JPH02269350A - ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法Info
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- JPH02269350A JPH02269350A JP1091229A JP9122989A JPH02269350A JP H02269350 A JPH02269350 A JP H02269350A JP 1091229 A JP1091229 A JP 1091229A JP 9122989 A JP9122989 A JP 9122989A JP H02269350 A JPH02269350 A JP H02269350A
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- Japan
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- resist
- parts
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ポジ型レジスト及びそれを用いたレジストパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
［発明の概要］
本発明は、ポジ型レジストにおいて、
ベースポリマー１００重量部に対し、感光剤を１〜５０
重量部と、 （但し、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす）で示される化合物を０．１〜３０重量部
を含有させたことにより、 例えば、アルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要とな
り、且つレジスト下部まで難溶化層形成によるレジスト
形状改善効果が得られるようにしたものである。
重量部と、 （但し、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす）で示される化合物を０．１〜３０重量部
を含有させたことにより、 例えば、アルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要とな
り、且つレジスト下部まで難溶化層形成によるレジスト
形状改善効果が得られるようにしたものである。
［従来の技術］
従来、エキシマレーザ（２４８，８ｎｍ）を用いたレジ
ストパターニング技術のように、通常のレジストでの光
吸収の大きい光源を利用する系では、形成されたレジス
ト形状が悪（なる（レジストパターンの断面矩形性が得
られない）という問題点があった。そこで、ナフトキノ
ンジアジドを感光剤とする通常のポジ型レジストの形状
を改善する手法として、露光剤にＴＭＡＨ（水酸化テト
ラメチルアンモニウム）水溶液等のアルカリ水溶液に浸
すことにより、レジスト表層に難溶化層を形成し、レジ
スト形状の向上を図ったものがある。
ストパターニング技術のように、通常のレジストでの光
吸収の大きい光源を利用する系では、形成されたレジス
ト形状が悪（なる（レジストパターンの断面矩形性が得
られない）という問題点があった。そこで、ナフトキノ
ンジアジドを感光剤とする通常のポジ型レジストの形状
を改善する手法として、露光剤にＴＭＡＨ（水酸化テト
ラメチルアンモニウム）水溶液等のアルカリ水溶液に浸
すことにより、レジスト表層に難溶化層を形成し、レジ
スト形状の向上を図ったものがある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来のポジ型レジスト及びレ
ジストパターン形成方法にあっては、被処理体上に塗布
、形成されたレジストの下層まで難溶化させることが出
来ず、露光現像されたレジストの形状は必ずしも満足の
い（ものではなかった（第２図参照）。
ジストパターン形成方法にあっては、被処理体上に塗布
、形成されたレジストの下層まで難溶化させることが出
来ず、露光現像されたレジストの形状は必ずしも満足の
い（ものではなかった（第２図参照）。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案されたもの
であって、所望の十分に改善されたレジストパターン形
状が得られるポジ型レジスト及びレジストパターン形成
方法を提供するものである。
であって、所望の十分に改善されたレジストパターン形
状が得られるポジ型レジスト及びレジストパターン形成
方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ベースポリマー１００重量部に対し、感光剤
を１〜５０重量部と、 （但し、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす）で示される化合物を０．１〜３０重量部
を含有させたことを、その解決手段としている。
を１〜５０重量部と、 （但し、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす）で示される化合物を０．１〜３０重量部
を含有させたことを、その解決手段としている。
［作用］
（但し、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす）で示される化合物は、光照射により、高
い量子収率でアミンを発生する。このアミンによりポジ
型レジストでの難溶化層を形成する。このため、光強度
のコントラストの低い解像限界に近いパターン形成に有
効となる。
換基を表わす）で示される化合物は、光照射により、高
い量子収率でアミンを発生する。このアミンによりポジ
型レジストでの難溶化層を形成する。このため、光強度
のコントラストの低い解像限界に近いパターン形成に有
効となる。
［実施例］
以上、本発明に係るポジ型レジスト及びレジストパター
ン形成方法の詳細を実施例に基づいて説明する。
ン形成方法の詳細を実施例に基づいて説明する。
本実施例においては、ベースポリマーとしてクレゾール
ノボラック樹脂を用い、このベースポリマー１００重量
部に対し、感光剤としてナフトキノンジアジドを１〜５
０重量部と、 （以下余白） で示される化合物を０．１〜３０ｆ！量部と、を配合し
て成るポジ型レジストとした。
ノボラック樹脂を用い、このベースポリマー１００重量
部に対し、感光剤としてナフトキノンジアジドを１〜５
０重量部と、 （以下余白） で示される化合物を０．１〜３０ｆ！量部と、を配合し
て成るポジ型レジストとした。
斯るポジ型レジストを被処理物（半導体基板等）の上に
塗布し、エキシマレーザ（波長２４８．４ｎｍ）により
露光を行なった。
塗布し、エキシマレーザ（波長２４８．４ｎｍ）により
露光を行なった。
本実施例では、必要に応じてペイキングを施した後、感
光剤に対応したエキシマレーザ光を照射して、露光を行
なった。
光剤に対応したエキシマレーザ光を照射して、露光を行
なった。
次いで、現像を行なうが、本例ではＴＭＡＨの２．３８
ｗｔ％水溶液を現像液として用いた。
ｗｔ％水溶液を現像液として用いた。
上記により、形状の良好なレジストパターンが得られた
。特に、アルカリ処理のない場合、及び単独のアルカリ
処理液で処理した場合に比べ、第１図に示すような格段
に良好なレジスト形状が得られた。
。特に、アルカリ処理のない場合、及び単独のアルカリ
処理液で処理した場合に比べ、第１図に示すような格段
に良好なレジスト形状が得られた。
本実施例の如く、本発明をエキシマレーザ・リングラフ
ィのように、レジストの光吸収の影響によりレジスト形
状が悪くなる場合に用いると、レジスト形状の改善が著
しく、より効果的である。
ィのように、レジストの光吸収の影響によりレジスト形
状が悪くなる場合に用いると、レジスト形状の改善が著
しく、より効果的である。
本実施例にあっては、上記−数式■で示したよう１こ、
アシルオキシイミノ（ａｃｙ ｆｏｘｙ ｉｓ １ｎｏ
）基を含む化合物は、ベンゾフェノン（例えばナフトキ
ノンジアジド等）の感光剤の存在下で光照射を受けるこ
とにより、高い量子収率でアミンを発生する。このアミ
ンにより、ポジ型レジストに難溶化層を形成する。この
ことは、特に、光強度のコントラストの低い解像限界に
近いパターン形成に有効である。
アシルオキシイミノ（ａｃｙ ｆｏｘｙ ｉｓ １ｎｏ
）基を含む化合物は、ベンゾフェノン（例えばナフトキ
ノンジアジド等）の感光剤の存在下で光照射を受けるこ
とにより、高い量子収率でアミンを発生する。このアミ
ンにより、ポジ型レジストに難溶化層を形成する。この
ことは、特に、光強度のコントラストの低い解像限界に
近いパターン形成に有効である。
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、各種の変更が可能である。
されるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、ポジ型レジストの感光剤に対し数ｍｏｃ〜数＋
ｍｏ１２程度の割合で、一般弐〇の化合物を混入しても
よい。
ｍｏ１２程度の割合で、一般弐〇の化合物を混入しても
よい。
また、露光光源としてエキシマレーザを用いる場合は増
感剤は必ずしも必要ではない。
感剤は必ずしも必要ではない。
さらに、露光光源としてｉ線等を用いる場合は、ベンゾ
フェノン等をさらに添加すると効果的である。
フェノン等をさらに添加すると効果的である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に係るポジ型レ
ジスト及びレジストパターン形成方法によれば、従来の
ようにアルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要となり
、しかも、レジスト下部まで難溶化層の形成が出来、レ
ジスト形状が向上する効果がある。
ジスト及びレジストパターン形成方法によれば、従来の
ようにアルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要となり
、しかも、レジスト下部まで難溶化層の形成が出来、レ
ジスト形状が向上する効果がある。
２１図は本発明に係るポジ型レジストを用いてパターン
形成したレジスト形状を示す断面図、第２図は従来のレ
ジスト形状を示す断面図である。
形成したレジスト形状を示す断面図、第２図は従来のレ
ジスト形状を示す断面図である。
Claims (2)
- （１）ベースポリマー１００重量部に対し、感光剤を１
〜５０重量部と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ、Ｒ′、Ｒ″は各々炭化水素基及びその置換
基を表わす）で示される化合物を０．１〜３０重量部を
含有させたことを特徴とするポジ型レジスト。 - （２）ベースポリマー１００重量部に対し、感光剤を１
〜５０重量部と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ、Ｒ′、Ｒ″は各々炭化水素基及びその置換
基を表わす）で示される化合物を０．１〜３０重量部を
含有させて成るポジ型レジストを、被処理体上に形成し
、露光後現像を行なうことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091229A JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091229A JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02269350A true JPH02269350A (ja) | 1990-11-02 |
| JP2687567B2 JP2687567B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=14020596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1091229A Expired - Fee Related JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687567B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296250A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Sony Corp | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
| FR2798747A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-23 | Hyundai Electronics Ind | Composition de photoreserve contenant un generateur de photobase avec generateur de photo-acide |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1091229A patent/JP2687567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296250A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Sony Corp | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
| FR2798747A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-23 | Hyundai Electronics Ind | Composition de photoreserve contenant un generateur de photobase avec generateur de photo-acide |
| NL1016224C2 (nl) * | 1999-09-21 | 2001-05-30 | Hyundai Electronics Ind | Foto-basevormend middel en foto-zuurvormend middel bevattende foto- etssamenstelling. |
| US6395451B1 (en) | 1999-09-21 | 2002-05-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photoresist composition containing photo base generator with photo acid generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2687567B2 (ja) | 1997-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |