JPH06326236A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06326236A JPH06326236A JP5109123A JP10912393A JPH06326236A JP H06326236 A JPH06326236 A JP H06326236A JP 5109123 A JP5109123 A JP 5109123A JP 10912393 A JP10912393 A JP 10912393A JP H06326236 A JPH06326236 A JP H06326236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- semiconductor device
- polyimide film
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、高い放熱性と同時に高い信頼
性を有する樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。 【構成】熱良導体が埋め込まれたポリイミドフィルム表
面に半導体チップが載置され、半導体チップ上に設けら
れたパッド電極とリ−ドとは電気的に接続され、ポリイ
ミドフィルムの裏面がパッケ−ジ外部に露出するように
樹脂封止された樹脂封止型半導体装置である。熱良導体
は半導体チップの裏面に配置されるようにポリイミドフ
ィルムに埋め込まれる。
性を有する樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。 【構成】熱良導体が埋め込まれたポリイミドフィルム表
面に半導体チップが載置され、半導体チップ上に設けら
れたパッド電極とリ−ドとは電気的に接続され、ポリイ
ミドフィルムの裏面がパッケ−ジ外部に露出するように
樹脂封止された樹脂封止型半導体装置である。熱良導体
は半導体チップの裏面に配置されるようにポリイミドフ
ィルムに埋め込まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に放熱特性が求められるタイプの半導体装置に
関するものである。
関し、特に放熱特性が求められるタイプの半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップ内の多数の回路素子
が微細化及び高集積化されるに伴い、消費電力も増大
し、発熱量が増加する。そのため、発生する熱放散の問
題が半導体パッケ−ジの設計において重要となってい
る。
が微細化及び高集積化されるに伴い、消費電力も増大
し、発熱量が増加する。そのため、発生する熱放散の問
題が半導体パッケ−ジの設計において重要となってい
る。
【０００３】以下、従来の技術による熱放散を目的とす
る半導体パッケ−ジを説明する。先ず、図２（ａ）はヒ
−トシンクタイプを示したものである。半導体チップ２
１はヒ−トシンク２１上にマウントされ、半導体チップ
２２に設けられたパッド電極（図示せず）とリ−ド２３
とは金属細線２４を介して接続され、樹脂２５により封
止されている。半導体チップ２２から発生する熱は、外
部に露出するヒ−トシンク２１を介して放散されるため
放熱効果は大きい。さらに放熱性を高めるにはヒ−トシ
ンク２１を拡大することにより可能である。しかし、半
導体パッケ−ジの大部分をヒ−トシンク２１が占める
為、ヒ−トシンク２１を拡大することは半導体パッケ−
ジの大型化となる。従って、半導体パッケ−ジの設計に
際し、放熱特性の向上を図ることと同時に、小型・薄型
化をすすめることは難しい。
る半導体パッケ−ジを説明する。先ず、図２（ａ）はヒ
−トシンクタイプを示したものである。半導体チップ２
１はヒ−トシンク２１上にマウントされ、半導体チップ
２２に設けられたパッド電極（図示せず）とリ−ド２３
とは金属細線２４を介して接続され、樹脂２５により封
止されている。半導体チップ２２から発生する熱は、外
部に露出するヒ−トシンク２１を介して放散されるため
放熱効果は大きい。さらに放熱性を高めるにはヒ−トシ
ンク２１を拡大することにより可能である。しかし、半
導体パッケ−ジの大部分をヒ−トシンク２１が占める
為、ヒ−トシンク２１を拡大することは半導体パッケ−
ジの大型化となる。従って、半導体パッケ−ジの設計に
際し、放熱特性の向上を図ることと同時に、小型・薄型
化をすすめることは難しい。
【０００４】次に、同図（ｂ）はヒ−トスプレッダタイ
プを示したものである。ヒ−トスプレッダ２６はリ−ド
２３と接着フィルム２７を介して接合される。ヒ−トス
プレッダ２６上にマウントされた半導体チップ２２から
発生する熱は、ヒ−トスプレッダ２６を介しリ−ドより
放散される。このタイプはヒ−トシンクタイプより、半
導体パッケ−ジの小型・薄型化を図ることができる反
面、放熱特性が劣っている。
プを示したものである。ヒ−トスプレッダ２６はリ−ド
２３と接着フィルム２７を介して接合される。ヒ−トス
プレッダ２６上にマウントされた半導体チップ２２から
発生する熱は、ヒ−トスプレッダ２６を介しリ−ドより
放散される。このタイプはヒ−トシンクタイプより、半
導体パッケ−ジの小型・薄型化を図ることができる反
面、放熱特性が劣っている。
【０００５】また、同図（ｃ）はベッド外出しタイプを
示したものである。リ−ド２３と一体に形成されたアイ
ランド２８を半導体パッケ−ジ外に露出させるため、半
導体チップ２２から発生する熱はアイランド２８裏面か
ら放散する。このタイプはコスト的に非常に有効である
が、アイランド２８等と樹脂２５との界面から水分が侵
入しやすく耐湿性に劣っている。
示したものである。リ−ド２３と一体に形成されたアイ
ランド２８を半導体パッケ−ジ外に露出させるため、半
導体チップ２２から発生する熱はアイランド２８裏面か
ら放散する。このタイプはコスト的に非常に有効である
が、アイランド２８等と樹脂２５との界面から水分が侵
入しやすく耐湿性に劣っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のようないずれの
タイプにおいても、半導体パッケ−ジのより小型・薄型
化を図りつつも高い放熱性と信頼性を兼ね備えることは
困難である。それ故に、本発明は、高い放熱性と同時に
高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
タイプにおいても、半導体パッケ−ジのより小型・薄型
化を図りつつも高い放熱性と信頼性を兼ね備えることは
困難である。それ故に、本発明は、高い放熱性と同時に
高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱良導体が埋
め込まれたポリイミドフィルム表面に半導体チップが載
置され、上記半導体チップ上に設けられたパッド電極と
リ−ドとは電気的に接続され、上記ポリイミドフィルム
の裏面がパッケ−ジ外部に露出するように樹脂封止され
た樹脂封止型半導体装置である。上記熱良導体は、少な
くとも上記ポリイミドフィルムの上記半導体チップの載
置予定位置に一つ以上埋め込まれる。また、上記ポリイ
ミドフィルム上に配線パタ−ンを形成し、上記配線パタ
−ンを介して上記パッド電極と上記リ−ドとを電気的に
接続することもできる。
め込まれたポリイミドフィルム表面に半導体チップが載
置され、上記半導体チップ上に設けられたパッド電極と
リ−ドとは電気的に接続され、上記ポリイミドフィルム
の裏面がパッケ−ジ外部に露出するように樹脂封止され
た樹脂封止型半導体装置である。上記熱良導体は、少な
くとも上記ポリイミドフィルムの上記半導体チップの載
置予定位置に一つ以上埋め込まれる。また、上記ポリイ
ミドフィルム上に配線パタ−ンを形成し、上記配線パタ
−ンを介して上記パッド電極と上記リ−ドとを電気的に
接続することもできる。
【０００８】
【作用】上記熱良導体は上記半導体チップ裏面に配置さ
れており、上記半導体チップから発生する熱は上記熱良
導体を介して直接外部に放散する。また、上記ポリイミ
ドフィルムと封止樹脂とは密着性がよいため耐湿性も向
上され、樹脂封止型半導体装置の信頼性も高まる。
れており、上記半導体チップから発生する熱は上記熱良
導体を介して直接外部に放散する。また、上記ポリイミ
ドフィルムと封止樹脂とは密着性がよいため耐湿性も向
上され、樹脂封止型半導体装置の信頼性も高まる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明による樹脂封止型半導体装置の
一実施例を図１を参照して説明する。図１（ａ）に示す
ように、半導体チップ１１はダイパッドとなる絶縁性の
ポリイミドフィルム１２上にマウントされ、半導体チッ
プ１１上のバンプ電極（図示せず）とリ−ド１３とは金
属細線１４により電気的に接続されて、ポリイミドフィ
ルム１２の裏面が露出するように樹脂１５により封止さ
れる。ここで、ポリイミドフィルム１２には熱良導体
（例えば銅またはセラミックス）１６が一ヶ所以上、ポ
リミドフィルムを貫通するように埋め込まれている。ま
た、熱良導体１６は少なくともポリイミドフィルム１２
の半導体チップ１１が載置される部分に埋め込まれてい
る。
一実施例を図１を参照して説明する。図１（ａ）に示す
ように、半導体チップ１１はダイパッドとなる絶縁性の
ポリイミドフィルム１２上にマウントされ、半導体チッ
プ１１上のバンプ電極（図示せず）とリ−ド１３とは金
属細線１４により電気的に接続されて、ポリイミドフィ
ルム１２の裏面が露出するように樹脂１５により封止さ
れる。ここで、ポリイミドフィルム１２には熱良導体
（例えば銅またはセラミックス）１６が一ヶ所以上、ポ
リミドフィルムを貫通するように埋め込まれている。ま
た、熱良導体１６は少なくともポリイミドフィルム１２
の半導体チップ１１が載置される部分に埋め込まれてい
る。
【００１０】このような構造であると、半導体チップ１
１から発生する熱は熱良導体１６を介して外部に直接放
散される。半導体チップ１１下に均一に熱良導体１６が
配置されるようにすることにより、より放熱性を向上す
ることができる。また、ポリイミドフィルム１２は樹脂
１５と密着性が良いため、ポリイミドフイルムと樹脂１
５との界面からの水分の侵入を防止することができる。
更に、ポリイミドフィルム１２は柔軟性を有するため、
パッケ−ジの反りをも防止できる。
１から発生する熱は熱良導体１６を介して外部に直接放
散される。半導体チップ１１下に均一に熱良導体１６が
配置されるようにすることにより、より放熱性を向上す
ることができる。また、ポリイミドフィルム１２は樹脂
１５と密着性が良いため、ポリイミドフイルムと樹脂１
５との界面からの水分の侵入を防止することができる。
更に、ポリイミドフィルム１２は柔軟性を有するため、
パッケ−ジの反りをも防止できる。
【００１１】同図（ｂ）に示される他の実施例では、ポ
リイミドフィルム１２上に導電物からなる配線パタ−ン
１７が形成され、パッド電極は配線パタ−ン１７を介し
てリ−ド１３と接続される。それにより、パッド電極と
リ−ド１３とが離れた位置にある場合でも接続すること
ができると共に、リ−ドフレ−ムの汎用性を高めること
も可能である。
リイミドフィルム１２上に導電物からなる配線パタ−ン
１７が形成され、パッド電極は配線パタ−ン１７を介し
てリ−ド１３と接続される。それにより、パッド電極と
リ−ド１３とが離れた位置にある場合でも接続すること
ができると共に、リ−ドフレ−ムの汎用性を高めること
も可能である。
【００１２】同図（ａ），（ｂ）に示されるいずれの実
施例の場合においても、同図（ｃ）中の丸印部分１８に
示されるように、ポリイミドフィルム１２の端部をパッ
ケ−ジ内に伸ばすことにより、耐湿性を向上させること
ができる。
施例の場合においても、同図（ｃ）中の丸印部分１８に
示されるように、ポリイミドフィルム１２の端部をパッ
ケ−ジ内に伸ばすことにより、耐湿性を向上させること
ができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップから発生
する熱は、半導体チップ裏面に配置された熱良導体を介
して放散する。従って、直接外部に放熱することがで
き、放熱特性の向上を図ることができる。また、封止樹
脂と密着性のよいポリイミドフィルムを用いるため、耐
湿性を高め、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高めるこ
とができる。
する熱は、半導体チップ裏面に配置された熱良導体を介
して放散する。従って、直接外部に放熱することがで
き、放熱特性の向上を図ることができる。また、封止樹
脂と密着性のよいポリイミドフィルムを用いるため、耐
湿性を高め、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高めるこ
とができる。
【図１】本発明による一実施例（ａ）、ポリイミドフィ
ル上に配線パタ−ンを設けた例（ｂ）、ポリイミドフィ
ルム端部の変形例（ｃ）を示す断面図である。
ル上に配線パタ−ンを設けた例（ｂ）、ポリイミドフィ
ルム端部の変形例（ｃ）を示す断面図である。
【図２】ヒ−トシンクタイプ（ａ）、ヒ−トスプレッダ
タイプ（ｂ）、ベッド外出しタイプ（ｃ）の樹脂封止型
半導体装置を示す断面図である。
タイプ（ｂ）、ベッド外出しタイプ（ｃ）の樹脂封止型
半導体装置を示す断面図である。
１１…半導体チップ、１２…ポリイミドフィルム、１３
…リ−ド １４…金属細線、１５…樹脂、１６…熱良導体、１７…
配線パタ−ン １８…丸印部分
…リ−ド １４…金属細線、１５…樹脂、１６…熱良導体、１７…
配線パタ−ン １８…丸印部分
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 8617−4Ｍ Ｂ 8617−4Ｍ 23/29 23/373
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを載置する絶縁性のダイパ
ッドと、上記半導体チップ上に設けられたパッド電極と
電気的に接続するリ−ドとを具備する樹脂封止型半導体
装置において、 上記ダイパッドは、埋め込まれた熱良導体を少なくとも
一つ以上有し、 上記熱良導体を含む上記ダイパッドの裏面は、外部に露
出するように封止されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項２】 上記パッド電極は、上記ダイパッド上に
設けられた導電物からなる配線パタ−ンを介して上記リ
−ドと電気的に接続することを特徴とする請求項１記載
の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 上記ダイパッドは、ポリイミドからなる
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5109123A JPH06326236A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5109123A JPH06326236A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326236A true JPH06326236A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14502147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5109123A Pending JPH06326236A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326236A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288428A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| WO2012023236A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012235089A (ja) * | 2011-05-03 | 2012-11-29 | Kyokutoku Kagi Kofun Yugenkoshi | パッケージキャリアおよびその製造方法 |
| WO2016126890A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | Cellink Corporation | Systems and methods for combined thermal and electrical energy transfer |
| WO2025004433A1 (ja) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP5109123A patent/JPH06326236A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288428A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| WO2012023236A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5412532B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8686545B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-04-01 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2012235089A (ja) * | 2011-05-03 | 2012-11-29 | Kyokutoku Kagi Kofun Yugenkoshi | パッケージキャリアおよびその製造方法 |
| WO2016126890A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | Cellink Corporation | Systems and methods for combined thermal and electrical energy transfer |
| US10172229B2 (en) | 2015-02-03 | 2019-01-01 | Cellink Corporation | Systems and methods for combined thermal and electrical energy transfer |
| WO2025004433A1 (ja) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | 半導体装置 |
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