JPH03151631A - 半導体ウェーハの熱処理炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ウェーハの熱処理炉に関し、特に、ス
テンレス鋼などの金属材料で作成された炉芯管本体支持
部材および炉蓋に水冷回路を内蔵せしめて冷却すること
により、もしくは炉芯管本体支持部材および炉蓋をセラ
ミックス材料によって作成することにより、炉芯管本体
支持部材あるいは炉蓋から金属粒子が炉芯管本体の内部
空間に対して侵入することを抑制してなる半導体ウェー
ハの熱処理炉に関するものである。

［従来の技術］ 従来、この種の半導体ウェーハの熱処理炉としては、た
とえば、炉芯管本体を支持するための炉芯管本体支持部
材および炉芯管本体の開口部端面な閉鎖するための炉蓋
などがステンレス鋼などの金属材料によって形成されて
なる縦型熱処理炉が提案されていた。

［解決すべき問題点］ しかしながら、従来の半導体ウェーハの熱処理炉では、
ステンレス鋼などの金属材料で作成された炉芯管本体支
持部材および炉蓋などが高温状態に曝されていたので、
（ｉｌ炉芯管本体支持部材および炉蓋などが酸化されて
しまう欠点があり、ひいては（ｉｉｌ炉芯管本体支持部
材あるいは炉蓋などの酸化に伴なって鉄、クロムあるい
はニッケルなどの金属粒子が炉芯管本体の内部空間に対
し直接あるいは炉芯管本体を介して間接に侵入してしま
う欠点があり、結果的に（ｉｉｉ）炉芯管本体の内部空
間で熱処理されるに際し半導体ウェーハがこれらの金属
粒子によって汚染されてしまう欠点があった。

そこで、本発明は、これらの欠点を除去すべく、ステン
レス鋼などの金属材料で作成された炉芯管本体支持部材
および炉蓋に水冷回路を内蔵せしめて冷却することによ
り、もしくは炉芯管本体支持部材および炉蓋なセラミッ
クス材料によって作成することにより、炉芯管本体支持
部材あるいは炉蓋から金属粒子が炉芯管本体の内部空間
に対して侵入することを抑制してなる半導体ウェーハの
熱処理炉を提供せんとするものである。

（２）発明の構成 ［問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は、［加熱部
材によって包囲されかつ熱処理ガスが供給される炉芯管
本体の内部空間に対し半導体ウェーハをウェーハ熱処理
用治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の開口端部を炉
蓋によって閉鎖することにより熱処理してなる半導体ウ
ェーハの熱処理炉において、炉芯管本体の開口端部な支
持するための炉芯管本体支持部材および炉芯管本体の開
口端部な閉鎖するための炉蓋がそれぞれ水冷回路を内蔵
してなることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理炉」 である。

また、本発明により提供される問題点の他の解決手段は
、 「加熱部材によって包囲されかつ熱処理ガスが供給され
る炉芯管本体の内部空間に対し半導体ウェーハをウェー
ハ熱処理用治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の開口
端部を炉蓋によって閉鎖することにより熱処理してなる
半導体ウェーハの熱処理炉において、炉芯管本体の開す
端部を支持するための炉芯管本体支持部材および炉芯管
本体の開口端部を閉鎖するための炉蓋がともにセラミッ
クス材料によって形成されてなることを特徴とする半導
体ウェーハの熱処理炉」 である。

［作用］ 本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉は、上述の［
問題点の解決手段］において明示したごとく、加熱部材
によって包囲されかつ熱処理ガスが供給される炉芯管本
体の内部空間に対し半導体ウェーハをウェーハ熱処理用
治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の開口端部を炉蓋
によって閉鎖することにより熱処理してなる半導体ウェ
ーハの熱処理炉であって、特に、炉芯管本体の開口端部
な支持するための炉芯管本体支持部材および炉芯管本体
の開口端部な閉鎖するための炉蓋がそれぞれ水冷回路を
内蔵してなるので、 （ｉｌステンレス鋼などの金属材料で作成された炉芯管
本体支持部材および炉 蓋が高温となることを防止する作用 をなし、ひいては （ｉｉ）ステンレス鋼などの金属材料で作成された炉芯
管本体支持部材および炉 蓋が酸化されることを抑制する作用 をなし、これにより （ｉｉｉ）炉芯管本体支持部材あるいは炉蓋から鉄、ク
ロムあるいはニッケルなど の金属粒子が放出されることを防止 する作用 をなし、換言すれば ｆｉｖ）炉芯管本体の内部空間に対して鉄。

クロムあるいはニッケルなどの金属 粒子が侵入してしまうことを防止す る作用 をなし、結果的に ｆＶｌ炉芯管本体の内部空間で熱処理されるに際し半導
体ウェーハがこれらの 金属粒子によって汚染されてしまう ことを防止する作用 をなす。

また、本発明にかかる半導体ウェーハの他の熱処理炉は
、上述の［問題点の解決手段］において明示したごとく
、加熱部材によって包囲されかつ熱処理ガスが供給され
る炉芯管本体の内部空間に対し半導体ウェーハをウェー
ハ熱処理用治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の開口
端部を炉蓋によって閉鎖することにより熱処理してなる
半導体ウェーハの熱処理炉であって、特に、炉芯管本体
の開口端部を支持するための炉芯管本体支持部材および
炉芯管本体の開口端部な閉鎖するための炉蓋がともにセ
ラミックス材料によって形成されてなるので、上記ｆｉ
ｉｉｌ〜ｆＶｌの作用をなす。

［実施例］ 次に、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉につい
て、その好ましい実施例を挙げ、添例図面を参照しつつ
、具体的に説明する。しかしながら、以下に説明する実
施例は、本発明の理解を容易化ないし促進化するために
記載されるものであって、本発明を限定するために記載
されるものではない。換言すれば、以下に説明される実
施例において開示される各部材は、本発明の精神ならび
に技術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置
換を含むものである。

１孟什区皿Ω盈」１ 第１図は、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉の
一実施例を示す断面図であって、特に、縦型熱処理炉ｌ
Ｏが例示されており、炉蓋本体７１が炉芯管本体２１の
開口端部２１Ｂから離間された状態を示している。

ユ清１」些阻創災Ｙ まず、第１図を参照しつつ、本発明にかかる半導体ウェ
ーハの熱処理炉の一実施例について、その構成を詳細に
説明する。第１図には、以下の説明を簡潔とするために
、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉として縦型
熱処理炉が例示されているが、本発明をこれに限定する
意図はない。

１０は、本発明にかかる半導体ウェーハの縦型熱処理炉
であって、半導体ウェーハを熱処理するための炉芯管装
置２０と、炉芯管装置翻の周囲に適宜の間隔を介して所
望に応じ配設されており炉芯管装置２０において均熱領
域を確保容易とするための均熱管共と、均熱管共の周囲
に配設されており外部の電源から与えられた電力で発熱
され均熱管共を介して炉芯管装置」を加熱するための加
熱部材４０と、加熱部材４０の周囲に配設されており加
熱部材４０によって発生された熱が外部環境へ逃げるの
を防止するための断熱管並と、炉芯管装置神ないし断熱
管５０を保持するためにステンレス鋼などの適宜の金属
材料で形成されたハウジング６０と、炉芯管装置２０の
開口を閉鎖してその内部空間２１Ａを外部環境から隔離
するためのと炉蓋装置７０とを備えている。

炉芯管装置並は、石英などの適宜の高温使用可能な高純
度材料で形成されており内部空間２１Ａに形成された均
熱領域で半導体ウェーハを熱処理するための炉芯管本体
２１と、断熱管四の外部から炉芯管本体２１の外周面ま
で延長されたのちその外周面にそって頂部まで延長され
頂部において内部空間２１Ａに対して開口されており適
宜の熱処理ガス（たとえば水素ガス）、掃気ガス（たと
えば窒素ガス）あるいは洗浄ガス（たとえば塩化水素ガ
ス）を供給ガスとして供給するためのガス供給管２２と
、炉芯管本体２１の開口端部２１Ｂの近傍に開口されか
つ断熱管５０の外部へ延長されており使用済の熱処理ガ
ス、掃気ガスあるいは洗浄ガスを排出ガスとして炉芯管
本体２１の内部空間２１Ａから外部へ向けて排除するた
めのガス排出管２３とを包有している。ガス供給管２２
およびガス排出管２３のうち炉芯管本体２１の近傍に位
置する部分は、それぞれ、なるべく多く石英などの高温
使用可能な材料で形成されていることが、好ましい。

均熱管３０は、たとえば炭化珪素などの適宜の高温使用
可能な材料によって作成されており、炉芯管装置」の均
熱領域を確保ないし拡張すべく炉芯管装置興の全長を包
囲するよう配設されている。

加熱部材料は、均熱管共の外方に配設されており、炉芯
管装置２０の内部空間２１Ａにおいてその軸方向にそっ
て均熱領域を形成し確保するために適宜に配設されてい
る。

断熱管堕は、炉芯管装置輩、均熱管凹および加熱部材４
０を全体として包囲しておりグラスファイバなどの適宜
の断熱材料によって形成された断熱管本体５１と、断熱
管本体５１および均熱管共の下端部を上面で支持してお
り水冷回路５２Ａを内蔵する支持部材５２とを包有して
いる。支持部材５２は、所望により、除去してもよいが
、ここでは説明の都合上、除去されないものとする。

ハウジング６０は、適宜の冷却水源（図示せず）および
水冷回路５２Ａに連通（支持部材５２が除去される場合
は水冷回路５２Ａに連通されない）された水冷回路６１
Ａを内蔵しており断熱管興の支持部材５２（支持部材５
２が除去される場合は断熱管本体５１および均熱管共の
下端部）を上面で支持しかつ中央開口部６１Ｂに対し炉
芯管本体２１およびガス供給管２２が挿通されてなる支
持部材本体６１と、支持部材本体６１の下面に対して取
付けられかつ水冷回路６１Ａに連通された水冷回路６２
Ａを内蔵しており中央開口部６２Ｂの段部上面によって
炉芯管本体２１の開口端部２１Ｂの下端面を支持するた
めの炉芯管本体支持部材６２と、中央開口部６２Ｂの段
部上面に対して形成された配設溝内に収容されており炉
芯管本体２１の開口端部２１Ｂの下端面との間のシール
を確保するためのＯリング６３と、炉芯管本体支持部材
６２を包囲するように配置されかつ水冷回路６１Ａに連
通された水冷回路６４Ａを内蔵しており炉芯管１ 本体２１の開口端部２１Ｂから漏出された熱処理ガス、
掃気ガスあるいは洗浄ガスを捕捉するためのガス捕捉部
材６４と、ガス捕捉部材６４の側面に一端部が開口され
ておりガス捕捉部材６４によって捕捉された漏出ガスを
外部に向けて排出するためのガス排出管６５とを備えて
いる。ガス捕捉部材６４およびガス排出管６５は、所望
により、除去してもよいが、ここでは説明の都合上、除
去されないものとする。

炉蓋装置７０は、適宜の冷却水源（図示せず）に連通さ
れた水冷回路７１Ａを内蔵しており炉芯管本体支持部材
６２の下面に対してシールを確保するために０リング７
１Ｂを介して当接される炉蓋７１と、ステンレス鋼など
の適宜の金属材料で形成されており炉芯管本体２１の開
口端部２１Ｂを開閉する目的で炉蓋７１を保持して炉芯
管本体支持部材６２に対し接近し離間せしめるための炉
蓋移動部材７２と、炉蓋移動部材７２の一端部に対して
配設されており炉蓋移動部材７２を昇降移動せしめるた
めの駆動シャフト７３と、駆動シャフト７３と同様に炉
蓋移動部材２ ７２の一端部に対して配設されており炉蓋移動部材７２
の昇降移動を安定化せしめるための案内シャフト７４と
を備えている。炉蓋移動部材７２には、炉蓋７１を炉芯
管本体支持部材６２に好適に当接できるよう、弾性部材
（図示せず）が内蔵されていることが、好ましい。

ユ叉鳳皿辺作月１ 更に、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉の一実
施例について、第１図に例示した縦型熱処理炉を参照し
つつ、その作用を詳細に説明する。

鷹入勤昨 炉芯管本体２１の内部空間２１Ａにおける半導体ウェー
ハの熱処理に関する一連の作業を開始するにあたり、ま
ず、ガス供給管２２によって矢印Ａ。

で示すごとく不活性ガス（たとえば窒素ガス）を炉芯管
本体２１の内部空間２１Ａに対して供給する。

これにより、炉芯管本体２１の内部空間２１Ａに残留し
ていたガス（たとえば塩化水素ガス；残留ガスという）
が不活性ガスとともに矢印Ａ２で示すごとく移動された
のちガス排出管２３を介して矢印Ａ３で示すごとく炉芯
管本体２１の外部へ排出される。

不活性ガスによる残留ガスの掃気が十分に進行した時期
を見計らって、炉蓋移動部材７２が、駆動シャフト７３
および案内シャフト７４によって矢印Ｘ方向に向は移動
せしめられる。炉蓋移動部材７２が所定の位置まで降下
せしめられると、炉蓋７１の上面には、熱処理すべき半
導体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具（図示せ
ず）が適宜の作業具によって載置される。

そののち、炉蓋移動部材７２が、駆動シャフト７３およ
び案内シャフト７４により矢印Ｙ方向に向けて移動せし
められる。

炉蓋移動部材７２が矢印Ｙ方向に向けて移動されると、
ウェーハ熱処理用治具が炉芯管本体２１の内部空間２１
Ａに挿入され、そののち、炉Ｍ７１が炉芯管本体支持部
材６２の下面に対しＯリング７１Ｂを介して当接される
。

以上により、ウェーハ熱処理用治具に保持された熱処理
すべき半導体ウェーハが、炉芯管本体２１の内部空間２
１Ａに対して挿入される。

熱処理動作 炉芯管本体２１の内部空間２１Ａには、熱処理すべき半
導体ウェーハが挿入されたのちも、半導体ウェーハの短
大動作に伴なって侵入した酸素ガスを掃気するために、
不活性ガス（たとえば窒素ガス）がガス供給管２２によ
って矢印Ａ、で示すごとく供給され続ける。炉芯管本体
２１の内部空間２１Ａでは、酸素ガスが不活性ガスとと
もに矢印Ａ２方向で示すごと（移動されたのち、ガス排
出管２３を介して矢印Ａ、で示すごとく炉芯管本体２１
の外部へ排出される。

酸素ガスが十分に掃気された時期を見計らって、不活性
ガスの供給が停止され、次いで熱処理ガス（たとえば水
素ガス）がガス供給管２２を介して矢印Ａ１で示すごと
く炉芯管本体２１の内部空間２１Ａに対して供給され始
める。熱処理ガスは、炉芯管本体２１の内部空間２１Ａ
で矢印Ａ２で示すごとく移動されたのち、矢印Ａ３で示
すごと（ガス排　５ 出管２３を介して排出されるが、このとき、ウェハ熱処
理用治具に保持された半導体ウェーハに接触してその熱
処理に供される。

粧■勤昨 半導体ウェーハの熱処理動作が終了すると、熱処理ガス
の供給が停止され、次いで残留した熱処理ガスを掃気す
るために、不活性ガス（たとえば窒素ガス）が、ガス供
給管２２を介して矢印Ａ、で示すごとく炉芯管本体２１
の内部空間２１Ａに対して供給され始める。炉芯管本体
２１の内部空間２１Ａでは、熱処理ガスが不活性ガスと
ともに矢印Ａ２で示すごとく移動され、ガス排出管２３
を介して矢印Ａ３で示すごとく炉芯管本体２１の外部へ
排出される。

不活性ガスによる熱処理ガスの掃気が十分に進行した時
期を見計らって、不活性ガスを供給しつつ、炉蓋移動部
材７２が、駆動シャフト７３および案内シャフト７４に
よって矢印Ｘ方向に移動せしめられる。炉蓋移動部材７
２が所定の位置まで降下せしめられると、熱処理済の半
導体ウェーハを保持す６ るウェーハ熱処理用治具が、適宜の作業具により炉蓋７
１から除去される。

更に、半導体ウェーハの熱処理動作を続行する場合は、
熱処理すべき半導体ウェーハを保持する別のウェーハ熱
処理用治具を上述と同様に炉蓋７１に載置したのち短大
動作を実行する。また、半導体ウェーハの熱処理動作を
続行しない場合は、炉芯管本体２１の内部空間２１Ａを
保護するために、炉蓋移動部材７２が、駆動シャフト７
３および案内シャフト７４によって矢印Ｙ方向に移動せ
しめられ、炉Ｍ７１を炉芯管本体支持部材６２の下面に
対して当接せしめる。

ガスの　足・ 炉大動作、熱処理動作あるいは炉出動作において、炉芯
管本体２１の開口端部２１Ｂと炉芯管本体支持部材６２
との間のＯリング６３によるシール箇所あるいは炉芯管
本体支持部材６２の下面と炉ｔｉ７１との間のＯリング
７１Ｂによるシール箇所から熱処理ガスあるいは洗浄ガ
スが漏出した場合、漏出ガスは、ガス捕捉部材６４によ
って拡散することが防止され、ガス排出管６５によって
矢印Ｂで示すごとく外部へ排除される。

木塗勤詐 ハウジング６０の支持部材本体６１に内蔵された水冷回
路６１Ａは、冷却水源から矢印Ｃ１で示すごとく供給さ
れた冷却水を中央開口部６１Ｂの一側から他側に向けて
案内したのち、中央開口部６１Ｂの他側から矢印Ｃ２で
示すごとく排出している。

水冷回路６１Ａによって矢印Ｃ１で示すごとく供給され
た冷却水は、断熱管並の支持部材５２に内蔵された水冷
回路５２Ａに分岐されて矢印Ｃ３で示すごとく案内され
たのち、再び水冷回路６１Ａに合流されて矢印Ｃ２で示
すごとく排出される。

水冷回路６１Ａによって矢印Ｃ１で示すごとく供給され
た冷却水は、ハウジング並の炉芯管本体支持部材６２に
内蔵された水冷回路６２Ａに分岐されて矢印Ｃ４で示す
ごとく案内されたのち、再び水冷回路６１Ａに合流され
て矢印Ｃ２で示すごと（排出される。

水冷回路６１Ａによって矢印Ｃ３で示すごとく供給され
た冷却水は、ハウジング並のガス捕捉部材６４に内蔵さ
れた水冷回路６４Ａに分岐されて矢印Ｃ５で示すごとく
案内されたのち、再び水冷回路６１Ａに合流されて矢印
Ｃ２で示すごとく排出される。

炉蓋装置並の炉蓋７１に内蔵された水冷回路７１Ａは、
冷却水源から矢印Ｃ６で示すごとく供給された冷却水を
Ｏリング７１Ｂの配設された配設溝にそって案内したの
ち、矢印Ｃ１で示すごとく排出している。

以上により、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉
■では、断熱管本体５１を支持するための支持部材５２
．支持部材５２を支持するための支持部材本体６１．炉
芯管本体２１を支持するための炉芯管本体支持部材６２
．ガス捕捉部材６４および炉蓋７１が、それぞれ、内蔵
の水冷回路５２Ａ、６２Ａ、　６４Ａ、　７１Ａによっ
て冷却される。

このため、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉Ｉ
Ｏによれば、支持部材５２．支持部材本体６１、炉芯管
本体支持部材６２．ガス捕捉部材６４およ　９ び炉蓋７１が、高温状態に曝されたとき、高温となるこ
とを防止でき、ひいてはこれらの部材が酸化されること
を抑制でき、これらの部材から鉄、クロムあるいはニッ
ケルなどの金属粒子が放出されることを防止できる。

換言すれば、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉
■によれば、炉芯管本体２１の内部空間２１Ａに対して
鉄、クロムあるいはニッケルなどの金属粒子が侵入して
しまうことを防止でき、結果的に炉芯管本体２１の内部
空間２１Ａで熱処理されるに際し半導体ウェー八がこれ
らの金属粒子によって汚染されてしまうことを防止でき
る。

ユ！形五り なお、上述においては、ハウジング並の支持部材本体６
１．炉芯管本体支持部材６２．ガス捕捉部材６４および
炉蓋装置用の炉蓋７１などに対して水冷回路６１Ａ、　
６２Ａ、　６４Ａ、　７１Ａを内蔵せしめているが、本
発明は、これに限定されるものではない。

すなわち、本発明は、ハウジングの支持部材本体、炉芯
管本体支持部材、ガス捕捉部材および炉　０ 蓋装置の炉蓋なと（特に炉芯管本体支持部材および炉蓋
）をセラミックス材料によって作成することによって、
炉芯管本体支持部材および炉蓋などから鉄、クロムある
いはニッケルなどの金属粒子が放出されることを防止し
、換言すれば、炉芯管本体の内部空間に対して酸化に伴
なって鉄、クロムあるいはニッケルなどの金属粒子が侵
入してしまうことを防止し、結果的に炉芯管本体の内部
空間で熱処理されるに際し半導体ウェーハがこれらの金
属粒子によって汚染されてしまうことを防止する場合を
、包摂している。

（３）発明の効果 上述より明らかなごとく二本発明にかかる半導体ウェー
ハの熱処理炉は、上述の［問題点の解決手段］において
明示したごとく、加熱部材によって包囲されかつ熱処理
ガスが供給される炉芯管本体の内部空間に対し半導体ウ
ェー八をウェーハ熱処理用治具に支持して収容しかつ炉
芯管本体の開口端部を炉蓋によって閉鎖することにより
熱処理してなる半導体ウェーハの熱処理炉であって、特
に、炉芯管本体の開口端部を支持するための炉芯管本体
支持部材および炉芯管本体の開口端部を閉鎖するための
炉蓋がそれぞれ水冷回路を内蔵してなるので、 （１）ステンレス鋼などの金属材料で作成された炉芯管
本体支持部材および炉 蓋が高温となることを防止できる効 果 を有し、ひいては （１１）ステンレス鋼などの金属材料で作成された炉芯
管本体支持部材および炉 蓋が酸化されることを抑制できる効 果 を有し、これにより ｆｉｉｉｌ炉芯管本体支持部材あるいは炉蓋から鉄、ク
ロムあるいはニッケルなど の金属粒子が放出されることを防止 できる効果 を有し、換言すれば （ｉｖｌ炉芯管本体の内部空間に対して鉄。

クロムあるいはニッケルなどの金属 粒子が侵入してしまうことを防止で きる効果 を有し、結果的に ｆＶｌ炉芯管本体の内部空間で熱処理されるに際し半導
体ウェーハがこれらの 金属粒子によって汚染されてしまう ことを防止できる効果 を有する。

また、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉は、上
述のＥ問題点の解決手段］において明示したごとく、加
熱部材によって包囲されかつ熱処理ガスが供給される炉
芯管本体の内部空間に対し半導体ウェーハをウェーハ熱
処理用治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の開口端部
を炉蓋によって閉鎖することにより熱処理してなる半導
体ウェーハの熱処理炉であって、特に、炉芯管本体の開
口端部を支持するための炉芯管本体支持部材および炉芯
管本体の開口端部を閉鎖するための炉蓋がともにセラミ
ックス材料によって形成されて３ ４ なるので、上記ｆｉｉｉｌ〜（Ｖｌの効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明にかかる半導体ウェーハの熱処理炉の
一実施例を示す断面図である。 ２１・　・・・・　　　・・ ２１Ａ　　・・・・・・ ２１Ｂ　　・ ２ ２３・・ ４０・・・・・・・ ０ ５１・・・・・ ５２・・・・・ ５２Ａ　　・ ６０・・・・・・・ １ ・縦型熱処理炉 ・炉芯管装置 ・・炉芯管本体 ・・・・内部空間 ・開口端部 ・・・・・・・・・ガス供給管 ガス排出管 ・・・均熱管 加熱部材 ・・・・・・・・・断熱管 断熱管本体 支持部材 ・・水冷回路 ・・ハウジング ・支持部材本体 水冷回路 中央開口部 ・・・炉芯管本体支持部材 ・・・・・水冷回路 ・中央開口部 ・・・・・・・Ｏリング ・・・・・・ガス捕捉部材 ・・・・　・水冷回路 ・・・・・ガス排出管 ・・炉蓋装置 炉蓋 水冷回路 ・Ｏリング ・・炉蓋移動部材 ・・・・駆動シャフト ・・・・・・・案内シャフト ６１Ａ　　・・・・・・・・・・ ６１Ｂ　　・・・・・・・　・ ６２・・・・・　　　・ ６２Ａ　　・　・・・・ ２Ｂ ６３・・・・・・・・ ６４・・　・・・・・ ６４Ａ　　・・・・ ６５・・・・・・ ７０・・・・・・・　　・ ７１・・・・・・・・・・・・・・ ７１Ａ　　・・・・　　・・・・ ７１Ｂ　　・・・・・・・　・・ ７２・・・・・・・・・ ７３・・・・・・・・ ７４・・・・・・・・

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）加熱部材によって包囲されかつ熱処理ガスが供給
   される炉芯管本体の内部空間に対し半導体ウェーハをウ
   ェーハ熱処理用治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の
   開口端部を炉蓋によって閉鎖することにより熱処理して
   なる半導体ウェーハの熱処理炉において、炉芯管本体の
   開口端部を支持するための炉芯管本体支持部材および炉
   芯管本体の開口端部を閉鎖するための炉蓋がそれぞれ水
   冷回路を内蔵してなることを特徴とする半導体ウェーハ
   の熱処理炉。
2. （２）加熱部材によって包囲されかつ熱処理ガスが供給
   される炉芯管本体の内部空間に対し半導体ウェーハをウ
   ェーハ熱処理用治具に支持して収容しかつ炉芯管本体の
   開口端部を炉蓋によって閉鎖することにより熱処理して
   なる半導体ウェーハの熱処理炉において、炉芯管本体の
   開口端部を支持するための炉芯管本体支持部材および炉
   芯管本体の開口端部を閉鎖するための炉蓋がともにセラ
   ミックス材料によって形成されてなることを特徴とする
   半導体ウェーハの熱処理炉。