JPH02269360A - 電子写真用メモリー性感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子写真用メモリー性感光体に関する。

（従来の技術） 電子写真の基本プロセスである帯電、露光、現像、転写
の内、画像露光のプロセスを省略し、１回の露光で多数
枚コピーを作製するシステムの開発が以前から行われて
いる。このシステムでは１回の像露光により光導電性が
持続する、いわゆるメモリー性にすぐれた感光体が必要
となるため、感光体へのメモリー性付与の研究が盛んに
報告されている。メモリー性付与の方法としては、メモ
リー性付与剤を添加する方法が一般的であり、ロイコ色
素（特開昭５２−４８３９号）、プロトン酸（米国特許
３，８７９，２０１号および３，９９７．３４２号）、
ハロゲン化物（米国特許３，０８１．１６５号）、ジア
ゾニウム塩（Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ　５ｃｉｅｎｃ
ｅ　ａｎｄ　ＩＩ！ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ２６巻、６９
頁（１９８２））　、などのメモリー性付与剤が提案さ
れている。

（発明が解決しようとする問題点） 上記メモリー性付与剤の添加により、メモリー性が付与
されるが、メモリー性を付与するためには光導電層の組
成物の劣化の恐れのある紫外光を含む水銀灯の光を照射
したり、タングステンランプ、螢光灯などによる長時間
の露光が必要であったり、ジアゾニウム塩のように、光
で分解しやすく、繰返し使用が困難であるなど実用化が
難かしいという問題があった。

一方、−数的にいわゆる導電性ポリマー、例えばポリア
ルキルチオフェン層をヨウ素で処理した中間層を設けた
感光体の例も既に知られているか（特開昭６２−２９６
１５２号）、この例は本発明と異なり、通常の電子写真
感光体であって、通常のカールソンプロセス、即ち帯電
および露光を含むプロセスを繰り返しても帯電特性に殆
んど変化がなく、メモリー性は全（ないものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、上記問題点解決のために鋭意検討した結
果、本発明に到達した。

すなわち、本発明の目的は、効率的なメモリー性の電子
写真用感光体を提供することにあり、しかして、かかる
本発明の目的は導電性支持体と光導電層との間に、ヨウ
素でドーピング処理をしたポリ（３−アルキルチオフェ
ン）を含有する中間層を有する電子写真用メモリー性感
光体によって達成される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明において、導電性支持体としては、アルミ、黄銅
などの金属のドラムやシート、あるいは、ポリエステル
やポリイミドなどの絶縁性のプラスチックフィルムやシ
ート、紙などの表面を導電化処理をしたものなどが用い
られる。導電化処理法としては、蒸着、スパッタなどの
方法による、アルミ、金９ｗＡなとの金属層や、酸化イ
ンジウム。

酸化スズなどのいわゆる透明導電層の形成法が挙げられ
る。

これらの内、酸化インジウム−酸化スズ系のいわゆるＩ
ＴＯと呼ばれる透明導電層を有する、支持体が好ましい
。

本発明において、中間層には、ヨウ素でドーピング処理
したポリ（３−アルキルチオフェン）が用いられる。ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ヘキシル基等が挙げられる。

中間層は、前記ポリ（３−アルキルチオフェン）単独か
ら形成されていてもよいが、他の樹脂と混合された状態
であってもよい、このとき、前記のポリ（３−アルキル
チオフェン）は少なくとも１０重量％以上、好ましくは
２０重量％以上該中間層中に含有することが好ましい、
該中間層に混合して使用される他の樹脂としては例えば
アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、エポキシ樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、ウレタン
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
ビニルアセタール樹脂、セルロース誘導体、ポリビニル
アルコール等が挙げられる。

これらは二種以上混合して使用してもよい。

中間層を形成するポリ（３−アルキルチオフェン）は導
電性支持体上で直接対応するモノマーを酸化重合させて
成膜してもよいし、別途重合して合成したポリ（３−ア
ルキルチオフェン）を必要に応じて他の樹脂と混合して
塗布により成膜してもよい、導電性支持体上で重合を行
う場合、あらかじめ該支持体上に接着性改良等のために
、他の樹脂の薄膜を形成した後、該重合を行なってもよ
い、この場合、電解重合の方法でも、予め＃ｌＩ薄膜中
に酸化重合触媒を含有させておき気相中の３−アルキル
チオフェンを化学重合さ廿る方法で重合反応により該薄
膜中にポリ（３−アルキルチオフェン）が形成される。

上記の種々の方法のうち、中間層の形成方法としては、
膜の均一性の点からは電解重合により導電性支持体上で
直接３−アルキルチオフェンを重合させて成膜する方法
が好ましく、この場合膜質が非常に良好で表面の均一な
層が得られる。具体的には、導電性支持体を単独又は、
表面にポリマーの薄膜を形成した状態で３−アルキルチ
オフェンを含む電解液中に浸漬し、電圧を印加する。電
解液の溶媒としては、アセトニトリル、テトラヒドロフ
ラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
二トロベンゼンプロピレンカーボネート、ピリジン、メ
タノール、水等が用いられ、支持体電解質としては、ア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩、テトラアルキルアンモ
ニウム塩等が用いられる。中間層の膜厚は１μｌ以下が
好ましい。

続いて成膜されたポリ（３−アルキルチオフェン）をヨ
ウ素によりドーピング処理するが、該ドーピング処理は
通常ヨウ素の蒸気に曝すことによって行われる。

成膜されたポリ（３−アルキルチオフェン）は該ドーピ
ング処理を施す前に適当な溶剤で洗うかまたは電解質液
中で脱ドープ処理する、即ち、成膜されたポリ（３−ア
ルキルチオフェン）を導電性支持体ごと電解質溶液に浸
漬し、該導電性支持体を陰極として該溶液に通電するこ
とにより、予めポリ（３−アルキルチオフェン）から陰
イオンを離脱させておくのが好ましい。

本発明感光体の光導電層のタイプは電荷移動錯体型、色
素増感型、機能分離型等公知のタイプを含めていずれの
タイプのものでもよいが、電荷移動錯体型の光導電層が
好ましい。

電荷移動錯体型の光導電層は、電子供与性化合物と電子
受容性化合物の混合により形成される光導電性電荷移動
錯体から成る。

電子供与性化合物としては、例えばポリビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセン、ポリアセナフチレン、
ポリスチリルアントラセン、ポリビニルピレン等の光導
電性ポリマーや、オキサシアルゾール、ピラゾリンイソ
オキサゾールなどの含窒素複素環化合物、ヒドラゾン化
合物、トリアリールアミンなどの低分子化合物が挙げら
れる。

電子受容性化合物としては、例えば、２．４．７−　）
リニトロフルオレノン、２．４，５．７−チトラニトロ
フルオレノン、テトラシアノエチレンテトラシアノキノ
ジメタン、クロラニル、プロマニル、テレフタラルマロ
ノニトリル等のルイス酸と称される化合物が挙げられる
。

このうち電子供与性物質としてポリビニルカルバゾール
、電子受容性物質として２，４．７−　）リニトロフル
オレノンを組合せて用いるのが最も好ましい。

光導電性電荷移動錯体は、上記電子供与性化合物と電子
受容性化合物の混合により得られる。−般には、電子供
与性化合物（ポリマーの場合はモノマー単位）１モルに
対し、電子受容性化合物は、０．０５〜１．３モル、好
ましくは０．１〜１．１モルの割合で用いられる。

光導電層には必要によりバインダーポリマー可塑剤、そ
の他の添加剤を添加してもよい。

バインダーポリマーとしては、ポリエステル。

ポリカーボネート、メタアクリル樹脂、フェノキシ樹脂
、ポリアクリレート、ポリスルホンなどが挙げられる。

電子供与性化合物がポリビニルカルバゾールなどのポリ
マーの場合は、必ずしも別途バインダーポリマーを添加
する必要はないが、適当なポリマーを選択し、ポリビニ
ルカルバゾールなどの電子供与性化合物としての効果を
損なわない範囲、即ち該電子供与性化合物１００重量部
に対し５０重量部以下の範囲で添加し本発明感光体の強
度向上を図るのが好ましい。電子供与性化合物が低分子
化合物の場合は、バインダーポリマーを該電子供与性化
合物１００重量部に対し７０重量部から２００重量部、
好ましくは８０〜１５０重量部添加するとよい。

上記組成物からなる塗布液を前記中間層上に塗布し、乾
燥することにより光導電層が形成される。

塗布液の溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等
が用いられる。光導電層の膜厚は５μＩｌｌ〜３０μｍ
が好ましい。

本発明の感光体にメモリー性潜像を形成するには、暗所
でコロナ放電等により帯電した後、像露光することによ
り行なわれる。露光量は潜像を形成するに必要な露光量
であれば良い。

以下に本発明の実施例を示すが、本発明はその要旨を越
えない限り下記実施例によって限定されるものではない
。

実施例 酸化インジウム−酸化スズから成る透明導電層ＣＩＴＯ
）を有するする石英ガラス板を、３−メチルチオフェン
の０．１Ｍアセトニトリル溶液にテトラブチル過塩素酸
塩を０．１　Ｍの濃度になる様に加えてなる溶液に浸漬
し、０．２ｍＡ／ｃｆｆｌの電流密度で電解重合を行な
い、ＩＴＯ上に０．４μｍの膜厚でポリ（３−メチルチ
オフェン）重合膜を形成した。この石英ガラス板を、３
−メチルチオフェンを除いた電解質液中に移し、陰極処
理により脱ドープを行ない、次いで脱ドープした重合膜
をヨウ素蒸気にさらし、ヨウ素のドーピングを行ない中
間層を形成した。この中間層の上に、ポリビニルカルバ
ゾールと２．４．７−　）リニトロフルオレノン（モル
比１：０．５）のテトラヒドロフラン溶液を塗布し、乾
燥し、膜厚約７μ醗の光導電層を形成し、感光体を作製
した。

この感光体の電子写真特性を静電複写紙試験装置（川口
電機製作所製モデル５Ｐ−４２８）を用いて測定した。

暗所でコロナ帯電（印加電圧−８ｋＶ）を行い、５００
ｎｍ単色光を０．１　ｍＷ／　ｃｉの露光強度で３秒間
照射した。コロナ帯電直後の感光体の表面電位をＶｓ＋
　（Ｖ）　、該コロナ帯電後暗所で１０秒間経過した後
の表面電位の減衰率（％）を求め暗減衰としてＤ＋で表
示し、前記照射の際表面電位が半減するのに要する露光
量を感度（半減露光量。

Ｅ′Ａ（１）　）として求めた。

続いて、上記の帯電から露光までのプロセスを全く同様
に繰返し、帯電直後の表面電位ｖ３！、暗減衰りよおよ
び半減露光量Ｅ’４＜ｚ＋　を測定した。

表面電位ＶＳｔとｖｏを比較してメモリー性の指標とし
た。即ち、メモリー性は の値で評価した。

メモリー性が全くない場合は、■、の値が変化しないた
め、Ｆ、−０となり、メモリー性が大きいとＦ、の値も
大きくなり、最大値は１００となる。測定結果を表１に
示す。

本発明の感光体はこの結果から、従来のメモリー性悪光
体に比べ感度測定に要する程度の少ない露光量できわめ
て大きなメモリー性を付与することができ、しかも暗減
衰も小さく、変動もほとんどな（、しかも感度が高い特
性が示された。このことは、メモリー性を付与し、連続
してコロナ帯電を行なっても安定したＶ、が得られるこ
とを示している。

この感光体を、乾燥基中１００°Ｃで１０分１いた所、
メモリー性、即ち一回の露光による持続的な光導電性は
消去された。

一方この感光体を一８ｋＶでコロナ帯電した所、ＶＳ＋
は一１８６ｖとなり、暗減衰も大きく、負帯電では実用
性のないことが示された。

比較例１ 石英ガラス板を浸漬して電解重合を行う溶液として、テ
トラブチルテトラフルオロボレートとピロールをそれぞ
れ濃度０．１　Ｍとなる様に溶解したプロピレンカーボ
ネートを用いた以外は前記実施例と全く同様に電解重合
を行ない、ＩＴＯ膜上にポリピロール膜を形成し、ヨウ
素のドーピング処理をせずに該実施例と全く同様にして
感光体を作製し、電子写真特性を測定した。

測定結果を表１に示す。

比較例２ 石英ガラス板を浸漬して電解重合を行う溶液として、リ
チウムテトラフルオロポレートとアニリンをそれぞれ濃
度０．１　Ｍとなる様に溶解してなる水溶液を用いた以
外は前記実施例１と全く同様にして電解重合を行ない、
ＩＴＯ膜上にポリアニリン膜を形成し、次いで該実施例
と全く同様にしてヨウ素のドーピング処理と光導電層の
形成を行ない、感光体を作製し、電子写真特性を測定し
た。

測定結果を表１に示す。

比較例３ ポリ（３−メチルチオフェン）の中間膜を有していない
以外は前記実施例で作製したのと全く同じ感光体を作製
し、該実施例と全く同様にして電子写真特性を測定した
。測定結果を表１に示す。

表１の結果から、比較例は、いずれもメモリー性が劣り
、しかも感度も低く、暗減衰も大きいものもあるなど、
いずれもメモリー性感光体としての性能は不十分であり
、本発明感光体に設けられている中間層がメモリー性付
与には効果の大きいことが示された。

表 （発明の効果） 本発明によれば、特定の中間層を付与することにより感
光体の性能を低下させず、しかも像露光程度の光量でメ
モリー性潜像を形成することができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層との間にヨウ素でドーピ
   ング処理をしたポリ（３−アルキルチオフェン）を含有
   する中間層を有することを特徴とする電子写真用メモリ
   ー性感光体。