JPH02265275A - マルチチップ型イメージセンサの実装方法 - Google Patents
マルチチップ型イメージセンサの実装方法Info
- Publication number
- JPH02265275A JPH02265275A JP1087319A JP8731989A JPH02265275A JP H02265275 A JPH02265275 A JP H02265275A JP 1087319 A JP1087319 A JP 1087319A JP 8731989 A JP8731989 A JP 8731989A JP H02265275 A JPH02265275 A JP H02265275A
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- image sensor
- substrate
- fixed
- glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、等倍密着型イメージスキャナ等に用いられる
マルチチップ型イメージセンサの実装方法に関する。
マルチチップ型イメージセンサの実装方法に関する。
従来の技術
近年、イメージスキャナ等にあっては、光学系の小型化
を図るため、センサ自体を等倍構成する等倍密着型イメ
ージセンサの開発が活発化している。この場合、例えば
ＳｉウェハによるＩＣイメージセンサ・チップを用いる
ものでは、ｓｉウェハサイズにより長さが制限されるた
め、通常サイズの原稿についても読取り可能に長尺化す
るためには、複数個のＩＣイメージセンサ・チップを同
一基板上−に配列する必要がある。このようなマルチチ
ツブ型のものが、例えばＴＶ学会における「【Ｃ３８７
−５５ＪのｒＣＣＤ密着イメージセンサ」により知られ
ている。
を図るため、センサ自体を等倍構成する等倍密着型イメ
ージセンサの開発が活発化している。この場合、例えば
ＳｉウェハによるＩＣイメージセンサ・チップを用いる
ものでは、ｓｉウェハサイズにより長さが制限されるた
め、通常サイズの原稿についても読取り可能に長尺化す
るためには、複数個のＩＣイメージセンサ・チップを同
一基板上−に配列する必要がある。このようなマルチチ
ツブ型のものが、例えばＴＶ学会における「【Ｃ３８７
−５５ＪのｒＣＣＤ密着イメージセンサ」により知られ
ている。
このようなマルチチップ型イメージセンサとしては、例
えば、各々同一ピッチで形成された受光画素部を有する
複数個のシリコン製のＩＣイメージセンサ・チップを一
直線状に配列することになる。
えば、各々同一ピッチで形成された受光画素部を有する
複数個のシリコン製のＩＣイメージセンサ・チップを一
直線状に配列することになる。
このような複数個のＩＣイメージセンサ・チップは例え
ば同一のアルミナ基板上にダイボンディングされて固定
される。このようなダイボンディング方式としては、次
のような各種方式がある。
ば同一のアルミナ基板上にダイボンディングされて固定
される。このようなダイボンディング方式としては、次
のような各種方式がある。
ここに、各種方式の特徴につき、■・・・接合材料、■
・・・ダイ裏面のメタライゼーション、■・・・作業温
度、■・・・作業雰囲気、■・・・オーミック性、■・
・・熱放散性、■・・・ワイヤボンディング適応性、■
・・・炉シール適応性、■・・・量産性、［相］・・・
コストの順に示すものとする。
・・・ダイ裏面のメタライゼーション、■・・・作業温
度、■・・・作業雰囲気、■・・・オーミック性、■・
・・熱放散性、■・・・ワイヤボンディング適応性、■
・・・炉シール適応性、■・・・量産性、［相］・・・
コストの順に示すものとする。
ａ、共晶接合法
■Ａｕ−３ｉ、Ａｕ−Ｇｅ又はＡｕ −Ｓｎ、■不要又
はＡｕ蒸着、 ０３２０〜４５０℃、 ■不活性雰囲気又は還元雰囲気、 ■良、■良、■適、■適、■良、［相］高す、はんだ接
合法 ■ｐｂ系はんだ又はＳｎ系はんだ、 ■Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ又は０ｒ−Ｎｉ −Ａｕ等、０２５
０〜３５０℃、 ■不活性雰囲気又は還元雰囲気、 ■良、■良、■熱圧着法のみ不適、■適、■良、［相］
中 Ｃ０樹脂接着法 ■Ａｇ＋２ボキシ、Ａｇ＋ポリイミド又はＡｇ＋シリコ
ン。
はＡｕ蒸着、 ０３２０〜４５０℃、 ■不活性雰囲気又は還元雰囲気、 ■良、■良、■適、■適、■良、［相］高す、はんだ接
合法 ■ｐｂ系はんだ又はＳｎ系はんだ、 ■Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ又は０ｒ−Ｎｉ −Ａｕ等、０２５
０〜３５０℃、 ■不活性雰囲気又は還元雰囲気、 ■良、■良、■熱圧着法のみ不適、■適、■良、［相］
中 Ｃ０樹脂接着法 ■Ａｇ＋２ボキシ、Ａｇ＋ポリイミド又はＡｇ＋シリコ
ン。
■不要、
■常温（硬化は１５０〜２００℃）、
■エア又は不活性雰囲気、
■不安定、■不要、■適、
■ポリイミド系のみ適、■優、低
ｄ、ガラス接着法
■Ｐ ｂｏ −Ｂ、０．系ガラス、
■不要、
０４２０〜６００℃、
■エア、
■不良、■不要、■適、■適、■やや不良、［相］中
このようなダイボンディング方式は何れも高温の作業温
度を要するが、Ｃの樹脂接着法によれば、他のダイボン
ディング法（共晶接合法、はんだ接合法、ガラス接着法
）に比べて、現状では、その信頼性、作業性、量産性等
に優れている。
度を要するが、Ｃの樹脂接着法によれば、他のダイボン
ディング法（共晶接合法、はんだ接合法、ガラス接着法
）に比べて、現状では、その信頼性、作業性、量産性等
に優れている。
この樹脂接着法では、常温下で基板上に加熱硬化型のダ
イボンディング用接着剤をチップ幅相当にてディスペン
ス法、スタンプ法、スクリーン印刷法などにより数ｌＯ
μｍ程度の厚さで塗布し、その上に各チップを位置合せ
しながら押付は配置し、その後で、オーブンによるバッ
チ処理で、１２０°Ｃ〜２５０℃の加熱温度にて１〜２
時間のキュア（硬化）を実施するものである。
イボンディング用接着剤をチップ幅相当にてディスペン
ス法、スタンプ法、スクリーン印刷法などにより数ｌＯ
μｍ程度の厚さで塗布し、その上に各チップを位置合せ
しながら押付は配置し、その後で、オーブンによるバッ
チ処理で、１２０°Ｃ〜２５０℃の加熱温度にて１〜２
時間のキュア（硬化）を実施するものである。
ここに、導電性を持つダイボンディング用接着剤として
は、例えば、下記のような品名のものがある。ここに、
各品名の接着剤の特性につき、■・・・性状（配合比）
、■・・−溶剤の有無、■・・・組成（充填剤／樹脂）
、■・・・キュア条件（温度／時間）、■・・・体積抵
抗率（Ω・ｃｍ）、■・・・熱伝導率（ｃａ１７／ｃｍ
−ｓｅｃ ・’Ｃ） ｓ■・・・抽出不純物（ＣＱ″
″ ｌＮａ４）の順に示すものとする。、 Ａ、ケミタイトＣＴ２１２（東芝、ケミカル社製）■−
液性、１ ■有、 ■Ａｇ／エポキシ、■２００℃／Ｉ
ｈｒ、 ■０．６ Ｘ １０−’ ■６ＸｌＯ−
”■５５ Ｂ、ＥＮ−４０００（日立化成社製） ■−液性、 ■有、 ■Ａｇ／エポキシ、■１７５℃／
ｌｈｒ、 ■２×ＩＯ″″４ ■０．６ＸＩＯ−
’■＋０１１０ Ｃ，ＥＮ−４０７０Ｘ−１３（日立化成社！り■−液性
、 ■無、 ■Ａｇ／エポキシ、■１５０℃／ｌｈｒ〜
２５０℃／４０ｓｅｃ、■３，３ Ｘ １０−’
■−■１０１ＯＤ、ＣＲＭ−１０３８（住友ベークライ
ト社製）■−液性、 ■無、 ■Ａｇ／エポキシ、■２
００℃／１ｈｒ〜１７０℃／ ２０ｓｅｃ ＋ ３５０
°Ｃ，／２０ｓｅｃ。
は、例えば、下記のような品名のものがある。ここに、
各品名の接着剤の特性につき、■・・・性状（配合比）
、■・・−溶剤の有無、■・・・組成（充填剤／樹脂）
、■・・・キュア条件（温度／時間）、■・・・体積抵
抗率（Ω・ｃｍ）、■・・・熱伝導率（ｃａ１７／ｃｍ
−ｓｅｃ ・’Ｃ） ｓ■・・・抽出不純物（ＣＱ″
″ ｌＮａ４）の順に示すものとする。、 Ａ、ケミタイトＣＴ２１２（東芝、ケミカル社製）■−
液性、１ ■有、 ■Ａｇ／エポキシ、■２００℃／Ｉ
ｈｒ、 ■０．６ Ｘ １０−’ ■６ＸｌＯ−
”■５５ Ｂ、ＥＮ−４０００（日立化成社製） ■−液性、 ■有、 ■Ａｇ／エポキシ、■１７５℃／
ｌｈｒ、 ■２×ＩＯ″″４ ■０．６ＸＩＯ−
’■＋０１１０ Ｃ，ＥＮ−４０７０Ｘ−１３（日立化成社！り■−液性
、 ■無、 ■Ａｇ／エポキシ、■１５０℃／ｌｈｒ〜
２５０℃／４０ｓｅｃ、■３，３ Ｘ １０−’
■−■１０１ＯＤ、ＣＲＭ−１０３８（住友ベークライ
ト社製）■−液性、 ■無、 ■Ａｇ／エポキシ、■２
００℃／１ｈｒ〜１７０℃／ ２０ｓｅｃ ＋ ３５０
°Ｃ，／２０ｓｅｃ。
■２Ｘ １０−’ ■３×ＩＯ−■１０ １０Ｅ
、ＣＲＭ−１０５８（住友ベークライト社製）■−液性
、 ■有、 ■Ａｇ／ポリイミド、■１５０℃／ｌｈｒ
〜２５０℃／ｌｈｒ、■２×１０− ■−■＋０１２
０ Ｆ、 Ａｂｌｅｂｏｎｄ ８４− Ｉ ＬＭ Ｉ （
Ａｂｌｅｓｔｉｃ社製）■−液性、 ■無、 ■Ａｇ／
エポキシ、■１５０℃／ｌｈｒ、 ■２ＸＩＯ−’
■４．５ＸＩＯ−”■＋０１１０ Ｇ、Ａｂｌｅｂｏｎｄ ７１− Ｉ ＬＭ Ｉ （
Ａｂｌｅｓｔｉｃ社製）■−液性、 ■有、 ■Ａｇ／
ポリイミド、■１５０℃／３０ｍ１ｎ〜２７５℃／３０
ｍ＋ｎ、■２ＸＩＦ’、 ■−■１０１５ ）］、 ＥＰＯ−ＴＥＫ ）−（−２０Ｅ ＬＣ，（
ＥｐｏｘｙＴ ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製） ■二液性（１：１）、 ■無、 ■Ａｇ／エポキシ、 ■１２０℃／１５ｍ１ｎ。
、ＣＲＭ−１０５８（住友ベークライト社製）■−液性
、 ■有、 ■Ａｇ／ポリイミド、■１５０℃／ｌｈｒ
〜２５０℃／ｌｈｒ、■２×１０− ■−■＋０１２
０ Ｆ、 Ａｂｌｅｂｏｎｄ ８４− Ｉ ＬＭ Ｉ （
Ａｂｌｅｓｔｉｃ社製）■−液性、 ■無、 ■Ａｇ／
エポキシ、■１５０℃／ｌｈｒ、 ■２ＸＩＯ−’
■４．５ＸＩＯ−”■＋０１１０ Ｇ、Ａｂｌｅｂｏｎｄ ７１− Ｉ ＬＭ Ｉ （
Ａｂｌｅｓｔｉｃ社製）■−液性、 ■有、 ■Ａｇ／
ポリイミド、■１５０℃／３０ｍ１ｎ〜２７５℃／３０
ｍ＋ｎ、■２ＸＩＦ’、 ■−■１０１５ ）］、 ＥＰＯ−ＴＥＫ ）−（−２０Ｅ ＬＣ，（
ＥｐｏｘｙＴ ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製） ■二液性（１：１）、 ■無、 ■Ａｇ／エポキシ、 ■１２０℃／１５ｍ１ｎ。
■３×ＩＯ−■４ＸＩＯ””、 ■３０Ｉ、ＥＰＯ−Ｔ
ＥＫ Ｈ２Ｓ−１７５Ｍ（Ｅ ｐｏｘｙ Ｔ ｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ社製）■−液性、 ■無、 ■Ａｇ／エポ
キシ、■１８０℃／ｌｈｒ、 ■２ＸＩＯ””
■−■１０ １０ Ｊ、 Ｄｕ Ｐｏｒ＋＋、４６２１ Ｄ （Ｄｕ Ｐｏ
ｎｔ社製）■−液性、 ■有、 ■Ａｇ／エポキシ、■
１７５℃／ｌｈｒ、 ■４ＸＩＯ−’ ■■２０
１０ に、 Ｃ−９９０（Ａｍｉｃｏｎ社製）■−液性、 ■
無、 ■Ａｇ／エポキシ、■１５５℃／ｌｈｒ、 ■
６．５ Ｘ １０−’、 ■−■＋０１５ Ｌ、 Ｃ−９４０−ＡＸＬＣ（Ａｍｉｃｏｎ社製）■
−液性、 ■有、 ■Ａｇ／ポリイミド、■１７５℃／
３０ｍ１ｎ〜２７５℃／３０ｍ１ｎ。
ＥＫ Ｈ２Ｓ−１７５Ｍ（Ｅ ｐｏｘｙ Ｔ ｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ社製）■−液性、 ■無、 ■Ａｇ／エポ
キシ、■１８０℃／ｌｈｒ、 ■２ＸＩＯ””
■−■１０ １０ Ｊ、 Ｄｕ Ｐｏｒ＋＋、４６２１ Ｄ （Ｄｕ Ｐｏ
ｎｔ社製）■−液性、 ■有、 ■Ａｇ／エポキシ、■
１７５℃／ｌｈｒ、 ■４ＸＩＯ−’ ■■２０
１０ に、 Ｃ−９９０（Ａｍｉｃｏｎ社製）■−液性、 ■
無、 ■Ａｇ／エポキシ、■１５５℃／ｌｈｒ、 ■
６．５ Ｘ １０−’、 ■−■＋０１５ Ｌ、 Ｃ−９４０−ＡＸＬＣ（Ａｍｉｃｏｎ社製）■
−液性、 ■有、 ■Ａｇ／ポリイミド、■１７５℃／
３０ｍ１ｎ〜２７５℃／３０ｍ１ｎ。
■−〇−■１０１２０
発明が解決しようとする課題
このようなマルチチップ型イメージセンサにあっては、
各ＩＣイメージセンサ・チップ間でもその受光画素部の
間隔がチップ内の受光画素部の間隔と同じとなるように
適正に維持される必要がある。
各ＩＣイメージセンサ・チップ間でもその受光画素部の
間隔がチップ内の受光画素部の間隔と同じとなるように
適正に維持される必要がある。
この間隔が適正に維持されないと、受光画素部の連続性
が乱れるため、読取り品質が劣化してしまうためである
。
が乱れるため、読取り品質が劣化してしまうためである
。
ところが、従来のようなダイボンディング用接着剤によ
る実装方法の場合、前述した文献中のし４．２ ダイボ
ンディング］の欄にも記成されているように、各チップ
のキュア時にチップずれを生じてしまい、隣接チップ間
の画素ピッチが変動してしまう。これにより、上記のよ
うな読取り品質の劣化が生ずる。このようなダイボンデ
ィング時のチップずれは、前述したダイボンディング用
接着剤のキュア温度（硬化温度）が何れの場合でも１０
０℃以上であるため、Ｓｉによるセンサチップの熱膨張
係数αｓ、＃３．５ｘｌＯ−”（１／ ℃ｌ とアルミ
ナＡα、０．による基板の熱膨張係数α５＝α（Ａｌ、
Ｏ，）＃６，５Ｘ １０−’ ［１／℃］ とに差があ
るため、キュア時の温度により膨張した時点（膨張量は
基板〉センサチップとなっている）で、基板と各センサ
チップと・が固定されるため、本来の使用状態である常
温においては、キュア時からの温度低下に際してα（Ａ
ｔ□Ｏ，）〉α、ｌであるため、イメージセンサとして
の寸法がチップ製造時に比べて圧縮され、短くなってし
まう。このため、全体で見れば、各センサチップが短く
なり、各チップ間の接合部の画素間隔は広くなってしま
い（各チップ内の画素間隔は短くなる）、前述したよう
な読取り品質の劣化を生じている。特に、等倍密性イメ
ージセンサのチップは細長いため、基板とチップとの熱
膨張係数の差による寸法ずれは顕著に現れる。
る実装方法の場合、前述した文献中のし４．２ ダイボ
ンディング］の欄にも記成されているように、各チップ
のキュア時にチップずれを生じてしまい、隣接チップ間
の画素ピッチが変動してしまう。これにより、上記のよ
うな読取り品質の劣化が生ずる。このようなダイボンデ
ィング時のチップずれは、前述したダイボンディング用
接着剤のキュア温度（硬化温度）が何れの場合でも１０
０℃以上であるため、Ｓｉによるセンサチップの熱膨張
係数αｓ、＃３．５ｘｌＯ−”（１／ ℃ｌ とアルミ
ナＡα、０．による基板の熱膨張係数α５＝α（Ａｌ、
Ｏ，）＃６，５Ｘ １０−’ ［１／℃］ とに差があ
るため、キュア時の温度により膨張した時点（膨張量は
基板〉センサチップとなっている）で、基板と各センサ
チップと・が固定されるため、本来の使用状態である常
温においては、キュア時からの温度低下に際してα（Ａ
ｔ□Ｏ，）〉α、ｌであるため、イメージセンサとして
の寸法がチップ製造時に比べて圧縮され、短くなってし
まう。このため、全体で見れば、各センサチップが短く
なり、各チップ間の接合部の画素間隔は広くなってしま
い（各チップ内の画素間隔は短くなる）、前述したよう
な読取り品質の劣化を生じている。特に、等倍密性イメ
ージセンサのチップは細長いため、基板とチップとの熱
膨張係数の差による寸法ずれは顕著に現れる。
そして１等倍密着カラーセンサの場合であれば、各セン
サチップの接合部で色調ずれを生じ、著しい画像劣化と
なる。
サチップの接合部で色調ずれを生じ、著しい画像劣化と
なる。
ちなみに、接着剤や接着硬化温度について最適条件を見
出している前述した文献にあっても、その図９中に示さ
れるように、±１５μｍ程度の配列誤差を生じており、
例えばＡ３サイズ用の４００ｄｐｉなる高密度センサ等
の仕様には対応できない不十分なものである。
出している前述した文献にあっても、その図９中に示さ
れるように、±１５μｍ程度の配列誤差を生じており、
例えばＡ３サイズ用の４００ｄｐｉなる高密度センサ等
の仕様には対応できない不十分なものである。
また、加熱硬化型の一液エポキシ接着剤は、加熱硬化に
至る温度上昇中に粘度が低下するチクソ性を有し、塗布
接着剤がチップを載せて流れることによっても位置ずれ
が発生する。
至る温度上昇中に粘度が低下するチクソ性を有し、塗布
接着剤がチップを載せて流れることによっても位置ずれ
が発生する。
ここに、従来のマルチチップ型イメージセンサの構成及
びチップ間接合部での画素配置密度の劣化が発生する点
を、第５図を参照して詳細に検討する。まず、このイメ
ージセンサは、回路パターンを印刷した基板１上に、ダ
イボンディング用接着剤２により、複数個のＣＯＤなる
ＩＣイメージセンサ・チップ３ａ、３ｂ、３ｃを隣接配
置させた状態で接着固定し、スペーサ４及び封止用ガラ
ス５を介して基板１上に封止ガラス（窓ガラス）６を取
付は固定してなる。
びチップ間接合部での画素配置密度の劣化が発生する点
を、第５図を参照して詳細に検討する。まず、このイメ
ージセンサは、回路パターンを印刷した基板１上に、ダ
イボンディング用接着剤２により、複数個のＣＯＤなる
ＩＣイメージセンサ・チップ３ａ、３ｂ、３ｃを隣接配
置させた状態で接着固定し、スペーサ４及び封止用ガラ
ス５を介して基板１上に封止ガラス（窓ガラス）６を取
付は固定してなる。
ここに、基板１はアルミナ基板であり、ＩＣイメージセ
ンサ・チップ２はシリコン製である。
ンサ・チップ２はシリコン製である。
この場合のアルミナの特性を示すと、
■主成分・・・Ａｍ、０．＝９２〜９４％、ＳｉＯヨ、
Ｍｇｏほか、 ■抵抗値・・・１０″″〔Ω・ｃｍｌ、■熱膨張係数（
０−１００℃）・・・６．０〜６．５ＸＩＯ″″“［’
Ｃ−’］ 、 ■外伝導度−＝０．０３〜０．０４ （ｃａｌ／ｃｍ−
ｓ ・’Ｃ）、■誘電率（ＩＭＨｚ）・・・８．５〜９
．５、■誘電正接（ＩＭＨｚ）・・・０．００＋。
Ｍｇｏほか、 ■抵抗値・・・１０″″〔Ω・ｃｍｌ、■熱膨張係数（
０−１００℃）・・・６．０〜６．５ＸＩＯ″″“［’
Ｃ−’］ 、 ■外伝導度−＝０．０３〜０．０４ （ｃａｌ／ｃｍ−
ｓ ・’Ｃ）、■誘電率（ＩＭＨｚ）・・・８．５〜９
．５、■誘電正接（ＩＭＨｚ）・・・０．００＋。
■耐熱温度・・・＋０００ ［’Ｃ］以上、■縦弾性係
数−３，１〜４，１ｘｌＯ’ ［ｋｇ／ｍｍ”ｌ、■曲
げ強さ（引張強さ）・・・３０〜３５ ［ｋｇ／ｍｍ”
］、［相］アルファ線発生率・・・０．０３〜０．５ｃ
個／時・ａｄ）である。
数−３，１〜４，１ｘｌＯ’ ［ｋｇ／ｍｍ”ｌ、■曲
げ強さ（引張強さ）・・・３０〜３５ ［ｋｇ／ｍｍ”
］、［相］アルファ線発生率・・・０．０３〜０．５ｃ
個／時・ａｄ）である。
また、シリコンの特性は、
■主成分・・・Ｓｉ、
■抵抗値・・・２，３Ｘ１０’ ［Ω・ｃｍｌ、■熱膨
張係数（０〜１００℃）・・・３．５Ｘ１０″″’（’
Ｃ−’］、■外伝導度−０，２〜０．３５ ［ｃａｌ／
ｃｍ −ｓ ・’Ｃ］、■誘電率（ＩＭＨｚ）・・・１
２、 ■誘電正接（ＩＭＨｚ）・・・なし、 ■耐熱温度・・・１４１４ （’Ｃ１、■縦弾性係数・
・・Ｃ，１，７，に、、０．７． Ｃ，，０，８、Ｘ１
０’ （ｋｇ／ｍｍ”ｌ 、 ■曲げ強さ（引張強さ）−３０（ｋｇ／ｍｍ”ｌ ／ｌ
ｏｍｉｎ、［相］アルファ線発生率・・・０．０１ ［
個／時・ＣＭ］である。
張係数（０〜１００℃）・・・３．５Ｘ１０″″’（’
Ｃ−’］、■外伝導度−０，２〜０．３５ ［ｃａｌ／
ｃｍ −ｓ ・’Ｃ］、■誘電率（ＩＭＨｚ）・・・１
２、 ■誘電正接（ＩＭＨｚ）・・・なし、 ■耐熱温度・・・１４１４ （’Ｃ１、■縦弾性係数・
・・Ｃ，１，７，に、、０．７． Ｃ，，０，８、Ｘ１
０’ （ｋｇ／ｍｍ”ｌ 、 ■曲げ強さ（引張強さ）−３０（ｋｇ／ｍｍ”ｌ ／ｌ
ｏｍｉｎ、［相］アルファ線発生率・・・０．０１ ［
個／時・ＣＭ］である。
さらに、ダイボンディング用接着剤６としては、前述し
たＡ −Ｌなる各種のものの内、Ｉ−（のＥＰ○−Ｔ
ＥＫ Ｈ−２０Ｅ ＬＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ社製）を用い、キュア温度Ｔ ｃ ＝ １２０
℃で硬化させる。
たＡ −Ｌなる各種のものの内、Ｉ−（のＥＰ○−Ｔ
ＥＫ Ｈ−２０Ｅ ＬＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ社製）を用い、キュア温度Ｔ ｃ ＝ １２０
℃で硬化させる。
また、チップ製造時（特に、マスク合せ露光時）及びイ
メージセンサｌの使用時の環境温度Ｔａを常温なるＴａ
勾２０℃とする。
メージセンサｌの使用時の環境温度Ｔａを常温なるＴａ
勾２０℃とする。
このような条件の下に、アルミナ基板Ｉの長さをＱ （
Ａｍ、Ｏ，）、 シリコンチップ３の長さ（チップ有効
長）をＱ、いアルミナ基板１の熱膨張係数をα（ｉ、０
．）、 シリコンチップ３の熱膨張係数をαＳ、とする
と、キュア温度Ｔｃでの膨張差（寸法差）δＱは、 δＱ＝ΔＱ （ＡｌｊＯお）−ΔＱｓ＋＝ （ａ （
ＡＩ、０．） ａ ｓ＋）（Ｔ ｃ Ｔ ａ ）
Ｑとなり、この状態で各チップ３は基板１上に接着固
定（キュア）される。従って、使用温度Ｔａではアルミ
ナ基板１、チップ３ともキュア温度Ｔｃからの温度低下
に伴い、収縮する。ところが、熱膨張係数の違い、即ち
、α（ＡＩ、Ｏ，）＃６．５ＸＩＯ−”αｓ＋ ＃３，
５Ｘ １０−であるので、アルミナ基板ｌのほうの収縮
率が大となる。
Ａｍ、Ｏ，）、 シリコンチップ３の長さ（チップ有効
長）をＱ、いアルミナ基板１の熱膨張係数をα（ｉ、０
．）、 シリコンチップ３の熱膨張係数をαＳ、とする
と、キュア温度Ｔｃでの膨張差（寸法差）δＱは、 δＱ＝ΔＱ （ＡｌｊＯお）−ΔＱｓ＋＝ （ａ （
ＡＩ、０．） ａ ｓ＋）（Ｔ ｃ Ｔ ａ ）
Ｑとなり、この状態で各チップ３は基板１上に接着固
定（キュア）される。従って、使用温度Ｔａではアルミ
ナ基板１、チップ３ともキュア温度Ｔｃからの温度低下
に伴い、収縮する。ところが、熱膨張係数の違い、即ち
、α（ＡＩ、Ｏ，）＃６．５ＸＩＯ−”αｓ＋ ＃３，
５Ｘ １０−であるので、アルミナ基板ｌのほうの収縮
率が大となる。
ここに、収縮の仕方は、各チップ３と基板ｌとが互いに
接着固定されており、チップ３と基板１との互いの力Ｐ
が均衡するような歪εを発生して安定することになる。
接着固定されており、チップ３と基板１との互いの力Ｐ
が均衡するような歪εを発生して安定することになる。
ここに、応力をσ、縦弾性係数をＥ１断面積をＡとする
と、歪εはε＝σ／Ｅ σ＝Ｐ／Ａ として表される。よって、均衡条件は Ｐ ＝ Ａ、 （Ａｔ、Ｏ，）・ε（ＡＩ、Ｏ，）・Ｅ
（Ａれ飢）＝ＡＳＩ・ εｓ＋ −Ｅｓ であり、 である。例えば、Ａｓ＋＝幅０，７ｍｎ＋Ｘ厚さ０，５
ｎｕｎ＝０．３５Ｍ 、Ａ（ＡＬＯ，）＝幅２０ｍｍｘ
厚さ１．６ｍｒｎ＝３２ｍｍであり、Ｅｓ、；１，７Ｘ
１０’ｋｇ／ｍｍ ５Ｅ（ＡＱ、Ｏ，）千３．８ Ｘ
１０’ ｋｇ ／ ｍｍ”である。よって、応力σによ
るアルミナ基板１の歪εは殆どない。即ち、アルミナ基
板ｌは熱膨張係数α（ｉ、Ｏ，）に従い収縮し、チップ
３はアルミナ基板１とチップ３との熱膨張係数の差α（
Ａｌ、０．）−α８Ｉに相当する歪を生じて圧縮される
。例えば、ｆｆ＝６１ｍｍで、（Ｔｃ−Ｔａ）２１００
℃の時、チップの歪量δＱは δＱ−Ｑ （Ｔ ｃ Ｔ ａ ）（α（ＡＲ，Ｏｓ
） ａ ｓ＋）＝６１Ｘ（１２０−２０）（６，５Ｘ
ｌＯ−−３，５Ｘ １０−’ ）＝１８，３μｍ となる。これが、従来例におけるチップ間接合部での画
素配置ずれどなるものである。
と、歪εはε＝σ／Ｅ σ＝Ｐ／Ａ として表される。よって、均衡条件は Ｐ ＝ Ａ、 （Ａｔ、Ｏ，）・ε（ＡＩ、Ｏ，）・Ｅ
（Ａれ飢）＝ＡＳＩ・ εｓ＋ −Ｅｓ であり、 である。例えば、Ａｓ＋＝幅０，７ｍｎ＋Ｘ厚さ０，５
ｎｕｎ＝０．３５Ｍ 、Ａ（ＡＬＯ，）＝幅２０ｍｍｘ
厚さ１．６ｍｒｎ＝３２ｍｍであり、Ｅｓ、；１，７Ｘ
１０’ｋｇ／ｍｍ ５Ｅ（ＡＱ、Ｏ，）千３．８ Ｘ
１０’ ｋｇ ／ ｍｍ”である。よって、応力σによ
るアルミナ基板１の歪εは殆どない。即ち、アルミナ基
板ｌは熱膨張係数α（ｉ、Ｏ，）に従い収縮し、チップ
３はアルミナ基板１とチップ３との熱膨張係数の差α（
Ａｌ、０．）−α８Ｉに相当する歪を生じて圧縮される
。例えば、ｆｆ＝６１ｍｍで、（Ｔｃ−Ｔａ）２１００
℃の時、チップの歪量δＱは δＱ−Ｑ （Ｔ ｃ Ｔ ａ ）（α（ＡＲ，Ｏｓ
） ａ ｓ＋）＝６１Ｘ（１２０−２０）（６，５Ｘ
ｌＯ−−３，５Ｘ １０−’ ）＝１８，３μｍ となる。これが、従来例におけるチップ間接合部での画
素配置ずれどなるものである。
課題を解決するための手段
複数個のＩＣイメージセンサ・チップをダイボンディン
グ用接着剤により同一基板上に隣接配置させて固定させ
るようにしたマルチチップ型イメージセンサの実装方法
において、アルミナ製の前記基板の熱膨張係数をα１、
シリコン製の前記センサチップの熱膨張係数をα、とし
た時、α、〜α、１くｌαヨーα４１ なる関係を満足する熱膨張係数α、を有する固定ガラス
に、前記センサチップの基板側接着面とは反対面を予め
可視光透過性を持つ常温硬化型接着剤により接着固定す
るようにした。
グ用接着剤により同一基板上に隣接配置させて固定させ
るようにしたマルチチップ型イメージセンサの実装方法
において、アルミナ製の前記基板の熱膨張係数をα１、
シリコン製の前記センサチップの熱膨張係数をα、とし
た時、α、〜α、１くｌαヨーα４１ なる関係を満足する熱膨張係数α、を有する固定ガラス
に、前記センサチップの基板側接着面とは反対面を予め
可視光透過性を持つ常温硬化型接着剤により接着固定す
るようにした。
さらには、固定ガラスを、封止ガラス兼用とした。
作用
前述した検討結果によれば、キュア時でのシリコン製セ
ンサチップとアルミナ製基板との伸び量の差が、はぼそ
のまま画素位置のずれとなる。この点に着目すれば、熱
膨張係数がセンサチップよす大きくて基板に近い固定ガ
ラスを用い、て、常温時に予めセンサチップをこの固定
ガラス上に常温硬化型接着剤で固定しておくことにより
、キュア時のセンサチップの伸び量が基板の伸び俄に近
づき、キュア処理後に常温になっても、画素位置ずれ量
が小さくなる。また、予め常温で固定ガラスに接着固定
されるので、ダイボンディング用接着剤のチグソ性によ
るチップ流れも抑制される。この際、固定ガラスをその
まま封止ガラスとして用いることもでき、部品点数の増
加を要せずに達成し得る。
ンサチップとアルミナ製基板との伸び量の差が、はぼそ
のまま画素位置のずれとなる。この点に着目すれば、熱
膨張係数がセンサチップよす大きくて基板に近い固定ガ
ラスを用い、て、常温時に予めセンサチップをこの固定
ガラス上に常温硬化型接着剤で固定しておくことにより
、キュア時のセンサチップの伸び量が基板の伸び俄に近
づき、キュア処理後に常温になっても、画素位置ずれ量
が小さくなる。また、予め常温で固定ガラスに接着固定
されるので、ダイボンディング用接着剤のチグソ性によ
るチップ流れも抑制される。この際、固定ガラスをその
まま封止ガラスとして用いることもでき、部品点数の増
加を要せずに達成し得る。
実施例
本発明の第一の実施例を第１図ないし第３図に基づいて
説明する。基本溝造自体は従来方式に準するものであり
、第５図に示したものと同一部分ないしは相当する部分
は、同一符号を用いて示す。
説明する。基本溝造自体は従来方式に準するものであり
、第５図に示したものと同一部分ないしは相当する部分
は、同一符号を用いて示す。
本実施例にあっても、最終的には、複数のセンサチップ
３８〜３ｃを、基板ｌ上にダイボンディング用接着剤２
により隣接配置させて接着固定するものである。しかし
て、本実施例では、新たに所定特性を有し基板１と同様
に長尺状の固定ガラス７を設け、この固定ガラス７上に
複数のセンサチップ３８〜３Ｃを可視光透過率の高い常
温硬化型接着剤、例えば紫外線硬化型接着剤８を用いて
常温で接着固定しておくようにしたものである。ここに
、固定ガラス７に対するセンサチップ３８〜３ｃの接着
面は、基板１に対する接着面とは反対面である。第２図
は、紫外線照射による常温での接着時の様子を示す。つ
いで、ダイボンディング用接着剤２を塗布した基板ｌ上
に、スペーサ４を常温硬化型接着剤による封止用接着剤
５で接着固定する。そして、前述のように予め固定ガラ
ス７上に隣接配置させて接着固定させた一連のセンサチ
ップ３ａ〜３ｃを裏返して、ダイボンディング用接着剤
２上に位置させキュア処理して、センサチップ３ａ〜３
Ｃを基板１上に接着固定する。最後に、第１図に示すよ
うに、封止ガラス６を接着固定する。
３８〜３ｃを、基板ｌ上にダイボンディング用接着剤２
により隣接配置させて接着固定するものである。しかし
て、本実施例では、新たに所定特性を有し基板１と同様
に長尺状の固定ガラス７を設け、この固定ガラス７上に
複数のセンサチップ３８〜３Ｃを可視光透過率の高い常
温硬化型接着剤、例えば紫外線硬化型接着剤８を用いて
常温で接着固定しておくようにしたものである。ここに
、固定ガラス７に対するセンサチップ３８〜３ｃの接着
面は、基板１に対する接着面とは反対面である。第２図
は、紫外線照射による常温での接着時の様子を示す。つ
いで、ダイボンディング用接着剤２を塗布した基板ｌ上
に、スペーサ４を常温硬化型接着剤による封止用接着剤
５で接着固定する。そして、前述のように予め固定ガラ
ス７上に隣接配置させて接着固定させた一連のセンサチ
ップ３ａ〜３ｃを裏返して、ダイボンディング用接着剤
２上に位置させキュア処理して、センサチップ３ａ〜３
Ｃを基板１上に接着固定する。最後に、第１図に示すよ
うに、封止ガラス６を接着固定する。
ここに、固定ガラス７として、例えばソーダガラス（厚
さ０．５ｍｍ）が用いられる。このソーダガラスの特性
は、 ■主成分・・・Ｐｂ０６０〜７０％、Ｂ、０．ほか■抵
抗値・・・１０°゛以上〔Ω・ｃｍｌ、■熱膨張係数（
０〜１００°Ｃ）・・・５，３ＸＩＯ−” ［’Ｃ’″
ｌ］、■外伝導度−０，００１〜０．００３ ［ｃａｌ
／ｃｍ −ｓ ・’Ｃ］、■誘電率（１ＭＩＩｚ）・・
・１２、 ■誘電正接（ｌ ＭＨｚ）・・・なし、■耐熱温度・・
・３００ ［’Ｃ）、 ■縦弾性係数・・−０，７ＸＩＯ’ （ｋｇ／ｍｍ’ｌ
。
さ０．５ｍｍ）が用いられる。このソーダガラスの特性
は、 ■主成分・・・Ｐｂ０６０〜７０％、Ｂ、０．ほか■抵
抗値・・・１０°゛以上〔Ω・ｃｍｌ、■熱膨張係数（
０〜１００°Ｃ）・・・５，３ＸＩＯ−” ［’Ｃ’″
ｌ］、■外伝導度−０，００１〜０．００３ ［ｃａｌ
／ｃｍ −ｓ ・’Ｃ］、■誘電率（１ＭＩＩｚ）・・
・１２、 ■誘電正接（ｌ ＭＨｚ）・・・なし、■耐熱温度・・
・３００ ［’Ｃ）、 ■縦弾性係数・・−０，７ＸＩＯ’ （ｋｇ／ｍｍ’ｌ
。
■曲げ強さ（引張強さ）−３〜５［ｋｇ／ ｎｖｎ”ｌ
／ｌ０ｍ１ｎ、［相］アルファ線発生率・・・２．７〜
４．０〔個／時・ＣＩ′１１）である。
／ｌ０ｍ１ｎ、［相］アルファ線発生率・・・２．７〜
４．０〔個／時・ＣＩ′１１）である。
即ち、固定ガラス７の熱熱膨張係数α、６は、縦弾性係
数ＥＳＣは、各々、 αｓｃ；５，３Ｘ １０−’ ［℃−’ ）Ｅｓｏ＃０
，７ＸＩＯ’ ［ｋｇ／ｍｍ’ｌであり、この値を用い
てキュア時の伸び量を求めると（他の条件は、前述した
場合と同じとする）、εｓａ／ε３．〈ｌ であるので、 ΔＱＳ Ｇ ＃Ｑ （Ｔ ＣＴ ａ ）α８６＝６１Ｘ
（１２０−２０） Ｘ５．３ＸＩＯ−”２３２２ｍ となる。この時、アルミナ基板ｌの伸び量は、ΔＱ（Ａ
Ｉ、０．） ＃Ｑ （Ｔｃ−Ｔａ）α（ＡＩＩＯ，）＝
６１ ｘ （１２０−２０） Ｘ６゜５×１０−“２４
０μｍ となる。
数ＥＳＣは、各々、 αｓｃ；５，３Ｘ １０−’ ［℃−’ ）Ｅｓｏ＃０
，７ＸＩＯ’ ［ｋｇ／ｍｍ’ｌであり、この値を用い
てキュア時の伸び量を求めると（他の条件は、前述した
場合と同じとする）、εｓａ／ε３．〈ｌ であるので、 ΔＱＳ Ｇ ＃Ｑ （Ｔ ＣＴ ａ ）α８６＝６１Ｘ
（１２０−２０） Ｘ５．３ＸＩＯ−”２３２２ｍ となる。この時、アルミナ基板ｌの伸び量は、ΔＱ（Ａ
Ｉ、０．） ＃Ｑ （Ｔｃ−Ｔａ）α（ＡＩＩＯ，）＝
６１ ｘ （１２０−２０） Ｘ６゜５×１０−“２４
０μｍ となる。
よって、固定ガラス７と基板１との伸び量の差が、８μ
ｍとなって固定される。
ｍとなって固定される。
従って、
ε、。／ε（＾！、Ｏ，） ＞ １
であり、常温により基板１の熱膨張係数に従って収縮し
ても、チップ間接続部での画素位置ずれは、８μｍ以下
となり、ずれ量は小さなものとなる。また、各センサチ
ップ３ａ〜３ｃを単独で基板ｌ上にダイボンディングす
る場合には反りを生じ得るが、本実施例によれば、予め
平面性の高い固定ガラス７に接着固定しておき、これを
ダイボンディングするため、反りも生じない。
ても、チップ間接続部での画素位置ずれは、８μｍ以下
となり、ずれ量は小さなものとなる。また、各センサチ
ップ３ａ〜３ｃを単独で基板ｌ上にダイボンディングす
る場合には反りを生じ得るが、本実施例によれば、予め
平面性の高い固定ガラス７に接着固定しておき、これを
ダイボンディングするため、反りも生じない。
また、固定ガラス７として、ソーダガラスに代えて、同
一サイズの板ガラスを用いた場合を説明する。その熱熱
膨張係数α、Ｈは、縦弾性係数Ｅ ３ Ｈは、各々、 αｓＨ＃８，５ＸｌＯ″″［℃−“］ ＥＳｌｌ＝ｏ、７ｘ １０’ ［：ｋｇ／ ｍｍ’ｌで
あり、この値を用いてキュア時の伸び量を求めると（他
の条件は、前述した場合と同じとする）、εＳＨ／ε５
．＜１ であるので、 Δαｓｏ＃Ｑ（Ｔｃ Ｔａ）ａｓＨ ＝６１Ｘ （１２０−２０） Ｘ８．５ＸＩＯ−’
＝５２μｍ となる。この時、アルミナ基板ｌの伸び量は、前述の場
合と同じであり、ΔＱ（Ａ８，０．） ＝４０μｍとな
る。よって、固定ガラス７と基板１との伸び量の差が、
１２μｍとなって固定される。従って、εＳＨ／ε（Ａ
れ０．）＞１ であり、常温により基板１の熱膨張係数に従って収縮し
ても、チップ間接続部での画素位置ずれは、１２μｍ以
下となり、ずれ量は小さなものとなる。
一サイズの板ガラスを用いた場合を説明する。その熱熱
膨張係数α、Ｈは、縦弾性係数Ｅ ３ Ｈは、各々、 αｓＨ＃８，５ＸｌＯ″″［℃−“］ ＥＳｌｌ＝ｏ、７ｘ １０’ ［：ｋｇ／ ｍｍ’ｌで
あり、この値を用いてキュア時の伸び量を求めると（他
の条件は、前述した場合と同じとする）、εＳＨ／ε５
．＜１ であるので、 Δαｓｏ＃Ｑ（Ｔｃ Ｔａ）ａｓＨ ＝６１Ｘ （１２０−２０） Ｘ８．５ＸＩＯ−’
＝５２μｍ となる。この時、アルミナ基板ｌの伸び量は、前述の場
合と同じであり、ΔＱ（Ａ８，０．） ＝４０μｍとな
る。よって、固定ガラス７と基板１との伸び量の差が、
１２μｍとなって固定される。従って、εＳＨ／ε（Ａ
れ０．）＞１ であり、常温により基板１の熱膨張係数に従って収縮し
ても、チップ間接続部での画素位置ずれは、１２μｍ以
下となり、ずれ量は小さなものとなる。
これらの条件をまとめて一般的に表現すれば、（センサ
チップのＡ−Ｅ）＜（固定ガラスのＡ、−Ｅ）なる条件
の固定ガラス７を用いればよい。即ち、アルミナ製の基
板１の熱膨張係数をα１、シリコン製のセンサチップ３
の熱膨張係数をα１とした時、 αカーα１ 〈 α
カーα１ なる関係を満足する熱膨張係数α、を有す
る固定ガラス７を用いればよいものである。
チップのＡ−Ｅ）＜（固定ガラスのＡ、−Ｅ）なる条件
の固定ガラス７を用いればよい。即ち、アルミナ製の基
板１の熱膨張係数をα１、シリコン製のセンサチップ３
の熱膨張係数をα１とした時、 αカーα１ 〈 α
カーα１ なる関係を満足する熱膨張係数α、を有す
る固定ガラス７を用いればよいものである。
つづいて、本発明の第二の実施例を第４図により説明す
る。本実施例は、固定ガラス７をそのまま封止ガラスと
して用いるようにしたものである。
る。本実施例は、固定ガラス７をそのまま封止ガラスと
して用いるようにしたものである。
本実施例によれば、固定ガラスと封止ガラスとを別個に
要しないため、部品点数が従来のままで済む。また、Ａ
ｉｒ記実施例のように２枚のガラス７゜６を透過するよ
りも、ガラス７だけを透過する本実施例のほうが、セン
サチップ３に対する光損失が少なくて済む。
要しないため、部品点数が従来のままで済む。また、Ａ
ｉｒ記実施例のように２枚のガラス７゜６を透過するよ
りも、ガラス７だけを透過する本実施例のほうが、セン
サチップ３に対する光損失が少なくて済む。
なお、これらの実施例では、樹脂接着法によるダイボン
ディング用接着剤（導電性）２を用いたダイボンディン
グ法による場合で説明したが、非導電性のダイボンディ
ング用接着剤や樹脂接着法以外のダイボンディング法に
よるダイボンディング用接着剤を用いる場合でも同様に
適用できる。
ディング用接着剤（導電性）２を用いたダイボンディン
グ法による場合で説明したが、非導電性のダイボンディ
ング用接着剤や樹脂接着法以外のダイボンディング法に
よるダイボンディング用接着剤を用いる場合でも同様に
適用できる。
この場合、共晶接合法、はんだ接合法或いはガラス接着
法においては、使用接着剤の材料の固体化温度が、樹脂
接着法でのキュア温度に等価となる。
法においては、使用接着剤の材料の固体化温度が、樹脂
接着法でのキュア温度に等価となる。
発明の効果
本発明は１．Ｌ述したように、アルミナ製の基板の熱膨
張係数をα１、シリコン製のセンサチップの熱膨張係数
をαカとした時、 α３−α く１α、−α１１ な
る関係を満足する熱膨張係数α。
張係数をα１、シリコン製のセンサチップの熱膨張係数
をαカとした時、 α３−α く１α、−α１１ な
る関係を満足する熱膨張係数α。
を有する固定ガラスに、前記センサチップの基板側接着
面とは反対面を予め可視光透過性を持つ常温硬化型接着
剤により接着固定するようにしたので、熱膨張係数がセ
ンサチップより大きくて基板に近い固定ガラスを用い、
常温時に予めセンサチップをこの固定ガラス上に常温硬
化型接着剤で固定しておくことにより、キュア時のセン
サチップの伸び量を基板の伸び量に近づけ、キュア処理
後に常温になっても、画素位置ずれ量を小さくすること
ができ、また、予め常温にて固定ガラスに接着固定され
るので、ダイボンディング用接着剤のチクソ性によるチ
ップ流れも抑制でき、さらには、部品点数の増加を要せ
ず、固定ガラスをそのまま封止ガラスとして用いること
もできるものである。
面とは反対面を予め可視光透過性を持つ常温硬化型接着
剤により接着固定するようにしたので、熱膨張係数がセ
ンサチップより大きくて基板に近い固定ガラスを用い、
常温時に予めセンサチップをこの固定ガラス上に常温硬
化型接着剤で固定しておくことにより、キュア時のセン
サチップの伸び量を基板の伸び量に近づけ、キュア処理
後に常温になっても、画素位置ずれ量を小さくすること
ができ、また、予め常温にて固定ガラスに接着固定され
るので、ダイボンディング用接着剤のチクソ性によるチ
ップ流れも抑制でき、さらには、部品点数の増加を要せ
ず、固定ガラスをそのまま封止ガラスとして用いること
もできるものである。
第１図は本発明の第一の実施例を示す概略断面図、第２
図は固定ガラス上への固定状態を示す断面図、第３図は
分解して示す断面図、第４図は本発明の第二の実施例を
示す概略断面図、第５図は従来例を示す概略断面図であ
る。 ■・・・基板、２・・・ダイボンディング用接着剤、３
・・・ＩＣイメージセンサ・チップ、７・・・固定ガラ
ス。 ８・・・常温硬化型接着剤 出願人 株式会社 リ コ Ｌｌ−図 ５図
図は固定ガラス上への固定状態を示す断面図、第３図は
分解して示す断面図、第４図は本発明の第二の実施例を
示す概略断面図、第５図は従来例を示す概略断面図であ
る。 ■・・・基板、２・・・ダイボンディング用接着剤、３
・・・ＩＣイメージセンサ・チップ、７・・・固定ガラ
ス。 ８・・・常温硬化型接着剤 出願人 株式会社 リ コ Ｌｌ−図 ５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個のＩＣイメージセンサ・チップをダイボンデ
ィング用接着剤により同一基板上に隣接配置させて固定
させるようにしたマルチチップ型イメージセンサの実装
方法において、アルミナ製の前記基板の熱膨張係数をα
＿１、シリコン製の前記センサチップの熱膨張係数をα
＿２とした時、｜α＿２−α＿１｜＜｜α＿２−α＿１
｜ なる関係を満足する熱膨張係数α＿■を有する固定ガラ
スに、前記センサチップの基板側接着面とは反対面を予
め可視光透過性を持つ常温硬化型接着剤により接着固定
するようにしたことを特徴とするマルチチップ型イメー
ジセンサの実装方法。 ２、固定ガラスを、封止ガラス兼用としたことを特徴と
する請求項１記載のマルチチップ型イメージセンサの実
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087319A JP2749357B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | マルチチップ型イメージセンサの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087319A JP2749357B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | マルチチップ型イメージセンサの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265275A true JPH02265275A (ja) | 1990-10-30 |
| JP2749357B2 JP2749357B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=13911527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087319A Expired - Fee Related JP2749357B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | マルチチップ型イメージセンサの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749357B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473513A (en) * | 1992-11-12 | 1995-12-05 | Xerox Corporation | Photosensitive array wherein chips are not thermally matched to the substrate |
| US5528272A (en) * | 1993-12-15 | 1996-06-18 | Xerox Corporation | Full width array read or write bars having low induced thermal stress |
| JP2005056999A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087319A patent/JP2749357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473513A (en) * | 1992-11-12 | 1995-12-05 | Xerox Corporation | Photosensitive array wherein chips are not thermally matched to the substrate |
| US5528272A (en) * | 1993-12-15 | 1996-06-18 | Xerox Corporation | Full width array read or write bars having low induced thermal stress |
| JP2005056999A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7688382B2 (en) | 2003-08-01 | 2010-03-30 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2749357B2 (ja) | 1998-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |