JPH02265060A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は光磁気メモリ装置に関する。

［従来技術］ 光磁気メモリ装置は、従来のディスクメモリ装置の代表
的なものであるところの固定磁気ディスクメモリ装置に
比べて容量やディスクの可換性で優れるもののアクセス
が遅いとかオーバーライドができないとかの欠点がある
。そのようなわけで高速アクセスとオーバーライドは現
在光磁気メモリ装置の主な開発テーマとなっている。こ
のような中でオーバーライドに関する技術としては例え
ばテレヒ゛シ゛ヨン学会技術報告（ＩＴＥＪ　Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ　Ｒｅｐｏｒｔ　Ｖｏｌ、１２　Ｎｏ、３９
　ｐｐ１〜６）にあるように種々の方法が提案されてい
る。

また本発明は、光磁気メモリ装置の中でいわゆる光学ヘ
ッド部分に特徴を持っているが、従来の光磁気メモリ装
置用の光学ヘッドの例としては、例えばＮ　ＨＫ技研月
報（昭和６２年２月号１３頁〜２２頁）に詳しい。また
これら光磁気メモリ装置用光学ヘッドの光ビームを発生
する手段には半導体レーザを用いているが、その光ビー
ムの強度を変調する方法としては、例えば公開実用新案
公報昭６２−１６８１１８や特許公報昭６３−３１８６
０等がある。

［発明が解決しようとする課題］ 前述の光磁気メモリ装置のオーバーライドの方式は、大
きく光変調方式と磁場変調方式に分けられる。光変調方
式では、ディスクメモリに記憶された情報を書き換える
場合は一度記憶されている情報を消去した上で新しい情
報を記録する必要があるため、光ビームが複数必要だと
か磁石が複数必要だとかの問題があった。これに対して
磁場変調方式は、ディスクメモリに記憶された情報を書
き換える場合に一度記憶されている情報を消去する必要
がない（以下このことを直接オーバーライドと表現する
）が、情報の記録時と消去時では印加磁場の方向を逆転
させる必要があり、そのため電磁石用のコイルが発熱す
るという問題があった。

この中でコイルの発熱を防ぎかつ高速に直接オーバーラ
イドするための手段として、 Ｊｐｎ、Ｊｏｕｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、（
Ｖｏｌ、２６５ｕｐｐ１．２６−４（１９８７）　ｐｐ
１４９）にあるような固定磁気ディスクメモリ装置のヘ
ッドと同様のものを使う例があるが、これにはディスク
の片面しか利用できないという問題があった。また固定
磁気ディスクメモリ装置同様信頼性にも問題がある。

そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは両面使用とディスク交換が
可能な光磁気ディスクメモリ装置において情報の記録・
消去に必要な磁場の方向を反転させる必要がなく、直接
オーバーライドのてきる光磁気メモリ装置を提供すると
ころにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気メモリ装置は、光ビーム発生手段、光ビ
ームの強度を変調する手段、前記光ピム発生手段からの
該光ビームを光磁気メモリ媒体上に集光する光学手段、
前記光ビームの集光点が前記光磁気メモリ媒体上の情報
記録列に追従するためのトラッキングおよびフォーカシ
ング手段、該光磁気メモリ媒体上からの反射光ビームを
検出し前記光磁気メモリ媒体に蓄積された情報を検出す
る手段、トラッキングおよびフォーカシング用のサーボ
信号を検出する手段、情報の記録方向を決定する直流磁
場発生手段を構成要素の一部とする光磁気メモリ装置に
おいて、 前記直流磁場発生手段の発生磁場方向が情報の記録時と
消去時で同方向であるように配置された永久磁石からな
り、前記光ビームの強度を変調する手段に電気光学効果
光変調器を用いることを特徴とする。

［実施例］ 第１図は本発明による光磁気メモリ装置の一部分である
光学ヘッドの実施例を示す図である。

まずはじめに記録と消去の確認として、印加磁場１００
０ｅ、回転数９０Ｏｒｐｍ、レーザー変調周波数ＩＭＨ
ｚ（記録信号はデユーティ５０％）、記録レーザーパワ
ー６ｍＷ、再生レーザーパワ１ｍＷの条件で信号の記録
・再生を行なった。変調時のレーザ強度は記録情報の１
を記録パワー６ｍＷ、０を再生パワー１ｍＷに対応させ
た（以降レーザーの強度変化はこの２つのレベル間で行
うものとする）。再生信号をスペクトラムアナライザを
用いてＣＮ比を分解能バンド幅３０　ｋ　Ｈｚで測定し
たところ５５ｄＢを得た。この状態で、印加磁場方向、
回転数は変えずに８ｍＷ、２０ナノ秒幅のレーザーパル
スを５ＭＨｚの周期で照射（この照射条件をパルス消去
と称する）したところ、再生信号は消去状態になってい
た。またスペクトラムアナライザを用いて測定したとこ
ろ、ディスク初期化時と同じスペクトルが観測された。

つまり、印加磁場の方向を変えることなくレーザーパル
スの時間幅の変化のみで記録・消去が可能であることが
わかった。これはレーザーパルスの幅の違いによってメ
モリ媒体の温度勾配が変化することによると考えられる
。

続いて記録時の変調周波数（記録波形のデュデイは同じ
く５０％）をＩＭＨｚから１．５ＭＨｚにして他は同じ
条件で記録し再生したところＣＮ比５５ｄＢを得た。さ
らに前記パルス消去を施し再生したところ、前回同様消
去状態になった。

次にＩ　Ｍ　Ｈｚの信号を記録（最初の条件と同じ）し
た後、１．６ＭＨｚの信号を直接オーバーライドした。

この時、直接オーバーライドは模式的には第２図に示す
ようなレーザーパルスを照射することによって行われ、
磁場の方向を変える必要はない。つまり、１．６ＭＨｚ
の信号が再生パワーレベル（記録情報の０に対応する）
にある時、これに前記パルス消去を重畳するわけである
。ただしこの時パルス消去は１．５ＭＨｚの信号が記録
パワレベルから消去パワーレベルに移ってからｔ秒経っ
てから重畳する。ここで、このｔ秒はパルス消去によっ
て記録したばかりの情報を消去することのないように選
んだ。再生信号をスペクトラムアナライザで再生信号を
測定したところＩＭＨｚの成分はノイズレベルで１．５
ＭＨｚにピークが見られＣＮ比は５５ｄＢであった。こ
の後、さらに同様な方法でＩ　Ｍ　Ｈｚの信号を直接オ
ーバーライドしスペクトラムアナライザで再生信号を見
たところ、今度は１．５ＭＨｚの成分はノイズレベルで
ありＩＭＨｚにピークが見られＣＮ比は５５ｄＢであっ
た。これで直接オーバーライドが確認された。

次に再生信号品質の劣化を調べた。方法はＩＭＨｚと１
．５ＭＨｚの記録を所定の回数繰り返した後、Ｉ　Ｍ　
ＨｚのＣＮ比と１．５ＭＨｚのＣＮ比を測定した。その
結果を第１表に示す。表においてドライブＡは本発明の
実施例の光磁気記録装置（第１図）を示し、ドライブＢ
は従来例の光磁気記録装置（第３図）を示す。ドライブ
Ａは前述の直接オーバーライドの方法によってＩＭＨｚ
と１．５ＭＨｚの信号を繰り返し記録した。ドライブＢ
の印加磁場は電磁石で発生し消去・記録毎に向き（大き
さは消去時２０００ｅ、記録時１０００ｅ）を変える。

信号を書き換えるときは磁場の方向を記録時と反対にし
て７ｍＷの一定パワーを照射することにより１度前の情
報を消去してから、磁場の方向を反転させ１ｍＷと６ｍ
Ｗの間でＩ　Ｍ　Ｈｚあるいは１．５ＭＨ２（それぞれ
デユーティは５０％）で変調させ記録した。再生はＡ、
　　Ｂいずれのドライブも１ｍＷの一定パワーで行った
。

第１表 表中の「−」は測定可能な範囲内でＯｄＢ以下であった
ことを示す。第１表かられかるように本発明による光磁
気記録装置では再生信号の品質劣化や媒体の劣化は見ら
れなかった。一方従来のドライブではメディアの温度上
昇によると思われるＣＮ比の低下や媒体の劣化による消
去特性の低下が観測された。

上記の実験を記録周波数２ＭＨｚと３ＭＨｚＯ組合せと
３ＭＨｚと４ＭＨｚの組合せでも行った。

本発明の光磁気記録装置においては再生信号の劣化や媒
体に劣化は見られなかったが従来の方式ではＩＭＨｚと
１．５ＭＨｚの例と同様な劣化がみられた。

次にレーザ強度変調を電気光学効果変調器で行うもの（
ドライブＡ）とレーザ強度変調をレーザ駆動電流を変調
することによって行うものくドライブＣと呼ふ一第３図
）を比較するため同様の実験をした結果、ドライブＣは
前述の直接オーバーライドの方法では消去残りが生じて
しまい、スペクトルアナライザで観測しても前の信号の
周波数スペクトルが現れる。これによると、レーザ強度
変調を電気光学効果変調器で行なう方が品質のよい信号
が得られることになる。

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、両面使用とディスク交換
が可能な光磁気ディスクメモリ装置において情報の記録
・消去に必要な磁場の方向を反転させる必要がなく、直
接オーバーライドできる。

また、レーザ強度を電気光学効果変調器で変調するため
短パルスが容易に形成することが可能となり、直接オー
バーライドによっても高品質の信号が得られる。さらに
磁場の発生手段に電磁石を用いないので発熱の心配がな
くこれに伴う品質の劣化もない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光磁気メモリ装置の光学ヘッド図
。 第２図は直接オーバーライド時の照射パルス図。 第３図は従来の光磁気メモリ装置の光学ヘッド図。 １　・ ２　・ ３　・ ４　・ ５　・ ６　・ ７　・ ・永久磁石 ・磁性膜 ・基板 ・アクチュエータ ・対物レンズ ・偏光ビームスプリッタ ・１／２波長板 ８　・ ９　・ １０　・ ］　１　・ １２　・ １３　・ １４　・ １５　・ １６　・ １７　・ １８　・ １９　・ ２０　・ ２１　・ ２２　・ レンズ ホトダイオード ミラー 空間フィルタ・ビ 検光子 偏光子 電気光学素子 アナモルフィックプリ コリメータレンズ 半導体レーザ 電磁石 半導体レ ファファ 差動アンプ サーボ光学系 ムエクスパンダ− ザ駆動回路 回転子 ズム 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士　鈴木喜三部（化１名） 以上 ５目Ｈｉｊｉ１期の２Ｏｆ）中（へ）１のパ穏第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光ビーム発生手段、光ビームの強度を変調する手段、前
   記光ビーム発生手段からの該光ビームを光磁気メモリ媒
   体上に集光する光学手段、前記光ビームの集光点が前記
   光磁気メモリ媒体上の情報記録列に追従するためのトラ
   ッキングおよびフォーカシング手段、該光磁気メモリ媒
   体上からの反射光ビームを検出し前記光磁気メモリ媒体
   に蓄積された情報を検出する手段、トラッキングおよび
   フォーカシング用のサーボ信号を検出する手段、情報の
   記録方向を決定する直流磁場発生手段を構成要素の一部
   とする光磁気メモリ装置において、前記直流磁場発生手
   段の発生磁場方向が情報の記録時と消去時で同方向であ
   るように配置された永久磁石からなり、前記光ビームの
   強度を変調する手段に電気光学効果光変調器を用いるこ
   とを特徴とする光磁気メモリ装置。