JPH02266826A - 出力保護回路 - Google Patents
出力保護回路Info
- Publication number
- JPH02266826A JPH02266826A JP8500489A JP8500489A JPH02266826A JP H02266826 A JPH02266826 A JP H02266826A JP 8500489 A JP8500489 A JP 8500489A JP 8500489 A JP8500489 A JP 8500489A JP H02266826 A JPH02266826 A JP H02266826A
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- JP
- Japan
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- current
- npn
- base
- circuit
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- Pending
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- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はバイボール構造のトランジスタの保護に関す
るものである。
るものである。
９２図は従来の出力保護回路の回路図である。
図において、（１）はＮＰＮトランジスタ、（３）は電
流検出用の抵抗、（５）は抵抗（３）によって得られる
電圧と（７）の基準電圧を比較する比較回路、（６）は
定電流源、（８）は引算回路を示す。
流検出用の抵抗、（５）は抵抗（３）によって得られる
電圧と（７）の基準電圧を比較する比較回路、（６）は
定電流源、（８）は引算回路を示す。
次に動作について説明する。定電流源（６）から供給さ
れた電流がＮＰＮ ）ランジスタ（１）のベースに流れ
ると、ＮＰＮ ）ランジスタ（１）が導通状態となる。
れた電流がＮＰＮ ）ランジスタ（１）のベースに流れ
ると、ＮＰＮ ）ランジスタ（１）が導通状態となる。
すなわち出力端子（［３０）よりコレクタに流れ込んだ
電流がＮＰＮ）ランジスタ（１）のエミンタ及ヒ抵抗（
３）を通して接地（２ｎｌ））へ流れる。次に、抵抗（
３）で検出された出力電流が比較回路（５）で基準電圧
（７）と比較され、抵抗（３）の両端の電圧（出力電流
に比例）が基準電圧（力より大であれば、引′ＩＬ回Ｋ
（８１にて定電流源（６）の電流を減少させる。抵抗
（３）の両端の電圧が基準電圧（７）以下であれば、比
較回路（５）に動作せず、定電流源（６）の電流はすべ
てＮＰＮ トランジスタ（１）のベース電流となる。以
上のことより従来回路は出力電流が大きくなるのを防ぐ
働き。
電流がＮＰＮ）ランジスタ（１）のエミンタ及ヒ抵抗（
３）を通して接地（２ｎｌ））へ流れる。次に、抵抗（
３）で検出された出力電流が比較回路（５）で基準電圧
（７）と比較され、抵抗（３）の両端の電圧（出力電流
に比例）が基準電圧（力より大であれば、引′ＩＬ回Ｋ
（８１にて定電流源（６）の電流を減少させる。抵抗
（３）の両端の電圧が基準電圧（７）以下であれば、比
較回路（５）に動作せず、定電流源（６）の電流はすべ
てＮＰＮ トランジスタ（１）のベース電流となる。以
上のことより従来回路は出力電流が大きくなるのを防ぐ
働き。
すなわち過電流保護機能を有している。
従来の出力保護回路は以上のように構成されているので
、ＮＰＮ トランジスタ全体の電流を検出して保護する
ものであるが、実際のＮＰＮトランジスタの破壊は、あ
る−点に何らかの理由により［ｆｉが集中することで、
その点の温度が上昇し、温度が上ることにより、その部
分のベース・エミッタ間電位が低くなる。その結果ベー
スを流が集中することになり、その点でのエミツタ（コ
レクタ＞ｔｒｔａが増加する。このような温度擾こよる
正帰還が掛かることにより、ｔａ集中が増加されて、い
わゆるホットスポットという高温の場所が形成され破壊
する。このように、従来回路では全体の平均電流で異常
を検出するために電流集中を検出することができない問
題点があった。
、ＮＰＮ トランジスタ全体の電流を検出して保護する
ものであるが、実際のＮＰＮトランジスタの破壊は、あ
る−点に何らかの理由により［ｆｉが集中することで、
その点の温度が上昇し、温度が上ることにより、その部
分のベース・エミッタ間電位が低くなる。その結果ベー
スを流が集中することになり、その点でのエミツタ（コ
レクタ＞ｔｒｔａが増加する。このような温度擾こよる
正帰還が掛かることにより、ｔａ集中が増加されて、い
わゆるホットスポットという高温の場所が形成され破壊
する。このように、従来回路では全体の平均電流で異常
を検出するために電流集中を検出することができない問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電流集中を防ぐことにより、出力トランジス
タの破壊防止ができる出力保護回路を得ることを目的と
する。
たもので、電流集中を防ぐことにより、出力トランジス
タの破壊防止ができる出力保護回路を得ることを目的と
する。
この発明に係る出力保護回路は、保護しようとするＮＰ
Ｎトランジスタをｎ個に均等に分割し、それぞれ電流検
出用手段を持ち、その電流を比較する回路を備えること
により、ｔｉ差が生じた場合（こ、ＮＰＮ トランジス
タのベース電流を遮断スるようにしたものである。
Ｎトランジスタをｎ個に均等に分割し、それぞれ電流検
出用手段を持ち、その電流を比較する回路を備えること
により、ｔｉ差が生じた場合（こ、ＮＰＮ トランジス
タのベース電流を遮断スるようにしたものである。
この発明に２ける出力保護動作は、電流集中による上記
のような分割した個々のＮ Ｐ Ｎ ）ランジスタの電
流差が生じた場合、ＮＰＮ トランジスタへのベースを
光供給を遮断することにより、電流集中を防止し、引い
てはＮＰＮ）ランジスタの破壊を防止する。
のような分割した個々のＮ Ｐ Ｎ ）ランジスタの電
流差が生じた場合、ＮＰＮ トランジスタへのベースを
光供給を遮断することにより、電流集中を防止し、引い
てはＮＰＮ）ランジスタの破壊を防止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は出力保護回路の回路図である。図１こおいて、（３
）、 ＋５） −（６）、（８）、 （ｌ閣）、（２
α））は第２図の従来例に示したものと同等であるので
説明を省略する。（２）はＮＰＮトランジスタ、（４）
はＮＰＮ）ランジスタ（２）の工ばンタ電流を検出する
ための抵抗である。引算回路（８）は定電流源（６）の
電流から比較回路（５）の電流を引く。
図は出力保護回路の回路図である。図１こおいて、（３
）、 ＋５） −（６）、（８）、 （ｌ閣）、（２
α））は第２図の従来例に示したものと同等であるので
説明を省略する。（２）はＮＰＮトランジスタ、（４）
はＮＰＮ）ランジスタ（２）の工ばンタ電流を検出する
ための抵抗である。引算回路（８）は定電流源（６）の
電流から比較回路（５）の電流を引く。
次に動作について説明する。まず、定電流源（６）から
流れた電流は引算回路（８）を通してＮＰＮ）ランジス
タ＋１）、 （２）のベースへ供給される。ＮＰＮトラ
ンジスタｆｌｌ１２）は、その形状が同一とすれば抵抗
＋３）、 （４）の抵抗値に応じたエミツタ電源（キコ
レクタ電流）が流れる。そのために抵抗（３） 、 （
４１の値が同一とすると、抵抗（３）＋４）には等しい
電圧が発生する。ここで、ＮＰＮ）ランジスタ（１）の
どこか−点とｔ光集中が発生したとすると、ＮＰＮトラ
ンジスタｆｌ）の１！ｔ、流がＮＰＮ ）ランジスタ（
２）の電流より増加する。
流れた電流は引算回路（８）を通してＮＰＮ）ランジス
タ＋１）、 （２）のベースへ供給される。ＮＰＮトラ
ンジスタｆｌｌ１２）は、その形状が同一とすれば抵抗
＋３）、 （４）の抵抗値に応じたエミツタ電源（キコ
レクタ電流）が流れる。そのために抵抗（３） 、 （
４１の値が同一とすると、抵抗（３）＋４）には等しい
電圧が発生する。ここで、ＮＰＮ）ランジスタ（１）の
どこか−点とｔ光集中が発生したとすると、ＮＰＮトラ
ンジスタｆｌ）の１！ｔ、流がＮＰＮ ）ランジスタ（
２）の電流より増加する。
このｔｉが抵抗（３）＋４）の電位差となって生ずる。
この電位差を比較回路（５）で増幅し、ある電位差以上
になったとき、比較回路（５）の出力を’ＯＮ’させ、
定電流源（６）の電流を引算回路（８）を通して吸い込
み。
になったとき、比較回路（５）の出力を’ＯＮ’させ、
定電流源（６）の電流を引算回路（８）を通して吸い込
み。
ＮＰＮ）ランジスタｆｌ）、 ＋２）のベースへ流れる
電流を減少させる。そうして、ＮＰＮトランジスタ（１
）の出力電流（キコレクタ電流キエミツタ電流）を減少
すせ、ＮＰＮ ）ランジスタ（１）の−点への電流集中
によるホットスポットの発生を防ぐ。
電流を減少させる。そうして、ＮＰＮトランジスタ（１
）の出力電流（キコレクタ電流キエミツタ電流）を減少
すせ、ＮＰＮ ）ランジスタ（１）の−点への電流集中
によるホットスポットの発生を防ぐ。
なお、上記実施例では出力電流検出方法を抵抗によって
実施しているが、ＮＰＮ トランジスタのベース・工ば
フタ間電圧での検出や、コレクタ側の抵抗挿入による電
位検出でも同じ効果が得られるＱ 〔発明の効果〕 この発明は以上説明した通り、比較的簡単な構成により
、ＮＰＮトラ／ジスメの電流集中を防ぎ、破壊から保護
する効果がある。
実施しているが、ＮＰＮ トランジスタのベース・工ば
フタ間電圧での検出や、コレクタ側の抵抗挿入による電
位検出でも同じ効果が得られるＱ 〔発明の効果〕 この発明は以上説明した通り、比較的簡単な構成により
、ＮＰＮトラ／ジスメの電流集中を防ぎ、破壊から保護
する効果がある。
帛１図はこの発明の一実施例（こよる出力保護回路の回
路図、第２図は従来の出力保護回路の回路図を示す。 図番こおいて、＋１）、 （２）はＮＰＮ）ランシスタ
、（３）（４）は抵抗、（５）は比較回路、（６）は定
電流源、（８）は引算ｌ絡、（１０ｏ）は出力端子、（
加０）は接地を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
路図、第２図は従来の出力保護回路の回路図を示す。 図番こおいて、＋１）、 （２）はＮＰＮ）ランシスタ
、（３）（４）は抵抗、（５）は比較回路、（６）は定
電流源、（８）は引算ｌ絡、（１０ｏ）は出力端子、（
加０）は接地を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- バイポーラ構造のパワー出力トランジスタにおいて、コ
レクタが出力端に、エミッタが第１の抵抗を通して第１
の電位に後続され、ベースが第１の定電流源に接続され
た、第１のトランジスタと、第１のトランジスタとコレ
クタとベースを並列に接続し、エミッタをそれぞれ第２
〜第ｎの抵抗を通して第１の電位に接続された第２〜第
ｎのトランジスタ、第１〜第ｎのトランジスタのエミッ
タ電位を比較し、その差に比例して、第１〜第ｎのトラ
ンジスタのベース電流を減少させる回路手段を備えたこ
とを特徴とする出力保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8500489A JPH02266826A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 出力保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8500489A JPH02266826A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 出力保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266826A true JPH02266826A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13846566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8500489A Pending JPH02266826A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 出力保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441679B1 (en) | 2000-02-14 | 2002-08-27 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse operating at higher supply voltage employing current oscillation |
| JP2006148886A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-06-08 | Stmicroelectronics Sa | パワートランジスタの保護 |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP8500489A patent/JPH02266826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441679B1 (en) | 2000-02-14 | 2002-08-27 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse operating at higher supply voltage employing current oscillation |
| JP2006148886A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-06-08 | Stmicroelectronics Sa | パワートランジスタの保護 |
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