JPH02263996A - バンプめっき設備及びめっき法 - Google Patents
バンプめっき設備及びめっき法Info
- Publication number
- JPH02263996A JPH02263996A JP2003299A JP329990A JPH02263996A JP H02263996 A JPH02263996 A JP H02263996A JP 2003299 A JP2003299 A JP 2003299A JP 329990 A JP329990 A JP 329990A JP H02263996 A JPH02263996 A JP H02263996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plating
- equipment
- bump
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0444—Apparatus for wiring semiconductor or solid-state device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は集積回路装置の製造、より詳細には半導体ウェ
ーハ上の金属化回路パターン上にメタルバンプを電鍍す
る設備に関する。
ーハ上の金属化回路パターン上にメタルバンプを電鍍す
る設備に関する。
［従来の技術］
メタルバンプコンタクトは集積回路を基板へ電気的に接
続するフリップチップ技術及び集積回路をリードフレー
ムに電気的に接続するＴＡＢ （テープ自動化ボンディ
ング）に使用することができる。代表的に、バンプはウ
ェーハ上のホトレジストパターンにより決定される位置
において、半導体ウェーハの表面上の金属化集積回路コ
ンタクト上へ電鍍される。
続するフリップチップ技術及び集積回路をリードフレー
ムに電気的に接続するＴＡＢ （テープ自動化ボンディ
ング）に使用することができる。代表的に、バンプはウ
ェーハ上のホトレジストパターンにより決定される位置
において、半導体ウェーハの表面上の金属化集積回路コ
ンタクト上へ電鍍される。
ウェーハ上にバンプコンタクトを電ｍｉる一般的な従来
技術はウェーハの表面をホトレジストでパターン化し、
ウェーハの背面をホトレジストやワックスでコーティン
グして背面のめっきを防止し、次にバンプめつき工程を
実施しながらウェーハをめつき槽内に垂直に保持するラ
ック内につ工−ハを配置することにより行われる。
技術はウェーハの表面をホトレジストでパターン化し、
ウェーハの背面をホトレジストやワックスでコーティン
グして背面のめっきを防止し、次にバンプめつき工程を
実施しながらウェーハをめつき槽内に垂直に保持するラ
ック内につ工−ハを配置することにより行われる。
米国特許第４，１３７，８６７号にはめつきされるウェ
ーハの背面に背面のめっきを防止するためのコーティン
グを必要としないバンプめつき設備が開示されている。
ーハの背面に背面のめっきを防止するためのコーティン
グを必要としないバンプめつき設備が開示されている。
この設備ではバンプめつきの処理ステップ数を減らすこ
とによりコスト節減が実現される。すなわち、ウェーハ
の背面コーティングに伴うステップが不要となる。これ
は、めっき槽の表面においてウェーハを手向きに保持す
る設備により可能とされる。ウェーハの表面だけがめつ
き槽と接触し、背面は窒素ガス流を背面に指向させるこ
とにより乾燥されたままとされる。
とによりコスト節減が実現される。すなわち、ウェーハ
の背面コーティングに伴うステップが不要となる。これ
は、めっき槽の表面においてウェーハを手向きに保持す
る設備により可能とされる。ウェーハの表面だけがめつ
き槽と接触し、背面は窒素ガス流を背面に指向させるこ
とにより乾燥されたままとされる。
前記いずれの従来技術でもウェーハ面上のホトレジスト
内のバンプバイアス（ウェーハ上でバンプがめつきされ
るホトレジスト内の円筒状空洞）内に捕獲される空気バ
ブルにより歩留りが低下する。バブルはバイアス内のめ
つき溶液を排除させ且つバブルのある所でバンプめつき
が行われるのを防止するか、もしくは不当な形状や高さ
のバンプめっきが行われる原因となる。めっき工程中に
めっき溶液、すなわちめっき槽を循環させる必要があり
、バブルを発生させずにめっき槽を循環させるのは極め
て困難である。めつき槽内で垂直もしくは下向き方位を
有するウェーハにめっきを行う場合、バイアス内に空気
バブルが捕獲される可能性が存在する。これら従来技術
のウェーハ配置では、ウェーハ表面上のホトレジストコ
ーティングを厚くするとバイアス内にバブルが捕獲され
る可能性が高まる。
内のバンプバイアス（ウェーハ上でバンプがめつきされ
るホトレジスト内の円筒状空洞）内に捕獲される空気バ
ブルにより歩留りが低下する。バブルはバイアス内のめ
つき溶液を排除させ且つバブルのある所でバンプめつき
が行われるのを防止するか、もしくは不当な形状や高さ
のバンプめっきが行われる原因となる。めっき工程中に
めっき溶液、すなわちめっき槽を循環させる必要があり
、バブルを発生させずにめっき槽を循環させるのは極め
て困難である。めつき槽内で垂直もしくは下向き方位を
有するウェーハにめっきを行う場合、バイアス内に空気
バブルが捕獲される可能性が存在する。これら従来技術
のウェーハ配置では、ウェーハ表面上のホトレジストコ
ーティングを厚くするとバイアス内にバブルが捕獲され
る可能性が高まる。
ＴＡＢもしくはフリップチップ技術で使用する場合には
、バンプは高い方が望ましい。コンピュータストレスモ
デリングを含む研究により、短いバンプよりも応力が緩
和され信頼度が高まるごとが判った。壁形成バンプの高
さはウェーハ面上のホトレジストの厚さに等しい。バイ
アスの深さはホトレジストの厚さに等しいため、深いバ
イアスにより高いバンプが生成されることは明白である
。
、バンプは高い方が望ましい。コンピュータストレスモ
デリングを含む研究により、短いバンプよりも応力が緩
和され信頼度が高まるごとが判った。壁形成バンプの高
さはウェーハ面上のホトレジストの厚さに等しい。バイ
アスの深さはホトレジストの厚さに等しいため、深いバ
イアスにより高いバンプが生成されることは明白である
。
めっき作業中にウェーハが垂直もしくは下向き方位を有
する従来ユ術の一工程によりバンプめっきされるウェー
ハ上にバイアスがある場合には、深いバイアスは浅いバ
イアスよりも一層バプルを捕獲しがちである。バンプ（
もしくはバイアス）のアスペクト比は幅で除した高さ（
深さ）として定義される。アスペクト比がおよそ０．４
もしくはそれ以上に達すると、米国特許第４，１３７．
８６７号に開示された方法でめっきされるウェーハのバ
イアス内に多くのバブルが捕獲される。アスペクト比が
およそ０．４よりも小さい場合には、設備内に生じてウ
ェーハ面に接触するバブルはめつき槽の循環によりウェ
ーハ面に沿って移動してウェーハ縁で排出することがで
きる。従って、つニー凸面に到達するバブルはバイアス
内に捕獲されない。およそ０．４の臨界比に達すると、
槽の流れによりバブルをバイアスから掃出することがで
きなくなり、バブルのあるバイアス内におけるめっきは
完全に防止されるかもしくは奇形のバンプとなる。
する従来ユ術の一工程によりバンプめっきされるウェー
ハ上にバイアスがある場合には、深いバイアスは浅いバ
イアスよりも一層バプルを捕獲しがちである。バンプ（
もしくはバイアス）のアスペクト比は幅で除した高さ（
深さ）として定義される。アスペクト比がおよそ０．４
もしくはそれ以上に達すると、米国特許第４，１３７．
８６７号に開示された方法でめっきされるウェーハのバ
イアス内に多くのバブルが捕獲される。アスペクト比が
およそ０．４よりも小さい場合には、設備内に生じてウ
ェーハ面に接触するバブルはめつき槽の循環によりウェ
ーハ面に沿って移動してウェーハ縁で排出することがで
きる。従って、つニー凸面に到達するバブルはバイアス
内に捕獲されない。およそ０．４の臨界比に達すると、
槽の流れによりバブルをバイアスから掃出することがで
きなくなり、バブルのあるバイアス内におけるめっきは
完全に防止されるかもしくは奇形のバンプとなる。
バンプに関するもう一つの重要な特徴はその平坦度であ
る。平坦度は１個の集積回路もしくは全体ウェーハ上の
最高及び最低バンプ間の高さの差により表わされる。例
えば、１個のチップ上の全てのバンプが正確に同じ高さ
であれば、それらの頂面は共通面内にあり平坦度の差は
ゼロとなる。
る。平坦度は１個の集積回路もしくは全体ウェーハ上の
最高及び最低バンプ間の高さの差により表わされる。例
えば、１個のチップ上の全てのバンプが正確に同じ高さ
であれば、それらの頂面は共通面内にあり平坦度の差は
ゼロとなる。
チップ上の最高バンプが３０ミクロンで最低バンプが２
８ミクロンであれば、チップの平坦度の差は２ミクロン
となる。平坦度の差が低いと、平坦度は高いということ
ができる。
８ミクロンであれば、チップの平坦度の差は２ミクロン
となる。平坦度の差が低いと、平坦度は高いということ
ができる。
平坦度は組立時に良好な集積回路の歩留りに影響を及ぼ
すので重要である。ＴＡＢもしくはノリップチップ工程
を使用したバンプと電気的接触を行う方法では、平坦度
が高い場合に歩留りが最高となり、平坦度の低下と共に
歩留りが低下する。
すので重要である。ＴＡＢもしくはノリップチップ工程
を使用したバンプと電気的接触を行う方法では、平坦度
が高い場合に歩留りが最高となり、平坦度の低下と共に
歩留りが低下する。
平坦度が低いと、バンプの中の１個が良好な電気的接触
を行わない可能性が高まる。これはノリツブチップの場
合特にそうであり、それはバンプに電気的に接続される
基板は実質的に平坦な表面を有するためである。チップ
上の１個のバンプの接触ロスにより全体チップのアセン
ブリが失敗する。
を行わない可能性が高まる。これはノリツブチップの場
合特にそうであり、それはバンプに電気的に接続される
基板は実質的に平坦な表面を有するためである。チップ
上の１個のバンプの接触ロスにより全体チップのアセン
ブリが失敗する。
低平坦度はバンプバイアス内に捕獲されるバブルにより
生じ、バブルはバブルを捕獲していないバイアス内のバ
ンプのめっきを行うかもしくはバンプがいくらかでもめ
っきされるのを防止する。チップ当りのバンプ数が増大
すると、チップ上のバンプバイアスの一つがバブルを捕
捉する機会が高まる。
生じ、バブルはバブルを捕獲していないバイアス内のバ
ンプのめっきを行うかもしくはバンプがいくらかでもめ
っきされるのを防止する。チップ当りのバンプ数が増大
すると、チップ上のバンプバイアスの一つがバブルを捕
捉する機会が高まる。
ウェーハが下向き方位でバンプめつぎされると、高いバ
ンプをめっきして１７１時に平坦度歩留りロスを防止す
る唯一の公知の方法はアスペクト比の低いホトレジスト
をパターン化する、すなわち浅いバンプバイアスとする
ことである。アスペクト比が低い時に高いバンプを得る
ためには、マツシュルーム状となるようにバンプを重ね
めっきしなければならない。゛ゝマツシュルーム″の頭
部はホトレジストの厚さと同じ高さのバンプをめっき工
程により形成した侵ホトレジスト表面に沿って横方向に
拡がる金属化めっきにより形成される。この重ねめっき
、すなわちマツシュルーム頭部、はホトレジストをウエ
ーハヘロックしてホトレジストの最終除去を複雑化させ
る。また、バンプは互いに２つの隣接バンプの重ねめっ
き出よりも接近して配置することができず、チップ上の
バンプ密度が制限される。例えば、バンプ重ねめっきが
０．０２５４ａｅ（１ミル）であれば、バンプはウェー
ハヒで少くとも０．０５０８ｍ（２ミル）分離させなけ
ればならない。
ンプをめっきして１７１時に平坦度歩留りロスを防止す
る唯一の公知の方法はアスペクト比の低いホトレジスト
をパターン化する、すなわち浅いバンプバイアスとする
ことである。アスペクト比が低い時に高いバンプを得る
ためには、マツシュルーム状となるようにバンプを重ね
めっきしなければならない。゛ゝマツシュルーム″の頭
部はホトレジストの厚さと同じ高さのバンプをめっき工
程により形成した侵ホトレジスト表面に沿って横方向に
拡がる金属化めっきにより形成される。この重ねめっき
、すなわちマツシュルーム頭部、はホトレジストをウエ
ーハヘロックしてホトレジストの最終除去を複雑化させ
る。また、バンプは互いに２つの隣接バンプの重ねめっ
き出よりも接近して配置することができず、チップ上の
バンプ密度が制限される。例えば、バンプ重ねめっきが
０．０２５４ａｅ（１ミル）であれば、バンプはウェー
ハヒで少くとも０．０５０８ｍ（２ミル）分離させなけ
ればならない。
米国特許第４．１３７．８６７号に開示された設備のも
う一つの不利な点は、設備を全くとは言わないまでも容
易に移動させることができないため、めっきを行う前に
ウェーハに必要な予浸漬もしくは洗浄処理はウェーハを
設備内にａ置する前に行わなければならないことである
。予浸漬や洗浄はめつき工程自体を開始する前に・クエ
ーハ面から酸化物等を除去することである。ウェーハが
洗浄後に干上る場合には、その表面に酸化物が再形成さ
れウェーハを洗浄槽内で再洗浄しなければならない。再
酸化を防止するために、ウェーハは洗浄槽から取り出し
た後およそ１０秒以内にめつき槽内に配置しなければな
らない。
う一つの不利な点は、設備を全くとは言わないまでも容
易に移動させることができないため、めっきを行う前に
ウェーハに必要な予浸漬もしくは洗浄処理はウェーハを
設備内にａ置する前に行わなければならないことである
。予浸漬や洗浄はめつき工程自体を開始する前に・クエ
ーハ面から酸化物等を除去することである。ウェーハが
洗浄後に干上る場合には、その表面に酸化物が再形成さ
れウェーハを洗浄槽内で再洗浄しなければならない。再
酸化を防止するために、ウェーハは洗浄槽から取り出し
た後およそ１０秒以内にめつき槽内に配置しなければな
らない。
本発明はめっき槽内でウェーハを上向き方位に保持する
可搬型バンプめつき設備を提供する。本設備はウェーハ
背面と接触し且つめつき槽がウェーハ背面と接触するの
を防止するシールを形成するエラストマーパッド（ｅｌ
ａｓｔｏｍｅｒ ｐａｄ ）を含んでいる。本設備はま
たウェーハ面上の金属化部とカソード電気接続を形成す
る手段、及びウェーハ而よりも上に配置されためつきア
ノードを含んでいる。本設備はウェー凸面より上でウェ
ー凸面とアノード間においてめっき槽の流れに対して開
かれている。
可搬型バンプめつき設備を提供する。本設備はウェーハ
背面と接触し且つめつき槽がウェーハ背面と接触するの
を防止するシールを形成するエラストマーパッド（ｅｌ
ａｓｔｏｍｅｒ ｐａｄ ）を含んでいる。本設備はま
たウェーハ面上の金属化部とカソード電気接続を形成す
る手段、及びウェーハ而よりも上に配置されためつきア
ノードを含んでいる。本設備はウェー凸面より上でウェ
ー凸面とアノード間においてめっき槽の流れに対して開
かれている。
本発明の設備におけるウェーハの上向き方位によりバブ
ルがバンプバイアス内に捕獲されるのが防止され、従っ
て捕獲されたバブルが平坦度の低下や個別バンプの変形
の原因となることが解消される。試験により、本発明の
設備内に生成される高いバンプの平坦度は従来技術によ
り生成される高いバンプの平坦度よりも実質的に高いこ
とが判った。
ルがバンプバイアス内に捕獲されるのが防止され、従っ
て捕獲されたバブルが平坦度の低下や個別バンプの変形
の原因となることが解消される。試験により、本発明の
設備内に生成される高いバンプの平坦度は従来技術によ
り生成される高いバンプの平坦度よりも実質的に高いこ
とが判った。
本発明の設備により厚いホトレジストを使用して重ねめ
っきのないまっすぐな側面と平坦な頂部を有する高いバ
ンプ、すなわち円筒状バンプを形成することができる。
っきのないまっすぐな側面と平坦な頂部を有する高いバ
ンプ、すなわち円筒状バンプを形成することができる。
Ｃれにより、バンプの歪が良好に緩和される集積回路デ
バイスを製造することができる。また、重ねめっきが行
われないためバンプは互いに近接配置することができ、
それは集積回路チップが外界に対して高密度の電気的コ
ンタクト（バンプ）を有することができることを意味す
る。
バイスを製造することができる。また、重ねめっきが行
われないためバンプは互いに近接配置することができ、
それは集積回路チップが外界に対して高密度の電気的コ
ンタクト（バンプ）を有することができることを意味す
る。
本発明の設備内に載置されたウェーハの背面はエラスト
マパッドによりめっき槽へ露呈されず、従ってホトレジ
スト、ワックスもしくは他の保護コーティングにより背
面を保護するための余分のステップを必要としない。
マパッドによりめっき槽へ露呈されず、従ってホトレジ
スト、ワックスもしくは他の保護コーティングにより背
面を保護するための余分のステップを必要としない。
本発明の設備によりウェーハをその中にｖｌ置し次に水
や（硫酸等の）酸洗いもしくは除垢溶液等の洗浄溶液に
浸漬して酸化物を除去することによりウェーへ面を洗浄
することができる。次に、ウェーハを含む、全体設備を
洗浄液から取り出しつ１−ハ自体に触れることなくめつ
き槽へ運ぶことができる。直接ウェーハに触れる必要が
ないため、ウェーハを汚染もしくは破損させる機会が最
小限とされ、ウェーハを洗浄槽からめつき溶液へ運ぶの
に要する時間が最小限とされる。従って、本発明により
提供される設備によりウェーハ表面に酸化物が再形成さ
れる危険性がほとんどなしにウェーハを洗浄槽からめつ
き槽へ転送することができる。
や（硫酸等の）酸洗いもしくは除垢溶液等の洗浄溶液に
浸漬して酸化物を除去することによりウェーへ面を洗浄
することができる。次に、ウェーハを含む、全体設備を
洗浄液から取り出しつ１−ハ自体に触れることなくめつ
き槽へ運ぶことができる。直接ウェーハに触れる必要が
ないため、ウェーハを汚染もしくは破損させる機会が最
小限とされ、ウェーハを洗浄槽からめつき溶液へ運ぶの
に要する時間が最小限とされる。従って、本発明により
提供される設備によりウェーハ表面に酸化物が再形成さ
れる危険性がほとんどなしにウェーハを洗浄槽からめつ
き槽へ転送することができる。
［実施例］
第１図に示すように、設備１は頂板２、アノード３、フ
レーム４、エラストマーバッド５．３本のカソード針６
、及び底板７を含んでいる。頂板２及び底面７はプラス
チック等の電気絶縁材により構成され、好ましくはフレ
ーム４も絶縁体ではあるが、めっき槽及び洗浄溶液に対
して絶縁被覆されておれば８Ｉ電性とすることができる
。
レーム４、エラストマーバッド５．３本のカソード針６
、及び底板７を含んでいる。頂板２及び底面７はプラス
チック等の電気絶縁材により構成され、好ましくはフレ
ーム４も絶縁体ではあるが、めっき槽及び洗浄溶液に対
して絶縁被覆されておれば８Ｉ電性とすることができる
。
アノード３は設備１の頂部に配置され、第１図及び第２
図に示すように、７ノードねじ８により頂板２に取り付
けられている。めっき給電の正端子は接続部１０におけ
るアノード１ツイヤ９及びアノードねじ８によりアノー
ド３に接続されている。
図に示すように、７ノードねじ８により頂板２に取り付
けられている。めっき給電の正端子は接続部１０におけ
るアノード１ツイヤ９及びアノードねじ８によりアノー
ド３に接続されている。
７ノード３はめっきされるウェーハ１１と１Ｌｉｌ径も
しくは幾分小さいサイズとされており、フレーム４は使
用する特定めっき工程に対して７ノ〜ドウ工−ハ間距離
を最適距離に設定する。
しくは幾分小さいサイズとされており、フレーム４は使
用する特定めっき工程に対して７ノ〜ドウ工−ハ間距離
を最適距離に設定する。
めっきりるウェーハ１１は底板７の上面１２上に配置さ
れたエラストマーパッド５上に上向き１３に配置される
。３本のカソード針６が１２０゜離れて配置されウェー
ハ周辺のすぐ内側でウェーハ１１と電気的に接触する。
れたエラストマーパッド５上に上向き１３に配置される
。３本のカソード針６が１２０゜離れて配置されウェー
ハ周辺のすぐ内側でウェーハ１１と電気的に接触する。
カソード針はウェーハ１１の表面１３上の金属化部と接
触し、カーソドワイヤ１４及びカソードコネクタ１５に
よりめっき給電の負端子へ電気的に接続されている。第
１図及び第２図に示すように、各カソード針６は一つの
カソードコネクタ１５に固定されたー・端を有しそこで
カソードコネクタと機械的及び電気的接触を行う。
触し、カーソドワイヤ１４及びカソードコネクタ１５に
よりめっき給電の負端子へ電気的に接続されている。第
１図及び第２図に示すように、各カソード針６は一つの
カソードコネクタ１５に固定されたー・端を有しそこで
カソードコネクタと機械的及び電気的接触を行う。
第２図に示すように、カソードコネクタ１５及びカソー
ド針６はそれぞれ符号１６及び１７においてめっき槽か
ら電気的に絶縁されている。符号１６．１７における絶
縁は周囲のめらき槽に対するものである。しかしながら
、カソード針ポイント１８は絶縁されておらず、ウェー
ハ１１上のホトレジストを貫通してウェーハの表面１３
上の下層金属化部と電気的に接触することができる。絶
縁によりめっき槽へ露呈される負バイアスされた導体の
面積が最小限とされ、設備１の不要なめっきが最小限と
される。
ド針６はそれぞれ符号１６及び１７においてめっき槽か
ら電気的に絶縁されている。符号１６．１７における絶
縁は周囲のめらき槽に対するものである。しかしながら
、カソード針ポイント１８は絶縁されておらず、ウェー
ハ１１上のホトレジストを貫通してウェーハの表面１３
上の下層金属化部と電気的に接触することができる。絶
縁によりめっき槽へ露呈される負バイアスされた導体の
面積が最小限とされ、設備１の不要なめっきが最小限と
される。
本発明の別の実施例において、フレーム４は導電性であ
り、カソードコネクタ１５と同様に、めっき槽に対する
電気的絶縁で被覆されている。本実施例において、カソ
ードコネクタ１５を省くことができカソード針６のめっ
き給電の負端子への電気的接続はフレーム４を介して行
われる。フレーム４はめっき壇表面１９もしくはそれよ
りも上にあるフレーム上の点においてめっき給電に′電
気的に接続することができる。
り、カソードコネクタ１５と同様に、めっき槽に対する
電気的絶縁で被覆されている。本実施例において、カソ
ードコネクタ１５を省くことができカソード針６のめっ
き給電の負端子への電気的接続はフレーム４を介して行
われる。フレーム４はめっき壇表面１９もしくはそれよ
りも上にあるフレーム上の点においてめっき給電に′電
気的に接続することができる。
カソード針ポイント１８はポイントとウェーハ１１の表
面１３上の金属化部との良好な電気的接触を保証するの
に充分な大きさのスプリング力をウェーハ１１上に加え
る。また、この力によりウェーハ１１はエラストマーパ
ッドＳに対して押圧されウェーハ１１背面とエラストマ
ーパッド５間に良好なシールを形成し、めっき槽がウェ
ーハ背面と接触するのを防止する。エラストマーバッド
はまたクツションとして作用してカソード針６により加
わる力によりウェーハ１１が破砕されるのを防止する。
面１３上の金属化部との良好な電気的接触を保証するの
に充分な大きさのスプリング力をウェーハ１１上に加え
る。また、この力によりウェーハ１１はエラストマーパ
ッドＳに対して押圧されウェーハ１１背面とエラストマ
ーパッド５間に良好なシールを形成し、めっき槽がウェ
ーハ背面と接触するのを防止する。エラストマーバッド
はまたクツションとして作用してカソード針６により加
わる力によりウェーハ１１が破砕されるのを防止する。
好ましくは、エラストマーバッド５は洗浄溶液及びめっ
き槽に対して抵抗性のシリコンゴムやネオプレン等の弾
性材でできている。
き槽に対して抵抗性のシリコンゴムやネオプレン等の弾
性材でできている。
第２図に示１ように、めっき工程中に設備１はアノード
３を完全に槽中に沈めるのを保証するのに必要なだけの
深さまでめっき槽２ｏ中に沈められる。第２図に示すよ
うに、７ノードねじ８及びアノードワイヤ９とアノード
ねじ８の電気的接続（第１図参照）をめっき槽表面１９
よりも上に維持するのに充分なだけ、頂面２はめつき槽
表面１９よりも上とされる。フレーム４がフレーム４を
介してめっき給電に電気的に接続されている本発明の実
施例において、フレームはやはりめっき槽表面１９より
も上にある端子において給電からのワイヤに接続されて
いる。このような端子はアノードねじ８と同様に形成す
ることができ、このようなねじは頂面２を貫通してフレ
ーム４と電気的に接触する。いずれの実施例においても
、設備は底板７の下のサポート等の任意従来の手段によ
り第２図に承す位置においてめっき槽２０内に保持する
ことができる。
３を完全に槽中に沈めるのを保証するのに必要なだけの
深さまでめっき槽２ｏ中に沈められる。第２図に示すよ
うに、７ノードねじ８及びアノードワイヤ９とアノード
ねじ８の電気的接続（第１図参照）をめっき槽表面１９
よりも上に維持するのに充分なだけ、頂面２はめつき槽
表面１９よりも上とされる。フレーム４がフレーム４を
介してめっき給電に電気的に接続されている本発明の実
施例において、フレームはやはりめっき槽表面１９より
も上にある端子において給電からのワイヤに接続されて
いる。このような端子はアノードねじ８と同様に形成す
ることができ、このようなねじは頂面２を貫通してフレ
ーム４と電気的に接触する。いずれの実施例においても
、設備は底板７の下のサポート等の任意従来の手段によ
り第２図に承す位置においてめっき槽２０内に保持する
ことができる。
第１図に示すように、アノード３周りの空気バブルをめ
っき作業中に排出するための空気孔２１が頂板２内に設
けられている。設備１の底部にある排水量Ｉ］２２によ
り、設備をこれらの槽から取り出す時に洗浄及びめっき
溶液はウェーハ１１から流去することができる。
っき作業中に排出するための空気孔２１が頂板２内に設
けられている。設備１の底部にある排水量Ｉ］２２によ
り、設備をこれらの槽から取り出す時に洗浄及びめっき
溶液はウェーハ１１から流去することができる。
第３図に示す別の実施例において、駆動機構３１が設＠
１に接続されている。駆動機構３１は軸２４を介して設
備１に接続されたモータ２３を含んでいる。モータ２３
は任意適切な電気的もしくは他のタイプのモータとする
ことができ、複数個の搭載装置２９を使用して底板２８
に取り付けられている。底板２８は複数個のブラシホル
ダー搭載装置３０を使用してブラシホルダー２７に取り
付けられている。複数個のブラシ２６が機械的にブラシ
ホルダー２７に取り付けられており、且つ電気的にアノ
ードワイヤ９及びカソードワイヤ１４に接続されている
。
１に接続されている。駆動機構３１は軸２４を介して設
備１に接続されたモータ２３を含んでいる。モータ２３
は任意適切な電気的もしくは他のタイプのモータとする
ことができ、複数個の搭載装置２９を使用して底板２８
に取り付けられている。底板２８は複数個のブラシホル
ダー搭載装置３０を使用してブラシホルダー２７に取り
付けられている。複数個のブラシ２６が機械的にブラシ
ホルダー２７に取り付けられており、且つ電気的にアノ
ードワイヤ９及びカソードワイヤ１４に接続されている
。
第３図に示すように、設備１には複数個のスリップリン
グ２５、軸、頂板２、アノード３及びフレーム４を有す
るスリップリングホルダー３２が含まれている。スリッ
プリングホルダー３２は前記したように軸２４を介して
モータ２３に接続されている頂板２に取り付けられてい
る。他の有用な実施例は静止アノード３を採用すること
ができ、それはアノードがウェーハ面１３に対して移動
することは重要でないためである。複数個のスリップリ
ングコンタクト３３がアノードワイヤ９を介してスリッ
プリング２５及びサプライアノード３に接続され、且つ
前記したようにカソードワイヤ１４を介してカソード針
ポイント１８に接続されている。
グ２５、軸、頂板２、アノード３及びフレーム４を有す
るスリップリングホルダー３２が含まれている。スリッ
プリングホルダー３２は前記したように軸２４を介して
モータ２３に接続されている頂板２に取り付けられてい
る。他の有用な実施例は静止アノード３を採用すること
ができ、それはアノードがウェーハ面１３に対して移動
することは重要でないためである。複数個のスリップリ
ングコンタクト３３がアノードワイヤ９を介してスリッ
プリング２５及びサプライアノード３に接続され、且つ
前記したようにカソードワイヤ１４を介してカソード針
ポイント１８に接続されている。
第４図はめっき槽２０中の設置ａ１を示す。前記したよ
うに１クエーハ１１をニラストン−バッド５の頂部（配
置した時にウェーハ面１３が底板上面１２と平坦になる
のを保証するのにちょうど充分な深さの窪んだ領域３４
が底板上面１２にあることを除けば、設備１は前記実施
例と同じである。
うに１クエーハ１１をニラストン−バッド５の頂部（配
置した時にウェーハ面１３が底板上面１２と平坦になる
のを保証するのにちょうど充分な深さの窪んだ領域３４
が底板上面１２にあることを除けば、設備１は前記実施
例と同じである。
動作を説明すると、ウェーハ１１はエラストマーバッド
５上に配置され設備１はめっき槽２０内に配置される。
５上に配置され設備１はめっき槽２０内に配置される。
モータ２３が励起されて軸２４と設備１が回転開始する
。次に、前記実施例について説明したように、めっき電
流がアノードワイヤ９を介してアノード３へ且つカソー
ド針ポイント１８を介してカソードワイヤ１４へ加えら
れる。
。次に、前記実施例について説明したように、めっき電
流がアノードワイヤ９を介してアノード３へ且つカソー
ド針ポイント１８を介してカソードワイヤ１４へ加えら
れる。
第５図にもう一つの有用な実施例を示し、ここではめっ
き溶液を排出しているノズル３７を回転させる回転バイ
ブ３６を使用してめっき１２０が循環される。本実施例
において、ウェーハ１１はめっき槽２０内に上向きに静
止保持される。ウェーハに対する方向が変化する常時変
化循ｌｍｆｆ１流によりウェーハがめっきされるような
任意のめっき槽２０循環法が本工程の条件に合致するこ
とをお判り願いたい。
き溶液を排出しているノズル３７を回転させる回転バイ
ブ３６を使用してめっき１２０が循環される。本実施例
において、ウェーハ１１はめっき槽２０内に上向きに静
止保持される。ウェーハに対する方向が変化する常時変
化循ｌｍｆｆ１流によりウェーハがめっきされるような
任意のめっき槽２０循環法が本工程の条件に合致するこ
とをお判り願いたい。
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１） ウェーハ上のバイアス内に捕獲されるバブル
数を最小限とするバンプめっき設備において、該設備は
、 斡 底板と、 （ｂ） ウェーハを上向き方位に保持するだの底板上面
内の凹みと、 （鋳 めっき槽がウェーハ背面と接触するのを防止しウ
ェーハのＬ面が底板の上面と共面となるのに充分な厚さ
の凹み内のバッド、 を具備するバンプめっき設備。
数を最小限とするバンプめっき設備において、該設備は
、 斡 底板と、 （ｂ） ウェーハを上向き方位に保持するだの底板上面
内の凹みと、 （鋳 めっき槽がウェーハ背面と接触するのを防止しウ
ェーハのＬ面が底板の上面と共面となるのに充分な厚さ
の凹み内のバッド、 を具備するバンプめっき設備。
（２） 第（１）項記載の装置において、さらに前記
底板よりも上にアノードを含む、バンプめっき設備。
底板よりも上にアノードを含む、バンプめっき設備。
（３） 第（２）項記載の装置において、アノードは
円板状のＳ電体である、バンプめつき設備。
円板状のＳ電体である、バンプめつき設備。
（４） 第（１）項記載の装置において、さらにめつ
き槽内で設備を回転させるための設備に接続されたモー
タを含む、バンプめつき設備。
き槽内で設備を回転させるための設備に接続されたモー
タを含む、バンプめつき設備。
（５） 第（１）項記載の装置において、さらに頂板
を含むバンプめつき設備。
を含むバンプめつき設備。
（６） 第（５）項記載の装置において、頂板はバブ
ルを排出するための空気孔を含むバンプめつき設備。
ルを排出するための空気孔を含むバンプめつき設備。
（７） 第（１）項記載の設備において、パッドはエ
ラストマーであるバンプめつき設備。
ラストマーであるバンプめつき設備。
（８） ウェーハ上のバイアス内に捕獲されるバブル
数を最小限とし且つウェーハを予浸漬もしくは洗浄槽か
らめつき槽へ移送づる時間を最小限とする可搬型バンプ
めつき設備において、該設備は、幹 ウェーハ背面にシ
ールを形成してめっき槽が背面と接触するのを防止する
エラストマーパッドと、 （ｂ） めっきされるウェーハ表面が上面と共面になる
ようにエラストマーバッド及びウェーハを支持する、上
面内に凹みを有する底板と、（ｂ） 底板及びウェーハ
表面よりも上に配置されたアノードと、 ゆ アノードを支持する頂板と、 ＜ｅ＞ 底板及びつＪ−凸表面よりも一定距離だけ上
に頂板及びアノードを支持するフレームと、（ｆ）
めっき槽内でフレームを回転させるためのフレームに接
続されたモータと、 （ｃ）ウェーハ表面上の金属化部をめっき給電の正端子
に電気的に接続するカソード針、を具備する可搬型バン
プめつき設備。
数を最小限とし且つウェーハを予浸漬もしくは洗浄槽か
らめつき槽へ移送づる時間を最小限とする可搬型バンプ
めつき設備において、該設備は、幹 ウェーハ背面にシ
ールを形成してめっき槽が背面と接触するのを防止する
エラストマーパッドと、 （ｂ） めっきされるウェーハ表面が上面と共面になる
ようにエラストマーバッド及びウェーハを支持する、上
面内に凹みを有する底板と、（ｂ） 底板及びウェーハ
表面よりも上に配置されたアノードと、 ゆ アノードを支持する頂板と、 ＜ｅ＞ 底板及びつＪ−凸表面よりも一定距離だけ上
に頂板及びアノードを支持するフレームと、（ｆ）
めっき槽内でフレームを回転させるためのフレームに接
続されたモータと、 （ｃ）ウェーハ表面上の金属化部をめっき給電の正端子
に電気的に接続するカソード針、を具備する可搬型バン
プめつき設備。
（９） 第（７）項記載の装置において、さらに設備
の内側からバブルを排出させる空気孔を含む可搬型バン
プめつぎ設備。
の内側からバブルを排出させる空気孔を含む可搬型バン
プめつぎ設備。
（１０） 第（７）項記載の装置において、カソード
針はウェーハ面上へ力を加えてエラストマーバッドとウ
ェーハ背面との間にシールを形成づる、可搬型バンプめ
っき設備。
針はウェーハ面上へ力を加えてエラストマーバッドとウ
ェーハ背面との間にシールを形成づる、可搬型バンプめ
っき設備。
（１１）ウェーハ面上の金属化部上にバンプめつきを行
う方法において、該方法は次のステップ、すなわち、 （２） ウェーハをバンプめつき設備内のパッド上に上
向きに配置して、ウェーハ背面がパッドに隣接しめっき
されるウェーハ面が設備内の底板と共面となりウェーハ
が設備内でアノードよりも下に配置されるようにし、 （ｂ） カソード針をウェーハ面Ｆの金属化部に対して
配置して金属化部と電気的接触を行わせ、（ｂ） めっ
き槽とめつきされるウェーハ表面間で相対運動を生じる
、 からなるバンプめつき法。
う方法において、該方法は次のステップ、すなわち、 （２） ウェーハをバンプめつき設備内のパッド上に上
向きに配置して、ウェーハ背面がパッドに隣接しめっき
されるウェーハ面が設備内の底板と共面となりウェーハ
が設備内でアノードよりも下に配置されるようにし、 （ｂ） カソード針をウェーハ面Ｆの金属化部に対して
配置して金属化部と電気的接触を行わせ、（ｂ） めっ
き槽とめつきされるウェーハ表面間で相対運動を生じる
、 からなるバンプめつき法。
（１２）第（１０）項記載の方法において、カソード針
を・ウェーハ面上の金属化部に対して配置するステップ
によりウェーハ背面がパッドに対して押圧されて完全性
の高いシールを形成しめつき槽がつ工−ハ背面と接触す
るのを防止する、バンプめつき法。
を・ウェーハ面上の金属化部に対して配置するステップ
によりウェーハ背面がパッドに対して押圧されて完全性
の高いシールを形成しめつき槽がつ工−ハ背面と接触す
るのを防止する、バンプめつき法。
（１３）第（１０）項記載の方法において、めっき槽と
めっきされるウェーハ面間の相対運動を生じるステップ
は設備を回転させるステップを含む、バンプめつき法。
めっきされるウェーハ面間の相対運動を生じるステップ
は設備を回転させるステップを含む、バンプめつき法。
（１４）第（１０）項記載の方法において、めっき槽と
めっきされるウェーハ面間で相対運動を生じるステップ
はウェーハ面への法線の周りでめっき液流を回転させる
ステップを含む、バンプめつき法。
めっきされるウェーハ面間で相対運動を生じるステップ
はウェーハ面への法線の周りでめっき液流を回転させる
ステップを含む、バンプめつき法。
（１５）第（１０）項記載の方法において、さらに次の
ステップ、すなわち、 （２） ウェーハを有するバンプめつき設備を洗浄もし
くは予浸製槽中へ挿入し、 ０ ウェーハを有する設備を洗浄もしくは半浸漬槽から
取り出し、 （ｃ） ウェーハを有するバンプめっき設備をめっき槽
中へ挿入する、 からなる、バンプめっき法。
ステップ、すなわち、 （２） ウェーハを有するバンプめつき設備を洗浄もし
くは予浸製槽中へ挿入し、 ０ ウェーハを有する設備を洗浄もしくは半浸漬槽から
取り出し、 （ｃ） ウェーハを有するバンプめっき設備をめっき槽
中へ挿入する、 からなる、バンプめっき法。
（１６）第（１４）項記載の方法において、つ１−ハを
有するバンプめつき設備をめっき槽中へ挿入するステッ
プ設備がアノードをちょうどカバーするのに充分なだけ
めっき槽中へ挿入されるという制約の元で実施される、
バンプめつき法〆 （１１）第（１０）項記載の方法において、さらに次の
ステップ、すなわち （２） アノードをめっき給電の正端子へ電気的に接続
し、 ０ カソード針をめっき給電の負端子へ接続する、 からなる、バンプめっき法。
有するバンプめつき設備をめっき槽中へ挿入するステッ
プ設備がアノードをちょうどカバーするのに充分なだけ
めっき槽中へ挿入されるという制約の元で実施される、
バンプめつき法〆 （１１）第（１０）項記載の方法において、さらに次の
ステップ、すなわち （２） アノードをめっき給電の正端子へ電気的に接続
し、 ０ カソード針をめっき給電の負端子へ接続する、 からなる、バンプめっき法。
（１８）本開示には集積回路を含むシリコンウェーハ１
１を金属めっき槽中に保持するめっき設備１１が記載さ
れている。ウェーハ１１には所望のバンプ高さに等しい
厚さまでホトレジストがコーティングされ、且つ標準ホ
トリソグラノイック技術により所望のバンプ位置がパタ
ーン化されている。
１を金属めっき槽中に保持するめっき設備１１が記載さ
れている。ウェーハ１１には所望のバンプ高さに等しい
厚さまでホトレジストがコーティングされ、且つ標準ホ
トリソグラノイック技術により所望のバンプ位置がパタ
ーン化されている。
次につ１−ハ１１は設備１にＯ−ドされ、ウェーハ１１
のパターン化された側が上向きとなり、めっきアノード
３がウェーハ１１の直上に位置するようにめつき槽中に
設備１が配置される。現在市賑されているシステムでは
ウェーハ１１はパターン化された側を下向きとしアノー
ドをその小に位置して配置されるか、もしくはウェーハ
は横向きでアノードはそれからアクセスされる。これら
の現在のシステムではホトレジストのパターン内に空気
が捕獲され、ウェーハ１１上の不完全もしくは不均一バ
ンプめつきにより歩留りが低下する。
のパターン化された側が上向きとなり、めっきアノード
３がウェーハ１１の直上に位置するようにめつき槽中に
設備１が配置される。現在市賑されているシステムでは
ウェーハ１１はパターン化された側を下向きとしアノー
ドをその小に位置して配置されるか、もしくはウェーハ
は横向きでアノードはそれからアクセスされる。これら
の現在のシステムではホトレジストのパターン内に空気
が捕獲され、ウェーハ１１上の不完全もしくは不均一バ
ンプめつきにより歩留りが低下する。
本開示によりこのような歩留りロスが防止され且つ設備
内にロードした模にウェーハ１１上の洗浄が可能となる
。
内にロードした模にウェーハ１１上の洗浄が可能となる
。
第１図は本発明の設備の一実施例の分解アイソメトリッ
ク図、第２図は第１図に示す本発明の実施例の側断面図
、第３図は本発明の有用な実施例の分解アイソメトリッ
ク図、第４図は第３図に示す本発明の実施例の側断面図
、第５図は本発明のもう一つの実施例の側面図である。 参照符号の説明 １・・・バンプめっき設備 ２・・・頂板 ３・・・アノード ４・・・フレーム ５・・・エラストマーパッド ６・・・カソード針 ７・・・底板 ８・・・アノードねじ ９・・・アノードワイヤ １０・・・接続部 １１・・・ウェーハ １４・・・カソードワイヤ １５・・・カソードコネクタ １８・・・カソード針ポイント ２０・・・めっき槽 ２３・・・モータ ２４・・・軸 ２５・・・スリップリング ２６・・・ブラシ ２７・・・ブラシホルダー ２８・・・底板 ２９・・・モータ搭載装置 ３０・・・ブラシホルダー搭載装置 ３１・・・駆動機構 ３２・・・スリップリングホルダー ３３・・・スリップリングコンタクト ３６・・・回転バイブ
ク図、第２図は第１図に示す本発明の実施例の側断面図
、第３図は本発明の有用な実施例の分解アイソメトリッ
ク図、第４図は第３図に示す本発明の実施例の側断面図
、第５図は本発明のもう一つの実施例の側面図である。 参照符号の説明 １・・・バンプめっき設備 ２・・・頂板 ３・・・アノード ４・・・フレーム ５・・・エラストマーパッド ６・・・カソード針 ７・・・底板 ８・・・アノードねじ ９・・・アノードワイヤ １０・・・接続部 １１・・・ウェーハ １４・・・カソードワイヤ １５・・・カソードコネクタ １８・・・カソード針ポイント ２０・・・めっき槽 ２３・・・モータ ２４・・・軸 ２５・・・スリップリング ２６・・・ブラシ ２７・・・ブラシホルダー ２８・・・底板 ２９・・・モータ搭載装置 ３０・・・ブラシホルダー搭載装置 ３１・・・駆動機構 ３２・・・スリップリングホルダー ３３・・・スリップリングコンタクト ３６・・・回転バイブ
Claims (2)
- （１）ウェーハ上のバイアス内に捕獲されるバブル数を
最小限とするバンプめっき設備において、該設備は、 （ａ）底板と、 （ｂ）ウェーハを上向き方位に保持するための底板上面
内の凹みと、 （ｃ）めっき槽がウェーハ背面と接触するのを防止しウ
ェーハの上面が底板の上面と共面となるのに充分な厚さ
の凹み内のパッド、 を具備するバンプめっき設備。 - （２）ウェーハ面上の金属化部上にバンプめっきを行う
方法において、該方法は次のステップ、すなわち、 （ａ）ウェーハをバンプめっき設備内のパッド上に上向
きに配置して、ウェーハ背面がパッドに隣接しめっきさ
れるウェーハ面が設備内で底板面と共面となりウェーハ
が設備内でアノードよりも下に配置されるようにし、 （ｂ）カソード針をウェーハ面上の金属化部に対して配
置して金属化部と電気的接触を行わせ、（ｃ）めっき槽
とめっきされるウェーハ面間で相対運動を生じる、 からなるバンプめっき法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/295,684 US4931149A (en) | 1987-04-13 | 1989-01-10 | Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits |
| US295684 | 1989-01-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263996A true JPH02263996A (ja) | 1990-10-26 |
| JP2836881B2 JP2836881B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=23138795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003299A Expired - Fee Related JP2836881B2 (ja) | 1989-01-10 | 1990-01-10 | バンプめっき設備及びめっき法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4931149A (ja) |
| EP (1) | EP0379289B1 (ja) |
| JP (1) | JP2836881B2 (ja) |
| DE (1) | DE69018656T2 (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917707A (en) | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
| US6375741B2 (en) | 1991-03-06 | 2002-04-23 | Timothy J. Reardon | Semiconductor processing spray coating apparatus |
| JP3200468B2 (ja) * | 1992-05-21 | 2001-08-20 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用めっき装置 |
| US7073254B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
| US5820014A (en) | 1993-11-16 | 1998-10-13 | Form Factor, Inc. | Solder preforms |
| JP3377849B2 (ja) * | 1994-02-02 | 2003-02-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用メッキ装置 |
| US5705047A (en) * | 1994-04-29 | 1998-01-06 | National Science Council | Method for manufacturing porous blue light emitting diode |
| US5994152A (en) | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
| US8033838B2 (en) | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
| US5912510A (en) * | 1996-05-29 | 1999-06-15 | Motorola, Inc. | Bonding structure for an electronic device |
| US5746903A (en) * | 1996-07-26 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Wet chemical processing techniques for plating high aspect ratio features |
| JP3352352B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2002-12-03 | 新光電気工業株式会社 | めっき装置、めっき方法およびバンプの形成方法 |
| US6027631A (en) * | 1997-11-13 | 2000-02-22 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating system with shields for varying thickness profile of deposited layer |
| US6156167A (en) * | 1997-11-13 | 2000-12-05 | Novellus Systems, Inc. | Clamshell apparatus for electrochemically treating semiconductor wafers |
| US6159354A (en) * | 1997-11-13 | 2000-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Electric potential shaping method for electroplating |
| US6179983B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-01-30 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating surface including virtual anode |
| US6126798A (en) * | 1997-11-13 | 2000-10-03 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating anode including membrane partition system and method of preventing passivation of same |
| US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| US6919010B1 (en) | 2001-06-28 | 2005-07-19 | Novellus Systems, Inc. | Uniform electroplating of thin metal seeded wafers using rotationally asymmetric variable anode correction |
| US8475636B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-07-02 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating |
| US8308931B2 (en) * | 2006-08-16 | 2012-11-13 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating |
| US6534327B2 (en) | 2000-04-13 | 2003-03-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for reworking metal layers on integrated circuit bond pads |
| US7622024B1 (en) * | 2000-05-10 | 2009-11-24 | Novellus Systems, Inc. | High resistance ionic current source |
| US6821407B1 (en) | 2000-05-10 | 2004-11-23 | Novellus Systems, Inc. | Anode and anode chamber for copper electroplating |
| US6527920B1 (en) | 2000-05-10 | 2003-03-04 | Novellus Systems, Inc. | Copper electroplating apparatus |
| US7682498B1 (en) | 2001-06-28 | 2010-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Rotationally asymmetric variable electrode correction |
| US20040104119A1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-06-03 | Applied Materials, Inc. | Small volume electroplating cell |
| US8623193B1 (en) | 2004-06-16 | 2014-01-07 | Novellus Systems, Inc. | Method of electroplating using a high resistance ionic current source |
| US7799684B1 (en) | 2007-03-05 | 2010-09-21 | Novellus Systems, Inc. | Two step process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers |
| US7964506B1 (en) | 2008-03-06 | 2011-06-21 | Novellus Systems, Inc. | Two step copper electroplating process with anneal for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers |
| US8703615B1 (en) | 2008-03-06 | 2014-04-22 | Novellus Systems, Inc. | Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers |
| US8513124B1 (en) | 2008-03-06 | 2013-08-20 | Novellus Systems, Inc. | Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on semi-noble metal coated wafers |
| US8475637B2 (en) * | 2008-12-17 | 2013-07-02 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus with vented electrolyte manifold |
| US8262871B1 (en) | 2008-12-19 | 2012-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers |
| US10094034B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-10-09 | Lam Research Corporation | Edge flow element for electroplating apparatus |
| US8795480B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-08-05 | Novellus Systems, Inc. | Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating |
| US9624592B2 (en) | 2010-07-02 | 2017-04-18 | Novellus Systems, Inc. | Cross flow manifold for electroplating apparatus |
| US10233556B2 (en) | 2010-07-02 | 2019-03-19 | Lam Research Corporation | Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating |
| US9523155B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-12-20 | Novellus Systems, Inc. | Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating |
| US8575028B2 (en) | 2011-04-15 | 2013-11-05 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for filling interconnect structures |
| US9670588B2 (en) | 2013-05-01 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS) |
| US9449808B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-09-20 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for advanced packaging applications |
| US9677190B2 (en) | 2013-11-01 | 2017-06-13 | Lam Research Corporation | Membrane design for reducing defects in electroplating systems |
| US9816194B2 (en) | 2015-03-19 | 2017-11-14 | Lam Research Corporation | Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating |
| US10014170B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-07-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity |
| US10364505B2 (en) | 2016-05-24 | 2019-07-30 | Lam Research Corporation | Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating |
| US11001934B2 (en) | 2017-08-21 | 2021-05-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating |
| US10781527B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-09-22 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2362228A (en) * | 1941-06-12 | 1944-11-07 | Bell Telephone Labor Inc | Method of forming contacts on metal oxide-metal rectifiers |
| US3536594A (en) * | 1968-07-05 | 1970-10-27 | Western Electric Co | Method and apparatus for rapid gold plating integrated circuit slices |
-
1989
- 1989-01-10 US US07/295,684 patent/US4931149A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-09 EP EP90300208A patent/EP0379289B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-09 DE DE69018656T patent/DE69018656T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-10 JP JP2003299A patent/JP2836881B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4931149A (en) | 1990-06-05 |
| JP2836881B2 (ja) | 1998-12-14 |
| DE69018656D1 (de) | 1995-05-24 |
| EP0379289B1 (en) | 1995-04-19 |
| EP0379289A3 (en) | 1990-08-01 |
| EP0379289A2 (en) | 1990-07-25 |
| DE69018656T2 (de) | 1995-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2836881B2 (ja) | バンプめっき設備及びめっき法 | |
| US5024746A (en) | Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits | |
| US4861452A (en) | Fixture for plating tall contact bumps on integrated circuit | |
| US6844274B2 (en) | Substrate holder, plating apparatus, and plating method | |
| US6911127B2 (en) | Contact assemblies, methods for making contact assemblies, and plating machines with contact assemblies for plating microelectronic workpieces | |
| JP4124327B2 (ja) | 基板ホルダ及びめっき装置 | |
| US12226807B2 (en) | Cleaning device for cleaning electroplating substrate holder | |
| US6849167B2 (en) | Electroplating reactor including back-side electrical contact apparatus | |
| US6627052B2 (en) | Electroplating apparatus with vertical electrical contact | |
| US20040182712A1 (en) | Process and system for eliminating gas bubbles during electrochemical processing | |
| US4874476A (en) | Fixture for plating tall contact bumps on integrated circuit | |
| US6939448B2 (en) | Contact assemblies, methods for making contact assemblies, and plating machines with contact assemblies for plating microelectronic workpieces | |
| US6891360B1 (en) | Plated probe structure | |
| US20030080083A1 (en) | Electroless plating apparatus, semiconductor wafer having bumps, semiconductor chip having bumps, methods of manufacturing the semiconductor wafer and the semiconductor chip, semiconductor device, circuit board, and electronic equipment | |
| US20060289302A1 (en) | Electroprocessing workpiece contact assemblies, and apparatus with contact assemblies for electroprocessing workpieces | |
| JP2010185122A (ja) | アノードホルダ用通電部材およびアノードホルダ | |
| US6638840B1 (en) | Electrode for electroplating planar structures | |
| JP4104465B2 (ja) | 電解めっき装置 | |
| JP4149620B2 (ja) | 基板銅めっき処理方法 | |
| KR20100091774A (ko) | 기판 도금 장치 및 방법 | |
| US12104266B2 (en) | Plating apparatus having conductive liquid and plating method | |
| JP3778282B2 (ja) | 基板ホルダ及びめっき装置 | |
| KR20050120925A (ko) | 웨이퍼 지지장치 및 이를 이용한 무전해 니켈 범핑 방법 | |
| JP2001316883A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JP2003231994A (ja) | メッキ治具およびメッキ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |