JPH02265194A - カラー薄膜elパネル - Google Patents
カラー薄膜elパネルInfo
- Publication number
- JPH02265194A JPH02265194A JP1083959A JP8395989A JPH02265194A JP H02265194 A JPH02265194 A JP H02265194A JP 1083959 A JP1083959 A JP 1083959A JP 8395989 A JP8395989 A JP 8395989A JP H02265194 A JPH02265194 A JP H02265194A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- panel
- thin
- insulating layer
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、薄膜ELパネルデイスプレィに関するもので
ある。
ある。
[従来の技術]
一般に薄膜ELにおいて、フルカラー化を実現するため
には、光の3原色である赤、緑、青色に発光する層を同
一面上にそれぞれ配置する場合と、同様な素子を3次元
的に重ね合わせる場合と、発光する層を重ね、独立に制
御できるようにする場合の3通りが考えられる。さらに
、高輝度な発光色をカラーフィルターを用いることでフ
ルカラー化を実現するという方法もある。
には、光の3原色である赤、緑、青色に発光する層を同
一面上にそれぞれ配置する場合と、同様な素子を3次元
的に重ね合わせる場合と、発光する層を重ね、独立に制
御できるようにする場合の3通りが考えられる。さらに
、高輝度な発光色をカラーフィルターを用いることでフ
ルカラー化を実現するという方法もある。
この中でも、同様な素子を3次元的に重ねる場合、薄膜
ELの長所である高い解像度を損なうことなく、しかも
薄膜作製の点については、従来のモノカラーパネルの技
術だけで実現できるという利点がある。このパネルの構
造の代表例を第1図に示す。この構造のパネルを用いて
十分なカラー表示を行うためには、視差の問題からそれ
ぞれのガラス基板のギャップは小さい方が望ましい。
ELの長所である高い解像度を損なうことなく、しかも
薄膜作製の点については、従来のモノカラーパネルの技
術だけで実現できるという利点がある。このパネルの構
造の代表例を第1図に示す。この構造のパネルを用いて
十分なカラー表示を行うためには、視差の問題からそれ
ぞれのガラス基板のギャップは小さい方が望ましい。
一方、薄膜ELパネルにおいては、寿命の問題から薄膜
の防湿(パッシベーション)を行うことが必要であるこ
とが知られており、その方法の1つとして従来技術では
薄膜形成面側にカバーグラスを設け、シリコンオイルで
封止する方法が実用化されている。しかし、上述したカ
ラー薄膜ELパネルにおいて、このような方法を用いる
ことは、基板間のギャップが小さいことから、十分な効
果が得られない。
の防湿(パッシベーション)を行うことが必要であるこ
とが知られており、その方法の1つとして従来技術では
薄膜形成面側にカバーグラスを設け、シリコンオイルで
封止する方法が実用化されている。しかし、上述したカ
ラー薄膜ELパネルにおいて、このような方法を用いる
ことは、基板間のギャップが小さいことから、十分な効
果が得られない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、基板のギャップか小さく、かつ、優れた防湿
手段を有する薄膜ELパネルを提供しようとするもので
ある。
手段を有する薄膜ELパネルを提供しようとするもので
ある。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するための本発明の構成は、透光性を有
し、かつ、それぞれ異なる発光色を示す薄膜EL素子を
重ね合わせた多色発光薄膜ELパネルにおいて、各発光
層に接する層を窒化物絶縁層とするカラー薄膜ELパネ
ルである。
し、かつ、それぞれ異なる発光色を示す薄膜EL素子を
重ね合わせた多色発光薄膜ELパネルにおいて、各発光
層に接する層を窒化物絶縁層とするカラー薄膜ELパネ
ルである。
本発明で絶縁層の材料として用いられる窒化物は、化学
的に非常に安定であり、膜の緻密性を高くすれば、優れ
たパッシベーション膜として用いることができる。
的に非常に安定であり、膜の緻密性を高くすれば、優れ
たパッシベーション膜として用いることができる。
具体的な材料としては、電気特性を考えると、窒化ケイ
素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが考えられる。
素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが考えられる。
これ等の窒化物によって絶縁層を形成するには上述した
ように、膜の緻密性を高くするような作製方法であれば
特に限定はされないが、手軽な方法としてはスパッタリ
ング法が考えられる。
ように、膜の緻密性を高くするような作製方法であれば
特に限定はされないが、手軽な方法としてはスパッタリ
ング法が考えられる。
絶縁層以外のEL素子の構成材料である透明電極や発光
層、背面電極、そして発光層母体材料に添加される発光
中心等については、本発明の効果を得るために、特に材
料および作製方法を限定する必要がない。
層、背面電極、そして発光層母体材料に添加される発光
中心等については、本発明の効果を得るために、特に材
料および作製方法を限定する必要がない。
本発明の構成に従って製作したカラー薄膜ELパネルの
実施例を示す。
実施例を示す。
[実施例コ
この実施例で用いるカラー薄膜ELパネルの構造は第1
図に示すように、ガラス基板lの上に順に透明電極2、
絶縁層3、発光層4、絶縁層3、透明電極2からなる発
光素子を二個対向して重ねたものである。
図に示すように、ガラス基板lの上に順に透明電極2、
絶縁層3、発光層4、絶縁層3、透明電極2からなる発
光素子を二個対向して重ねたものである。
各発光層4としてはそれぞれCa S : E u 薄
膜、SrS:Ce薄膜を用いた。
膜、SrS:Ce薄膜を用いた。
絶縁層3としては全部窒化ケイ素膜を用いた。
第2図にこのパネルの発光輝度の経時変化(曲線1)に
ついて示す。比較のために同様な素子構造で、絶縁層に
酸化物絶縁層である酸化シリコンを用いて作製したEL
パネルを同じ条件下で駆動した発光輝度の経時変化(曲
線2)についても示す。
ついて示す。比較のために同様な素子構造で、絶縁層に
酸化物絶縁層である酸化シリコンを用いて作製したEL
パネルを同じ条件下で駆動した発光輝度の経時変化(曲
線2)についても示す。
この第2図からもわかるように、窒化物絶縁層を用いた
パネルの方が発光輝度の経時変化が小さいことがわかる
。
パネルの方が発光輝度の経時変化が小さいことがわかる
。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明のカラー薄膜ELパネルは
従来のものに比較して耐久性が人きい。
従来のものに比較して耐久性が人きい。
第1図は、異なる発光色を示す薄膜ELパネルを重ね合
わせて成るカラーELパネルすなわち本実施例で用いた
カラー薄膜ELパネルの概略断面図。 第2図は、本実施例において得られたカラー薄膜ELパ
ネルの発光輝度の経時変化を示すグラフである。 曲線1は、本発明により得られた特性であり、曲線2は
従来技術により得られた特性である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・絶縁
層、4・・・発光層。
わせて成るカラーELパネルすなわち本実施例で用いた
カラー薄膜ELパネルの概略断面図。 第2図は、本実施例において得られたカラー薄膜ELパ
ネルの発光輝度の経時変化を示すグラフである。 曲線1は、本発明により得られた特性であり、曲線2は
従来技術により得られた特性である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・絶縁
層、4・・・発光層。
Claims (1)
- 透光性を有し、かつ、それぞれ異なる発光色を示す薄
膜EL素子を重ね合わせた多色発光薄膜ELパネルにお
いて、各発光層に接する層を窒化物絶縁層とすることを
特徴とするカラー薄膜ELパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083959A JPH02265194A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | カラー薄膜elパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083959A JPH02265194A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | カラー薄膜elパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265194A true JPH02265194A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13817104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083959A Pending JPH02265194A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | カラー薄膜elパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265194A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001052864A (ja) * | 1999-06-04 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2004006243A (ja) * | 1999-06-04 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2006032977A (ja) * | 1999-06-04 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
| JP2007048758A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2007066912A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2007188890A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1083959A patent/JPH02265194A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001052864A (ja) * | 1999-06-04 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
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| JP2006032977A (ja) * | 1999-06-04 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
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| JP2007188890A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US7393707B2 (en) | 1999-06-04 | 2008-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US7462501B2 (en) | 1999-06-04 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US8890172B2 (en) | 1999-06-04 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US9293726B2 (en) | 1999-06-04 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
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