいずれも同一の温
度係数を有することになる。このため、零点調整用の抵
抗素子Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ３、Ｒａにより構成される零点
補償回路の調整を行って歪みゲージＲＡ、Ｒｎ　１．Ｒ
ｃ　、Ｒｅからなるブリッジ回路のオフセント電圧を零
に調整する零点調整を行うことにより、上記半導体圧力
センサ１が形成されているチップの周囲温度が変化して
も、零点温度特性が保障される。

尚、上記ブリッジ回路を定電圧駆動ではなく、定電流駆
動により行っているのは、半導体歪みゲージの感度が一
般的に温度上昇に伴って低下する傾向とその半導体歪み
ゲージの抵抗値が一般に正の温度係数を有しているとい
う特性を利用して、温度上昇による感度低下を抵抗値変
化によりキャンセルさせるためである。

次に、上記構成の拡散型半導体圧力センサ１の零点調整
の方法を説明する。

まず、調整前、前記端子Ａの電位■。が前記接続部位Ｅ
の電位■、よりも高い状態になっているものとして考察
する。

前記電位Ｖヶと前記電位■、を等しくしてその差動出力
を零にするため前記トリミング抵抗素子Ｒ２の抵抗値が
大きくなるように、前記トリミング部３３をフユーズ・
トリミングまたはレーザにより焼断するトリミング作業
を行い、前記接続部位Ｆの電位ＶＦを上げてゆく。やが
て電位■６と電位ＶＡが等しくなるとその差動出力は零
となり零点調整が終了する。而して、この間の前記電位
Ｖ、及び前記電位■、の変化の様子を知るために、前記
歪みゲージＲ８を流れる電流を１９、前記抵抗素子Ｒ３
、Ｒ４を流れる電流を１４で表し、前記トリミング抵抗
素子Ｒ１または前記トリミング抵抗素子Ｒ２の抵抗値を
トリミングにより調整することによって変化する電位、
電流の変化分を、その電位、電流を表す記号の前にΔを
付して表すと、 ΔＶ、＝Δ１０　Ｒｎ　＋Δ１．Ｒ３ 及びΔ■、−ΔＩＤＲＤ十Δ１４　　（Ｒｓ　”Ｒ４）
となる。ここで、Ｒ３＞＞　ＲＤ、　　Ｒ４ン〉ＲＤと
なるように抵抗素子Ｒ３，Ｒａ及び歪みゲージＲＤの抵
抗値を設定しておけばＩＤ休体−で、かっ■。

＝０とみなすことができるので、前弐のΔＩｎ　Ｒｎを
ほぼ零と見なすことができる。従って、ΔＶＦ−ΔＶＥ
　　（Ｒ３＋Ｒ４）／Ｒ：ｌと近似でき、前記接続部位
Ｅでの調整電圧（初期オフセソＩ・電圧）ｖＥを前記接
続部位Ｆにおいては（Ｒ３＋Ｒ４）／　Ｒｚ倍に増幅さ
せて測定することができる。

このように接続部位Ｆの電圧■、を測定することにより
ブリッジ回路の初期オフセット電圧ＶＥの増幅値を測定
しながら１−リミング調整を行うことが可能となり、ト
リミング抵抗素子Ｒ１，Ｒ２のトリミングにより零点調
整を非常に高い精度で、かつ容易に行うことが可能とな
る。換言すれば、前記接続部位Ｅにおける微小な電圧変
化を前記接続部位Ｆにおいて大きな電圧変化として測定
することができるから高精度の零点調整が可能となる。

一方、前記端子Ａの電位Ｖ。が前記接続部位Ｅの電位■
２よりも小さい状態になっている場合には、前記トリミ
ング抵抗素子Ｒ１の抵抗値が大きくなるようにトリミン
グを行うことにより上述の場合と同様にして零点調整を
行うことができる。

また、前述したように前記抵抗素子Ｒ，，Ｒ２Ｒ：ｌ、
Ｒ４及び前記歪めゲージＲＡ、ＲＥ、ＲＣＲ９は、同一
の線幅を有し、かつ同一工程で形成されるため、前記零
点調整用の前記トリミング抵抗素子Ｒ＋、Ｒｚ及び前記
抵抗素子Ｒ３，Ｒ４は前記歪みゲージＲＡ、ＲＢ、Ｒｃ
　、Ｒｏと同じ抵抗温度係数を有する。従って、ＲＡ　
＝　ＲＡｏ　（１十αＴ）、ＲＢ　−ＲＢＯ（ｌ＋αＴ
）　、　Ｒｃ　＝Ｒｃ。

（ｌ　十αＴ）　、　　Ｒｎ−ＲＤＯ（１＋αＴ）、Ｒ
，−Ｒ，ｏ（，１＋αＴ）、Ｒ２＝Ｒ２０（１＋αＴ）
、Ｒ３＝Ｒ３ｏ（１−１−αＴ’）　、　　Ｒ４””Ｒ
ｎｏ　（１４αＴ）の関係がある。但し、添字Ｏが何さ
れている抵抗値（ＲＡＧ、　ＲＢＯ，ＲＣＯ，ＲＤＯ，
ＲＩＧ、　Ｒ２０，Ｒ３０゜Ｒ４０）は零点調整時の温
度ｔ０°Ｃにおけるその抵抗素子の抵抗値、αは抵抗温
度係数、Ｔは前記零点調整時の温度ｔ。℃と任意の温度
ｔ３℃との温度差である。

以上のような関係にある前記ブリッジ回路を定電流駆動
すると、温度ｔ、’ｃにおいては、ＶＡ＝ＶＡｏ（ｌト
αＴ）　、　　ＶＥ　＝ＶＥＯ（１＋αＴ）となり、こ
れによりブリッジ回路の零点出力Ｖ。ＬＩＴは】　５ ＶＯＩＩＴ　　−ＶＡ　　　ＶＥ　　−（ＶＡＯＶＥＯ
）　　（１＋αＴ）となり、温度し。℃の零点調整時に
おいて■４゜■、。となるように微調整することにより
零点調整完了後に温度が任意の温度ｔ１℃に変化した場
合でも、零点（オフセット電圧）の温度変動を十分高精
度に小さくすることが可能となる。尚、前記数式におい
てＶヶ。、■、。は、それぞれ前記零点調整時の温度ｔ
。′Ｃにおける前記端子Δ、Ｅの電位である。

次に、前記トリミング抵抗素子Ｒ，，Ｒ，のトリミング
の方法を第２図を参照しながら説明する。

同図に示すようにトリミング抵抗素子Ｒ１もしくはＲ２
は、並列接続された単位拡散抵抗１０１．１０−２から
成る抵抗素子Ｒ１１、上記合成抵抗Ｒｈ＋に対し直列接
続された単位拡散抵抗１０３のみから成る抵抗素子Ｒｂ
ｚ、さらに上記抵抗素子Ｒｂｚに直列接Ｍｅされた直列
接続のｊｉ’＋位拡１１シ抵抗１０−４．１０−５から
成る抵抗素子Ｒ６３を有している。

ここで、単位拡散抵抗１０の抵抗値をＲ８とした場合、 Ｒ。

Ｒｂ＋＝　　　　　　　、　　Ｒｂｚ＝　Ｒｏ　　、　
　Ｒｂｚ＝　２　Ｒ。

となる。

以下、同様にして第２図においては特に図示していない
が、前記抵抗素子Ｒｈ２に順次直列接続された抵抗素子
Ｒｂ４　（−４ＲＯ）　、　Ｒｂｓ　（＝８ＲＯ）・・
・Ｒｂｎ（＝２れ−２・ＲＯ）が単位拡散抵抗ｌＯを複
数個直列接続して形成されている。ここで、上記抵抗素
子Ｒｈ＋、Ｒｈ□、Ｒｂｘ＋　　・・・Ｒ５，、を、そ
れぞれビット１、ビット２、ビット３、・・・ビットｎ
の抵抗素子と定義し、直列接続された抵抗素子Ｒｂ＋＋
　　Ｒｂｚ＋　　Ｒｂ３＋　　・・・Ｒｂ、、から成る
トリミング抵抗素子Ｒ１，Ｒ２をｎビットのトリミング
抵抗素子と呼ぶことにする。

上述したように、トリミング抵抗素子Ｒ＋、Ｒｚを構成
する抵抗素子Ｒｂｌ＋　　Ｒｂ２＋　　Ｒｂ３＋　　・
・・Ｒｂｎは高位ビットになるにつれ、抵抗値が順次２
の累乗で増加するようになっている。ところで、ＡＮＡ
μｍＳｉ等からなる電極材３０は、高い導電性を有して
おり、その電気抵抗値は拡散抵抗である単位拡散抵抗１
０の抵抗値に比較して非常に小さい値である。したがっ
て、いずれのトリミング部３３　　（３３−１，３３−
２，３３−３，・・・）も切断していない状態ではトリ
ミング抵抗ＲＩ。

Ｒ２の抵抗値はほぼ電極材３０の総抵抗値と等しくなる
。

そして、第２図におけるトリミング部３３−１をフユー
ズ・トリミングまたはレーザにより切断すると、トリミ
ング抵抗素子Ｒ，，Ｒ，の抵抗値はほぼＲ０／２となる
。

また、トリミング部３３−２のみをトリミングにより切
断した場合にはトリミング抵抗素子Ｒ１＋Ｒ２の抵抗値
はＲｏとなる。

このように、トリミング抵抗素子Ｒ１，Ｒｚの全抵抗値
ＲＬｏＬｍ　　は、フユーズ・トリミング又はレーザに
より切断するトリミング部３３の組み合せにより、 Ｒｔｏｔｍ　　＝　Ｒｈ＋　＋　Ｒｂｚ＋　Ｒｂ３・・
・Ｒｂ、１＋　・　・　・　ｎ　Ｒ６Ｘ　ｎ （Ｘ＋　、Ｘ２　、Ｘ３．・・・ＸＬｌは、「０」また
は「１」の値をとる。すなわち、トリミング部３３−ｉ
　　（ｉ＝１．２．３・＝ｎ）が切断された場合Ｘ、は
「１」となり、トリミング部３３−１が切断されない場
合には、Ｘ、は「０」となる） と表わすことができる。

したがって、ｎ個の抵抗素子Ｒｂ＋　＋　Ｒｂ、ｚ＋　
Ｒｂ、。

からなるトリミング抵抗素子Ｒ＋　、Ｒ２はフユーズ・
トリミングまたはレーザによるトリミング部３３の切断
により２″種類の抵抗値の設定が可能である。したがっ
て単位拡散抵抗１０の抵抗値Ｒ６をより小さくし、さら
に抵抗素子Ｒｈ、（ｉ＝１゜２、・・・ｎ）を高ビツト
化することにより高精度での微調整が可能となる。

また、第３図は本発明を適用した半導体圧力センサの他
の実施例を示す図である。尚、第３図において、前記第
２図に示したものと同一の部分に同一符号を記している
。第３図のものは、前記第１図のものの端子Ａ側にも前
記端子Ｂ側に設けた零点調整回路と同様の零点調整回路
を設けたものである。第３図において、抵抗素子Ｒ７ば
前記抵抗素子Ｒ８に、抵抗素子Ｒ８は前記抵抗素子Ｒ４
に、トリミング抵抗素子Ｒ６は前記抵抗素子Ｒ８に、ト
リミング抵抗素子Ｒ６は前記トリミング抵抗素子Ｒ２に
それぞれ対応するものである。この実施例において Ｒ７／　（Ｒ，？　＋　Ｒ１１）をＲ３／　（Ｒ３＋Ｒ
４）より大きくなるようにしておくと、前記端子Ａ側で
粗調整、前記端子Ｂ側で微調整が行えるようになり、こ
れにより実質的な零点が得られる調整範囲が拡がり、よ
り一層きめ細かな調整をすることができるようになる。

〔発明の効果〕

請求項１記載の半導体圧力センサの零点調整回路におい
ては、ブリッジ回路の歪みゲージと零点電圧調整回路の
抵抗器が同一半導体基板上に形成され、かつ同一の線幅
を有する拡散層により形成されるので、上記歪みゲージ
と上記零点調整回路の抵抗器を同一工程で形成すること
により、上記歪みゲージと上記零点調整回路の抵抗器の
温度係数をほぼ同一にすることが可能となる。このため
、ブリッジ回路出力の零点調整を行うだけで、特別に温
度補償用の抵抗器を設けなくても、零点温度特性の優れ
た半導体圧力センサを得ることが可能となる。また、半
導体圧力センサ及びその半導体圧力センサの零点調整回
路を同一の半導体基板上に製造すること、すなわち半導
体圧力センサ及びその半導体圧力センサの零点調整回路
を１チツプ化できるので、１つのウェハに上記零点調整
回路付半導体圧力センサのチップを同時に多数製造する
ことが可能となり、量産効果により製造コストの低減が
可能となる。

また、請求項２記載の半導体圧力センサによれば、上記
請求項１記載の零点電圧調整回路内の零点調整に使用す
るトリミング多能な抵抗器を、歪みゲージと同一の線幅
を有する拡散層から成る所定の抵抗値を有する単位抵抗
器を直列もしくは並列に導電部材を介して複数個接続す
ることにより構成しているので、任意の導電部材をフユ
ーズ１〜リミングまたばレーザ等により切断して抵抗ト
リミングを行うことにより上記零点調整用のトリミング
可能な抵抗器の抵抗値を高精度に調整することが可能と
なり、ブリッジ回路出力の零点調整を非常に高精度に行
うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した一実施例である半導体圧力セ
ンサの回路構成図、 第２図は零点調整用抵抗素子Ｒ＋　、Ｒ２の構成図、 第３図は本発明を適用した他の実施例である半導体圧力
センサの回路構成図、 第４図は従来の半導体圧力センサの一例を示す回路構成
図、 第５図は従来の半導体圧力センサの他の例を示す回路構
成図、 第６図は従来の零点調整及び温度補償可能な半導体圧力
センサの回路構成図である。 ＲＡ、Ｒｎ、Ｒｃ、Ｒ。 ・・歪みゲージ（拡散抵抗）、 Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，、、Ｒ６ ・・・トリミング抵抗素子（拡散抵抗）Ｒ３，Ｒ，、Ｒ
７，ＲＩ］ ・・抵抗素子（拡散抵抗）。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板をエッチングして形成された半導体ダ
   イアフラム上に複数の歪みゲージから成るブリッジ回路
   を形成して成る半導体圧力センサの前記ブリッジ回路出
   力の零点調整を行うための半導体圧力センサの零点調整
   回路において、 前記零点調整回路は、前記半導体圧力センサの前記ブリ
   ッジ回路の端子に直列または並列に接続された零点調整
   用のトリミング可能な抵抗器を含む複数の抵抗器から成
   り、該複数の抵抗器は前記ダイアフラムが形成された半
   導体基板と同一の基板内に形成された前記歪みゲージと
   同一の線幅を有する拡散層から成ること、 を特徴とする半導体圧力センサの零点調整回路。
2. （２）前記零点調整回路内の前記トリミング可能な抵抗
   器は、前記歪みゲージと同一の線幅を有する拡散層から
   成る所定の抵抗値を有する単位抵抗器を直列もしくは並
   列に導電部材を介して複数個接続して成ることを特徴と
   する請求項１記載の半導体圧力センサの零点調整回路。