JPH02263990A - 鉄―ニッケル合金メッキ膜の電解メッキ法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの磁性模に好適な鉄−ニッケル
合金いわゆるパーマロイをメッキするだめの電解メッキ
法に関し、メッキ浴中のニッケル２価イオン濃度を４０
〜８０ｇ／＆、鉄２価イオン濃度を１．０〜３．０ｇ／
（！、還元型アスコルビン酸濃度を０．５〜１．ｏｇ／
Ｑの範囲で管理すると共に、被メッキ物を処理したｍに
応じて浴温度を制御することにより、均質で高品位のメ
ッキ膜を簡単なメッキ浴管理で再現性良く成膜できるよ
うにするしのである。

〔従来の技術〕

磁気ヘッドのひとつである薄膜磁気ヘッド（以下、薄膜
ヘッドと略弥する）は、フォトリソグラフィ技術を利用
して製造できるので、バルク形ヘッドに比べて小形化が
容易であり、高周波損失の少ない高密度記録用のヘッド
として、また大量生産に適したヘッドとして注目されて
いる。

第１２図および第１３図は、現在実用化されている薄膜
ヘッドの構造を示すものである。この薄膜ヘッドは、基
板ｌ上に下部保護層２を介してパーマロイ製の下部磁性
層３が形成され、この上にギャップを形成するための非
磁性体からなるギャップ層４が形成され、この上に絶縁
層５で挟まれた導体コイル６が数層成膜され、最上部に
パーマロイ製の上部磁性層７が形成されたものである。

この種の薄膜ヘッドの磁気回路は、バルク形ヘッドの場
合と異なり、磁路の長さに比べて薄く形成されているの
で、導体コイル６の欠陥や磁性層３７の磁気特性の影響
を受は易い。特に、導体コイル６の断面積が最も小さく
なる上部磁性層７の断差部７ａにおいてその影響が大き
い。

このために、薄膜ヘッド用の磁性層３．７を形成する場
合には、段差部７ａでも欠陥が生じたり磁気特性が変化
しない成膜方法を採用することが望ましい。

このような要求に対処できる成膜方法として、電解メッ
キ法が用いられている。電解メッキ法は、スパッタや蒸
着等の真空装置での成膜に比較して段差部７ａの付き廻
りが良く、しかもプロセス中に加熱を行わなくても所望
の磁気特性の膜を形成できるといった浸れた特徴を有す
る。

薄膜ヘッドの磁性層３．７を成膜するのに適した電解メ
ッキ法として、米国特許４，１２０，７５６で提案され
た方法がある。ここで提案された電解メッキ法は、メッ
キ浴およびメッキ条件を第１表に示す範囲で制御する方
法である。

第１表 この電解メッキ法で用いるメッキ浴は鉄−二ノケルの無
機塩浴である。そしてこの電解メッキ法では、メッキ浴
を頻繁に採取、分近し、その結果に基づいて鉄２価イオ
ン（以下Ｆｅ”＋イオンと記す）とニッケル２価イオン
（以下Ｎｉ２＋イオンと記す）の濃度比を２５〜８６に
保ち、これにより形成されるメッキ膜の組成をコントロ
ールする。

この電解メッキ法によれば、メッキ膜のＮｉ含有率を８
０．０％±１％にコントロールでき、透磁率２０００以
上、保磁力０．１以下のメッキ膜を形成できると報告さ
れている。またこの電解メッキ法のように低濃度無機塩
浴中でメッキを行うと、メッキ膜への不純物の取り込み
を防止できろうえ、低温（室温程度）でメッキを行え、
しかも浴温度のメッキ膜組成への影響が少ないという特
徴があるとされている。

第１４図は、前記従来の電解メッキ法を実施する装置の
概略摺成図である。

この装置ではメッキ浴がリザーブタンク９とメッキ槽１
２との間を循環している。リザーブタンク９内には温度
検知センサ１７とヒータ１６が取り付けられておりｌ温
度コント［１−ラＩ５によって、リザーブタンク９内の
メッキ浴は一定の温度に保）これる。また二のリザーブ
タンク９内のメッキ浴のＦｅ２＋及び、Ｎ１２＋イオノ
濃度は、リザーブタンク９のメッキ浴ザンブル取り出し
口１９から定１ｇｌ的に採取したザンブルを分析したり
、あるいはオンラインの分析装置等を１没置することに
より割に監視されている。そしてＦｃ’＋イオン濃度が
低い場合は、Ｆｅ２＋補充液槽Ｉ８からＦｅ’＋イオン
を含む液が供給されるようになっている。

メッキ浴はリザーブタンク９から送出ポンプｌＯにより
メッキ槽１２に送られている。メッキ槽１２とリザーブ
タンク９との間にはフィルタＩＩが配置されており、こ
れによりメッキ浴に混入した不溶物およびメッキ浴中の
Ｆｅ”＋イオンが３（市に自然酸化されて生じた沈澱物
などが除去されるようになっている。

メッキ槽１２のメッキ浴は、攪拌装置【４によって適切
に攪拌されている。そして、攪拌されたメッキ浴は、所
定のパターンにレンストカットされたウエフア−表面を
流れて、ここにメッキ膜を形成ずろ。ウェファ−上を通
過したメッキ浴は俳８」ポンプ１３によって速やかにリ
ザーブタンク９に戻される。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記従来の電解メッキ法では、つぎのような問題　か　
ｆ丁　つ　ノと　。

■　前記従来の電解メッキ法のように低濃度の無機塩浴
を用いてメッキを行うと、メッキ膜組成のｄｌに度依存
性を小さくできる１１１点がある反面、メッキ膜組成の
電流密度依存性が大きくなってしまう。

第１５図および第１６図は、メッキ膜のＮｉ含有率と７
１Ｘ流密度との関係を示すものである。第１５図はＮｉ
’＋イオン濃度’　Ｏｇ／　Ｑｓ　Ｆ　ｅ”イオン濃度
０．５ｇ／（！で電解メッキを行った時の、第１６図は
Ｎｉ’＋イオンｆｙｃ度２５ｇ／Ｌ　Ｆｅ’＋イオン濃
度０．８ｇ／Ｑで電解メッキを行ったときの結果を示し
ている。これらのグラフからも判るように、低濃度の無
機塩浴を用いるとメッキ膜組成の電流密度依存性か大き
い。

このように前記従来の電解メッキ法では、メッキ膜組成
の電流密度数ｒｔ性か大きいため、前記従来の電解メッ
キ法でレジストカットされたウェハーに薄膜ヘッドの磁
性模３．７を部分メッキしようとすると、部分メッキに
起因する部分的な電流集中、すなわち電流の不均一性が
原因となって、形成されるメッキ膜の組成が不均一にな
る。このような組成の不均一なメッキ膜は薄膜ヘッドの
特性を、′コ艷化さＵ゛ろため、従来の電解メッキ法で
は薄膜ヘッドの不良率が高い問題があった。

■　メッキ浴中のＦｅ　ｔ　＋イオンの方がＮｉ２＋イ
オンよりも叶出し易いので、メッキ浴中のＦｅ’＋イオ
ンとＮｉ’＋イオンの濃度比（以下、Ｆ　ｅ”／　Ｎ　
ｉ　２＋比と記す）はメッキ処理の進行に伴って低下す
る。

前記従来の電解メッキ法では、低濃度の無機塩浴を用い
るので、この影響が大きくメッキ処理の進行に伴って前
記濃度比が急激に低下する。

そのうえ前記従来の電解メッキ法では、ｐ　ｅ　２　＋
イオンが自然酸化されて３価に変化し易いので、これ１
こよって乙Ｆｅ２＋イオンが減少する。このため従来の
電解メッキ法では、Ｎｉ２＋イオンが過ＩｒＩ＋ｊな状
態になり易い。

この濃度比の変化はメッキ膜の組成に大きな影響を与え
るため、前記従来の電解メッキ法ではメッキ浴を頻繁に
採取、分析してＦｅ！＋イオンを補充する必要かあり、
メッキ浴の管理に手間がかがる不満があった。

しから前記従来の電解メッキ法ではイオン濃度が低く保
たれるので、高精度な分析機器が必要になり設備費用か
高騰Ｖる問題があった。

■　また前記従来の電解メッキ法では、Ｆ　ｅｔ＋イオ
ンが酸化して生じた鉄３　ｆ１１ｉイオン（以下Ｆｅ３
＋イオンと記す）の沈澱がフィルター１１の目詰まりを
起こすために、比較的短時間にメッキ浴を交換しなけれ
ばならないという欠点がある。

しかもフィルタＨの下流で発生した微少のｐ　ｅ　３　
＋イオンの沈澱かメッキ［＋２内に常に存在しているた
め、これがメッキ膜に取り込まれて、メッキ膜の磁気特
性の劣化や表面状態の悪化等を引き８本発明は、均質で
かつ高品位のメッキ膜を簡ｍなメゾキ浴７Ｔ理て１１■
現性良く成膜できる鉄−ニッケル合金メッキ膜の電解メ
ッキ法を提供することを目的と４−る。

〔課題を解決４−るための手段〕 本発明のＦｅ−Ｎｉ合金メッキ膜の電解メッキ法では、
メッキ浴中のＮｌ■イオン濃度を４０〜８０ｇ／ｌ、Ｆ
ｅ”＋イオン濃度を１．０〜３．０ｇ／（、還元型アス
コルヒン酸濃度を０．５〜１．Ｏｇ／（！の範囲で管理
すると共に、被メッキ物を処理した量に応じて浴温度を
制御することを、課題解決の手段とした。

Ｎｉ！＋イオンａ京が４０ｇ／Ｑ未満になると、形成さ
れるメッキ膜の組成の電流依存性が犬になる不都合が生
じる。またＮｉ２イオン濃度が８０ｇ／ρを越えると形
成されるメッキ膜の磁気特性が損なわれるという不都合
が生じる。

またＰｃ”＋イオン！′３度か１〜３ｇ／（！の範囲を
外れた場合に乙、形成されるメッキ膜の磁気特性が還元
型アスコルビン酸濃度がＩｇ／（２を越えると、メッキ
膜に取り込まれる還元型アスコルビン酸の影響を無視で
きなくなる。また還元型アスコルビン酸の濃度が０．５
ｇ／Ｃ未満になるとメッキ浴中のＦｅ’＋イオンが分光
分析によって検知できる程度まで増大してしまう。

本発明の電解メッキ法においては、浴温度を被メッキ物
の処理数の増加に対応して下げることが望ましい。また
浴温度は３８〜４８℃の範囲内で制御されることが望ま
しい。

また本発明の電解メッキ法においては、メッキ浴のＰ　
Ｈを２８〜３，６の範囲に保つことが望ましい。

また本発明の電解メッキ法では、電流密度を１，５〜８
．０Ａ／ｄｍ”の範囲で制御することか望ましい。

［作用　］ 以上説明したように本発明の電解メッキ法は、メッキ浴
中のＮｉｔ＋イオン濃度が４０〜８０ｇ／Ｑ１Ｆｅ″＋
イオン濃度が１．０〜３．０ｇ／Ｑと高く設定されてい
るので、メッキ膜の組成の電流密度依存性は小となる。

従って所定パターンにレノストカットされたウェファ−
上に部分メッキする場合のように被メッキ物の電流密度
が不均一に成り易い場合でも、均質なメッキ膜を形成で
きる。

また本発明の電解メッキ法では、メッキ浴に還元型アス
コルビン酸が加えられているので、メッキ浴中のＦｅ’
＋イオンの自然酸化によるＦｅ３＋イオンへの変化が防
止される。このためメッキ膜へのＦｅ３＋イオンの混入
を防止でき高品質のメッキ膜を形成できる。

さらに本発明の電解メッキ法では、Ｆ　ｅ”イオン、Ｎ
ｉ１＋イオンを高濃度に含むメッキ浴を用いるので、メ
ッキ処理に伴うＦｅ”／Ｎｉ’＋比の変化が緩和される
。そのうえ、Ｆｅ’＋イオンの自然酸化が添加された還
元型アスコルビン酸により防止されているので、メッキ
浴中のＦｅ”＋の紘少がメッキ膜への取り込みのみに依
存し、Ｆ　ｅ”／　Ｎ　ｉ’＋比の変化はメッキ処理枚
数に依存した状態になる。

この状態で肢メッキ物を処理した量に応じて浴温度を制
御すると、Ｎｉ’＋イオンの析出速度とｐ　ｅ　２　＋
イオンの析出速度の温度依存性との差をＭ用して両行の
析出量を適切に補正でき、Ｆ　ｅ”／　Ｎ　ｉ”“比の
変化によるメッキ膜組成の変動が防止される。

従って本発明の電解メッキ法によれば、殆どメッキ浴の
分析・を行イつＣにメッキ膜を再現性よく成膜できる。

浴温度の制御は、具体的には、被メッキ物の処理数の増
加に対応して下げるように行なわれる。

Ｎｉ２＋イオンの析出速度はＰｅ”＋イオンの析出速度
よりも温度依存性が大きいので、浴温度が下げられると
、ＮＩ！“イオンの析出速度が低下して１．メッキ処理
に伴うＦ　ｅ”／　Ｎ　ｉ”＋比の低下の影響、すなわ
ちＦｅ’＋イオンに比較してのＮｉｔ＋イオンの比率が
増しＮｉ２十の析出量が増す傾向を抑制できる。

浴温度を３８〜４８℃の範囲内で制御すると、形成され
るメッキ膜の表面状態がより良好になる。

また本発明の電解メッキ法においては、メッキ浴のＰＨ
が２．８〜３．６の範囲から外れると、形成されるメッ
キ膜の磁気特性が低下する傾向が強まる。

また本発明の電解メッキ法では、電流密度を１．５〜８
．０Ａ／ｄｍ２の範囲で制御′４−ると、膜応力の小さ
いメッキ膜を形成できるうえ、メッキ膜組成の変動を最
小限に抑制できろ。

〔実施例〕

以下実施例にｔＬ”ｔって本発明の電解メッキ法冬説明
４−ろ。なお面記従来例と同一構成部分には同一符号を
付して説明を簡略化する。

（実施例１） 第２表に示す組成のメッキ浴を用いてウェファ−にメッ
キを行った。

第２表 第２表中、ナイカルＰＣ−３は膜応力低減のための添加
剤、ナイカルＷはメッキ而の濡れ性改善のために添加さ
れた界面活性剤である。またほう酸はメッキ浴のＰＩ［
を安定さける緩衝剤として添加された乙ので、これによ
りメッキ浴のＰ　Ｈの変動はメッキ９１０．２以内に保
たれている。

この実施例１の電解メッキ法では、−Ｆｅ−イオンをＮ
ｔｉ充する必要がないので、第１図に示す装置、ずなイ
つち前記従来の電解メッキ法で用いた装置から、メッキ
浴の組成を管理する部分（メッキ浴サンプル取り出し口
１９と、Ｆｅ’＋補充液槽１８）が省略された装置を用
いてメッキを行った。またこの実施例１で用いた装置の
メッキ槽３０は、第２図に示すようにウェファ−２１と
陽極２２とが対向するように設置され、その間にメッキ
浴の流路３１が形成されたものである。この流路３１の
メッキ浴は第２図中矢印（以下、移動方向と記す）ａで
示す一方向に動く櫂２３・・・によって攪拌されている
。またウェファ−２１の上下には、片側がヨーク２５で
連結された磁石２４．２４が配置されており、これによ
りウェファ−２量には櫂２３・・・の移動方向ａと直交
する方向すに磁場か加えられている。これによりウェフ
ァ−２量に形成されるメッキ膜には、４ＦＡ２３・・・
の移動方向ａに沿う方向が磁化困難軸になるように異方
性が付与されるようになっている。

以上のようなメッキ浴組成および装置を用いて、電流密
度４Ａ／ｄｍ″、浴温度４１℃でメッキを行ったところ
、Ｎｉ成分が８１±Ｉｗｔ％含まれたメッキ膜を形成で
きた。形成されたメッキ膜の膜応力を調べたところ殆ど
０であった。

（実施例２） 次に実施例１と同様の条件で、薄膜ヘッドの磁性層３．
７を形成する場合と同じ形状にレジストカットされたウ
ェファ−２１上にメッキを行った。

このようにして形成されたメッキ膜の１つのコアパター
ン内の各部分の成分を分析してＮｉ含有率を調べた。結
果を第３図に示す。この結果からこの電解メッキ法によ
れば、場所による組成のバラツキが少ない均質なメッキ
膜を形成できることが判明した。

（実施例３） ウェファ−２１ごとに電流密度を変えて、他は実施例１
と同様の条件でメッキを行い、形成されたメッキ膜の膜
応力と組成を調べた。膜応力と電流密度の関係を第４図
に、組成と７′ｌｉ流密度の関係を第５図に示す。

この結果から、電流密度か約４Ａ／ｄｍ″のときに膜応
力が小さくなることが判明した。

また組成の変動ら、電流密度４Ａ／ｄｍ”の近傍で最小
になることが判明した。

（実施例４） メッキ浴中のＦｅイオン濃度を１．５〜２．０ｇ／１２
まで変化させることによって、Ｎｉ含有率の異なるメッ
キ膜をウェファ−２１・・・上に形成し、各メッキ膜の
磁気特性を調べた（他のメッキ条件は実施例１と同様で
ある）。形成されたメッキ膜のＮｉ含有率は７７〜８４
ｗｔ％であった。またメッキ膜の厚さは３μｍであった
。

メッキされたウェファ−２１・・・から磁気特性測定の
ために第６図に示す形状のサンプルを切り出した。第２
図中矢印ｂ・・・は、メッキ処理中の印加磁界の方向で
ある。これらサンプルを２００℃の雰囲気下に置き、１
時間ずつ容易軸方向Ｃおよび困難軸方向ｄに４０〜５０
エルステツドの磁界を印加する熱処理を行った。

これら６サンプルの保磁力Ｈｃおよび透磁率μを、熱処
理前と熱処理後に測定した。結果を第７図および第８図
に示す（注：第７図および第８図中○は熱処理前、■は
熱処理後）。

これらの結果から、Ｎｉ成分が７８〜８３ｗｔ％含まれ
たメッキ膜は、再現性が非常に良好であることが判った
。（メッキ膜中のＮｉ含有率が７８％以下になると、異
方性磁界が小さくなるため異方性がやや不安定になる。

）。またＮｉ成分が７９〜８２ｗｔ％含まれているメッ
キ膜は、優れた軟磁気特性を示すことが判明した。

作成したメッキ膜の飽和磁界を測定したところ、いずれ
ら約１００００Ｇａｕｓｓであった。またビッカース硬
度（Ｈｖ）は、４６０〜４８０あった。この値はバルク
のＮｉ−Ｆｅ合金の値と比べても遜色ない値であった。

加えてこうして成膜されたメッキ膜は、スパッタ法で作
成されたＮｉ−Ｆｅ合金膜と異なり不純物のＡ「を含ま
ないので、飽和磁束密度が良好で、磁気特性のばらつき
も小さい優れた磁性膜となることが分かった。

（実施例５） 実施例１の条件で、還元型アスコルビン酸の濃度を０〜
２．０ｇ／Ｒまで変化させてメッキを行った。

その結果、アスコルビン酸を添加したことによる不純物
の影響は、Ｉｇ／＆以下で認められなかった。またアス
コルビン酸のＦｅ３＋からＦｅ”＋への還元効果を推持
のためには、最低０．５ｇ／Ｃの還元型アスコルビン酸
が必要であり、還元型アスコルビン酸濃度がこれ以下に
なると、Ｆｅ３＋が分光分析によって検知される程度ま
で増加してしまうことが判明した。

（実施例６） 実施例１と同様のメッキ浴を３０（連続的使用したとこ
ろ、初期に加えたＩｇ／（！の還元型アスコルビン酸で
ウェファ−１００枚まで問題なく処理できた。

この結果から還元型アスコルビン酸の濃度の低下は、メ
ッキ浴を使用することによって僅かに起こるものの、そ
のほとんどは自然酸化によるものであることが判明した
。

（実施例７） 実施例１で用いたメッキ浴を長期の使用に供した。その
際、還元型アスコルビン酸が酸化されて酸化型アスコル
ビン酸になり還元作用が低下するのを補う為に、還元型
アスコルビン酸を追加添加して還元型アスコルビン酸の
５度を０．５〜１．Ｏｇ／（！に保持した。またこの還
元型アスコルビン酸ｌオ加によるＰ　Ｈ低下を防止する
ためにＮｉｌ−０１１を１）１−１調整剤として加え、
Ｐ　Ｌ［を３　Ｉ〜３５の範囲でコントロールした。他
のメッキ条件は、実施例１と同様である。

このようにして形成されたメッキ膜の磁気特性を調べた
ところ殆ど変化なかった。

加えて、上記のようにメッキを行いつつメッキ浴のＦｅ
’＋イオンの１度とＮ１２＋イオンの濃度を調へたとこ
ろ、アスコルビン酸の濃度が上記の値に調節されている
ときには、メッキ浴中のＮｉ■イオン及びＦｅ２＋イオ
ンの減少はメッキ膜への取り込みに伴って減少すること
か判明した。

（実施例８） 第１図に示したメッキ装置にメッキ液を３０（入れて、
３インチのウェファ−２１・・を実施例１と同じ条件で
メッキ処理した。

このようにして形成されたメッキ膜のＮｉ含有率を調べ
て、メッキ処理枚数との関係を調査した。

結果を第９図に示す。

この結果から、メッキ処理枚数とＮｉ含有率との間には
、比例関係（０，０２Ｎ　１−ｗｔ％／枚）があること
が判明した。これは、メッキ浴中のＦｅ！“イオンがＮ
ｉ！＋イオンより多く電解付着されて、メッキ浴中のＦ
ｅ！＋イオンとＮｉ２＋イオンの濃度比が低下するため
であると考えられる。

（実施例９） メッキ浴の温度を変化させてメッキを行った。

他の条件は実施例８と同一である。

得られたメッキ膜の組成を分析して、Ｎｌ含有率と浴温
度との関係を調べた。結果を第１０図に示ｖ０ この結果から、浴温度の上昇と共にＮｉｈ＜析出し易く
なり、約１．ＯＮｉ−ｗｔ％／℃の関係があることが判
明、した。

（実施例１０） 実施例８．９から得た知見に基づいて、温度設定を−０
，０２℃／枚、実際には、ウェファ−２１・・・を５枚
処理する毎に０．１℃下げながら約１００枚のウェファ
−２１・・・をメッキ処理した。他の条件は実施例８と
同様に設定しｌコ。

このようにしてメッキ処理を行った結果、第１１図に示
すように、メッキ膜の組成を安定させることができた。

これはメッキ浴中のＦｅ’＋イオンとＮＩ′＋イオンの
濃度比が小さくなってメッキ膜のＮｉ含有率が大きくな
る傾向を、俗、・温度を下げてＮｉ１ｌ〒出速度を低下
させろことによって補正できたためである。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の電解メッキ法は、メッキ浴
中のＮｉ２＋イオン濃度が４０〜８０ｇ／（！。

Ｆｅ”＋イオン濃度が１．０〜３．０ｇ／Ｑと高く設定
されると共に、還元型アスコルビン酸が０．５〜１．０
ｇ／Ｑ添加されたメッキ浴を用いると共に、被メッキ物
を処理した量に応じて浴温度を制御するので、均質で高
品位のメッキ膜を簡単なメッキ浴管理で再現性良く成膜
できる。

すなわら、本発明の電解メッキ法では、Ｎｉｔ＋イオン
とＦｅ！＋イオンを高濃度に含むメッキ浴を用いるので
、メッキ膜組成の電流密度依存性を小さくでき、被メッ
キ物の電流密度の分布が不均一であってもメッキ膜組成
のばらつきを抑制できる。

従って本発明の電解メッキ法によると、均質なメッキ膜
を形成できる。

また本発明の電解メッキ法では、メッキ浴に還元型アス
コルビン酸が添加されているので、メッキ浴中のＦｅ’
＋イオンの自然酸化によるＦｅ３＋イオンへの変化が防
止される。従って本発明の電解メッキ法では、メッキ膜
にＦｅ３＋が取り込まれるのを防１ヒてき、メッキ膜の
品位を向上できる。またメッキ浴の寿命が長くなり、浴
管理の負担が軽減される。

さらに本発明の電解メッキ法では、Ｆｅ″＋イオン、Ｎ
ｉ’＋イオンを高濃度に含むメッキ浴を用いてＦ　ｅ”
／　Ｎ　ｉ”＋比の変化を緩和すると共に、Ｆｅ”イオ
ンの自然酸化を還元型アスコルビン酸で防止したので、
メッキ浴のＦ　ｅ”／　Ｎ　ｉ’＋比の変化がメッキ処
理枚数に依存した状態になっている。そのうえで本発明
の電解メッキ法では、被メッキ物を処理した爪に応じて
浴温度を制御するので、析出速度の温度依存性の差を利
用してＮｉｔ＋イオンとＦｅ”＋イオン析出量を是正で
き、Ｆｅ”／　Ｎ　ｉ２＋比の変化によるメッキ膜組成
の変動を抑制できる。

従って本発明の電解メッキ法によれば、殆どメッキ浴の
分析を行わずにメッキ膜を再現性よく成膜できる。

請求項２の電解メッキ法では、浴温度を被メッキ物の処
理数の増加に対応して下げるので、温度１１ｉ（７性の
大きなＮ　ｌ　ｔ　＋イオンの析出速度をＦｅ″＋イオ
ンの析出速度よりも大幅に低下させて、メッキ処理に伴
い低下したＰ　ｅ”／　Ｎ　ｉ”十比の影響を抑制でき
る。従って請求項２の電解メッキ法によれば、メッキ浴
の分析を行わずに声ツキ膜を再現性良く成膜できる。

請求項３の電解メッキ法では、浴温度を３８〜４８℃の
範囲内で制御するので、表面状態のより良好なメッキ膜
を形成できる。

請求項４の電解メッキ法ではメッキ浴のＰ　Ｈを２．８
〜３．６の範囲に保つので、磁気特性のより良好なメッ
キ膜を形成できる。

請求項５の電解メッキ法では電流密度を１．５〜８．０
Ａ／ｄｎ＋”の範囲で制御するので、膜応力がより小さ
くかつ均質なメッキ膜を形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電解メッキ法を実施するのに好適な装
置を示す概略図、 第２図は同装置のメッキ槽の部分を示す斜視図、第３図
は実施例２で調べたウェファ−上の１つのコアパターン
内の各部分のメッキ膜組成を示す図、 第４図は実施例３でｉｌ、′Ｊべたメッキ膜応力と７ｔ
ｉ流密度の関係を示すグラフ、 第５図は実施例３で調べたメッキ膜組成の電流密度依存
性を示すグラフ、 第６図は実施例４で測定に供したメッキサンプルの形状
と磁界方向の関係を示す斜視図、第７図は実施例４で調
べたメッキ膜の組成と保磁力の関係を示すグラフ、 第８図は実施例４で調べたメッキ膜の組成と透磁率の関
係を示すグラフ、 第９図は実施例８で調べた３インヂウエフアーをメッキ
処理した時のメッキ処理枚数とメッキ膜のニッケル含有
率の変化との関係を示すグラフ、第１Ｏ図は実施例９で
調べたメッキ膜のニッケル含有率とメッキ浴温度の関係
を示すグラフ、第１１図は実施例１０の電解メッキ法で
処理した時のメッキ膜のニッケル含有率と処理枚数の関
係を示すグラフ、 第１２図は薄膜ヘッドの構成を示す斜視図、第１３図は
薄膜ヘッドの構成を示す断面図、第１４図は従来の電解
メッキ法を実施する装置を示す概略図、 第１５図はメッキ浴中のＮｉ″＋イオン濃度がｌＯｇ／
＋２の場合のメッキ膜のニッケル含有率の電流密度依存
性を示すグラフ、 第１６図はＮ１２＋イオン濃度２５ｇ／（！におけるメ
ッキ膜のニッケル含有率の電流密度依存性を示すグラフ
である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）メッキ浴の ニッケル２価イオンの濃度を４０〜８０ｇ／ｌ、鉄２価
   イオンの濃度を１．０〜３．０ｇ／ｌ、還元型アスコル
   ビン酸の濃度を０．５〜１．０ｇ／ｌの範囲で管理する
   と共に、被メッキ物を処理した量に応じて浴温度を調整
   することを特徴とする鉄−ニッケル合金メッキ膜の電解
   メッキ法。
2. （２）被メッキ物の処理数の増加に合わせて、前記浴温
   度を下げることを特徴とする請求項１記載の鉄−ニッケ
   ル合金メッキ膜の電解メッキ法。
3. （３）メッキ浴温度を３８〜４８℃の範囲で制御するこ
   とを特徴とする請求項１記載の鉄−ニッケル合金メッキ
   膜の電解メッキ法。
4. （４）メッキ浴のＰＨを２．８〜３．６の範囲で制御す
   ることを特徴とする請求項１記載の鉄−ニッケル合金メ
   ッキ膜の電解メッキ法。
5. （５）電流密度を１．５〜８．０Ａ／ｄｍ＾２の範囲で
   制御することを特徴とする請求項１記載の鉄−ニッケル
   合金メッキ膜の電解メッキ法。