JPH02264906A - 高効率プリズム結合装置 - Google Patents
高効率プリズム結合装置Info
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- JPH02264906A JPH02264906A JP1087315A JP8731589A JPH02264906A JP H02264906 A JPH02264906 A JP H02264906A JP 1087315 A JP1087315 A JP 1087315A JP 8731589 A JP8731589 A JP 8731589A JP H02264906 A JPH02264906 A JP H02264906A
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- JP
- Japan
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- incident light
- refractive index
- layer
- gap adjustment
- waveguide layer
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光集積回路等における入射カップリングに利
用される高効率プリズム結合装置に関する。
用される高効率プリズム結合装置に関する。
従来の技術
従来におけるプリズム結合装置の一例を第7図に基づい
て説明する。基板1上には屈折率nfの導波路層2が形
成されており、この導波路層2の上部には屈折率ncの
ギヤツブ調整層3を介して、屈折率npのプリズム4が
設けられている。このように構成されたプリズム結合装
置において、以下、最適な結合効率が得られる条件につ
いて見てみる。入射光5を入射角0(鉛直方向とのなす
角)をなしてプリズム4の底面に入射させると、この光
路の導波路層2に沿う方向の伝搬定数βは、β= np
ksir+& −(1)ただし、k
=2π/λ (λ:入射光波長)となる。
て説明する。基板1上には屈折率nfの導波路層2が形
成されており、この導波路層2の上部には屈折率ncの
ギヤツブ調整層3を介して、屈折率npのプリズム4が
設けられている。このように構成されたプリズム結合装
置において、以下、最適な結合効率が得られる条件につ
いて見てみる。入射光5を入射角0(鉛直方向とのなす
角)をなしてプリズム4の底面に入射させると、この光
路の導波路層2に沿う方向の伝搬定数βは、β= np
ksir+& −(1)ただし、k
=2π/λ (λ:入射光波長)となる。
この場合、導波路層2のある導波モードの伝搬定数にβ
が等しくなるように入射角θを調整すれば入射光5は導
波モードに結合し、導波光が励起される。今、導波モー
ドの等側屈折率をNとすると、導波モードの伝搬定数β
Wは、 βw=N k ・・・(2)となる。
が等しくなるように入射角θを調整すれば入射光5は導
波モードに結合し、導波光が励起される。今、導波モー
ドの等側屈折率をNとすると、導波モードの伝搬定数β
Wは、 βw=N k ・・・(2)となる。
この時、入射光5を導波モードに効率良く結合させるに
は、プリズム4の底面まで到達した入射光5をそのプリ
ズム4の端部に位置するように入射させ、しかも、ギャ
ップ調整層3の厚さを最適に設定する。今、入射光5の
プリズム4の底面での長さをLとし、その入射光5を平
面波とすれば、αr L= 1.25 ・(3
)のときに最高結合効率が得られる。
は、プリズム4の底面まで到達した入射光5をそのプリ
ズム4の端部に位置するように入射させ、しかも、ギャ
ップ調整層3の厚さを最適に設定する。今、入射光5の
プリズム4の底面での長さをLとし、その入射光5を平
面波とすれば、αr L= 1.25 ・(3
)のときに最高結合効率が得られる。
ただし、
とする。
Teff = T+1 / yc+1 / ysγc=
に拝こ0…y γs=に杯−〇πy N = nf−sinθf S:ギャップ調整層の厚み T:導波路層の厚み ns:基板の屈折率 そこで、具体例として、導波路層2の屈折率nf=1.
6、基板1の屈折率n5=1.46、ギャップ調整層3
は空気層としてnc=1、 導波路層2の厚さT=1.
5μmとし、入射光5のプリズム4の底面での長さL=
2mtnとしたときに、ギャップ調整層2の厚さSを変
えたときの結合効率を第8図に示す。これより、S=0
.136μmとしたとき、(3)式で示した条件により
最高の光結合効率81.4%を得ることができる。
に拝こ0…y γs=に杯−〇πy N = nf−sinθf S:ギャップ調整層の厚み T:導波路層の厚み ns:基板の屈折率 そこで、具体例として、導波路層2の屈折率nf=1.
6、基板1の屈折率n5=1.46、ギャップ調整層3
は空気層としてnc=1、 導波路層2の厚さT=1.
5μmとし、入射光5のプリズム4の底面での長さL=
2mtnとしたときに、ギャップ調整層2の厚さSを変
えたときの結合効率を第8図に示す。これより、S=0
.136μmとしたとき、(3)式で示した条件により
最高の光結合効率81.4%を得ることができる。
発明が解決しようとする課題
しかし、この最高の光結合効率が得られる条件は、入射
光5の長さがLの時に成り立つものである。一般に、第
9図に示すように、入射光5は、プリズム4の底面では
、楕円形(円も含む)をしており、伝搬方向(Z軸方向
)の入射光5の長さは幅方向(X軸方向)の位置よりも
変化している。
光5の長さがLの時に成り立つものである。一般に、第
9図に示すように、入射光5は、プリズム4の底面では
、楕円形(円も含む)をしており、伝搬方向(Z軸方向
)の入射光5の長さは幅方向(X軸方向)の位置よりも
変化している。
従って、このようにギャップ調整層3の軍さSを入射光
5の中心付近の長さに対して最適に選んだとすると、入
射光5の周辺部の光結合効率が悪くなってしまう。
5の中心付近の長さに対して最適に選んだとすると、入
射光5の周辺部の光結合効率が悪くなってしまう。
課題を解決するための手段
請求項1記載の発明は、基板上に導波路層を形成し、こ
の導波路層上にこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方
向と直交する幅方向に前記入射光のビーム形状に対応し
て厚みが変化したギャップ調整層を形成し、このギャッ
プ調整層上に前記導波路層よりも高い屈折率を有する誘
電性プリズムを形成した。
の導波路層上にこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方
向と直交する幅方向に前記入射光のビーム形状に対応し
て厚みが変化したギャップ調整層を形成し、このギャッ
プ調整層上に前記導波路層よりも高い屈折率を有する誘
電性プリズムを形成した。
請求項2記載の発明は、基板上に導波路層を形成し、こ
の導波路層上にこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方
向と直交する幅方向に前記入射光のビーム形状に対応し
て屈折率が変化したギャップ調整層を形成し、このギャ
ップ調整層上に前記導波路層よりも高い屈折率を有する
誘電性プリズムを形成した。
の導波路層上にこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方
向と直交する幅方向に前記入射光のビーム形状に対応し
て屈折率が変化したギャップ調整層を形成し、このギャ
ップ調整層上に前記導波路層よりも高い屈折率を有する
誘電性プリズムを形成した。
作用
請求項1記載の発明により、ギャップ調整層の厚みを入
射光の伝搬方向と直交する幅方向に沿って入射光のビー
ム形状に対応して変化させることによって、その入射ビ
ームの全体に渡って最適な光結合条件を得ることができ
る。
射光の伝搬方向と直交する幅方向に沿って入射光のビー
ム形状に対応して変化させることによって、その入射ビ
ームの全体に渡って最適な光結合条件を得ることができ
る。
請求項2記載の発明により、ギャップ調整層の屈折率を
入射光の伝搬方向と直交する幅方向に沿って入射光のビ
ーム形状に対応して変化させることによって、その入射
ビームの全体に渡って最適な光結合条件を得ることがで
きる。
入射光の伝搬方向と直交する幅方向に沿って入射光のビ
ーム形状に対応して変化させることによって、その入射
ビームの全体に渡って最適な光結合条件を得ることがで
きる。
実施例
まず、請求項1記載の発明の第一の実施例を第1図(a
)(b)に基づいて説明する。
)(b)に基づいて説明する。
基板6上には導波路層7が形成されている。この導波路
層7上にはこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方向(
Z軸方向)と直交する幅方向(X軸方向)に入射光のビ
ーム形状に対応して厚みが変化したギャップ調整層8が
形成されている。このギャップ調整層8の上部には、前
記導波路層7よりも高い屈折率を有する誘電性プリズム
9が設けられている。この誘電性プリズム9としては、
例えば、高屈折率ガラスを使用することができる。
層7上にはこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方向(
Z軸方向)と直交する幅方向(X軸方向)に入射光のビ
ーム形状に対応して厚みが変化したギャップ調整層8が
形成されている。このギャップ調整層8の上部には、前
記導波路層7よりも高い屈折率を有する誘電性プリズム
9が設けられている。この誘電性プリズム9としては、
例えば、高屈折率ガラスを使用することができる。
本実施例では、前記ギャップ調整層8を空気層としてお
り、この空気層は入射光のビームが到達する中央部で厚
く、幅方向に沿う両端部分で薄くなるように、前記誘電
性プリズム9の底面形状が形成されている。
り、この空気層は入射光のビームが到達する中央部で厚
く、幅方向に沿う両端部分で薄くなるように、前記誘電
性プリズム9の底面形状が形成されている。
このような構成において、最大の光結合効率が得られる
具体例について述べる。今、導波路層7の屈折率nf=
1.6、その厚みを1.5μm、誘電性プリズム9の屈
折率nc=1.8、基板6の屈折率n5=1.46とし
、入射光の誘電性プリズム9の底面でのビーム形状が直
径2I[1mの円であるとする。この状態で、入射光が
導波路層7に結合する効率を最大にするためには、第3
図の曲線Aに示すように、入射光の幅方向へのビーム位
置に対するギャップ調整層8(ここでは、空気層)の厚
さが、ビームの中央部8aで厚く、幅方向のビームの両
端部8bに行くに従って薄くなるように、前記誘電性プ
リズム9の底面形状を変化させることによって最大の光
結合効率を得ることができる。
具体例について述べる。今、導波路層7の屈折率nf=
1.6、その厚みを1.5μm、誘電性プリズム9の屈
折率nc=1.8、基板6の屈折率n5=1.46とし
、入射光の誘電性プリズム9の底面でのビーム形状が直
径2I[1mの円であるとする。この状態で、入射光が
導波路層7に結合する効率を最大にするためには、第3
図の曲線Aに示すように、入射光の幅方向へのビーム位
置に対するギャップ調整層8(ここでは、空気層)の厚
さが、ビームの中央部8aで厚く、幅方向のビームの両
端部8bに行くに従って薄くなるように、前記誘電性プ
リズム9の底面形状を変化させることによって最大の光
結合効率を得ることができる。
次に、請求項1記載の発明の第二の実施例を第2図(a
)(b)に基づいて説明する。
)(b)に基づいて説明する。
本実施例は、ギャップ調整層8と誘電性プリズム9との
間に、誘電性プリズム9とほぼ同一の屈折率をもつ接着
剤10を用いて接着させた場合の例である。また、ギャ
ップ調整層8の厚みは、入射光と直交する幅方向(X軸
方向)に対して、中央部で厚く両端部に向かうに従って
薄くなっている。具体例として、今、ギャップ調整層8
の屈折率ng=1.46、誘電性プリズム9の屈折率n
c=1.8 、導波路層7の屈折率nf=1.6、その
厚みを1.5μm、基板6の屈折率ns= 1.46と
し、入射光の誘電性プリズム9の底面でのビーム形状が
直径2mmの円であるとする。また、接着剤10にはポ
リイミド樹脂を使用し、その屈折率1.75 とする。
間に、誘電性プリズム9とほぼ同一の屈折率をもつ接着
剤10を用いて接着させた場合の例である。また、ギャ
ップ調整層8の厚みは、入射光と直交する幅方向(X軸
方向)に対して、中央部で厚く両端部に向かうに従って
薄くなっている。具体例として、今、ギャップ調整層8
の屈折率ng=1.46、誘電性プリズム9の屈折率n
c=1.8 、導波路層7の屈折率nf=1.6、その
厚みを1.5μm、基板6の屈折率ns= 1.46と
し、入射光の誘電性プリズム9の底面でのビーム形状が
直径2mmの円であるとする。また、接着剤10にはポ
リイミド樹脂を使用し、その屈折率1.75 とする。
この状態で、入射光が導波路層7に結合する効率を最大
にするためには、第3図の曲線Bに示すように、入射光
の幅方向へのビーム位置に対するギャップ調整層8の厚
みを、ビームの中心部8aで厚く、幅方向のビームの両
端部8bに行くに従って薄くなるように変化させること
により最大の結合効率を得ることができる。
にするためには、第3図の曲線Bに示すように、入射光
の幅方向へのビーム位置に対するギャップ調整層8の厚
みを、ビームの中心部8aで厚く、幅方向のビームの両
端部8bに行くに従って薄くなるように変化させること
により最大の結合効率を得ることができる。
この場合、ギャップ調整層8の厚みの調整は、蒸着、ス
パッタ、CVD等で一定の厚さに成膜し、エツチングを
行う際に場所によりエツチング量を変えて最適な厚さに
設定することができる。また、ギャップ調整層8は、導
波路層8の全面に渡って形成するのではなく、光の結合
部のみに形成するようにし、しかも、入射光の伝搬方向
にテーパなつけると損失することなく導波モードを伝搬
することができる。
パッタ、CVD等で一定の厚さに成膜し、エツチングを
行う際に場所によりエツチング量を変えて最適な厚さに
設定することができる。また、ギャップ調整層8は、導
波路層8の全面に渡って形成するのではなく、光の結合
部のみに形成するようにし、しかも、入射光の伝搬方向
にテーパなつけると損失することなく導波モードを伝搬
することができる。
次に、請求項2記載の発明の第一の実施例を第4図(a
)(b)に基づいて説明する。なお、請求項1記載の発
明と同一部分については同一符号を用いる。
)(b)に基づいて説明する。なお、請求項1記載の発
明と同一部分については同一符号を用いる。
一般に、プリズム結合を行う場合、第9図における従来
技術でも説明したように、入射ビームをプリズム4底面
の端部に到達するように入射させる必要がある。もし、
第10図に示すように、プリズム4の端部よりも内側に
ビームを入射させると、たとえ最適な光の結合条件を溝
たしていたとしても、導波路層2に結合したビームが再
びプリズム4と結合(これを、デカップリングという)
し、外部空間に出ていってしまう。このため、入射ビー
ムはプリズム4の端部に一致させる必要がある。このよ
うなことから、請求項1記載の発明の第一の実施例では
、ビーム形状に対応して誘電性プリズム9の底面端部の
形状をビーム形状に合わせたわけである。また、そのよ
うな誘電性プリズム9の底面端部の形状の変化をなくす
ために、請求項1記載の発明の第二の実施例では、接着
剤10を用いギャップ調整層8の表面形状を曲面状に変
化させた。
技術でも説明したように、入射ビームをプリズム4底面
の端部に到達するように入射させる必要がある。もし、
第10図に示すように、プリズム4の端部よりも内側に
ビームを入射させると、たとえ最適な光の結合条件を溝
たしていたとしても、導波路層2に結合したビームが再
びプリズム4と結合(これを、デカップリングという)
し、外部空間に出ていってしまう。このため、入射ビー
ムはプリズム4の端部に一致させる必要がある。このよ
うなことから、請求項1記載の発明の第一の実施例では
、ビーム形状に対応して誘電性プリズム9の底面端部の
形状をビーム形状に合わせたわけである。また、そのよ
うな誘電性プリズム9の底面端部の形状の変化をなくす
ために、請求項1記載の発明の第二の実施例では、接着
剤10を用いギャップ調整層8の表面形状を曲面状に変
化させた。
本発明における実施例は、そのような誘電性プリズム9
の底面端部の形状変化や接着剤1oを用いてギャップ調
整層8の表面形状を変化させることなく、高効率な光の
結合を行おうとするものである。以下、その説明を行う
。
の底面端部の形状変化や接着剤1oを用いてギャップ調
整層8の表面形状を変化させることなく、高効率な光の
結合を行おうとするものである。以下、その説明を行う
。
基板6上には導波路層7が形成されている。この導波路
層7上にはこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方向(
Z軸方向)と直交する幅方向(X軸方向)に入射光のビ
ーム形状に対応して屈折率が変化したギャップ調整層8
が形成されている。
層7上にはこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方向(
Z軸方向)と直交する幅方向(X軸方向)に入射光のビ
ーム形状に対応して屈折率が変化したギャップ調整層8
が形成されている。
このギャップ調整層8としては、感光性高分子樹脂を用
い、紫外線露光により露光量に対応して屈折率を変化さ
せて形成することができる。前記ギャップ調整層8上に
は、前記導波路層7よりも高い屈折率を有する誘電性プ
リズム9が形成されている。
い、紫外線露光により露光量に対応して屈折率を変化さ
せて形成することができる。前記ギャップ調整層8上に
は、前記導波路層7よりも高い屈折率を有する誘電性プ
リズム9が形成されている。
このような構成において、最大の光結合効率が得られる
具体例について述べる。今、ギャップ調整層8の厚さを
0.3μm、導波路層7の屈折率nf=1.6、その厚
みを1.5μrn 、誘電性プリズム9の屈折率nc=
1.8、基板6の屈折率n5=1.46とし、入射光の
誘電性プリズム9の底面でのビーム形状が直径2msの
円であるとする。
具体例について述べる。今、ギャップ調整層8の厚さを
0.3μm、導波路層7の屈折率nf=1.6、その厚
みを1.5μrn 、誘電性プリズム9の屈折率nc=
1.8、基板6の屈折率n5=1.46とし、入射光の
誘電性プリズム9の底面でのビーム形状が直径2msの
円であるとする。
この状態で、入射光が導波路層7に結合する効率を最大
にするためには、第6図の曲線に示すように、入射光の
幅方向へのビーム位置に対するギャップ調整層8の屈折
率を、ビームの中心部8aで低く、幅方向のビームの両
端部8bに行く従って高くなるように変化させることに
よって最大の結合効率を得ることができる。また、本実
施例の場合にも、ギャップ調整層8は、光の結合部だけ
に限定し、しかも、入射光の伝搬方向にテーバをつける
ことによって損失することなく導波モードを伝搬するこ
とができる。
にするためには、第6図の曲線に示すように、入射光の
幅方向へのビーム位置に対するギャップ調整層8の屈折
率を、ビームの中心部8aで低く、幅方向のビームの両
端部8bに行く従って高くなるように変化させることに
よって最大の結合効率を得ることができる。また、本実
施例の場合にも、ギャップ調整層8は、光の結合部だけ
に限定し、しかも、入射光の伝搬方向にテーバをつける
ことによって損失することなく導波モードを伝搬するこ
とができる。
次に、請求項2記載の発明の第二の実施例を第5図(a
)(b)に基づいて説明する。
)(b)に基づいて説明する。
基板6上には導波路層7が形成されており、この導波路
層7の表面にはその導波路層7よりも屈折率の低いギャ
ップ調整層8が積層されている。
層7の表面にはその導波路層7よりも屈折率の低いギャ
ップ調整層8が積層されている。
このギャップ調整層8の上部には、入射光のビーム形状
と同じ形に一部分が取り除かれた金属層11が積層され
ている。この金属層11の上部には、導波路層7よりも
高い屈折率を有する誘電性プリズム9が設けられている
。
と同じ形に一部分が取り除かれた金属層11が積層され
ている。この金属層11の上部には、導波路層7よりも
高い屈折率を有する誘電性プリズム9が設けられている
。
この場合、ギャップ調整層8の屈折率は、前述した第一
の実施例と同じく、ビーム形状に対応して第6図に示す
ように変化している。また、金属層llは、蒸着、スパ
ッタ等で成膜後に、フォトリソ技術によりビーム形状と
ばぽ同径の所定の形状にエツチングにより除去して形成
される。その除去された部分には、誘電性プリズム9と
同じ屈折率をもつ媒体を充填してもよい。
の実施例と同じく、ビーム形状に対応して第6図に示す
ように変化している。また、金属層llは、蒸着、スパ
ッタ等で成膜後に、フォトリソ技術によりビーム形状と
ばぽ同径の所定の形状にエツチングにより除去して形成
される。その除去された部分には、誘電性プリズム9と
同じ屈折率をもつ媒体を充填してもよい。
発明の効果
請求項1記載の発明では、入射光のビーム形状に対応さ
せてギャップ調整層の厚さを変化させることによって、
最適な光の結合条件を求めることができ、これにより入
射光のビーム全体に渡って高い光の結合効率を得ること
ができるものである。
せてギャップ調整層の厚さを変化させることによって、
最適な光の結合条件を求めることができ、これにより入
射光のビーム全体に渡って高い光の結合効率を得ること
ができるものである。
請求項2記載の発明では、入射光のビーム形状に対応さ
せてギャップ調整層の屈折率を変化させることによって
、最適な光の結合条件を求めることができ、これにより
ギャップ調整層の厚さを調整する煩わしさもなく、入射
光のビーム全体に渡って高い光の結合効率を得ることが
できるものである。
せてギャップ調整層の屈折率を変化させることによって
、最適な光の結合条件を求めることができ、これにより
ギャップ調整層の厚さを調整する煩わしさもなく、入射
光のビーム全体に渡って高い光の結合効率を得ることが
できるものである。
第1図(a)は請求項1記載の発明の第一の実施例を示
す側面図、第1図(b)はその正面図、第2図(a)は
請求項1記載の発明の第二の実施例を示す側面図、第2
図(b)はその正面図、第3図は請求項1記載の発明に
おける入射光の幅方向のビーム位置とギャップ調整層と
の関係を示すグラフ、第4図(a)は請求項2記載の発
明の第一の実施例を示す側面図、第4図(b)はその正
面図、第5図(a)は請求項2記載の発明の第二の実施
例を示す側面図、第5図(b)はその正面図、第6図は
請求項2記載の発明における入射光の幅方向のビーム位
置とギャップ調整層との関係を示すグラフ、第7図は従
来例を示す側面図、第8図はそのギャップ調整層の膜厚
と光結合効率との関係を示すグラフ、第9図はプリズム
底面における入射ビームの形状を示す斜視図、第10図
はプリズムに入射する光の入射位置をプリズム底面の中
央部に変えた場合はの様子を示す側面図である。 5・・・入射光、6・・・基板、7・・・導波路層、8
・・ギャップ調整層、9・・・誘電性プリズム出 願
人 株式会社 リ コ ヒ゛−A位員(aTrL) 図 ギ¥ツブ訓!1MΦ月臭月19人−) ビニへa 1i(TI口1) ごも 図 一第」O図
す側面図、第1図(b)はその正面図、第2図(a)は
請求項1記載の発明の第二の実施例を示す側面図、第2
図(b)はその正面図、第3図は請求項1記載の発明に
おける入射光の幅方向のビーム位置とギャップ調整層と
の関係を示すグラフ、第4図(a)は請求項2記載の発
明の第一の実施例を示す側面図、第4図(b)はその正
面図、第5図(a)は請求項2記載の発明の第二の実施
例を示す側面図、第5図(b)はその正面図、第6図は
請求項2記載の発明における入射光の幅方向のビーム位
置とギャップ調整層との関係を示すグラフ、第7図は従
来例を示す側面図、第8図はそのギャップ調整層の膜厚
と光結合効率との関係を示すグラフ、第9図はプリズム
底面における入射ビームの形状を示す斜視図、第10図
はプリズムに入射する光の入射位置をプリズム底面の中
央部に変えた場合はの様子を示す側面図である。 5・・・入射光、6・・・基板、7・・・導波路層、8
・・ギャップ調整層、9・・・誘電性プリズム出 願
人 株式会社 リ コ ヒ゛−A位員(aTrL) 図 ギ¥ツブ訓!1MΦ月臭月19人−) ビニへa 1i(TI口1) ごも 図 一第」O図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に形成された導波路層と、この導波路層上に
形成されこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方向と直
交する幅方向に前記入射光のビーム形状に対応して厚み
が変化したギャップ調整層と、このギャップ調整層上に
形成され前記導波路層よりも高い屈折率を有する誘電性
プリズムとよりなることを特徴とする高効率プリズム結
合装置。 2、基板上に形成された導波路層と、この導波路層上に
形成されこれよりも屈折率が低く入射光の伝搬方向と直
交する幅方向に前記入射光のビーム形状に対応して屈折
率が変化したギャップ調整層と、このギャップ調整層上
に形成され前記導波路層よりも高い屈折率を有する誘電
性プリズムとよりなることを特徴とする高効率プリズム
結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087315A JPH02264906A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 高効率プリズム結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087315A JPH02264906A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 高効率プリズム結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264906A true JPH02264906A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13911410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087315A Pending JPH02264906A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 高効率プリズム結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02264906A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572792A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Yuasa Kenzai Kogyo Kk | Production of flooring with cubic pattern |
| JPS6173695U (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-19 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087315A patent/JPH02264906A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572792A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Yuasa Kenzai Kogyo Kk | Production of flooring with cubic pattern |
| JPS6173695U (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-19 |
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