JPH03187191A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH03187191A JPH03187191A JP1326173A JP32617389A JPH03187191A JP H03187191 A JPH03187191 A JP H03187191A JP 1326173 A JP1326173 A JP 1326173A JP 32617389 A JP32617389 A JP 32617389A JP H03187191 A JPH03187191 A JP H03187191A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3668—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
- C03C17/3671—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use as electrodes
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に
関し、特にマルチカラー平面デイスプレィに用いること
のできる薄膜ＥＬ素子に関する。
関し、特にマルチカラー平面デイスプレィに用いること
のできる薄膜ＥＬ素子に関する。
［従来の技術］
一般に薄膜ＥＬ素子は全固体薄型でコントラストの高い
高品質の表示ができるなどの優れた特徴を持つものであ
り、基板上に第一電極を配設し、該電極上に第一絶縁層
、ＥＬ発光層、第二絶縁層および第二電極を積層した構
造を有し、第一電極と第二電極との間に電圧を印加する
ことにより発光を生じる。この薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光
層の材料としては硫化亜鉛にマンガンを添加したものが
知られており、この材料を用いた薄膜ＥＬ素子は黄橙色
発光を呈し、計測機器、各種情報機器などへ応用されて
いる。
高品質の表示ができるなどの優れた特徴を持つものであ
り、基板上に第一電極を配設し、該電極上に第一絶縁層
、ＥＬ発光層、第二絶縁層および第二電極を積層した構
造を有し、第一電極と第二電極との間に電圧を印加する
ことにより発光を生じる。この薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光
層の材料としては硫化亜鉛にマンガンを添加したものが
知られており、この材料を用いた薄膜ＥＬ素子は黄橙色
発光を呈し、計測機器、各種情報機器などへ応用されて
いる。
ところで近年、より多くの情報を表示するために多色あ
るいはフルカラー表示が可能なＲＩＩＩ Ｅ Ｌ素子の
出現が強く望まれており、薄膜ＥＬ素子を用いて多色表
示をする方法のひとつとして、幅広いスペクトルをもっ
た発光を呈する薄膜ＥＬ素子の上にカラーフィルターを
重ねる方法が提案されている。そのため幅広い発光を呈
する薄膜ＥＬ素子の検討が行なわれている。このような
薄膜ＥＬ素子として例えば硫化ストロンチウムにセリウ
ムおよび塩素元素を添加した材料からなるＲ膜の上にマ
ンガンを添加した硫化亜鉛からなる薄膜を積層し、この
積層物をＥＬ発光層として用いたものが知られている。
るいはフルカラー表示が可能なＲＩＩＩ Ｅ Ｌ素子の
出現が強く望まれており、薄膜ＥＬ素子を用いて多色表
示をする方法のひとつとして、幅広いスペクトルをもっ
た発光を呈する薄膜ＥＬ素子の上にカラーフィルターを
重ねる方法が提案されている。そのため幅広い発光を呈
する薄膜ＥＬ素子の検討が行なわれている。このような
薄膜ＥＬ素子として例えば硫化ストロンチウムにセリウ
ムおよび塩素元素を添加した材料からなるＲ膜の上にマ
ンガンを添加した硫化亜鉛からなる薄膜を積層し、この
積層物をＥＬ発光層として用いたものが知られている。
しかしながら、このような薄膜ＥＬ素子に通常のカラー
フィルターを適用して薄膜ＥＬパネルを得た場合、得ら
れるパネルは緑色領域で黄色によった緑が、青色領域で
は白っぽいあるいは緑がかった青が得られるなど色純度
の点で問題があった。また、上記薄膜ＥＬ素子から深い
緑および深い青を得るために特殊なカラーフィルターを
用いた場合縁、青の色調は良くなるが、輝度がかなり損
なわれるという問題があった。
フィルターを適用して薄膜ＥＬパネルを得た場合、得ら
れるパネルは緑色領域で黄色によった緑が、青色領域で
は白っぽいあるいは緑がかった青が得られるなど色純度
の点で問題があった。また、上記薄膜ＥＬ素子から深い
緑および深い青を得るために特殊なカラーフィルターを
用いた場合縁、青の色調は良くなるが、輝度がかなり損
なわれるという問題があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、カラー
フィルタを適用した多色化薄膜ＥＬパネルを得るために
好適に用いることのできる薄膜ＥＬ素子を提供すること
にある。
フィルタを適用した多色化薄膜ＥＬパネルを得るために
好適に用いることのできる薄膜ＥＬ素子を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記課題を解決するために、硫化ストロン
チウム薄膜と硫化亜鉛薄膜を含んでなるＥＬ発光層およ
び上記ＥＬ発光層中に発光中心として添加する元素につ
いて鋭意検討を行った結果本発明を完成するに至った。
チウム薄膜と硫化亜鉛薄膜を含んでなるＥＬ発光層およ
び上記ＥＬ発光層中に発光中心として添加する元素につ
いて鋭意検討を行った結果本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、セリウムを含有する硫化ストロンチ
ウム薄膜、テルビウムを含有する硫化ストロンチウム薄
膜また硫化亜鉛薄膜及びマンガンを含有する硫化亜鉛薄
膜を含んでなるＥＬ発光層を備えることを特徴とする薄
膜ＥＬ素子である。
ウム薄膜、テルビウムを含有する硫化ストロンチウム薄
膜また硫化亜鉛薄膜及びマンガンを含有する硫化亜鉛薄
膜を含んでなるＥＬ発光層を備えることを特徴とする薄
膜ＥＬ素子である。
本発明の薄膜ＥＬ素子はＥＬ発光層が上記硫化ストロン
チウム薄膜及び硫化亜鉛薄膜を含むものであればよく、
これら薄膜の上下位置については限定されない。更に上
記薄膜は各々複数層含むものであってもよい。このうち
、薄膜形成過程の観点からＥＬ発光層の最上層および最
下層を硫化亜鉛薄膜とすることによりＥＬ発光層のリソ
グラフィー耐性が向上するので好ましい。本発明の薄膜
ＥＬ素子は上記の薄膜をＥＬ発光層中に含むことにより
スペクトルの幅が広い発光を呈し、発光色に偏りのない
発光を呈するものとなる。したがって、この薄膜ＥＬ素
子とカラーフィルタを重ねることにより得られる薄膜Ｅ
Ｌパネルは色純度の点で問題のないものとなる。
チウム薄膜及び硫化亜鉛薄膜を含むものであればよく、
これら薄膜の上下位置については限定されない。更に上
記薄膜は各々複数層含むものであってもよい。このうち
、薄膜形成過程の観点からＥＬ発光層の最上層および最
下層を硫化亜鉛薄膜とすることによりＥＬ発光層のリソ
グラフィー耐性が向上するので好ましい。本発明の薄膜
ＥＬ素子は上記の薄膜をＥＬ発光層中に含むことにより
スペクトルの幅が広い発光を呈し、発光色に偏りのない
発光を呈するものとなる。したがって、この薄膜ＥＬ素
子とカラーフィルタを重ねることにより得られる薄膜Ｅ
Ｌパネルは色純度の点で問題のないものとなる。
なお、本発明の薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光層中に含まれる
セリウムは硫化ストロンチウム薄膜に対して０．０３〜
０．２５原子％、テルビウムは硫化ストロンチウム薄膜
または硫化亜鉛薄膜に対して０．２〜３．０原子％、マ
ンガンは硫化亜鉛薄膜に対して０．１〜１．０原子％と
することが好ましく、上記範囲の含有量とすることによ
り高輝度の発光を呈する薄膜ＥＬ素子が得られる。
セリウムは硫化ストロンチウム薄膜に対して０．０３〜
０．２５原子％、テルビウムは硫化ストロンチウム薄膜
または硫化亜鉛薄膜に対して０．２〜３．０原子％、マ
ンガンは硫化亜鉛薄膜に対して０．１〜１．０原子％と
することが好ましく、上記範囲の含有量とすることによ
り高輝度の発光を呈する薄膜ＥＬ素子が得られる。
また、本発明の薄膜ＥＬ素子における発光層の厚みは特
に限定されないが、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧、明るさな
どを考慮して０．５〜３．０ｇｍとすることが好ましい
。
に限定されないが、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧、明るさな
どを考慮して０．５〜３．０ｇｍとすることが好ましい
。
本発明の薄膜ＥＬ素子の発光層は例えばスパッタリング
法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＥ法など種々の薄膜形成技
術により形成することができる。
法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＥ法など種々の薄膜形成技
術により形成することができる。
更に本発明の薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光層において、含ま
れる硫化ストロンチウム薄膜の結晶方位が［１００１に
配向し、硫化亜鉛薄膜の結晶方位が閃亜鉛鉱型構造の［
１１１１及び／またはウルツ鉱型構造の［００１１に”
配向している場合、より安定した色調、高輝度の発光を
呈する。上記結晶方位が配向した硫化ストロンチウム薄
膜、硫化亜鉛薄膜は薄膜形成条件を適宜調整することに
より得ることができる。例えば電子ビーム蒸着法により
薄膜を形成する場合、硫化亜鉛薄膜は基板温度を２００
〜２５０℃として形成することにより上記のように配向
し易くなり、硫化ストロンチウム薄膜は基板温度を３０
０〜７００℃とし、蒸着源として希土類元素が硫化物の
形で含有する硫化ストロンチウムを用いて形成すること
により結晶の配向性の制御が容易となる。
れる硫化ストロンチウム薄膜の結晶方位が［１００１に
配向し、硫化亜鉛薄膜の結晶方位が閃亜鉛鉱型構造の［
１１１１及び／またはウルツ鉱型構造の［００１１に”
配向している場合、より安定した色調、高輝度の発光を
呈する。上記結晶方位が配向した硫化ストロンチウム薄
膜、硫化亜鉛薄膜は薄膜形成条件を適宜調整することに
より得ることができる。例えば電子ビーム蒸着法により
薄膜を形成する場合、硫化亜鉛薄膜は基板温度を２００
〜２５０℃として形成することにより上記のように配向
し易くなり、硫化ストロンチウム薄膜は基板温度を３０
０〜７００℃とし、蒸着源として希土類元素が硫化物の
形で含有する硫化ストロンチウムを用いて形成すること
により結晶の配向性の制御が容易となる。
［実施例］
以下、本発明を実施例により示すが、本発明はこれらに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
実施例１．２ 比較例１
第１図に示す構造の薄膜ＥＬ素子を製造した。
はじめにガラス基板１の上に、フォトエツチングにより
ストライプ状に透明電極２を形威し、この上に第一絶縁
層３を形成した。第一絶縁層３は酸化ケイ素を０，０３
ｊｓ、窒化ケイ素を０．１７ｊｍ、ＲＦスパッタリング
法により積層して形成した。
ストライプ状に透明電極２を形威し、この上に第一絶縁
層３を形成した。第一絶縁層３は酸化ケイ素を０，０３
ｊｓ、窒化ケイ素を０．１７ｊｍ、ＲＦスパッタリング
法により積層して形成した。
次に発光層４．５及び６を電子ビーム蒸着法により形成
した。発光層４はマンガンを０．４原子％含む硫化亜鉛
薄膜であり、その厚みは約０．６μｍとし、発光層５は
テルビウムを２．０原子％含有する硫化ストロンチウム
薄膜であり、その厚みは約０．４μｍとし、更にその上
の発光層６はセリウムを０．１原子％含む硫化ストロン
チウム薄膜であり、その厚みは約１．０μｍとした。ま
た、発光層４の蒸着は基板温度を２３０℃と一定にし、
発光層５．６の蒸着は、基板温度を６００℃と一定にし
て、到達真空度を３ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下とし、
蒸着中は硫化水素を３ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒまで導入
して雰囲気の制御を行ない、堆積速度は５人／秒として
行なった。更に発光層５．６を蒸着する際に、テルビウ
ム硫化物またはセリウム硫化物を硫化ストロンチウムに
混合して得られたペレットを蒸着源として用いた。
した。発光層４はマンガンを０．４原子％含む硫化亜鉛
薄膜であり、その厚みは約０．６μｍとし、発光層５は
テルビウムを２．０原子％含有する硫化ストロンチウム
薄膜であり、その厚みは約０．４μｍとし、更にその上
の発光層６はセリウムを０．１原子％含む硫化ストロン
チウム薄膜であり、その厚みは約１．０μｍとした。ま
た、発光層４の蒸着は基板温度を２３０℃と一定にし、
発光層５．６の蒸着は、基板温度を６００℃と一定にし
て、到達真空度を３ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下とし、
蒸着中は硫化水素を３ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒまで導入
して雰囲気の制御を行ない、堆積速度は５人／秒として
行なった。更に発光層５．６を蒸着する際に、テルビウ
ム硫化物またはセリウム硫化物を硫化ストロンチウムに
混合して得られたペレットを蒸着源として用いた。
次に、発光層６の上にＲＦスパッタリング法により第二
絶縁層７を形成した。第二絶縁層７は厚み０．１５ｊｍ
の窒化ケイ素および厚み０．０５１ｍの酸化アルミニウ
ムを積層して形成した。更にこの第二絶縁層７上に背面
電極８として金属アルミニウムを０．１１ｍの厚みで透
明電極２と直交するように形成した。
絶縁層７を形成した。第二絶縁層７は厚み０．１５ｊｍ
の窒化ケイ素および厚み０．０５１ｍの酸化アルミニウ
ムを積層して形成した。更にこの第二絶縁層７上に背面
電極８として金属アルミニウムを０．１１ｍの厚みで透
明電極２と直交するように形成した。
以上の方法により作製した薄膜ＥＬ素子には湿気防止対
策として背面ガラスを取り付け、背面ガラスと薄膜ＥＬ
素子との間の空間部分にシリカゲルを含んだシリコンオ
イルを注入した後、注入口の封止を行ない、これを用い
て発光特性の測定を行なった。なお、特性測定は透明電
極２と背面電極８との間に周波数５０Ｈｚ、パルス幅３
０μ秒の交流パルスを印加させて行なった。
策として背面ガラスを取り付け、背面ガラスと薄膜ＥＬ
素子との間の空間部分にシリカゲルを含んだシリコンオ
イルを注入した後、注入口の封止を行ない、これを用い
て発光特性の測定を行なった。なお、特性測定は透明電
極２と背面電極８との間に周波数５０Ｈｚ、パルス幅３
０μ秒の交流パルスを印加させて行なった。
また、実施例２として発光層５．が厚み約０．４１のテ
ルビウムを２．０原子％含有した硫化亜鉛薄膜を用いた
以外は上記薄膜ＥＬ素子（実施例１）と同様の構造の薄
膜ＥＬ素子を作製し、特性測定を行なった。更に比較例
１として発光層５を形威しなかった以外は実施例１と同
様の構造の薄膜ＥＬ素子を作製し、特性測定を行なった
。なお実施例２において、発光層５は基板温度を２３０
℃と一定にして電子ビーム蒸着法により形成した。
ルビウムを２．０原子％含有した硫化亜鉛薄膜を用いた
以外は上記薄膜ＥＬ素子（実施例１）と同様の構造の薄
膜ＥＬ素子を作製し、特性測定を行なった。更に比較例
１として発光層５を形威しなかった以外は実施例１と同
様の構造の薄膜ＥＬ素子を作製し、特性測定を行なった
。なお実施例２において、発光層５は基板温度を２３０
℃と一定にして電子ビーム蒸着法により形成した。
ｍ２図に実施例１、実施例２、比較例１により得られた
薄膜ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。
薄膜ＥＬ素子の発光スペクトルを示す。
第２図より実施例１の薄膜ＥＬ素子の発光スペクトルは
４５０〜５５０ ｎａのセリウムを含有した硫化ストロ
ンチウム薄膜に由来する発光、５５０〜６４０ｎｓのマ
ンガンを含有した硫化亜鉛薄膜に由来する発光及び５４
５ｎ−付近のピークを最大強度とした４００〜６００
ｒｖにわたる幾つかのピークの発光が認められた。また
実施例２の薄膜ＥＬ素子の発光スペクトルはテルビウム
を含有した硫化亜鉛薄膜に由来した５４３．４８８ｎｗ
なとのピークと前記のセリウムを含有した硫化ストロン
チウム薄膜に由来する発光およびマンガンを含有した硫
化亜鉛薄膜に由来する発光スペクトルが重なり合わされ
たものが認められた。以上の発光スペクトルにより、本
発明の薄膜ＥＬ素子は結果的に比較例１の薄膜ＥＬ素子
と比較すると幅広いスペクトルの発光を呈することがわ
かる。
４５０〜５５０ ｎａのセリウムを含有した硫化ストロ
ンチウム薄膜に由来する発光、５５０〜６４０ｎｓのマ
ンガンを含有した硫化亜鉛薄膜に由来する発光及び５４
５ｎ−付近のピークを最大強度とした４００〜６００
ｒｖにわたる幾つかのピークの発光が認められた。また
実施例２の薄膜ＥＬ素子の発光スペクトルはテルビウム
を含有した硫化亜鉛薄膜に由来した５４３．４８８ｎｗ
なとのピークと前記のセリウムを含有した硫化ストロン
チウム薄膜に由来する発光およびマンガンを含有した硫
化亜鉛薄膜に由来する発光スペクトルが重なり合わされ
たものが認められた。以上の発光スペクトルにより、本
発明の薄膜ＥＬ素子は結果的に比較例１の薄膜ＥＬ素子
と比較すると幅広いスペクトルの発光を呈することがわ
かる。
次に、第３図に示す透過特性を持つカラーフィルターを
用いて実施例１．２及び比較例１の薄膜ＥＬｇ子の赤、
緑、青の発光を分離した。この薄膜ＥＬ素子を２３０ｖ
で駆動したときの赤、緑、青の色度座標を第４図に、輝
度を表１に示す。また、参考のために第４図中にＣＲＴ
の色度座標を併わせて示した。第４図および表１より、
本発明の薄膜ＥＬ素子は輝度レベルをほとんど損なうこ
となく、緑、青の色度座標が向上し、ＣＲＴの色度座標
に近づくことが確認された。
用いて実施例１．２及び比較例１の薄膜ＥＬｇ子の赤、
緑、青の発光を分離した。この薄膜ＥＬ素子を２３０ｖ
で駆動したときの赤、緑、青の色度座標を第４図に、輝
度を表１に示す。また、参考のために第４図中にＣＲＴ
の色度座標を併わせて示した。第４図および表１より、
本発明の薄膜ＥＬ素子は輝度レベルをほとんど損なうこ
となく、緑、青の色度座標が向上し、ＣＲＴの色度座標
に近づくことが確認された。
表１
実施例３
実施例１と同様の方法で、第１図に示すＥＬ素子を作製
した。ただし発光層４．５及び６を蒸着する場合の硫化
水素圧力、蒸着速度を制御して得られる薄膜の結晶方位
の配向性を制御した。
した。ただし発光層４．５及び６を蒸着する場合の硫化
水素圧力、蒸着速度を制御して得られる薄膜の結晶方位
の配向性を制御した。
第５図に得られたマンガンを含有する硫化亜鉛薄膜（発
光層４）のＸ線回折パターンを示すが、これによりこの
薄膜は閃亜鉛鉱型構造の［１１１］に配向していること
が確認された。また第６図にセリウムを含有する硫化ス
トロンチウムＩＮ （発光層６）のＸ線回折パターンを
示すが、このうちピークはそれぞれ岩塩型結晶構造の硫
化ストロンチウムにおける（１１１）、（２００）、（
２２０）と同定された。なお、テルビウムを含有する硫
化ストロンチウム薄膜（発光層５）においても第６図と
同様のＸ線回折パターンが得られた。
光層４）のＸ線回折パターンを示すが、これによりこの
薄膜は閃亜鉛鉱型構造の［１１１］に配向していること
が確認された。また第６図にセリウムを含有する硫化ス
トロンチウムＩＮ （発光層６）のＸ線回折パターンを
示すが、このうちピークはそれぞれ岩塩型結晶構造の硫
化ストロンチウムにおける（１１１）、（２００）、（
２２０）と同定された。なお、テルビウムを含有する硫
化ストロンチウム薄膜（発光層５）においても第６図と
同様のＸ線回折パターンが得られた。
第７頭に硫化ストロンチウム薄膜の［１００Ｆ方向の配
向性に関連する（２００）ピーク強度と（１１１）ピー
ク強度の比を横軸にとり、フィルター透過後のＲＧＢの
発光開始電圧を縦軸にとりプロットしたグラフを、第８
図に縦軸として４８Ｖでの輝度をとりプロットしたグラ
フを示す。第７図及び第８図より硫化ストロンチウム薄
膜の［１００Ｆ方向の配向性が強くなるにしたがってＲ
ＧＢの発光開始電圧が一致するために色調の制御性が良
くなり、輝度についても高くなるという結果が得られた
。
向性に関連する（２００）ピーク強度と（１１１）ピー
ク強度の比を横軸にとり、フィルター透過後のＲＧＢの
発光開始電圧を縦軸にとりプロットしたグラフを、第８
図に縦軸として４８Ｖでの輝度をとりプロットしたグラ
フを示す。第７図及び第８図より硫化ストロンチウム薄
膜の［１００Ｆ方向の配向性が強くなるにしたがってＲ
ＧＢの発光開始電圧が一致するために色調の制御性が良
くなり、輝度についても高くなるという結果が得られた
。
［発明の効果コ
以上述べたように、本発明の薄膜ＥＬ素子は緑、青領域
の発光の色純度について、輝度を落とすことなく改善さ
れる。従って本発明の薄１１１ＥＬ素子とカラーフィル
ターを組み合わせることにより、カラーＣＲＴに匹敵す
る良好な色再現領域を持ったカラーＥＬパネルが得られ
る。また、本発明の薄膜ＥＬ素子における発光層を構成
する硫化亜鉛薄膜と硫化ストロンチウム薄膜の結晶方位
を特定することにより、ＲＧＢの発光開始電圧が一致す
るために階調表示が可能となる。
の発光の色純度について、輝度を落とすことなく改善さ
れる。従って本発明の薄１１１ＥＬ素子とカラーフィル
ターを組み合わせることにより、カラーＣＲＴに匹敵す
る良好な色再現領域を持ったカラーＥＬパネルが得られ
る。また、本発明の薄膜ＥＬ素子における発光層を構成
する硫化亜鉛薄膜と硫化ストロンチウム薄膜の結晶方位
を特定することにより、ＲＧＢの発光開始電圧が一致す
るために階調表示が可能となる。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の構造の一実施例を示す
断面図である。 第２図は本発明の実施例１．２及び比較例１の薄膜ＥＬ
素子の発光スペクトルを示す図である。 第３図は本発明の実施例において用いたカラーフィルタ
ーの透過特性である。 第４図は本発明の実施例１．２及び比較例１の薄膜ＥＬ
素子の発光の色度座標を示す図である。 第５図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子の発光層に含まれる硫化亜鉛薄膜のＸ線回折パターン
を示す図である。 第６図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子の発光層に含まれる硫化ストロンチウム薄膜のＸ線回
折パターンを示す図である。 第７図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子のＥＬ発光層中の硫化ストロンチウム薄膜の［１００
１配向性とＲＧＢ発光の発光開始電圧との関係を示す図
である。 第８図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子のＥＬ発光層中の硫化ストロンチウム薄膜の［１００
１配向性と発光開始電圧から４８ｖ上での輝度との関係
を示す図である。
断面図である。 第２図は本発明の実施例１．２及び比較例１の薄膜ＥＬ
素子の発光スペクトルを示す図である。 第３図は本発明の実施例において用いたカラーフィルタ
ーの透過特性である。 第４図は本発明の実施例１．２及び比較例１の薄膜ＥＬ
素子の発光の色度座標を示す図である。 第５図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子の発光層に含まれる硫化亜鉛薄膜のＸ線回折パターン
を示す図である。 第６図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子の発光層に含まれる硫化ストロンチウム薄膜のＸ線回
折パターンを示す図である。 第７図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子のＥＬ発光層中の硫化ストロンチウム薄膜の［１００
１配向性とＲＧＢ発光の発光開始電圧との関係を示す図
である。 第８図は本発明の実施例３において得られた薄膜ＥＬ素
子のＥＬ発光層中の硫化ストロンチウム薄膜の［１００
１配向性と発光開始電圧から４８ｖ上での輝度との関係
を示す図である。
Claims (4)
- （１）セリウムを含有する硫化ストロンチウム薄膜、テ
ルビウムを含有する硫化ストロンチウム薄膜または硫化
亜鉛薄膜及びマンガンを含有する硫化亜鉛薄膜を含んで
なるＥＬ発光層を備えることを特徴とする薄膜ＥＬ素子
。 - （２）セリウムの含有量が硫化ストロンチウム薄膜に対
して０．０３〜０．２５原子％、テルビウムの含有量が
硫化ストロンチウム薄膜または硫化亜鉛薄膜に対して０
．２〜３．０原子％、マンガンの含有量が硫化亜鉛薄膜
に対して０．１〜１．０原子％であることを特徴とする
請求項第１項に記載の薄膜ＥＬ素子。 - （３）硫化ストロンチウム薄膜の結晶方位が［１００］
に配向し、硫化亜鉛薄膜の結晶方位が閃亜鉛鉱型構造の
［１１１］及び／またはウルツ鉱型構造の［００１］に
配向していることを特徴とする請求項第１項に記載の薄
膜ＥＬ素子。 - （４）ＥＬ発光層の最上層および最下層を硫化亜鉛薄膜
とすることを特徴とする請求項第１項に記載の薄膜ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326173A JPH03187191A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326173A JPH03187191A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187191A true JPH03187191A (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=18184859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1326173A Pending JPH03187191A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03187191A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543237A (en) * | 1992-09-14 | 1996-08-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Inorganic thin film electroluminescent device having an emission layer |
| US5648181A (en) * | 1992-09-14 | 1997-07-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Inorganic thin film electroluminescent device having a light emission layer |
| US5667607A (en) * | 1994-08-02 | 1997-09-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating electroluminescent device |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1326173A patent/JPH03187191A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543237A (en) * | 1992-09-14 | 1996-08-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Inorganic thin film electroluminescent device having an emission layer |
| US5648181A (en) * | 1992-09-14 | 1997-07-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Inorganic thin film electroluminescent device having a light emission layer |
| US5667607A (en) * | 1994-08-02 | 1997-09-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating electroluminescent device |
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