JPH02268420A - 炉芯管装置 - Google Patents
炉芯管装置Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
部の少なくとも一部を不透明石英によって形成すること
によりその開口部に対して配設されたOリングの熱劣化
を防止してなる炉芯管装置に関するものである。
英によって形成された炉芯管本体の開口部に対してOリ
ングを促設することにより炉芯管本体の開口部とハウジ
ングの炉芯管支持部との間のシールを達成してなるもの
が提案されていた。
体として透明石英によって形成されていたので、fil
高温に維持された均熱領域から光幅射によって熱がその
開口部まで伝達されており開口部に配設された0リング
を比較的短時間の内に劣化せしめてしまう欠点があり、
ひいては(11)保守コストが増大しかつ運転効率が劣
化せしめられてしまう欠点があった。
とも炉芯管本体の開口部近傍を不透明石英によって形成
することにより均熱領域からの光幅q1を散乱せしめて
炉芯管本体の開口部に配設したOリングの熱劣化を抑制
してなる炉芯管装置を提供せんとするものである。
ウェー八を熱処理するための透明石英で形成された炉芯
管本体の開口部端面をハウジングの炉芯管支持部によっ
て支持しており、炉芯管本体の開口部とハウジングの炉
芯管支持部との間に0リングを配置してシールを達成し
てなる炉芯管装置において、炉芯管本体の開口部の少な
(とも一部が不透明石英によって形成されてなることを
特徴とする炉芯管装置」 である。
、 (i)均熱領域からの光幅射を散乱せしめOリングに光
幅射によって伝達され る熱を大幅に抑制する作用 をなし、ひいては fiil Oリングの熱劣化を抑制する作用をなし、結
果的に [1ii1保守コス1〜および運転効率を改善する作用 をなず。
い実施例を挙げ、具体的に説明する。しかしながら、以
下に説明する実施例は、本発明の理解を容易化ないし促
進化するために記載されるものであって、本発明を限定
するために記載されるものではない。換言すれば、以下
に説明される実施例において開示される各部材は、本発
明の精神ならびに技術的範囲に属する全ての設計変更な
らびに均等物置換を含むものである。
示す断面図であって、特に、開口部21A周面に形成さ
れた開口補強部21Bの端面において0リング62によ
りシールをなす場合を示している。
示す断面図であって、開口部21Aの周面に形成された
開口補強部21Bの肩部テーバ面においてOリング62
によりシールをなす場合を示している。
示す断面図であって、特に、主部21Cの開口部外周面
に対して開口部21Aが溶接などによって配置されてお
り、かつ開口部21A周面に形成された開口補強部の端
面においてOリング62によりシールをなす場合を示し
ている。
の第1の実施例について、その構成を詳細に説明する。
するための本発明にかかる炉芯管支持部と、炉芯管装置
20の周囲に適宜の間隔を介して所望により配設されて
おり炉芯管支持部において均熱領域を確保することを容
易化するための均熱管興と、均熱管凹の周囲に配設され
た加熱部材料と、加熱部材40の周囲に配設された断熱
管50と、ステンレスなとの適宜の材料で形成されてお
り炉芯管装置20を炉芯管支持部61によって保持する
ハウジング60と、ハウジング60の炉芯管支持部61
の下端面に対して直接に当接される炉蓋本体71を有す
る炉蓋装置70とを備えている。
口部21Aの少なくとも一部が不透明石英で形成されか
つ開口部21Aの外周面に形成された開口補強部21B
および均熱領域に存在する主部(すなわち均熱部) 2
1(:が透明石英によって形成されており内部空間に形
成された均熱領域で半導体ウェーハを熱処理するための
炉芯管本体21と、断熱管50の外部から炉芯管本体2
1の外周面まで延長されたのち炉芯管本体21の軸方向
に延長されその頂部から内部空間に対して適宜の処理ガ
スを供給するためのガス供給管22と、炉芯管本体21
の開口部21Aの近傍に間口されかつ断熱言語の外部へ
延長されており使用済の処理ガスを炉芯管本体21の内
部空間から外部へ向けてtJ卜除するためのガス排出管
23を包有している。ガス供給管22およびガス排出管
23は、ともに、断熱言語の内部に位置する部分がなる
べく多く石英なとの適宜の材料によって形成されている
ことが好ましい。
ており、炉芯管支持部の均熱領域を確保ないし拡張すべ
く炉芯管支持部のほぼ全長を包囲するように配設されて
いる。
芯管支持部の軸方向にそってなるべく大きな均熱領域を
確保するために適宜に配設されている。
て形成されており、炉芯管装置践、均熱管30および加
熱部材40を全体として包囲している。
本体21の開口部21A端面および開口補強部21BG
R面を上面によって支持する炉芯管支持部61と、炉芯
管支持部61の上面(支持面ともいう)に形成された凹
所(支持溝ともいう) 61aに配設され炉芯管本体2
1の開口補強部21B端面に当接されることにより炉芯
管本体21と炉芯管支持部61の支持面との間のシール
を達成するための0リング62と、炉芯管支持部61の
内部に形成されておりOリング62の支持溝61aをな
るべく包囲するよう形成され0リング62を冷却するた
めの冷却媒体(たとλば冷却水)を案内する案内通路6
3とを備えている。
持部61の下面に当接されており半導体ウェーハを支持
するための熱処理治具(図示せず)を載置せしめるため
の炉蓋本体71と、炉蓋本体71の下面を支持しており
炉蓋本体71を炉芯管支持部61の下面(すなわち炉芯
管本体21の開口部21A端面)に向けて接近離間せし
める炉蓋移動部材72と、炉蓋移動部材72の上面凹所
に対して配設されており炉蓋本体71が炉芯管支持部6
1の下面に対して当接されるとき緩衝材として機能する
弾性部材73と、炉蓋移動部材72の一端部に対して配
設された駆動シャフト74と、炉蓋本体71の上面周囲
に形成された配設溝75に対して配設されておりハウジ
ング四に包有された炉芯管支持部61の下面に対して当
接され炉芯管支持部61との間のシールを確保するOリ
ング76と、炉蓋本体71の内部に形成されておりOリ
ング76を冷却するための冷却媒体(たとえば冷却水)
を案内する案内通路77とを備えている。
の第1の実施例について、その作用を詳細に説明する。
接続することにより発熱せしめられる。加熱部材赳によ
って発生された熱は、均熱管興を介して炉芯管本体21
に与えられる。これにより炉芯管本体21の主部すなわ
ち均熱部21Cは、所定の温度(たとえば1200℃)
に維持される。均熱部21Cの熱は、主として光幅射に
よって拡散される。
一部が不透明石英によって形成されているので、均熱部
21C,から輻射された光をその内部に存在する気泡に
よって乱反射する。このため均熱部21Gから輻射され
た光は、開口補強部21Bに対しほとんど伝達されない
。
て当接された0リング62に光幅射によって伝達される
熱を大幅に削減でき、ひいては0リング62の熱劣化を
十分に防止できる。
駆動シャフト74によって降下せしめられ半導体ウェー
ハの移載位置に到達すると、適宜の移載装置によって熱
処理すべき半導体ウェーハが載置される。
シャフト74によって炉蓋移動部材72が上昇せしめら
れることによりハウジング並に含まれた炉芯管支持部6
1の下面すなわち開口周面に当接される。
A + 、 A 2方向に供給され、炉芯管本体21の
頂部からその内部空間に対し矢印A、で示すごとく供給
される。炉芯管本体21の内部空間では、加熱部材料に
よる加熱によって半導体ウェーへの熱処理が実行される
。使用済みの処理ガスは、矢印B、、B、で示すごと(
ガス排出管23を介して炉芯管本体21の開口部21A
から外部へ排出される。
炉催本体71は、再び駆動シャフト74によって炉蓋移
動部材72を降下せしめることにより、炉芯管本体61
の下面(すなわち炉芯管本体21の開口部21A端面)
から離間され当初の移載位置へ復帰される。炉蓋移動部
材72が移載位置に到達したのち、適宜の移載装置によ
って炉蓋本体71の上面から処理済の半導体ウェーハが
除去される。
置の第2の実施例について、その構成および作用を詳細
に説明する。
口補強部21Bの肩部に形成されたテーバ面およびハウ
ジング60のテーバ面に接触して配設されかつその開口
補強部21Bのテーバ面およびハウジング60のテーバ
面に対しOリング62を押圧する抑圧部材64がハウジ
ング並および開口補強部21Bの上面に対して配設され
ており、ハウジング銭の内部および押圧部材64の内部
に対し0リング62を冷却するための冷却媒体(たとえ
ば冷却水)を案内するための案内通路63A、 63B
を形成してなることを除き、第1の実施例と同一の構成
よび作用を有する。
対応する部材に対し同一の参照番号を付し、その詳細な
説明を省略する。
の第3の実施例について、その構成および作用を詳細に
説明する。
周面に対して溶接などによって配設される構成を有して
おり、開口部21A周面に形成された開口補強部21B
の端面に配置されたOリング62に対する光幅射に伴な
う熱伝達量を第1の実施例に比べ一層削減する作用をな
すことを除き、第1の実施例と同一の構成および作用を
有する。
対応する部材に対し同一の参照番号を付し、その詳細な
説明を省略する。
ために、第1の実施例にそいつつ、具体的な数値を挙げ
説明する。
炉芯管本体の開口部をその端面から70mmまでを不透
明石英によって形成し、かつその均熱部および開口補強
部を透明石英によって形成した炉芯管装置を用いて、炉
芯管本体の内部空間を外部空間との間の差圧をloOm
mHtOとしたのち、運転を開始し、均熱部の温度を1
200℃に維持した。
内部空間と外部空間との間の差圧を測定したところ、1
00 md*0に維持されていた。
したところ、運転開始から2時間経過時点において、炉
芯管本体の内部空間と外部空間との間の差圧がOmmH
aOとなった。
、本発明によれば、Oリングの熱劣化を防止できる。
管装置について主として説明したが、本発明は、これに
限定されるものではなく、横型熱処理炉に使用される炉
芯管装置についても適用できる。
ものとして説明したが、本発明は、これに限定されるも
のではなく、開口補強部21Bを不透明石英で形成する
場合も包摂している。ただしこの場合は、開口補強部2
1Bは、シールを確保するためにアニール処理する必要
がある。
、 (il均熱領域からの光幅射を散乱せ しめることができ、Oリングに 光幅射によって伝達される熱を 大幅に抑制できる効果 を有し、 ひいては (ii) Oリングの熱劣化を抑制できる効果 を有し、結果的に fiii)保守コストおよび運転効率を改善できる効果 を有する。
す断面図、第2図は本発明にがかる炉芯管装置の第2の
実施例を示す断面図、第3図は本発明にがかる炉芯管装
置の第3の実施例を示す断面図である。 皿・・・・・・・・・・・・・・・・縦型熱処理炉20
・・・・・・・・・・・・・・・・・炉芯管装置21・
・・・・・・・・・・・・・・・炉芯管本体21A・・
・・・・・・・開口部 21B・・・・・・・・・ ・開口補強部21C・・・
・・・・・・・均熱部 22・・・・・・・・・・・・・・ガス供給管23・・
・・・・・・・・・・・・ガス排出管30・・・・・・
・・・・・・・・・・・・均熱管40・・・・・・・・
・・・・・・・・加熱部材50・・・・・・・・・・・
・・・・・・断熱管60・・・・・・・・・・・・・・
・ハウジング61・・・・・・・・・・・・・・・・炉
芯管支持部61a・・・・・・・・・・・配設溝 62・・・・・・・・・・・・・・0リング63、63
^、63B・・・・・・案内通路64・・・・・・・・
・・・・・・押圧部材70・ ・・・・・・・・・・
・・・炉蓋装置71・・・・・・・・・・・・・・炉蓋
本体72・・・・ ・・・・・・炉蓋移動部材73
・・・・・ ・・・・・弾性部材74・・・・・・・・
・・・・・駆動シャフト75・・・・・・・・・・・
・・・・配設溝76・・・・・・・・・・・・・・0リ
ング77・ ・・・・・・・・・・・・・通水路特許出
願人 東芝セラミックス株式会社代理人 弁理士
工 藤 隆 夫粥 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 半導体ウェーハを熱処理するための透明石英で形成され
た炉芯管本体の開口部端面をハウジングの炉芯管支持部
によって支持しており、炉芯管本体の開口部とハウジン
グの炉芯管支持部との間にOリングを配置してシールを
達成してなる炉芯管装置において、炉芯管本体の開口部
の少なくとも一部が不透明石英によって形成されてなる
ことを特徴とする炉芯管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043789A JP2851055B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 炉芯管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043789A JP2851055B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 炉芯管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268420A true JPH02268420A (ja) | 1990-11-02 |
| JP2851055B2 JP2851055B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13998585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9043789A Expired - Fee Related JP2851055B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 炉芯管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2851055B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1053498A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
| US5862302A (en) * | 1994-09-28 | 1999-01-19 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus having a reaction tube with transparent and opaque portions |
| US6093911A (en) * | 1997-05-27 | 2000-07-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum heating furnace with tapered portion |
| JP2013030676A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2015133405A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 日立金属株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPWO2019186681A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP9043789A patent/JP2851055B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862302A (en) * | 1994-09-28 | 1999-01-19 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus having a reaction tube with transparent and opaque portions |
| JPH1053498A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
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| US6288368B1 (en) | 1997-05-27 | 2001-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum heating furnace with tapered portion |
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| JPWO2019186681A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2851055B2 (ja) | 1999-01-27 |
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