JPH02264737A - 光学目的のための成形部品 - Google Patents

光学目的のための成形部品

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JPH02264737A
JPH02264737A JP2019399A JP1939990A JPH02264737A JP H02264737 A JPH02264737 A JP H02264737A JP 2019399 A JP2019399 A JP 2019399A JP 1939990 A JP1939990 A JP 1939990A JP H02264737 A JPH02264737 A JP H02264737A
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substituents
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カールハインツ、フォイエルヘルト
Carola Hedtmann-Rein
カロラ、ヘットマンーライン
Ludger Leber
ルドガー、レーバー
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BASF SE
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ポリフェニレンエーテル、ビニル芳香族重合
体および添加物からの新規混合物からなる光学的目的の
ための光学的に透明であり、等方性の、方向により二重
屈折を起こすことのない成形部品に係るものである。
（従来技術） 、ｔ’　Ｉ７　フェニレンエーテルおよびビニル芳ｉ族
ｉ合体の混合物からなる光学的目的のための光学的に透
明であり、等方性の、方向により二重屈折を起こすこと
のない成形部品は、技術の立場から公知である。かくし
て、米国特許筒４３７３０６５号からは、レーザー光デ
ータプレートが開示されており、これは少なくともポリ
（２，６−シメチルー１．４−フェニレンエーテル）お
よびポリスチレンの混合物からなる層を含んでいる。こ
の方向により二重屈折を起こすことのない混合物は、３
６乃至４０重量％のポリ（２，６−シメチルー１゜４−
フェニレンエーテル）および６０乃至６４重世％のポリ
スチレンからなっており、この場合のそれぞれの成分の
使用される混合比率は、ポリスチレンの平均分子量に関
係している： 即ちポリスチレンの方向による二重屈折を埋め合わせる
ために、平均分子量的６．７　Ｘ　１０　のポリスチレ
ンの場合には約３８乃至４０重ｔ％、平均分子量が１０
５乃至３　Ｘ　１０５のポリスチレンの場合には約３６
乃至４０重量％、数平均分子量か１０乃至１．　Ｉ　Ｘ
　１０’のポリスチレンの場合には約３７乃至３９重量
％、および平均分子量が１０４のポリスチレンの場合に
は約３１乃至３３重量％のポリ（２，６−シメチルー１
，４−フェニレンエーテル）が必要となる。このフェニ
レンエーテルの代りに、また２、６−ジニチルー　２−
メチル−６−ニチルー　２−メチル−６−プロピル−，
２゜６−シグロピルーマタは２−エチル−６−グロピ／
Ｌ−−！換ポリフェニレンエーテルを、使用することが
できる。さらに、ポリスチレンの代りに、またポリ（α
−メチルスチレン）またはｐ−クロルスチレンおよび０
−クロルスチレンからの共重合体を挙げることができる
。
ヨーロッパ特許公開公報術０２２５８０１号からは、本
質的にビニル芳香族重合体およびポリフェニレンエーテ
ルからなる光学的目的のための成形部品が開示されてお
り、ここではポリフェニレンエーテルがクロロホルム中
２５℃で測定された極限粘度〔η〕０．３乃至０．７を
有している。方向による二重屈折の起こらない混合物を
製造するためには、ここで３０乃至７０重量％、好適に
は４０乃至５５重量％のビニル芳香族重合体と、７０乃
至３０重量％、特に６０乃至４５重量％のポリフェニレ
ンエーテルとが混合されなければならない。この方法で
製造され、光学的に透明であり、等方性の、方向による
二重屈折の起こらない混合物は、射出成形法で光学用目
的の成形部品、特にレーザー光データプレートの寸法安
定性基材に加工することができる。
さらに、日本特許公開公報第６３−０８９３３５号から
は、光学的透明性、等方性、方向による二重屈折の起こ
らない光学目的用成形部品が開示されており、ここでは
ポリフェニレンエーテルおよびビニル芳香族重合体から
の成形加工混合物に、有機リン化合物および／または立
体障害フェノールが安定剤として加えられる。これによ
って、内部張力および方向性による二重屈折が減少し、
成形加工時の分解現象が低減され、さらに光学的透過性
が改良されている。
日本特許公開公報第６３−０５６８３２号からは、光磁
気ディスクが開示されており、その基材はビニル芳香族
重合体およびポリフェニレンエーテルの混合物からなっ
ている。この重合体を組み立てている適当なビニル芳香
族は、スチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチ
レン、０−クロルスチレンまたはｐ−クロルスチレンで
ある。ビニル芳香族重合体は、さらに別のモノマー、例
えばメタクリルニトリル、ｎ−プロピルメタクリレート
、ｎ−ブチルメタクリレート、無水マレイン酸またはＮ
−フェニル−マレインイミド等を共重合で含むことがで
きる。これらの寸法安定性基材は、それに施工される保
護層に対する良好な接着性を示している。
日本特許公開公報第６３−０１３７２２号からは、ビニ
ル芳香族重合体およびポリフェニレンエーテルからの寸
法安定性基材の製造用射出成形法が開示されている。こ
の方法では、ビニル芳香族重合体とポリフェニレンエー
テルからの混合物力、３００乃至３４０℃の測定温度で
射出成形される。
西独特許出願筒Ｐ　３７２７０９３．１にはレーザー光
ディスクが記載されており、その寸法安定性基材が、ポ
リ（２，６−シメチルー１，４−フェニレンエーテル）
およびスチレン重合体からの光学的透明性、等方性、均
質な、方向による二重屈折の起こらない混合物からなっ
ている。この場合に使用されるスチレン重合体は、スチ
レン重合体当りで０．１乃至８重量％の共重合されるア
クリロニトリル、１乃至６０重重量％共重合されるα−
メチルスチレン、１乃至６０重重量％共重合されるｐ−
メチルスチレ；／および／または０．１乃至１０重重量
％共重合される（メタ）アクリレートを含んでいる。こ
れらの添加されて存在しているモノマー単位化合物は、
ポリスチレンの重合体主鎖中に統計的均質に分散されて
存゛在していることができる。しかしながら、これらの
添加物は、単一のオリゴマーまたはブロックポリマーの
形でも存在することができ、これらはポリスチレンの重
合体主鎖中に組み込まれるか、および／または側鎖置換
基としてこの重合体主鎖に結合されていることもできる
。さらに、添加する単量体単一化合物が、別に製造され
たオリゴマ・−またはポリマーとして単一重合体または
共重合体となって、それからポリスチレンに加えること
もできる。さらに、同じようにα−メチルスチレンもｐ
−メチルスチレンも、統計的に均質な共重合オリゴマー
として別に製造されてから、次にポリスチレンに加えら
れることもできる。いかなる方法でスチレン重合体が変
性されているかには無関係に、方向による二重屈折の起
こらない混合物は、常に４０重重量上り少なくない共重
合スチレンを含んでいる。この混合物は、射出成形法の
助けによりレーザー光デイスク用の寸法安定性基材に良
好に加工することができ、この混合物から製造した寸法
安定性基材は、優れた刻線成形、平面性および特に低い
方向性二重屈折を示し１いる。
これまでに得られた進歩にもかかわらず、ポリフェニレ
ンエーテル、ビニル芳香族重合体および場合により添加
物からの混合物からの光学目的用のための光学的透明性
、等方性、方向による二重屈折の起こらない成形部品、
しかしさらには特にこれらの混合物から製造された寸法
安定性のレーザー光デイスク用基材が、尚未だ欠点を有
しており、これらの欠点は絶えずさらに開発し、改良す
ることを必要としている。従って、ビニル芳香族重合体
およびポリフェニレンエーテルからのこれまで既知の寸
法安定性基材は、しばしば実用要求には到達できていな
い信号−雑音比の結果となっている。そのほかに、射出
成形による寸法安定性基材の製造の場合に、しばしば斑
点またはゲル部分の生成が起こる。その上に、多くの場
合炭化部分が生成する。さらに、これらの既知の寸法安
定性基材を含んでいるレーザー光ディスクおよび光磁気
ディスクは、比較的高い読み取り誤差率（ビット誤差率
）を示している。このほかに、非晶質、変温性染料を含
む記録層を含有しているレーザー光ディスクの場合には
、紫外光照射による記録層の破壊が起こり、これが原因
となって該当するレーザー光ディスクの信号−雑音比お
よびビット誤差率の悪化をもたらすことになる。そのほ
か忙、これまでの既知寸法安定性基材には、確認目的の
ために、さらに染料が添加されなければならず、このこ
とが常に加工時の問題となり、さらに耐久性の問題を惹
起させることとなっている。
（発明の目的） 本発明の課題は、ポリフェニレンエーテル、ビニル芳香
族重合体および添加物からの混合物からなる光学目的用
の新規な光学的透明性、等方性であり、方向による二重
屈折の起こらない成形部品で、技術的立場からの欠点を
示さない光学用成形部品を見出すことにある。この光学
目的用新規成形部品は、特にオーディオコンパクトディ
スク（ＣＤ）、オーディオビデオコンパクトディスク（
ＣＤＶ　）　、レーザー光ディスクおよび光磁気ディス
クの寸法安定性基材として適合できる特徴を有していな
ければならない。
（発明の構成） 驚いたことに、この本発明の課題は、ポリフェニレンエ
ーテル、ビニル芳香族重合体および、添加物として少量
の新規ジフェノキノン誘導体および／またはジフェノヒ
ドロキノン誘導体からなる添加剤からの混合物からなる
新規の光学的透明性、等方性の方向による二重屈折を起
こさない光学目的用成形部品により、解決されること処
なった。
従って、本発明の対象は、ポリフェニレンエーテル、ビ
ニル芳香族重合体および添加剤の混合物からなる光学的
透明性、等方性および方向による二重屈折の起こらない
光学目的用成形部品であり、この内の添加剤が全重量当
りで少なくとも１乃至１０００１）ｐｍ含まれていて、
それが−数式Ｉの添加および／または一般式■の添加剤
でありここにおいて置換基ＲおよびＲ′−が水素原子、
塩素原子または臭素原子、置換または非置換０１−乃至
Ｃ６−アルキル基、Ｃ３−乃至Ｃ６−アルナニル基、置
換または非置換Ｃ６−乃至Ｃｌ８−アリール基またはＣ
−乃至Ｃ６−アルコキシ基を示し、置換基ＲおよびＲ′
は同じであるかまたは異なっていることができ、かつ ａ）置換基Ｒ′が塩素原子または臭素原子である限りで
は、置換基Ｒが水素原子またはメチル基であり、 ｂ）置換基Ｒがイングロビル基である場合は、置換基Ｒ
がメチル基であり、その際に ｃ）　　３級−ブチル基は除外されており、さらに置換
基Ｒ２およびＲ３は水素原子、ヒドロキシ基またはＮ（
Ｒ）２−基であり、ここにおいてｄ）置換基Ｒ２がヒド
ロキシ基またはＮ（Ｒ’）２−基である時には、置換基
Ｒ３が水素原子のみであり、 ｅ）置換基Ｒか同じ意味を有している時には、置換基Ｒ
３がＮ（Ｒ’）２−基のみであり、ｆ）窒素原子に付い
ている両置換基Ｒ４が同じであるかまたは相互に異なっ
ていることができ、枝分れしているアルキル基、枝分れ
していないアルキル基または環状アルキル基であるか、
または枝分れしているか、枝分れしていないアザ−また
はオキサアルカニル基、または環状のアザ−またはオキ
サアルカニル基であり、または両置換基Ｒ４は２価基に
よって相互に結合して環状になっている。
このほかに、ビニル芳香族重合体およびポリフェニレン
エーテルからの混合物に対する添加剤として侵れた適合
性のあるジフェノキノン新誘導体およびジフェノヒドロ
キノン新誘導体が、見出された。
次には、ポリフェニレンエーテル、ビニル芳香族重合体
および添加剤からの混合物からなる光学的透明性、等方
性で方向による二重屈折の起こらない光学目的用成形部
品、簡単に言えば１本発明による成形部品′が示されて
いる。
本発明による成形部品の本発明特有の成分は、−数式！
および／または■の新規添加剤である。
本発明による成形部品は、これらの新規添加剤Ｉまたは
Ｈのいずれかを含むことができる。しかしまた、これら
の成形部品は、幾つかの添加剤Ｉまたは■を含むことが
できる。さらに１本発明による成形部品は、少なくとも
１個の新添加剤Ｉおよび少なくとも１個の新添加剤■か
らの混合物を含むことができる。
新規添加剤Ｉおよび／または■は、本発明による成形部
品中に痕跡量で含まれている。痕跡量とは、この場合に
、本発明による成形部品を構成している混合物の全量に
対して、ｌ乃至１０００　ｐｐＩＩＩであると理解され
ている。当然のことであるが、本発明による成形部品中
の新規添加剤工および／または■が、より多（の量で含
まれることもできる。それにもかかわらず、新規添加剤
Ｉおよび／または■は、１乃至１１０００ｐｐの含量で
既にそれらの特徴的な技術的効果をすっかり示している
ので、さらに添加量を増加することが不要となっている
。
一般式Ｉおよび■での適当している置換基ＲおよびＲの
例は、水素原子、塩素原子または臭素原子、メチル−、
エチル−グロビルー　イソプロピル−ｎ−ブチル−２級
−プチル−ｎ−ペンチル−またはｎ−ヘキシル基、クロ
ルメチル−２−クロルエチル−または３−クロルプロピ
ルＭ、２−７”ロイン−１−イル−３−ブテン−１−イ
ル−４−ペンテン−１−イル−３−メチル−２−ブテン
−１−イル−または５−ヘキセン−１−イル−基、フェ
ニル−１−ナフチル−２−ナフチル−２’−メチル−フ
ェニル−１−４’−）ｆルーフェニル−！−２’−フェ
ニルーフェニ＃−１−３’−７エニルーフエニルー１−
４′−３級−プチル−フェニル−１−またはター７エニ
リルー基、またはメトキシ−、エタン−１−オキシ−プ
ロパン−１−オキシ−ｎ−ブタン−１−オキシ−ｎ−ペ
ンタン−１−オキシ−またはｎ−へキサン−１−オキシ
−基等である。
この場合に、新規添加剤Ｉおよび／または…中の置換基
ＲおよびＲ１は、同じであるかまたは相互に異なってい
ることができ、ここでも以下の２つの条件が設けられて
いる： ａ）置換基Ｒ１が塩素原子または臭素原子である時には
、置換基Ｒは水素原子またはメチル基である。
ｂ）置換基Ｒ１がイソプロピル基である時には、置換基
Ｒはメチル基である。
さらに、 ｃ）置換基ＲおよびＲ１が３級−ブチル基であることが
、除外されている。
一般式Ｉおよび／または…における好適な置換基Ｒおよ
びＲ１は、メチル基またはメトキシ基であり、その中で
もメチル基が特に置換基としてより好適である。
一般式ＩおよびＨにおける適当な置換基Ｒ２およびＲ３
の例は、水素原子、ヒドロキシ基またはＮＣＲ’）２−
基である。この場合に、置換基Ｒ２およびＲ３は同じで
あるかまたは相互に異なっていることができ、ここでも
勿論次の条件が設定されている： ｄ）　　Ｒ換基Ｒ２がヒドロキシル基＊　タハＮ（Ｒ’
　＞。
基である時には、置換基Ｒ３は水素原子である。
ｅ）置換基Ｒ３がＮ（Ｒ’）２−基である場合には、置
換基Ｒ２が同じ＜　ＮＣＲ’）２−基である。
同じ窒素原子に結合している２つの置換基Ｒ４は、同じ
であるかまたは相互に異なっていることができる。置換
基Ｒ４としては、枝分れし２ているアルキル基、枝分れ
していないアルキル基または環状アルキル基、または枝
分れしているか、枝分れしていないアザ−またはオキサ
アルカニル基まｔ、：、　ハｍ　状のアザ−またはオキ
サアルカニル基カ考えられる。このほかに、両置換基Ｒ
４が２価基と結んで相互に環状に結合されることができ
、従って両置換基Ｒ４が窒素原子と一緒になって複素環
を生成することができる。
適当な置換基Ｒ４の例は、メチル−、エチルーグロビル
ー　〇−ブチルー　２級−ブチル−１３級−プチル−ｎ
−ペンチル−３級−ペンチルー、ネオペンチル−ｎ−へ
キシル−〇−へブチル−〇−オクチルー　２−エチルへ
キシル−インオクチル−３級−オクチル−ｎ−ノニル−
ｎ−デシル−５，５−ジメチルへキシル−６，６−ジメ
チルへブチル−７，７−シメチルオクチルー　８，８−
ジメチルへブチル−２゜４．４−）ジメチルペンチル−
３，５，５−）ジメチルへキシル−４，６，６−）ジメ
チル−２−（１，３，３−トリメチルブチル）−へグチ
ル− ４，５，７，７−チトラメチルー２−（１，３゜３−ト
リメチルブチル）−へブチル− ８，８−ジメチル−４，５−ビス（３，３−ジメチルブ
チル）−ノニル− ５−モドロキシヘプチル−３−アザ−ブチル−１−１３
−アザ−ペンチル−１−３−アザ−ヘキシル−１−３−
アザ−４，４−ジメチル−ペンチルー１−１３−アザ−
５，５−ジメチル−へキシル−１−３−３級−プチルオ
キシプロピル−４−３級−ブチルオキシベンチルー　６
−３級−ブチルオキシへキシル−７−３級−ブチルオキ
シへブチル−３−３級−プチルオキシ−２−メチル−プ
ロピル−３−３級−プチルオキシ−２，３−ジメチルプ
ロピル−３−３級−プチルオキシ−２−メチルオクチル
− ５，５−ビス（３級−ブチルオキシ）−３，４−ジメチ
ルペンチル− ２−（２−オキサ−３，３−ジメチルブチル）−オクチ
ルー ２−エチル−４−（３−オキサ−４，４−ジメチルペン
チル）−８−オキサ−９，９−ジメチルデシル− ４−（１，３−ジオキサン−２−イル）−ブチル４−（
１，３−ジオキサン−２−イル〕−３−メチルブチル− ４−（１，３−ジオキサン−２−イル）−４−メチルブ
チル− ４−（１，３−ジオキサン−２−イル）−２，３−トリ
メチルブチル− ５−（１，３−ジオキサン−２−イル）−ペンチル− ６−（１，３−ジオキソラン−２−イル）−へキシル− ４−（４，４−ジメチル−１，３−ジオキサシクロオク
タン−２−イル）−ブチル− ４−（１，３−ジオキソラン−２−イル）−３−メチル
ブチル−または ６−（５，５−ジメチル−１，３−ジオキサン−２−イ
ル−）−３−エチル−４，５−ジメチルへキシル−基等
である。
同じ窒素原子に結合している両置換基Ｒ４は、しかしな
がらまた、２価の基と結んで相互に結合することができ
、これによって合計してＮ（Ｒ’　）　２−基が複素環
基を生成させることになる。
このような両置換基Ｒ４の相互の結合から生成する適当
な複素環基の例は、モルホリン−１−イル−、イミダゾ
ール−１−イル−へ２−イミダシリン−】−イル−ピロ
リジン−１−イル−ピペリジル−１−イル−ピペラジニ
ル−１−イル−４−メチル−ピペラジン−１−イル、イ
ンドリニル−１−イル−またはイソインドリニル−１−
イル−基であり、これらの内でピペリジル−１−イル−
およびモルホリン−１−イルー基カ特に好適である。
特に優れて好適な置換基Ｒ４は、メチル−、エチル−プ
ロピル−〇−ブチルーまたは３−アｆ−４．４−ジメチ
ルーペンチル−１−イル−基であり、その内で特にｎ−
ブチル基が優れた技術的効果を与えている。
適当な添加剤Ｉの例は、添加剤１−１から１−１８まで
である： これらの内で、 特に優れている。
新添加剤１−１およびＩ−３が 適当な新添加剤■の例は、 添加剤１１−１から■ −１８までである。
！−９ ｆ−４ ３Ｈ７ これらの内で、添加剤１１−２が％忙優れている。
新添加剤Ｉの製造においては、−数式■のジフェノキノ
ンから出発し、 ここにおいて置換基ＲおよびＲは前述で与えられた意味
を有している。このジフェノキノン■の製造性は、既知
であり、例えば−数式■のジー置換フェノールのアセト
ニトリル中での第二銅触媒による接触酸化により得られ
る。
新規添加剤■は、新規添加剤Ｉから、水の存在において
温和な還元剤による還元によって得られる。
新規添加剤Ｉおよび／または■のほかに、本発明による
成形部品、または本発明による成形部品を構成する混合
物は、その全重量に対して少なくとも１乃至１０００　
ｐｐｍの一般式■によるさらに新規の添加剤を含むこと
ができ、 この方法で得られるジフェノキノン■は、次に例エバ、
パンツリンク、レーマンーホルクラー、モールマン、グ
リノツキ、ハイデプリームおよびバンコウが、′合成有
機化学の新方法■、発生期キノンでの合成“、アンゲバ
ンドテフエミ−７６巻、３１３から３５６頁、特に３１
５頁、１９６４年の方法により、単一核キノンについて
記載されている方法によって、新規添加剤Ｉに変換する
ことができる。
ここにおいて、置換基Ｒ、Ｒ’およびＲ４は前述で与え
られた意味を有している。確かに、本発明による成形品
またはそれを構成している混合物は、少なくとも新規添
加剤■の１０００　ｐｐｍ以上を含むことができるが、
それにもかかわらずこの添加剤はその特徴的な技術的作
用を既忙少量の添加によって満しているので、従ってよ
り多量に含む必要がない訳である。
適当な新規添加剤■の例は、新規添加剤１ｆｆ−１から
ｌｌ−１０までである。
これらの内で、添加剤ｌ１１−１が特に優れている。
新添加剤■の製造は、ジフェノキノン■をトルエン中で
、酸性亜硫酸ナトリウム濃水溶液と、−数式■のアミン
の存在において反応することにより得られ、 ＨＮ（Ｒ’）２　　　　　　　　　　　　　〜蜀ここに
おいて、両置換基Ｒ４は前述で与えられた意味を有して
いる。この後で、新規添加剤ｍは、上記の反応混合物か
ら通常の既知製造方法の助けをかりて分離され、続いて
同定される。
新規添加剤ｌおよび／または■、並びに場合：（より■
のほかに、本発明による成形部品またはそれを構成１７
でいる混合物は、尚さらなる添加剤を含むことができる
。
剤 さらなる適当な添加剤の例は、−数式■の添加および／
または一般式■の添加剤 であり、ここにおいて置換基ＲおよびＲ１は、前述で与
えられた意味を有している。添加剤、■および■は、本
発明による成形部品またはそれを構成している混合物中
において、ｌ乃至１０，０００　ｐｐｍの全量で含まれ
ていることができる。この場合に、添加剤■の含量は、
それが使用される時には、１乃至１００　ｐｐＩＩＩで
存在し、それに対して添加剤Ｖの含量は１０，０００　
ｐｐｍまでになることが、特徴となっている。
さらに、本発明による成形部品またはそれを構成してい
る混合物は、−数式■のフェニレンエーテルオリゴマー
を、１０乃至１０，０００　ｐｐｍ含むことができ、 ここにおいて置換基ＲおよびＲ１は前述で与えられた意
味を有しており、ｎは３乃至１５の数字である。
オリゴマーフェニレンエーテル〜１は、既知）化合物で
あり、例えばジー置換フェノール〜１とポリフェニレン
エーテルとの既知分配反応を経て、この際に生成する反
応生成物をシリルエーテルまたはアセテートにし、次次
蒸留分離し、当該シリルエーテルまたはアセテートを鹸
化するか、またはウルマンー反応による目的とする合成
により製造することができる。
本発明による成形部品またはそれを構成し７でいる混合
物は、波長λ（４００ｎｍの光に対して不透過性であり
、波長λ）　４００　ｎｍの光に対して透過性である。
これらは西独工業規格ＤＩＮ　６１６７による黄色度Ｙ
Ｉ（黄色度係数）が、４０乃至９０、好適には５０乃至
８０、および特に好適には５５乃至７０となっている。
本発明による成形部品を構成している混合物は、０．５
％クロロホルム溶液にして２５℃で測定した極限粘度〔
η〕が０．５乃至０．８、好適には０．５５乃至０，７
５、特に好適には０．６乃至０．７５となっている。
本発明による成形部品は、おもにビニル芳香族重合体お
よびポリフェニレンエーテルから成り立っている。この
場合に、ビニル芳香族重合体並びにポリフェニレンエー
テルが、それぞれ別々に製造され、次に一緒に混合され
た重合体が、本発明による成形部品またはその構成成分
である混合物となる。それにもかかわらず、またビニル
芳香族重合体およびポリフェニレンエーテルの一部また
は全量が、ブロック混合重合体または複合重合体の形で
相互に結合している。
ビニル芳香族重合体およびポリフェニレンエーテルが、
別々に製造されて次に一緒に混合される重合体であるか
、またはブロック混合重合体または複合重合体として本
発明による成形部品を構成しているかどうかに関係なく
、ポリフェニレンエーテルのビニル芳香族重合体に対す
る重量比は、３０　：　７０乃至５０：５０、特に３５
：６５乃至４０　：　６０となりている。
好適なポリフェニレンエーテルは、０．５％クロロホル
ム溶液で２５℃での測定極限粘度〔η〕として０．５乃
至０．６を有している。分子量に関しては、Ｍｗ／Ｍｎ
が４乃至１１、特に５乃至１０であって、不均一性を示
している。特建好適なポリフェニレンエーテルは、数平
均分子量鳩として３５００乃至７０００　、特に４００
０乃至６０００を有している。さらに特別に好適なポリ
フェニレンエーテルは、重量平均分子量が３０，０００
乃至ｓｏ、ｏｏｏ　、特に３５，０００乃至４５，００
０を示す重合体である。特別に最も好適ナポリフエニレ
ンエーテルは、前述の数平均分子量Ｍｎと前述の重量平
均分子量Ｍｗとを合わせ示すものである。
前述の条件を満している適当なポリフェニレンエーテル
の例は、−数式■のポリフェニレンエーテルであり、 ここにおいて置換基ＲおよびＲは前述で与えられた意味
を有しており、例え、ば ポリ（２，６−シメチルー１．４−７二二レンエーテル
）、 ホ！Ｊ　（２ｒ　６−シエチルー１，４−フェニレンエ
ーテル）、 ポリ（２，６−ジフェニル−ｉ、４　　ｙエニレン工−
テル）、 ポリ（２，６−ジェトキシ−１，４−フエニレンエーテ
ル）、 ポリ（２−メチル−６−クロル−１，４−フェニレンエ
ーテル）、 ポリ（２−メチル−６−プロムー１．４−７二二レンエ
ーテル）、 ポリ（２−メチル−６−インプロビル−１，４−フエニ
レンエーテル）、 ポリ（２，６−シメトキシー１，４−）二二しンエーテ
ル）、 ポリ（２−メチル−６−メドキシー１，４−７エニレン
エーテル）、 ポリ（２−メチル−６−ニトキシー１，４−フェニレン
エーテルンまたは ポリ〔２，６−ビス（３−メチル−２−ブテン−１−イ
ル）−１，、ｉ−フェニレンエーテル〕であり、これら
の内ではポリ（２，６−シメチルー１　、４−フェニレ
ンエーテル）カ’ＰＨＣ好ａテする。
前述のポリフェニレンエーテルは、少量部ち０．００１
乃至５モル係の２．３．６−位トリー置換１．４−７工
ニレンエーテル単位体、例えば２゜３．６−ドリメチル
ー１，４−フェニレンエーテル単位体を共重合して含む
ことができる。
さらに本発明による成形部品またはそれを構成する混合
物の本質的成分には、ビニル芳香族重合体がある。この
場合には、ビニル芳香族単独重合体または共重合体が関
係しており、これらは既知のラジカル重合開始剤による
重合で製造される。
しかしながらまた、ビニル芳香族単独重合体、共重合体
およびブロック混合重合体が使用されることができ、こ
れらは通常の既知アニオン重合法で製造される。
これらのビニル芳香族重合体の製造に使用される単量体
は、普通の既知のものである。特に好適なのカ、スチレ
ン、α−メチルスチレン、ｏ−ｍ−またはｐ−メチルス
チレンである。特に好適なのが、重量平均分子量Ｗが８
　Ｘ　１０’乃至２×ｌＯ６である高分子量ビニル芳香
族重合体と、重量平均分子量Ｍｗが５×１０３乃至３　
Ｘ　１０’である低分子量ビニル芳香族重合体とが一緒
に使用されることである。
ビニル芳香族重合体は、全重量に対して０．１乃至８重
ｆｉ％のシアンエチレン基および／または０．０１乃至
１０重量係の一般式Ｘの基を含むことができ、 ここにおいて置換基Ｒ５が水素原子またはメチル基を示
し、置換基Ｒ６が置換または非置換Ｃ１−乃至Ｃｌ０−
アルキル基、Ｃ５−乃至Ｃ８−シクロアルキル基または
Ｃ６−乃至ＣＩ。−アリール基となっている。この種類
の基は通常の既知アクリル酸エステルまたはメタクリル
酸エステルから誘導され、これらは特にビニル芳香族と
共重合されるものであり、例えばアクリル酸またはメタ
クリル酸のメチル−、エチル−プロピル−、イソプロピ
ル−ｎ−ブチル−２級−プチル−３級−ブチル−ｎ−ペ
ンチル−ｎ−へキシル−ｎ−ヘプチル・−ｎ−、ｔクチ
ルー　２−エチルヘキシル−ノニル−デシル−、シクロ
ベンチルー、シクロへキシル−２−メチルシクロヘキシ
ル−２，４−ジメチルシクロヘキシル−フェニル−４−
メチルフェニル−またはナフチルニスデル等である。
これらのほかに、ビニル芳香族重合体は、シアノエチレ
ン基および／またはＸ基を加えることができ、これらの
代りに、その全量に対して０．０１乃至１０重量係の一
般式ＸＩの基を含むこともでき、ロア ここでのＲ７が水素原子またはメチル基を示し、Ｙが酸
素原子またはＮ−Ｃ，−乃至Ｎ−Ｃ６−アルキル−また
はＮ−Ｃ６−乃至Ｎ−Ｃ，。−アリールイミノ基である
。このＸＩ基は、無水マレイン酸または無水イタコン酸
またはＮ−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−プロピル−１Ｎ−
ブチル−Ｎ−ペンチル−Ｎ−へキシル−Ｎ−フェニル、
マタはＮ−ナフチルマレインイミドまたは−イタコンイ
ミド等の単量体から誘導され、これらは衆知のようにビ
ニル芳香族との共重合建特に適合している。
シアンエチレン基、Ｘ基および／またはＸＩ基は、統計
的均一に分散している単量体単位としてビニル芳香族重
合体主鎖中に存在していることができる。しかしながら
また、それらは単一オリゴマーまたはブロック重合体と
して生成することもでき、ビニル芳香族重合体主鎖中に
組み込まれるか、および／または側鎖置換基としてこの
主鎖と結合することもできる。しかしながらまた、上記
の基は、オリゴマーの単量体または単独重合体または共
重合体、またはブロック−またはグラフト混合重合体の
形で生成することもでき、これらが別に製造されて次に
ビニル芳香族重合体に加えられることもできる。このほ
かに、上記の基は、ビニル芳香族重合体の側鎖となる重
合体分子鎖を形成することもできる。
いかなる形でシアノエチレン基、Ｘ基および／またはＸ
基が本発明による成形部品中に含まれているのかとは関
係なしに、上述の重量範囲がこれらの基には該当してい
る。特に好適なビニル芳香族重合体の例は、ポリスチレ
ン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリ−ｐ−メチルスチ
レン、スチレンおよびα−メチルスチレンからの共重合
体、スチレンおよびｐ−メチルスチレンからの共重合体
、およびスチレン、α−メチルスチレンおよびｐ　−メ
チルスチレンからの共重合体またはスチレン−メチルメ
タクリレート−共重合体等である。
前述の種類のビニル芳香族重合体で、場合によりシアノ
エチレン−基、Ｘ基および／またはＸ基を含む重合体は
、通常あるもので既知である。
本発明による成形部品またはそれを構成している混合物
は、全量に対して０．０５乃至ＩＯ重重量％添加物、例
えば抗駿化剤、可塑剤、潤滑剤および染料を含むことが
できる。この種の添加物は、通常のもので既知である。
特に混合物中において分子分散の形で分散し、波長λが
７２０から１０００　ｎｍの光を唯僅かに吸収するかま
たは全く吸収しないものが好適である。
この種の特に好適な添加物の例は、３級−ブチル−クレ
ゾール、白油およびステアリン酸亜鉛である。
特に好適な本発明による成形部品は、だいたい３０乃至
５０、特に３５乃至４０重ｆｉ部のポリ（２゜６−シメ
チルー１，４−フェニレンエーテル）ト、５０乃至７０
、特に６０乃至６５重量部のビニル芳香族重合体混合物
を含み、この混合物は、混合物当りで重量平均分子量珈
が８　Ｘ　１０’乃至１０６のポリスチレン６８乃至９
７重重量％、３乃至２５重重量％統計的均一な共重合体
からなり、この共重合体は２乃至９８重１％の共重合さ
れたα−メチルスチレンおよび９８乃至２重量％の共重
合されたｐ−メチルスチレンからなり、重量平均分子量
’Ｆｋが７×１０３乃至２　Ｘ　１０’となっているも
のである。このほかに、特に好適な本発明による成形部
品は、常に少なくとも新規添加剤！−１、Ｉ−３および
ｌｌ−２を１乃至１０００１）ｐｍの量で、含んでいる
。
このほかに、本発明による成形部品は、新規添加剤■、
特に新規添加剤１１−１を、ｌ乃至１１０００ｐｐの量
で含んでいる。
本発明による成形部品は、多くの特徴を示している。％
に光学的目的に適しており、これはとりわけ成形部品の
光学的透明性、等方性、および方向による二重屈折の起
こらない特徴からきている。
この場合に、本発明による成形部品は、直接その使用目
的から生ずる任意の外形を与えることができる。その特
別に特徴的な物性に基づいて、本発明の成形部品はとり
わけデジタルまたはアナログデータの担体として役立つ
ことができる。この場合には、直径５０乃至３００　ｔ
Ｍの円型パンチボードの形状となる。
ここで本発明による成形部品は、平滑両表面の円型パン
チボードの形状を示すことができる。その間に、少なく
ともこの両表面の１つは、マイクロメーターおよび／ま
たはサブマイクロメーター範囲のレリーフ構造を有して
いる。本発明による成形部品またはこの種の円型パンチ
ボードは、とりわけオーディオ−コンパクト−ディスク
（ＣＤ）、オーディオビデオコンパクト−ディスク（Ｃ
ＤＶ）、レーザー光データディスクおよび光磁気データ
ディスクとして、使用される。このような円型パンチボ
ードの形状での本発明による成形部品は、以下に５本発
明による寸法安定性基材′として説明される。
特別に特徴的な本発明による寸法安定性基材は、マイク
ロメーターおよび／またはサブマイクロメーター範囲で
のレリーフ構造を有する表面を有している。
このレリーフ構造は、レーザー光の正確なリードに役立
ち、これによって当該するオーディオ−コンパクト−デ
ィスク（ＣＤ）、オーディオビデオコンパクト−ディス
ク（ＣＤＶ）、レーザー光ディスクおよび光磁気ディス
ク中に含まれているデジタルデータが、読みとられる。
このレリーフ構造は、例えばＣＤディスク操作における
ようなディスク走り装置のレーザー光記録および読み取
り先端におけるトレースサーボ機構および自動焦点装置
の急速で正確な反応を、保証している。これによって、
レリーフ構造は、いわゆるゝ　トラッキング′を可能に
し、または改良している。このほかに、レリーフ構造自
身がデータで゛あることができ、例えばオーディオ−コ
ンパクト−ディスク（ＣＤ）およびオーディオビデオコ
ンパクト−ディスク（ＣＤＶ　）が、この例である。し
かしまたレリーフ構造はデータのフード化にも役立って
おり、これはレーザー光および光磁気ディスクの記録層
中に書き込みレーザー光の助けをかりて、記入されるも
のである。
基本的には、レリーフ構造は高い部分および／またはほ
り下げ部分からなっている。両者は、通過する、同中心
的なまたはらせん状トラックの形、または分離した隆起
および／またはくぼみの形で、表われている。このほか
に、レリーフ構造は多少とも平滑な波型形状を有してい
ることができる。
この場合に、特徴はトラックに与えられている。
それらは、その横方向において、長方形ののこぎり歯状
、Ｖ−型または台形の輪郭を示している。
そのはり下げ部分は一般に１グループ＃（レコードの溝
）と称され、その高い部分は１ランド（陸）として表わ
されている。この場合には、５０乃至２００　ｎｍ深さ
と０．４乃至０．８μｍ幅の１グループ“を有するトラ
ックが特に特徴となっており、その間にそれぞれ１乃至
３μｍ幅の１ランドがある。
本発明による寸法安定性基材は、それぞれのレリーフ構
造で示される表面を有しており、さらにオーディオ−コ
ンパクト−ディスク（ＣＤ）、オーディオビデオコンパ
クト−ディスク（ＣＤＶ）レーザー光ディスクおよびい
わゆるサンドイッチ−構造を有する光磁気ディスクの構
成に特に適合している、特別な特徴を有している。この
サンドイッチ−構造の製造のためには、２個の本発明に
よる寸法安定性基材が一対で、正確に中心を合わせて重
なり合って置かれ、既にデジタルデータを内容として含
んでいるか、またはレーザー光または光磁気記録層を担
持しているかの、それらのレリーフ構造を示す表面を、
この両表面の間に一定間隔を置くように平行にして、相
互に結合させる。
この間隔は、通常の既知方法において環、こままたは小
柱のような間隔を保持させる部品の助けにより、保たれ
る。この場合に、この間隔保持具は、またそれが環形状
を有している限りでは、両レリーフ構造を示す表面間の
空間を気密に封止することができる。このほかに、これ
らの寸法安定性基材は、その中間の所でボスにより結合
されていることもできる。
間隔保持具並びにボスは、任意の素材からの組成を有す
る適当な成形部品であることができる。
しかしながらまた、間隔保持具および、使用される場合
にはボスが、適当な外形を有する本発明による成形部品
であることも、特に特徴的なことである。この場合に、
個々の本発明による成形部品間の高接着強度の結合は、
適当な接着剤の助けで行なわれる。本発明による成形部
品を既知の超音波溶接技術で接合できるのも、特徴とな
っている。
このほかに、この本発明による寸法安定性基材の２個が
、それぞれにレリーフ構造を有する表面を有しており、
一対となって正確に重ね合わされ、中心を合わして完全
に相互結合されて、それらのレリーフ構造を有する表面
が外側に向うようにされている。
本発明による寸法安定性基材の製造は、通常の技術的立
場から既知の成形方法により、行なわれる。この場合に
、本発明による寸法安定性基材を構成する新規混合物の
成形加工が、射出成形により実施されるのが特徴となっ
ている。このためだ、この新規混合物が押出成形機で製
造され、そこで溶融物となって適当形状の射出成形機に
運ばれ、望ましい立体形状の寸法安定性基材に射出成形
される。この成形工程においては、射出成形機中にある
適当な形状の母型によって、レリーフ構造が、当該する
製造される本発明の寸法安定性基材の表面に、押し込め
られて生成する。一般に、この成形処理は、清浄な空間
条件下で実施される。
使用目的に応じて、本発明による寸法安定性基材は、各
種の方法でさらに加工処理されて、さらに特別な特徴を
示すことができるニ オ−デイオーコンパクト−ディスク（ＣＤ）お゛よびオ
ーディオビデオフンバクトディスク（ＣＤＶ）の寸法安
定性担体として利用される時には・七のレリーフ構造を
示す表面が、一般に金属鏡でのレーザー光のより良い反
射を具えている。この金属鏡には、通常の既知方法でさ
らに１層例えば保護層を塗布することができる。この方
法で得られたコンパクト−ディスクは、特に優れた成形
レリーフ構造を示しており、正確にオリジナル母型に対
応している。従って、このコンパクトーディスクは、特
別に低い読取り誤差率（ビット誤差率）と特に高い信号
−雑音−比を、表わしている。これによりて、優れて高
い再現性能を示している。このほかに、このコンパクト
−ディスクは、本発明による寸法安定性基材の簡単な方
法による着色に基づいて、ビデオに一致させることがで
きる。
本発明による寸法安定性基材がレーザー光ディスクの記
録層担体として利用される時には、そのレリーフ構造を
表わしている表面が、場合によって通常の既知中間層を
経て、通常の既知の一般的に非晶質で熱により変化可能
の記録層を具えることができる。この非晶質、熱変化記
録層は、任意の物質から構成されることができる。例え
ば、染料、テルルまたは金らである。
よく知られているように、この非晶質、熱変化記録層中
のデジタルデータは、３００乃至２０００　ｎｒｎの光
線径、光線出力１乃至２０　ｍＷ　１インパルス時間１
０乃至１０００　ｎｓおよび記録波長λが４００乃至１
０００　ｎｍのインパルス変調記録レーザー光の助けに
よって、書き込み記録される。書き込み記録の際には、
よく知られているように、記録レーザー光は、記録層の
上に導かれる。従って、記録層の熱変化領域は、一般に
円形または楕円形の基礎形状を有している。記録層の物
質組成に従って、熱変化領域が穴であることができる（
除去型データ記録）；クレータ（ピット）であることも
でき、場合によりきれいに作られたクレータ縁（ウオー
ル）を表わしている（変形データ記録）；照射によって
材料の相変換となり、他の変性物質になって仕舞う領域
がある（相変換によるデータ記録）。
あるいは、記録層が、照射によって伸張したりまたはガ
スを発生する層で重ねられることができる。
これによって記録層が部分的に伸ばされて、これＫよっ
て記録層の表面に、書き込み記録されたデジタルデータ
を内容として含むレリーフ構造が形成される。しかしま
た、ガスも記録層自身の中に光がまき散らす小気泡を遊
離させることができる（発泡データ記録）。さらに、熱
変化領域中には、記録層の組成分の化学反応または多数
組成分間での化学反応が起って贋ることもあり、あるい
は熱変化領域が、小粒子の拡大または共融により変化す
ることもある。
記録レーザー光での照射の際に、熱変化領域の生成の個
々において、いかなるメカニズムが基礎になっているか
どうかには関係なく、熱変化領域は、熱により変化しな
い領域とは別の反射を読み取りレーザニ光に対して示し
、これが記録されたデータの検出に利用される。この目
的のためには、光線出力０．１乃至２　ｍＷおよび波長
λが４００乃至１０００　ｎｍの読み取りレーザー光が
記録層の上に導かれ、この時と垂直または斜めに入る。
垂直であっても、斜めであっても、記録層に焦点が定め
られていなければならない。読み取りレーザー光が熱変
化領域で記録層全面に当る時には、記録層忙より反射さ
れたりまたは透過されたりする光の性状が変化し、これ
は適当な検出器により検出されることができる。レーザ
ー光データディスクを記録したり読み取ったりするため
の適当な装置は、通常の既知のレーザー光デイスク操作
装置である。
レーザー光によるデータの書き込み記録および読み取り
の際に、記録層を特徴的な方法で寸法安定性担体を通し
て照射するので、この場合には、本発明による寸法安定
性基体の特に特徴的な物性が、特に明らかとなる：各種
波長のレーザー光による熱変化記録層の照射を可能にし
、この際にレーザー光の強度は、全く妨げられないか、
または認められる程０度に妨げられることがない。さら
に別に、本発明の寸法安定性基体は、紫外線感受性の熱
変化記録層を、紫外光による分解から保護するので、こ
れによってレーザー光ディスクを日光下で長期間貯蔵す
ることができる。これによって、本発明による寸法安定
性基材を含んでいるレーザー光ディスクは、通常の既知
寸法安定性基材を含んでいるレーザー光ディスクに比べ
て、より高い寿命、より優れた耐食性、より高い再現性
、より低い読み取り誤差率およびより高い信号−雑音比
を示している。
本発明による寸法安定性基材を光硼気ディスクにおける
担体として使用する際には、そのレリーフ構造を表わし
ている表面は、通常の既知光磁気記９メ層で重ねられる
。この居合には、その表面１て垂Ｅｆな、磁化された、
非晶質フエ’）磁性ランタニド−遷移金属−合金層が取
り扱われる。この記録層に書き込まれた熱変化領域は、
黒点の形状を有しており、これが初めの方向に逆の磁化
方向を示している。これは、この層の非晶質フェリ磁性
材料を、隣接補助磁場の影響下で書き込みレーザー光に
よる加熱で、生成する。加熱によって、非晶質フェＩＪ
　ｉ化材料の保磁力Ｈｃは減少する。この場合に、それ
ぞれの使用されている材料に依存している臨界温度では
、保磁力１（ｃが隣接補助磁場の磁力を下廻っているの
で、当該領域は磁化されることとなる。この領域の読み
取りのためには、連続発光長点レーザーの直線偏光が利
用されるが、この光強度では材料をその臨界温度以上に
まで加熱するのシ（不十分である。このレーザー光は、
記録層自身からか、または記録層の後３にある反射層か
ら反射され、ここで記Ｍ層中の磁カモメントとレーザー
光波の磁力ベクトルの間での交互作用が生ずる。この交
互作用によって、反射レーザー光の偏光面Ｅが初めの偏
光面に対し、て、小さな角だけ回転されるが、この偏光
面回転を、またカー効果またはファラデー効果と称１〜
ている。反射レーザー光のこの偏光面Ｅの回転を、適当
な光学的および電子的装置で測定して、信号に変換させ
ることができる。この記録処理の居合には、光磁気記録
層を通常には寸法安定性担体を通して照射するのである
が、この際にデータの読み取りのために基準となる物理
効果、即ちレーザー光の偏光面回転が小さいのが普通で
あるが、ここで本発明による寸法安定性基材は、特別に
高い基準で検出可能となるようにしている。従って本発
明による寸法安定性基材を含む光磁気ディスクは、通常
の既知寸法安定性基材を含む光磁気ディスク洗比べて１
、より長い寿命、より小さい腐食率、より少ない読み取
り誤差率およびより高い信号−雑音比を有している。
（実施例） 実施例および比較試験 以下に、レーザー光デイスク用に寸法安定性基材を用い
た本発明による成形部品の特別な特徴が、範例的に示さ
れている。
以下の実施例および比較試験においては、個々の記録層
の厚さが、走査電子顕微鏡の撮影により、測定された。
ｄＢで表わす信号−雑音比は、レーザー光ディスクｐこ
・ついて既知の方法で調査されたが、インパルス変調レ
ーザー（発光波長λ：　８３０　ｎｍ　；パルス持続時
間’　５００　ｎｓ　；先出カニ　６　ｍＷ　）の助け
により、寸法安定性基材を通して記録された。ここでは
、レーザー光ディスクが、長点レーザー（発光波長λ：
　７３Ｑ　ｒｕｎ　；先出カニ　ｏ、　ｓ　ｍＷ　）の
助けにより、寸法安定性基材を通しで読み取られた。発
光レーザー光は、ここでは常に４ｍ１秒の比速度で、レ
ーザー光デイスク上に導かれた。この際に、常にレーザ
ー光ディスクから反射された光が、捕捉され解析された
。
記録ｆｅ！度Ｃｎ、Ｉ＞、即ち記録レーザー光の最小光
出力は、記録層中の異論の余地のない読み取りし得る熱
変化領域（ビット）として表わされるものであり、これ
は通′帛の既知測定方法の助けをかりて、測定された。
寸法安定性基材の黄色度ＹＴ（黄色係数）は、西独工業
規格Ｄ　Ｉ　Ｎ　６１６７に従って測定されて、西独工
業規格ＤＩＮ　６１７４によって評価された。
以下の実施例および比較試験においては、表面上に通常
の既知の同中心的トラックを含んでいる寸法安定性基材
が使用された。そのはり下げ部分は一般に１グループ“
として、その高い部分は一般に１ランドとして表わされ
た。このトラックは、よく知られているように、書き込
み記録光および読み取り光の正確なリードに役立ってお
り、これはディスク装置の記録−および読み取りレーザ
ー光頭部から発光される。ここでは、し・−ザー光頭部
に存在しているトランクサーボ装置から鋭敏な光学信号
が出ろことが、必要である。この信号は、ディスクから
普通にレーザ・−光頭部に反射されたレーザー光の回折
によって、　グループ“と１ランドの間の境界に発生し
、この光信号の捕捉および解析のためには、このための
通常既知のホトダイオード装置が利用される。　トラッ
キング−特性、即ち正確なリード、特に読み取りレーザ
ー光のリードのためには、　ランドと１グループの間の
高い光学的コントラストが生ずることが本質的に重要で
あり、そうでなければ単に弱くて鋭敏でない信号だけか
、または全く信号が得られなくなる。後者の信号が得ら
れないことは、しばしば記録されたレーザー光ディスク
の場合に起こる。これは僅少の信号−雑音比に導き、一
般に記録されているデータの再現読み取りを困難処して
いる。従って、　　トラッキング′の良否判定の規準と
しては、一般に信号の幅並びに１グループ′からと１ラ
ンド′から再反射されたレーザー光の強度の相違が、測
定される。これに加えての品質判定は、レーザー光ディ
スクの全直径にわたってのこの強度相違が、コンスタン
トで高いかどうかということである。
それに従って、以下においてトラックに対する読み取り
レーザー光（λ−７８０　ｎｍ　；先出カニ０．５ｍＷ
　）の材料の読み取りについて、レーザー光ディスクの
５　トラッキング特性が測定された。この場合に、レー
ザー光ディスクの全直径について、測定された。この場
合の再反射レーザー光は、通常の既知光学装置で捕捉さ
れ、ホトダイオードに導かれて適当な電子装置や電気信
号に変換されるが、その信号の強さがディスク直径の機
能として記録された。則ち１ランドから得られた信号の
高さと、　グループから得られた信号の高さとの間の差
が、レーザー光ディスクの全直径についてコンスタント
、鋭敏で高いかどうかが判断されたが、これに従って１
　トラッキング特性が次のように、定められた： “優秀“ 鋭敏な信号、　ランド信号およびゞグループ信号の高さ
の間の差が大きく、それが全直径にわたってコンスタン
トである。
１良好“ 鋭敏な信号、該当する信号高さ間の差が大きいが、しか
しこの差が全直径にわたって多少大きく変動している。
不十分“ 幅の広い、はっきりしない信号、該当信号高さ間の差が
僅少、場合によってこの差がまた全直径にわたって多少
とも強（変化する。
不良 該当信号高さ間の差が無い。
レーザー光ディスクの記録が、結果としてそのトラッキ
ング特性の変化を有していたかどうかを試験するために
は、記録されないレーザー光ディスクと同時にまた記録
されたレーザー光ディスクが、上述の方法で測定されて
、記録された。
この場合に、レーザー光ディスクの一方で記録されない
状態、他方で記録された状態の１　トラッキング測定結
果の加重された差が与えられ、これが重要な欠点を表わ
している。上述の１優秀“または１良好“の基準の差が
初めから僅少であった時には、これが該当レーザー光デ
ィスクの特別な特徴を証明したことになった。
修正されていない読み取り誤差率（ビット誤差率）は、
通常の既知方法で標準インホメーションおよびデータの
読み取りを待ったレーザー光ディスクの記録について測
定されたが、この場合に時間隔分析器（タイムインター
バルアナライザーＴＩＡ）が使用された。レーザー光デ
ィスクは、初めに直接記録に従って読み取られた（１．
読み取り）。
レーザー光ディスクが、日中の太陽光の中で数週間貯蔵
され、この後で、貯蔵により物性の劣化が起こったかど
うかを測定するために、新しく読み取られた（２読み取
り）。
実施例１ 新規添加剤Ｉの製造、−射的な実験処方：方法人 一般式■のジフェノヒドロキノン１０５’が、１００イ
アセトン中に溶解された。得られた溶液に、酸化銀７１
および加熱脱水硫酸す）　Ｕラム１０１を加えた。０℃
に冷却した後で、得られた混合物に、−数式ＨＮ（Ｒ’
）２（４）の二級アミン２−を、またはこの−数式の固
体二級アミンをアセトンに溶解した濃溶１１０ｍを、加
えた。この後で、得られた反応混合物が、完全と混合さ
れた。１０分乃至２時間の放置時間後に、反応生成物溶
液から含まれている固体無機成分を分離してから、蒸発
させた。
このようにして得られた粗生成物が、高圧液体クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ）と質量分析を組み合わせて、分
析された。ＨＰＬＣ−カラムとしては、マヂエリー＆ナ
ーゲｋ　（Ｍａｃｈｅｒｙ　＆、　Ｎａｇｅｌ　）の１
逆相ヌクレオシド１２０−５　Ｃ１８“が使用された。
溶離剤としては、メタノール−水混合物が有効であって
、この水含量はカラムに吸着されている粗生成物の溶離
の間に、絶えず増加した。検出に使用された紫外光の波
長λは、４２０　ｎｒｎであった。
新規添加剤１−３に対しては、 上述の方法に従って、保持時間（リテンションタイム）
が２０．８分であった。質量分析では、理論値とよく一
致しで、ｍ／ｅ　−４９４のところ；（モル−ビークを
示した。
方法Ｂ 一般式■のジフェノキノン１５１が、５００　ｍ　）ル
エン中に懸濁されて、これＫ　３９　ｆの一般式Ｉ（Ｎ
ＣＲ’）２（ｕｌの二級アミンおよび０．７２５’のＣ
ｕＢｒからの混合物が加えられた。この後で、この混合
物が３時間激しく撹拌しながら酸素ガス５０　ｌ／ｈを
導入された。この場合に、混合物の上のガス空間は窒素
で掃気された。反応完結後に、得られた反応生成物溶液
から、その中に含まれている固体成分が濾過により分離
された。この後で溶解している銅化合物の除去のために
、同溶液がエチレンジアミン四酢酸ジーナトリウム塩水
溶液で抽出された。精製した反応生成物溶液が、方法Ａ
記載と同じようにして、さらに処理された。
方法Ｂで製造された新規添加剤１−３に対しては、方法
Ａで与えられてると同じ分析結果が得られた。
方法Ｃ 方法Ｃは、広範囲にわたって方法Ｂと同じであるが、唯
一の相違点は、方法Ｃが一般式Ｉ）Ｎ（Ｔ’（’）２α
匍の二級アミンの代りにアンモニア濃水溶Ｑ　５　ｍｌ
を用いていることである。
ここで得られた新規添加剤１−１に対しては、方法Ａで
与えられた分析方法に従って分析され、保持時間１７分
および、理論値とよく一致してｒｎ／ｅ　−２５６にモ
ル−ビークを示している。
実施例２ 新規添加剤■の製造ニー射的な実験処方：新規添加剤■
は、非常に簡ｍな方法で、添加剤Ｉ（実施例１参照）の
温和な還元剤による還元で得ることができた。
このためには、新規添加剤Ｉの２０１に、２００ゼアセ
トン中２０　ｊｉ’　５ｎＣ１２，２Ｈ２０が適用され
た。
この混合物に、５分以内で１７−濃塩酸が滴下された。
さらして１０分間の反応時間後に、混合物が室温に冷却
されて、次に１１の水を加えることで、ここで得られた
新規添加剤■が沈澱し、濾過、洗浄され、乾燥された。
この方法で新規添加剤１−１および！−３（実施例］参
照）から、はとんど定量的に得られた新規添加剤ｎ−１
および１１−３が、赤外分光分析、質量分析、クロマト
グラフィー分析および元素分析で試験された。ここで得
られた物性試験の結果は、新規添加剤ｎ−１およびＩＴ
−３の予め予想しまた構造式を確証しており、元素分析
の結果は非常によく理論値と一致していた。
実施例３ 新規添加剤■の製造ニー射的な実験処方：１０％塩酸６
０．１　？　（１，６５ｍｍｏｄ　）の添加によってｐ
Ｈ６にされたところの２１．７　％亜硫酸ナトリウム水
溶液の１００１に、窒素気流下で一般式ＩＮ（１１（’
）２α陣の二級アミン１（１−および−数式■のジフェ
ノキノン１０９−が加えられた。得られた混合物に２０
０−トルエンを加えて、水溶液相の上に重ねる。絖いて
この２相の混合物が、４時間８０℃に加熱されて、ここ
で相界面に析出する白色固体の生成と共にジフェノキノ
ン■が脱色された。反応完結後に、水相はｐＨ値が５４
７となった。
初めに、白色固体が、水相および有機相から分離された
。この後で、有機相が水相から分離され蒸発されて、こ
こでさらに固体部分が得られた。
次に両面体部分が、−緒にされた。この方法で得られた
粗生成物が６０耐熱メタノールに溶解され、少量残った
メタノール不溶性固体が分離された。
メタノール溶液から、室温にまで冷却することで、初め
に一般式Ｖのジフェノヒドロキノンが結晶析出し、分離
された。メタノール母液が、アスピレータ−減圧で乾固
するまで濃縮され、これによって−数式ＨＮ（Ｒ’）２
（４）のアミンの大部分が除去された。残っている残渣
が、さらにジフェノヒドロキノン■の収量を増加させる
ために、尚２回メタノールから再結晶された。新添加剤
■は、この方法で得られた粗製品から、製造用カラムク
ロマトグラフィーによって精製された。
この−射的な処方方法に従って、３．３’、５゜５′−
テトラメチルジフェノキノンが、ジ（ｎ−ブチル）アミ
ンの存在下で亜硫酸す）　ＩＪウムと反応し、１．６１
の新規添加剤１１１−１が得られた〇新規添加剤１１１
−１は、元素分析に基づいて理論値と一致し、核磁気共
鳴測定で同定された。次の表１は、新規添加剤１１１−
１の核磁気共鳴データの概要を与えている。
ｕｎ　３　　　　　　１．、ｎ　３ 実施例４および５並びに比較実験Ｖ１ 本発明による（実施例４および５）成形部品および本発
明によらない（比較実験Ｖｌ　）成形部品または寸法安
定性基材の、！！！造および物性、−射的な実験処方二 実施例４および５および比較実験ｖＩに対しては、正確
な比較条件の下で、ビニル芳香族重合体およびポリフェ
ニレンエーテルからの混合物が、製造された。このため
には、すべての場合にビニル芳香族重合体が、２軸ベン
ト式押出機で溶融されており、そのつどの溶融物に、ポ
リフェニレンエーテルがトルエン中の６０％溶液として
加えられ、この時に添加剤はポリフェニレンエーテルの
トルエン溶液と一緒に上記溶融物中に加えられた。
得られた混合物が、２軸ベント式押出機で１分間の滞留
時間でガス抜きしながら２８０℃で均一混合されてから
、この押出機からでて顆粒状に加工された。
１００℃で予備乾燥された顆粒が、純粋条件下で射出成
形機および金型で、レーザー光ディスクの寸法安定性基
材成形のために射出成形される。この場合に寸法安定性
基材の一面には、同中心円のトラックが射出・成形機に
付属しているニッケル金型により刻印される。寸法安定
性基材は１．２１１１１厚さで、直径１３Ｑｗを有して
いた、刻印されたトラ７りは７０　ｎｒｎ深さと０．６
　ｐｍ幅（″″ｆｆルーフであって、間隔が１．６μｍ
　（ｓランドｌ）であった。
３種類混合物のそれぞれに対して、最適の射出成形パラ
メーターが設定されたが、この場合の重点は寸法安定性
基材の平面性と交差面間での二重屈折が最小になること
であった。表２は、混合物の射出成形パラメーターにつ
いての概要と、それから、ａａされた寸法安定性基材の
物性輪郭を与えている。
実施例４および５と比較実験Ｖｌに対しては、以下の混
合物が使用された： 実施例４： ３０．０ｋｐ　　重量平均分子量Ｍｗが１．６５　Ｘ　
１０５であるラジカル重合ポリスチレン、 １．５　ｋｌ、　　α−メチルスチレン（１０］ｉｉ％
）およびｐ−メチルスチレン（９０］１−１ｉ％）から
の共重合体で、重量平均分子ｉ　Ｍｗが９　Ｘ　１０３ １８．５ｋｇ　　次の特性のポリ（２，６−シメチルー
エ。
４−）ユニしンエーテル）；極ｍ粘度ｃη〕−０，５４
５（０，５％クロロホルム溶液テ、２５℃で測定）、数
平均分子量Ｍｎ　５．５×１０１重量平均分子ｉｉ　Ｅ
７ｆｗ　４．　Ｉ　Ｘ　１０’分子量に関する不均一性
（Ｍｗ／Ｍｎ　）　−７，４， １，１５’　　３　、３’、　５　、５’−テトラメチ
ルジフェノキノン（添加剤■）、 １２０５’　　３　、３’、　５　、５’−テトラメチ
ルジフェノヒドロキノン（添加剤Ｖ）、 ０．３ｙ−オリゴマー度３乃至１ｏのオリゴ（２゜６−
シメチルー１．４−フェニレンエーテル）（添加剤■）
、 ４１　添加剤１−３ ２．１１　添加剤ｆｆ［−Ｉ ５０ｙ−ｐ−３級−ブチルクレゾール。
実施例５： ３ｏ、ｏ）ｃｙ　　実施例４と同じポリスチレン、１．
５ｋ）　　実施例４と同じα−メチルスチレンおよびｐ
−メチルスチレンからの共重合体、次の特性のポリ（２
，６−シメチルーｌ。
４−）ユニしンエーテル）：極限粘度〔η〕−ｏ、５（
・０．５％クロロポルム溶液で２５℃で測定）、数平均
分子量Ｍｎ　１．６５　Ｘ　１０’、重量平均分子量Ｄ
＝１ｗ　３．２５　Ｘ　１０’　、分子量に関する不均
一性（ＭＷ／　Ｍｎ　）　−Ｚ　Ｏ。
実施例４による添加剤■ 実施例４による添加剤Ｖ 添加剤Ｘ−３、 添加剤ｘ−１ １８，５ｋｐ ０．３ｙ− ｌ　ｙ− ４，５ｙ− ３，４１添加剤１１１−１． ６０Ｐｐ−３級−ブチルクレゾール。
比較実験Ｖ１ ３１．５ｋ）　　実施例４と同じポリスチレン、１８．
５ｋ）　　実施例５の特性のポリ（２，６−シメチルー
１．４−）ユニしンエーテル）、 ０．３１　実施例４による添加剤■、 １１．５Ｐ　　実施例４による添加剤Ｖ１６０Ｐ　　ｐ
−３級−ブチルクレゾール。
上記の比較が示しているように、実施例４および５の本
発明による寸法安定性基材は、比較実験■１のそれに対
して多くの改良を示している：即ち溶融粘度の低下は射
出成形温度を引き下げることになり、これによりて混合
物の熱的損傷を低減させている。さらに最大持続温度が
引き下げ魯られることなしに、金型における成形が明ら
かに改良されている。特に方向による二重屈折性の低減
が、はとんど二重屈折を測定できない値まで下げ得たこ
とは、素晴らしいことである。また基材の黄色度（ＹＩ
　）に・関しては、本発明による基材の特徴が明らかで
ある。そのほかに、本発明による基材は、波長λ−４０
０ｎｍの光に対して既にもはや透過性がないのに対して
、既知の寸法安定性基材は傷害を与える短波光λ−３７
０ｎｍより下で初めて透過しなくなるだけである。実施
例４および５の中だけでも、さらにメルトフローインデ
ックスＭＦＩ、射出成形速度および最適射出成形温度に
ついて本発明混合物の特徴がでており、これと並んで本
発明による寸法安定性基材の黄色度（ＹＩ）も明らかな
差別で良くなっており、これらから実施例４の本発明に
よる混合物および基材が最適であり、さらに尚技術的立
場から、実施例５の既に特徴的な本発明による混合物お
よび基材も優れていることが明らかとなっている。その
ほかに、比較実験■１の基材の場合には、架橋ゲル部分
の生成が観察された。このほかに、比較実験Ｖ１の基材
は、その表面において斜めに入る光線の場合に真珠調の
微光を示しており、これはこの基材のレーザー光および
さらに光磁気ディスクにおける使用に関して、欠点とな
りている。
実施例６および７並びに比較実験Ｖ２ 本発明による（実施例６および７）および既知（比較実
験Ｖ２　）の寸法安定性基材の製造およびそれによるレ
ーザー光ディスクの物性、−射的実験処方： 遠心塗装装置により、３０００回転／分で、それぞれ実
施例４および５からの寸法安定性基材の２個（実施例６
および７用）、並びに比較実験Ｖｌからの既知寸法安定
性基材の２個（比較実験Ｖ２用）が、それぞれにグロバ
ノール溶液で塗装されたが、このグロパノール溶液は、
その溶液当りで、波長λが７００乃至８５０　ｎＩＩＩ
で吸収する染料およびメチルメタクリレートおよびメタ
クリル酸からの溶液重合体からの混合物を４重量％で含
んでいるものであった。
染料の重合体に対する重量比は、７０　：　３０であっ
た。染料としては、通常の既知トリキノシクロプロパン
染料が用いられた。乾燥後に、約１１００ｎ厚さの、非
晶質、熱変化記録層を有するレーザー光ディスクが得ら
れて、この波長λ−７８０ｎｍの光線に対する反射性は
既知方法で１９％になると測定された（寸法安定性基材
を通しての測定）。
それぞれ２個の同じレーザー光ディスクが、染料層を内
側にしてサンドインチ状に、間隔保持具として３００μ
ｍ厚さの間隔頂上にアクリレート接着剤により相互に結
合された。
この場合に使用された間隔環自身は、同じ混合物の射出
成形により製造され、この混合物からそれぞれに使用さ
れた基材が構成されているものでありた。これによって
、実施例６では混合物が実施例４によるものであり、実
施例７では混合物が重施例５によるものであり、比較実
験ｖ２では混合物が比較実験Ｖ１によるものが使用され
た。
ディスク装置上で、レーザー光ディスクの１グループに
デジタルデータが書き込まれた。続いてこのデータが読
み取られた（１．読み取り）。この際に得られた結果が
、表３に示されている。
この後で、レーザー光’ｆイスクが３．５週間日光中如
貯蔵され、その後で新たに読み取られた（２゜読み取り
）。この際に得られた結果が、同じく表３に示されてい
る。
十分は良好よりも、やや下 実施例４からの寸法安定性基材、 実施例５からの寸法安定性基材、 比較実験ｖ１からの寸法安定性基材、 基準は、熱変化領域（ビット）を通して換起される読み
取り信号の高さ（強さ）並びに幅、オッシロスコープに
よる測定、評価＝５良好“（鋭敏で強い信号）、′十分
＃（若干幅が広い強い信号）、　不十分“（非常に幅が
広く、および／または弱い信号）。
代理人　弁理士　　１）代　恣　治

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ポリフェニレンエーテル、ビニル芳香族重合体お
    よび添加物からの混合物からなり、光学的に透明であり
    、等方性の、方向により二重屈折をしない、光学目的用
    の成形部品において、前記混合物が、その全重量に対し
    て少なくとも１乃至１０００ｐｐｍの一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） および／または一般式II ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔ただし、式中において置換基ＲおよびＲ＾１が水素原
    子、塩素原子、または臭素原子、置換または非置換Ｃ＿
    １−乃至Ｃ＿６−アルキル基、Ｃ＿３−乃至Ｃ＿６−ア
    ルケニル基、置換または非置換Ｃ＿６−乃至Ｃ＿１＿８
    −アリール基またはＣ＿１−乃至Ｃ＿６−アルコキシ基
    を示しており、ここでＲ置換基とＲ＾１置換基が同じで
    あるかまたは異なっていることができ、かつａ）置換基
    Ｒ＾１が塩素原子または臭素原子である場合は、置換基
    Ｒが水素原子またはメチル基であり、 ｂ）置換基Ｒ＾１がイソプロピル基である場合は、置換
    基Ｒがメチル基であり、その際に ｃ）３級−ブチル基は除外されており、 さらに置換基Ｒ＾２およびＲ＾３は水素原子、ヒドロキ
    シ基またはＮ（Ｒ＾４）＿２−基であり、ここにおいて
    ｄ）置換基Ｒ＾２がヒドロキシ基またはＮ（Ｒ＾４）＿
    ２−基である時には、置換基Ｒ＾３が水素原子のみであ
    り、 ｅ）置換基Ｒ＾２が同じ意味を有している時には、置換
    基Ｒ＾３がＮ（Ｒ＾４）＿２−基のみであり、ｆ）窒素
    原子に付いている両置換基Ｒ＾４が同じであるかまたは
    相互に異なっていることができ、枝分れしているアルキ
    ル基、枝分れしていないアルキル基または環状アルキル
    基であるか、または枝分れしているか、枝分れしていな
    いアザーまたはオキサアルカニル基、または環状のアザ
    ーまたはオキサアルカニル基であり、または両置換基Ｒ
    ＾４は２価基によって相互に結合して環状になっている
    〕 により表わされる添加物を含むことを特徴とする成形部
    品。
  2. （２）置換基ＲおよびＲ＾１がメチル基であり、置換基
    Ｒ＾４が請求項１で与えられている意味を有している一
    般式IIIで表わされるヒドロキノン硫酸半エステル。 ▲数式、化学式、表等があります▼（III）
  3. （３）置換基ＲおよびＲ＾１がメチル基であり、置換基
    Ｒ＾２およびＲ＾３が請求項１で与えられている意味を
    有している一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） で表わされるジフェノキノン。
  4. （４）置換基ＲおよびＲ＾１がメチル基であり、置換基
    Ｒ＾２およびＲ＾３が請求項１で与えられている意味を
    有している一般式II ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされるジフェノヒドロキノン。
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