JPH02268458A - モールド封止型半導体集積回路 - Google Patents
モールド封止型半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH02268458A JPH02268458A JP1090012A JP9001289A JPH02268458A JP H02268458 A JPH02268458 A JP H02268458A JP 1090012 A JP1090012 A JP 1090012A JP 9001289 A JP9001289 A JP 9001289A JP H02268458 A JPH02268458 A JP H02268458A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- mold
- resin
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路に関し、特にモールド封止構造
を採用する大消費電力の半導体集積回路に関する。
を採用する大消費電力の半導体集積回路に関する。
従来、モールド封止構造の半導体集積回路として、第３
図に示すものが用いられている。図において、リードフ
レーム１のアイランド２に半導体集積回路チップ４を搭
載し、この半導体集積回路チップ４の電極とり−ド３と
をボンディングワイヤ５で相互に電気接続している。そ
して、アイランド２．リード３の内部端、半導体集積回
路チップ４．ボンディングワイヤ５を樹脂６Ａでモール
ド封止している。
図に示すものが用いられている。図において、リードフ
レーム１のアイランド２に半導体集積回路チップ４を搭
載し、この半導体集積回路チップ４の電極とり−ド３と
をボンディングワイヤ５で相互に電気接続している。そ
して、アイランド２．リード３の内部端、半導体集積回
路チップ４．ボンディングワイヤ５を樹脂６Ａでモール
ド封止している。
上述した従来のモールド封止構造では、樹脂６の熱抵抗
がｌＯＯ″Ｃ／Ｗと比較的に大きなものとなっている。
がｌＯＯ″Ｃ／Ｗと比較的に大きなものとなっている。
このため、半導体集積回路チップ４の消費電力がＩＷ程
度に増大すると、半導体集積回路チップ４における消費
電力による温度上昇は、１００°Ｃ／ＷＸ ｔ ｗ＝
ｉｏｏ″Ｃとなる。このため、雰囲気温度を７０°Ｃと
したときには、半導体集積回路チップ４におけるジャン
クション温度は１７０’Ｃとなり、拡散のジャンクショ
ン温度の上限１５０°Ｃを越えてしまい、半導体集積回
路チップを破損させることがある。
度に増大すると、半導体集積回路チップ４における消費
電力による温度上昇は、１００°Ｃ／ＷＸ ｔ ｗ＝
ｉｏｏ″Ｃとなる。このため、雰囲気温度を７０°Ｃと
したときには、半導体集積回路チップ４におけるジャン
クション温度は１７０’Ｃとなり、拡散のジャンクショ
ン温度の上限１５０°Ｃを越えてしまい、半導体集積回
路チップを破損させることがある。
特に、近年では低消費電力型と称されているＣＭＯＳデ
バイスでも高速動作時には消費電力がＩＷを越えるもの
があり、このようなモールド封止構造では半導体集積回
路の信幀性を著しく低下させることになる。
バイスでも高速動作時には消費電力がＩＷを越えるもの
があり、このようなモールド封止構造では半導体集積回
路の信幀性を著しく低下させることになる。
このため、従来ではこの種の大消費電力半導体集積回路
にセラミックパッケージを使用しており放熱効果を高め
てジャンジョン温度の上昇を防止している。しかしなが
ら、この種のセラミックパッケージは、モールド封止構
造に比較して１０倍以上の価格となり、半導体集積回路
の低価格の障害になっている。
にセラミックパッケージを使用しており放熱効果を高め
てジャンジョン温度の上昇を防止している。しかしなが
ら、この種のセラミックパッケージは、モールド封止構
造に比較して１０倍以上の価格となり、半導体集積回路
の低価格の障害になっている。
本発明は放熱効果を高めて消費電力によるジャンクショ
ン温度の増大を防止したモールド封止型半導体集積回路
を提供することを目的とする。
ン温度の増大を防止したモールド封止型半導体集積回路
を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段］
本発明のモールド封止型半導体集積回路は、半導体集積
回路チップを樹脂等によりモールド封止して構成したパ
ッケージの上面に、規則的に配列した複数個の突起を一
体に突出形成している。
回路チップを樹脂等によりモールド封止して構成したパ
ッケージの上面に、規則的に配列した複数個の突起を一
体に突出形成している。
〔作用］
上述した構成では、複数個の突起によりパッケージの体
積及び表面積が増加され、放熱効果が向上して熱抵抗が
低下され、消費電力によるジャンクション温度の増大を
防止して半導体集積回路の信頼性を向上させる。
積及び表面積が増加され、放熱効果が向上して熱抵抗が
低下され、消費電力によるジャンクション温度の増大を
防止して半導体集積回路の信頼性を向上させる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る０図において、リードフレーム１のアイランド２に半
導体集積回路チップ４を搭載し、この半導体集積回路チ
ップ４の電極とり−ド３とをボンディングワイヤ５で相
互に電気接続している。即ち、内部構造はこれまでのモ
ールド封止構造と全く同じである。
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る０図において、リードフレーム１のアイランド２に半
導体集積回路チップ４を搭載し、この半導体集積回路チ
ップ４の電極とり−ド３とをボンディングワイヤ５で相
互に電気接続している。即ち、内部構造はこれまでのモ
ールド封止構造と全く同じである。
そして、アイランド２．リード３の内部端、半導体集積
回路チップ４．ボンディングワイヤ５を樹脂６でモール
ド封止しているが、この樹脂６の上面には複数個の突起
６ａを一体に形成している。
回路チップ４．ボンディングワイヤ５を樹脂６でモール
ド封止しているが、この樹脂６の上面には複数個の突起
６ａを一体に形成している。
この突起６ａは、ここでは均一な大きさの直方体をして
おり、樹脂６の上面に枡目状に規則的に配列形成してい
る。
おり、樹脂６の上面に枡目状に規則的に配列形成してい
る。
この突起６ａの形成には、例えばモールド成形する際の
モールド型に突起６ａに相当する凹部を形成しておけば
、樹脂６の成形と同時に形成することができる。
モールド型に突起６ａに相当する凹部を形成しておけば
、樹脂６の成形と同時に形成することができる。
この構成によれば、樹脂６は突起６ａにより体積と表面
積が増加され、モールド樹脂パッケージ全体としての熱
抵抗は２０％程度改善される。即ち、１００°Ｃ／Ｗの
パッケージが８０°Ｃ／Ｗ程度まで改善される。したが
って、消費電力がＩＷの半導体集積回路チップでも、こ
の消費電力による温度上昇は８０°ｃ／ＷｘｌＷ＝８０
°Ｃとなり、雰囲気温度が７０°Ｃの場合でも全体の温
度上昇は１５０°Ｃとなる。これにより、−船釣に言わ
れている基準を満足でき、ジャンクション温度が１５０
°Ｃの半導体集積回路チップの熱破壊を防止でき、信頼
性を改善する。
積が増加され、モールド樹脂パッケージ全体としての熱
抵抗は２０％程度改善される。即ち、１００°Ｃ／Ｗの
パッケージが８０°Ｃ／Ｗ程度まで改善される。したが
って、消費電力がＩＷの半導体集積回路チップでも、こ
の消費電力による温度上昇は８０°ｃ／ＷｘｌＷ＝８０
°Ｃとなり、雰囲気温度が７０°Ｃの場合でも全体の温
度上昇は１５０°Ｃとなる。これにより、−船釣に言わ
れている基準を満足でき、ジャンクション温度が１５０
°Ｃの半導体集積回路チップの熱破壊を防止でき、信頼
性を改善する。
また、この実施例では複数個の突起６ａを枡目状に配列
しているため、突起６８間で空気流（風）が生じ易（、
放熱効果を高めて熱抵抗の低下を更に進めることができ
る。例えば、秒速３ＩＩ１１で５０％程度まで改善でき
る。このような状況で用いれば、消費電力が１．６Ｗ程
度の半導体集積回路まで適用可能となり、モールド封止
パッケージの適用範囲を広げることができる。
しているため、突起６８間で空気流（風）が生じ易（、
放熱効果を高めて熱抵抗の低下を更に進めることができ
る。例えば、秒速３ＩＩ１１で５０％程度まで改善でき
る。このような状況で用いれば、消費電力が１．６Ｗ程
度の半導体集積回路まで適用可能となり、モールド封止
パッケージの適用範囲を広げることができる。
第２図は本発明の第２実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。なお、第１実施例と同一部分には同一符号を付しで
ある。
は平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。なお、第１実施例と同一部分には同一符号を付しで
ある。
この実施例ではモールド封止の樹脂６の上面の中央に比
較的大きな突起６ｂを一体に形成し、その周囲に第１実
施例と同様の突起６ａを掛目状に配列して一体形成して
いる。
較的大きな突起６ｂを一体に形成し、その周囲に第１実
施例と同様の突起６ａを掛目状に配列して一体形成して
いる。
この構成においても、突起６ａ、６ｂによる樹脂６の体
積及び表面積の増加により、放熱効果を高めて熱抵抗を
低下することができる。なお、この実施例では半導体集
積回路チップ４を内装している中央部分、即ち発熱が大
きい領域に大きな突起６ｂを形成してこの領域の熱抵抗
を他の領域よりも更に低下させており、パッケージ全体
として均一な温度に保持することが可能となる。
積及び表面積の増加により、放熱効果を高めて熱抵抗を
低下することができる。なお、この実施例では半導体集
積回路チップ４を内装している中央部分、即ち発熱が大
きい領域に大きな突起６ｂを形成してこの領域の熱抵抗
を他の領域よりも更に低下させており、パッケージ全体
として均一な温度に保持することが可能となる。
以上説明したように本発明は、半導体集積回路のモール
ド封止したパッケージの上面に、規則的に配列した複数
個の突起を一体に突出形成しているので、これら複数個
の突起によりパッケージの体積及び表面積を増加してパ
ッケージの熱抵抗を低下することができる。これにより
、パッケージを低価格に構成する一方で、消費電力によ
るジャンクション温度の増大を防止し、半導体集積回路
の信鎖性を向上することができる効果がある。
ド封止したパッケージの上面に、規則的に配列した複数
個の突起を一体に突出形成しているので、これら複数個
の突起によりパッケージの体積及び表面積を増加してパ
ッケージの熱抵抗を低下することができる。これにより
、パッケージを低価格に構成する一方で、消費電力によ
るジャンクション温度の増大を防止し、半導体集積回路
の信鎖性を向上することができる効果がある。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、第
２図は本発明の第２実施例を示しており、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３
図は従来のモールド封止構造の断面図である。 ｌ・・・リードフレーム、２・・・アイランド、３・・
・リード、４・・・半導体集積回路チップ、５・・・ボ
ンディングワイヤ、６，６Ａ・・・樹脂、６ａ、６ｂ・
・・突起。 第 図
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、第
２図は本発明の第２実施例を示しており、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３
図は従来のモールド封止構造の断面図である。 ｌ・・・リードフレーム、２・・・アイランド、３・・
・リード、４・・・半導体集積回路チップ、５・・・ボ
ンディングワイヤ、６，６Ａ・・・樹脂、６ａ、６ｂ・
・・突起。 第 図
Claims (1)
- １、リードフレームに搭載した半導体集積回路チップを
樹脂等によりモールド封止してパッケージを構成してな
る半導体集積回路において、前記パッケージの上面に規
則的に配列した複数個の突起を一体に突出形成したこと
を特徴とするモールド封止型半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1090012A JPH02268458A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | モールド封止型半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1090012A JPH02268458A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | モールド封止型半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268458A true JPH02268458A (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=13986753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1090012A Pending JPH02268458A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | モールド封止型半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02268458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2811476A1 (fr) * | 2000-07-07 | 2002-01-11 | Thomson Csf | Dispositif electronique avec encapsulant thermiquement conducteur |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP1090012A patent/JPH02268458A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2811476A1 (fr) * | 2000-07-07 | 2002-01-11 | Thomson Csf | Dispositif electronique avec encapsulant thermiquement conducteur |
| WO2002005346A1 (fr) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Thales | Dispositif electronique avec encapsulant thermiquement conducteur |
| US6924559B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-08-02 | Thales | Electronic device with heat conductive encasing device |
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